SJ/T 11489-2015
低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers
- 标准号
- SJ/T 11489-2015
- 发布日期
- 2015年04月30日
- 实施日期
- 2015年10月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H83
- 国际标准分类号
- 29.049
- 发布单位
- CN-SJ
- 引用标准
- GB/T 14264
- 适用范围
- 本标准规定了低位错密度磷化铟(InP)抛光片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于直径2英寸且EPD小于5 000/cm2的圆形InP晶片的EPD的测量。