OVE EN IEC 63373:2021
基于GaN HEMT的功率转换器件的动态导通电阻测试方法指南（IEC 47/2690/CDV）（英文版）

Dynamic on-resistance test method guidelines for GaN HEMT based power conversion devices (IEC 47/2690/CDV) (english version)


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 OVE EN IEC 63373:2021 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
OVE EN IEC 63373:2021
发布
2021年
发布单位
AT-OVE/ON
当前最新
OVE EN IEC 63373:2021
 
 

OVE EN IEC 63373:2021相似标准

NF EN IEC 63373:2022 基于 GaN HEMT 的功率转换器件动态导通电阻测试方法指南 NF C96-373*NF EN IEC 63373:2022 基于 GaN HEMT 的功率转换器件的动态导通电阻测试方法指南 BS EN IEC 63373:2022 基于 GaN HEMT 的功率转换器件的动态导通电阻测试方法指南 UNE-EN IEC 63373:2022 基于 GaN HEMT 的功率转换器件的动态导通电阻测试方法指南 GSO IEC 63373:2024 基于 GaN HEMT 的功率转换器件的动态导通电阻测试方法指南

推荐

第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（三）

GaN HEMT提供较传统MOSFET更低的门极电荷和导通电阻，从而实现高频条件下的更高电源转换能效。　　演示板设计为240 W通用板，它输出20 A的负载电流和12 V输出电压， 功率因数超过98%，满载时总谐波失真(THD)低于17%。电源转换器前端采用功率因数校正(PFC) IC，将AC转换为调节的385 V DC 总线电压。升压转换器中的电感电流工作于CCM。...

研究团队在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展

　　氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比，GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。...

第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（一）

基于同一导通电阻等级，第一代600 V硅基GaN(GaN-on-Si)器件已比高压硅MOSFET提供好4倍以上的门极电荷、更好的输出电荷、差不多的输出电容和好20倍以上的反向恢复电荷，并将有待继续改进，未来GaN的优势将会越来越明显。　　表2：第一代600 V GaN-on-Si HEMT 与高压MOSFET比较...

微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MIS-HEMT器件

该增强型MIS-HEMT器件在4GHz下的脉冲输出功率达到5.76 W/mm，功率附加效率57%，高于国际上报道的阈值电压超过+1.5V MIS-HEMT器件的功率性能（如图2（c）所示）。该增强型GaN MIS-HEMT的成功研制突破了栅槽刻蚀技术制备GaN功率电子器件的瓶颈，为进一步提高氮化镓电子器件的工作频率（10 MHz以上）和转换效率奠定了扎实基础。　　...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号