波 振荡器

本专题涉及波 振荡器的标准有17条。

国际标准分类中，波 振荡器涉及到频率控制和选择用压电器件与介质器件。

在中国标准分类中，波 振荡器涉及到石英晶体、压电元件。

法国标准化协会，关于波 振荡器的标准

• NF C93-620-6-2011 质量评估石英晶体控制振荡器.第6部分:石英晶体振荡器和锯齿波振荡器相位抖动的测量方法.

(美国)军事条例和规范，关于波 振荡器的标准

• ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-150兆赫的低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1赫兹-100兆赫的1.8伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为1兆赫-133兆赫的2.5伏低压互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为500千赫-85兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 晶体振荡器(XO):方波为0.75赫兹-200兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.05兆赫-10兆赫的互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/25 D-2009 晶体振荡器(XO):方波为25赫兹-175兆赫的发射器双逻辑1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 晶体振荡器(XO):方波为0.01赫兹-50兆赫的晶体管晶体管逻辑半导体系列(TTL)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/8 J-2009 晶体振荡器(XO):方波为50赫兹-50兆赫的晶体管晶体管逻辑系列(TTL)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/32 A-2008 晶控振荡器,1型(晶体振荡器(XO)),1.544MHz到125MHz,气封方波改进的CMOS
• ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.544赫兹-125兆赫的高级互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器
• ARMY MIL-PRF-55310/28 C-2008 晶体振荡器(XO):方波为 1.0兆赫-85兆赫的晶体管晶体管逻辑系列(TTL)1型气密封晶控振荡器

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