半导体器件.分立器件.第7部分:双极性晶体管.第1节:低频和高频放大用的额定环境晶体管的空白详细规范 是非强制性国家标准,您可以免费下载预览页
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此外, 基于氮化镓(GaN) 工艺的大功率高频器件也迅速拓展至毫米波频段. 下面将分别进行介绍.1.1 GaAs 和InP 毫米波芯片近十几年来, GaAs 和InP 工艺和器件得到了长足的进步. 基于该类工艺的毫米波器件类型主要有高电子迁移率晶体管(HEMT)、改性高电子迁移率晶体管(mHEMT) 和异质结双极性晶体管(HBT)等....
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