报道称,IBM公司用多年时间研究制造堆叠纳米芯片工艺技术和材料,此前流行的电子束光刻工艺对于批量生产而言过于昂贵,而即将投入生产的5纳米芯片,将使用工艺成本有所降低的极光紫外光刻技术。新型芯片虽然只有指甲大小,其上却能集成300亿个晶体管,在与10纳米芯片进行对比的测试中发现,在给定功率下,其性能可提升40%;在同等效率下,5纳米芯片可以节省74%电能。 ...
如图1所示,目前国际报道的基于主流高k金属栅FinFET制造工艺形成堆叠纳米线器件的研发有两种不同方案:堆叠纳米线(SNW,IMEC)和堆叠纳米片(Nanosheet,IBM)技术。上述方案都需要在普通硅衬底上外延生长高质量的多层GeSi/Si结构,并在高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀GeSi或Si,最终在沟道中选择形成堆叠纳米线而在源漏中保持Fin结构。...
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