该工作为高性能碳基电子、光电子器件的设计和应用提供了重要的科学指导。 ...
因此,进一步提高SWCNT薄膜的透明导电特性是实现其器件应用的关键。分析表明,SWCNT透明导电薄膜中的管间接触电阻和管束聚集效应是制约其性能提高的主要瓶颈。...
类金刚石碳基复合薄膜不仅具有高硬度、优异耐磨性和低摩擦系数,还具有极好的耐蚀性,是铝合金表面改性的理想薄膜材料。然而,由于高硬度类金刚石碳薄膜与铝合金在硬度、热膨胀系数以及结构方面存在很大差异,导致铝合金表面形成的碳基薄膜与基体之间的残余应力大、结合力和承载能力非常差。防护薄膜在变工况以及介质腐蚀环境下耐磨损性能差,很容易发生从铝合金基体上剥落而导致失效。 ...
研究结果表明,石墨炔是由1,3-二炔键将苯环共轭连接形成二维平面网络结构的全碳分子,具有丰富的碳化学键,大的共轭体系、宽面间距(4.1913Å)、优良的化学稳定性和半导体性能。所获得的石墨炔薄膜面积可达3.61cm2,是高晶化的单晶薄膜,拉曼光谱显示了其特征峰在1382、1569、1926和2189cm-1,并证实该薄膜具有较高的有序度和较低的缺陷,薄膜电导率为:10-3-10-4 S m-1。...
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