SJ/T 11824-2022
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等效电容和电压变化率测试方法

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Equivalent Capacitance and Voltage Change Rate Test Method

SJT11824-2022, SJ11824-2022


 

 

非常抱歉，我们暂时无法提供预览，您可以试试： 免费下载 SJ/T 11824-2022 前三页，或者稍后再访问。

您也可以尝试购买此标准，
点击右侧 “立即购买” 按钮开始采购（由第三方提供）。

 

标准号
SJ/T 11824-2022
别名
SJT11824-2022, SJ11824-2022
发布
2022年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 11824-2022
 
 

SJ/T 11824-2022相似标准

T/CASAS 002-2021 宽禁带半导体术语 GB/T 4586-1994 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 T/CASAS 006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 T/CASAS 015-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法

推荐

碳化硅功率器件测试

反向恢复电压变化率、集电极短路电流、输入电容、输出电容、反向转移电容、栅极串联等效电阻、雪崩耐量等。...

详解：MOS管和IGBT的区别

MOS管即MOSFET，中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离，所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。MOSFET种类与电路符号有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，或者叫寄生二极管、续流二极管。...

德州仪器（TI）推出了一款5.5V降压型电源模块

易用的TPSM82480 DC/DC模块将功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和屏蔽电感集成到一个小尺寸封装中，用于空间和高度受限的应用。例如负载点电信、网络、测试和测量电源。欲了解更多信息、样品和评估模块，请访问。 　　TI高度集成的TPSM82480在整个温度范围内保持所需的6A输出电流，无需额外的气流。...

【科技评论】石墨烯革命

半导体石墨烯的应用之一是设计下一代快速切换金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。什么是 MOSFET？MOSFET的基本思路是施加栅极电压来控制漏源电阻，进而控制漏电流（见下图）。在某个栅源电压 (VGS) 以及较低的漏源电压 (VDS) 下，漏电流几乎线性依赖于 VDS。VDS 增加时，漏电流将达到饱和。饱和程度依赖于栅源电压，切换时间取决于半导体的迁移率。...


Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证：京ICP证110310号