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赝电容效应

本专题涉及赝电容效应的标准有9条。

国际标准分类中，赝电容效应涉及到半导体分立器件、管道部件和管道。

在中国标准分类中，赝电容效应涉及到电磁兼容、基础标准与通用方法。

行业标准-电子，关于赝电容效应的标准

• SJ/T 11892-2023 赝电容超级电容器总规范
• SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法

RU-GOST R，关于赝电容效应的标准

• GOST 20398.5-1974 场效应晶体管.输入电容、越渡电容和输出电容测量方法

美国电气电子工程师学会，关于赝电容效应的标准

• IEEE Std C63.14-2014 包括电磁环境效应(E3)的电磁兼容性字典
• IEEE 844-2000 管道和容器的电阻抗、电感和集肤效应加热的规程
• IEEE Std 844-1991 管道和容器的电阻抗、感应和集肤效应加热的 IEEE 推荐规程
• IEEE Std 844-2000 管道和容器的电阻抗、感应和集肤效应加热的 IEEE 推荐规程

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc.，关于赝电容效应的标准

• IEEE 844-1985 管道和容器的电阻抗 感应 和趋肤效应加热的推荐做法
• IEEE 844-1991 管道和容器的电阻抗 感应 和趋肤效应加热的推荐规程

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