SJ/T 2658.12-2015
半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 12: Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth

SJT2658.12-2015, SJ2658.12-2015


SJ/T 2658.12-2015 发布历史

SJ/T 2658.12-2015由行业标准-电子 CN-SJ 发布于 2015-10-10,并于 2016-04-01 实施。

SJ/T 2658.12-2015 在中国标准分类中归属于: L53 半导体发光器件,在国际标准分类中归属于: 31.080 半导体分立器件。

SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽的最新版本是哪一版?

最新版本是 SJ/T 2658.12-2015

SJ/T 2658.12-2015 发布之时,引用了标准

  • SJ/T 2658.1 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则

SJ/T 2658.12-2015的历代版本如下:

  • 2015年 SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽
  • 1970年 SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法

SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽 由 SJ 2658.12-1986 半导体红外发光二极管测试方法.峰值发射波长和光谱半宽度的测试方法 变更而来。

 

本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)峰值发射波长和光谱辐射带宽的测量原理图、测量步骤以及规定条件。 本部分适用于半导体红外发射二极管。

标准号
SJ/T 2658.12-2015
别名
SJT2658.12-2015
SJ2658.12-2015
发布
2015年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 2658.12-2015
 
 
引用标准
SJ/T 2658.1
被代替标准
SJ 2658.12-1986

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