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报道称，IBM公司用多年时间研究制造堆叠纳米芯片工艺技术和材料，此前流行的电子束光刻工艺对于批量生产而言过于昂贵，而即将投入生产的5纳米芯片，将使用工艺成本有所降低的极光紫外光刻技术。新型芯片虽然只有指甲大小，其上却能集成300亿个晶体管，在与10纳米芯片进行对比的测试中发现，在给定功率下，其性能可提升40%；在同等效率下，5纳米芯片可以节省74%电能。 ...
如图1所示，目前国际报道的基于主流高k金属栅FinFET制造工艺形成堆叠纳米线器件的研发有两种不同方案：堆叠纳米线（SNW，IMEC）和堆叠纳米片（Nanosheet，IBM）技术。上述方案都需要在普通硅衬底上外延生长高质量的多层GeSi/Si结构，并在高k金属栅取代栅工艺中选择腐蚀GeSi或Si，最终在沟道中选择形成堆叠纳米线而在源漏中保持Fin结构。...
在微观尺度下，纳米材料仿佛打开了一个物质的新世界。 “实现纳米材料表面或界面调控，乃至探索真空互联下原子制造等全新制备工艺，是全球公认的突破‘摩尔定律失效魔咒’、研发未来信息器件及集成电路的关键技术问题。”张珽告诉记者。 然而，纳米材料的制备、测试、加工极其困难。“以制造芯片的Class 10超净间为例，在1立方英尺的空间中，不能有超过10粒0.5微米以上的粉尘。”...
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