IEC 60749-28:2017
半导体器件. 机械和气候试验方法. 第28部分: 静电放电(ESD)灵敏度试验. 带电器件模型(CDM). 器件级

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 28: Electrostatic discharge (ESD) sensitivity testing - Charged device model (CDM) - device level

被代替

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标准号

IEC 60749-28:2017

发布

2017年

发布单位

国际电工委员会

替代标准

IEC 60749-28:2022 RLV

当前最新

IEC 60749-28:2022 RLV

 

 

被代替标准

IEC 47/2362/FDIS:2017

适用范围

IEC 60749 的这一部分建立了根据器件和微电路暴露于定义的场感应带电器件模型 (CDM) 静电放电 (ESD) 造成损坏或退化的敏感性（敏感性）来测试、评估和分类器件和微电路的程序。所有封装半导体器件、薄膜电路、表面声波 (SAW) 器件、光电器件、混合集成电路 (HIC) 以及包含任何这些器件的多芯片模块 (MCM) 均应根据本文件进行评估。为了执行测试，设备被组装成类似于最终应用中预期的封装。本 CDM 文件不适用于插座放电模型测试仪。本文档描述了场感应 (FI) 方法。另一种方法是直接接触 (DC) 方法，如附录 I 中所述。本文件的目的是建立一种测试方法，该方法将复制 CDM 故障并提供可靠、可重复的 CDM ESD 测试结果，无论设备如何类型。可重复的数据将允许对 CDM ESD 敏感度级别进行准确的分类和比较。

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