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压片三级

本专题涉及压片三级的标准有380条。

国际标准分类中，压片三级涉及到集成电路、微电子学、泵、核能工程、钢铁产品、旋转电机、与食品接触的物品与材料、能源和热传导工程综合、电影、电子电信设备用机电元件、土方工程、挖掘、地基构造、地下工程、陶瓷、绝缘材料、切削工具、建筑物的防护、整流器、转换器、稳压电源、字符集和信息编码、石油产品综合、航空航天用电气设备和系统、橡胶和塑料制品、声学和声学测量、航空器和航天器综合、金属矿。

在中国标准分类中，压片三级涉及到变压器、微电路综合、核电厂核岛、核反应堆与核电厂核岛设备、基础标准与通用方法、、技术管理、同步电机、电影、照相、缩微、复印设备综合、工程勘察与岩土工程综合、电工绝缘材料及其制品、刀具、半导体集成电路、计算机应用、旋转电机综合、异步电机、特种陶瓷、石油产品综合、安装、接线连接件、电子元器件、泵、电影与摄影技术、通用电子测量仪器设备及系统、声学仪器与测震仪、重金属矿。

美国国防后勤局，关于压片三级的标准

• DLA SMD-5962-87611 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、三重三输入和门、单片硅
• DLA SMD-5962-95652 REV D-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、三重三输入与非门、单片硅
• DLA SMD-5962-90772 REV D-2011 微电路、数字、高级 CMOS、三重三输入正与门、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 微电路、数字、双极、三态优先级编码器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 微电路、数字、高级低电压 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04701 REV A-2011 微电路，数字，高级 CMOS，三重 3 输入正和门，单片硅
• DLA SMD-5962-96522 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、三路 3 输入和门、单片硅
• DLA SMD-5962-93253 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的四路缓冲器、单片硅
• DLA SMD-5962-89510 REV B-2012 微电路、数字、高级肖特基、TTL、三重、3 输入、或非、或非门、单片硅
• DLA SMD-5962-96818 REV B-2010 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 微电路，数字，高级 CMOS，具有三态输出的 16 位 D 型锁存器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位双向收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C-2004 高级肖特基TTL数字双极微电路,带三态输出总线收发器,单片硅
• DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 微电路，数字，高级 CMOS，具有三态输出的八进制 D 型锁存器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 高级双极CMOS电子微电路带三态输出的16比特总线收发器单片硅,
• DLA SMD-5962-88703 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、四路 2 输入多路复用器、具有三态输出、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-87693 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的双 4 输入多路复用器、单片硅
• DLA SMD-5962-88706 REV E-2011 微电路，数字，高级 CMOS，八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制收发器/寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-96529 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、三重 3 输入或非门、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-90585 REV B-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，多模式缓冲锁存器，INV （三态），单片硅
• DLA SMD-5962-96521 REV C-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、三重 3 输入与非门、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-97509 REV B-2003 微功率供应电压超级用户硅单片电路线型微电路
• DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位总线收发器、TTL 兼容、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制 D 型透明锁存器、单片硅
• DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位收发器
• DLA SMD-5962-87631 REV D-2011 微电路、数字、高级 CMOS、八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V 16 位总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-87631 REV E-2012 微电路、数字、高级 CMOS、八进制 D 型触发器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04656 REV B-2012 微电路，数字，低压 CMOS，四路总线缓冲器门，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-04210-2004 硅单片三态输出16比特缓冲/驱动高级氧化物半导体的数字微型电路
• DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 36 位寄存总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS 抗辐射、具有三态输出的八进制 D 型触发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位透明 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、单片硅
• DLA SMD-5962-02507 REV A-2003 单片硅数字微电路低压CMOS16位收发器与总线控制和三态输出
• DLA SMD-5962-04211-2004 硅单片三态输出16比特总线收发器高级氧化物半导体的数字微型电路
• DLA SMD-5962-96856 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、单片硅
• DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、单片硅
• DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有反相三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
• DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 1 线至 10 线时钟驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 微电路、数字、高级肖特基 TTL、具有三态输出的四路同相总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-92184 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、带反相三态输出的缓冲线/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 10 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 位诊断寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线驱动器
• DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器/线路驱动器、具有三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 数字微电路,具有三态输出的高级高速CMOS型八路缓冲器/驱动器和单片硅
• DLA SMD-5962-97543 REV D-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制总线收发器、单片硅
• DLA SMD-5962-93074 REV H-2008 线性单硅片混合微电路,带电压为+5,5V的三通道直流/直流转换器
• DLA SMD-5962-89599 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 8 输入多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
• DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、八路 16 位 D 型触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04678 REV A-2010 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 八进制透明 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04711 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 16 位边沿触发 D 型触发器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 18 位通用总线驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04722 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3V ABT 32 位边沿触发 D 型触发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA MIL-M-38510/379 A VALID NOTICE 4-2012 微电路、数字、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的通用多路复用器、单片硅
• DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
• DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的八路缓冲门、单片硅
• DLA MIL-M-38510/339 E-2011 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，数据选择器/多路复用器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-02508 REV C-2007 单片硅数字微电路低压CMOS16位总线收发器与总线控制和三态输出
• DLA DSCC-VID-V62/04665 REV A-2010 微电路，数字，低压 CMOS，具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04666 REV A-2010 微电路，数字，低压 CMOS，具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器，单片硅
• DLA SMD-5962-97594 REV C-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-97595 REV C-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04724 REV A-2011 微电路，数字，低电压 CMOS，具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04722 REV A-2005 高级双极CMOS数字微电路3.3伏ABT32比特边缘触发D型触发器带三相输出单片硅
• DLA SMD-5962-96854 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 36 位总线收发器
• DLA SMD-5962-96864 REV A-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位 D 型边沿触发触发器、TTL 兼容、单片硅
• DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
• DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-91611 REV B-2009 微电路，数字，高级 CMOS，8 位 D 型触发器，正边沿触发，三态输出，TTL 兼容输入，单片硅
• DLA SMD-5962-95619 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
• DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位寄存收发器
• DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04761 REV A-2011 微电路、数字、高级高速 CMOS、八路缓冲器/驱动器、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型透明锁存器
• DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八进制收发器/寄存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途收发器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/03663 REV A-2009 微电路，数字，低压 CMOS，八进制边沿触发 D 型触发器，带三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04667 REV A-2010 微电路，数字，低压 CMOS，具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器，单片硅
• DLA SMD-5962-96890 REV B-2010 微电路、数字、低压 CMOS、18 位 GTL/LVT 通用总线收发器，具有三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-97575 REV C-2010 微电路，数字，低压 CMOS，具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器，单片硅
• DLA SMD-5962-96858 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96863 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入的四路总线缓冲器门单片硅
• DLA SMD-5962-96869 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的四路总线缓冲器门、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、36 位寄存总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、9 位总线接口触发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-88704 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的四路 2 输入多路复用器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
• DLA SMD-5962-87761 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出和 TTL 兼容输入的双 4 输入多路复用器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04620 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、具有 TTL 兼容输入和三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-92194 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
• DLA SMD-5962-94618 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、18 位通用总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
• DLA SMD-5962-96573 REV C-2008 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA MIL-M-38510/339 D VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、具有三态输出的数据选择器/多路复用器、单片硅
• DLA SMD-5962-96573 REV D-2008 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-96573 REV E-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-96573 REV F-2010 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA SMD-5962-06239 REV B-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，16 位并行错误检测和校正电路，具有三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-06239 REV C-2011 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，16 位并行错误检测和校正电路，具有三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-96586 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的同相六角缓冲器/线路驱动器、单片硅
• DLA SMD-5962-96573 REV G-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线收发器
• DLA DSCC-VID-V62/05602 REV A-2011 具有可调输出电压和三态输出的单片硅微电路、数字、八路总线收发器
• DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
• DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位透明 D 型锁存器
• DLA SMD-5962-96806 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、带反相三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-87556 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明锁存器
• DLA SMD-5962-93118 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的透明锁存器、TTL 兼容、单片硅
• DLA SMD-5962-92025 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位 D 型边沿触发触发器
• DLA SMD-5962-96589 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明锁存器
• DLA SMD-5962-92185 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-92186 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-87556 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明锁存器
• DLA SMD-5962-91610 REV C-2013 微电路，数字，高级 CMOS，9 位 D 型触发器，正边沿触发，具有三态输出，TTL 兼容输入，单片硅
• DLA SMD-5962-95661 REV D-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 微电路、数字、双极性、高级肖特基、TTL、八进制 D 型边沿触发触发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-06234 REV A-2012 微电路，数字，抗辐射，高级 CMOS，施密特 16 位双向多用途寄存收发器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-96591 REV C-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制 D 型触发器
• DLA DSCC-VID-V62/04663 REV A-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04668 REV A-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-97574 REV D-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-97576 REV C-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制边沿触发 D 型触发器、单片硅
• DLA SMD-5962-06239 REV A-2007 硅单片三态输出平行差探测电路/校正电路,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
• DLA SMD-5962-94502 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96853 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型触发器
• DLA SMD-5962-94577 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96855 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93086 REV B-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96867 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八进制透明 D 型锁存器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96783 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有同相三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有反相三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
• DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制透明 D 型锁存器
• DLA SMD-5962-93242 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/驱动器
• DLA SMD-5962-93115 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的非反相收发器、TTL 兼容、单片硅
• DLA SMD-5962-94577 REV D-2012 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-92199 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-90720 REV B-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基、TTL、9 位总线接口 D 型锁存器，带三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-96571 REV D-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96570 REV C-2008 单片硅8缓存和线式驱动器带三种状态的输出,抗辐射的高级CMOS数字式微电子电路
• DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有双使能、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制锁存收发器
• DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位边沿触发 D 型触发器
• DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位总线接口 D 型锁存器
• DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位缓冲器/驱动器
• DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持和三态输出的八进制收发器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96775 REV B-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位事件波开关总线收发器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-87759 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-93207 REV C-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的 D 型触发器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-87759 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 微电路、数字、双极性、高级低功耗肖特基、TTL、具有三态输出的 8 位总线接口触发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/04680 REV A-2010 微电路、数字、低压 CMOS、3.3V ABT 八进制总线收发器和具有三态输出的寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 硅单片三态输出8比特移位寄存器/存储记录器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路
• DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96865 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制边沿触发 D 型触发器
• DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八进制边沿触发 D 型触发器
• DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位总线收发器
• DLA SMD-5962-96595 REV D-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的 10 位总线接口 D 型锁存器、单片硅
• DLA SMD-5962-96595 REV E-2011 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96595 REV G-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/09605-2009 微电路、数字、16 位双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/09615-2009 微电路、数字、8 位双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/12667-2013 微电路、数字、16 位双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-97626 REV B-2008 微电路、数字、低压 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-97627 REV B-2010 微电路、数字、低压 CMOS、八路总线收发器和寄存器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/09604 REV A-2008 微电路、数字、双位、双电源总线收发器，具有可配置的电压转换和三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 微电路、数字、抗辐射、低压 CMOS、具有总线保持和三态输出的 16 位总线收发器、单片硅
• DLA DSCC-VID-V62/09608 REV A-2008 具有可配置电压转换和三态输出、单片硅的微电路、数字、单位双电源总线收发器
• DLA SMD-5962-96698 REV A-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、带 18 位收发器/寄存器的扫描测试设备、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96774 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、16 位总线收发器，带 25 欧姆串联电阻和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93116 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、带三电平输出的同相线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93127 REV B-2011 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、具有三态输出的反相线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93116 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、串行控制访问网络、带三电平输出的同相线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96587 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的同相六角缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-96587 REV C-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的同相六角缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特缓冲/线驱动,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 硅单片三态输出TTL兼容输入输出,16比特双向收发器,耐辐射高级氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位寄存收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-89601 REV F-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八进制正边沿触发 D 型触发器，具有三态输出和 TTL 兼容输入，单片硅
• DLA SMD-5962-96569 REV D-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的反相八通道缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-94672 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、带 18 位通用总线收发器的扫描测试设备、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 配备三态输出TTL兼容输出的单片18位总线收发器的微电路数字式高级双极CMOS扫描试验设备
• DLA SMD-5962-00509 REV B-2013 微电路，数字，低压 CMOS，四路 2 线到 1 线数据选择器/多路复用器，具有三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-06234-2007 硅单片三态输出施密特16比特双向多用记录收发器,高级氧化物半导体耐辐射数字微型电路 多用
• DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3 伏八进制总线收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3V 16 位缓冲器/驱动器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96575 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、双 4 线到 1 线数据选择器/多路复用器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-95606 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、八路收发器/线路驱动器，带 25 O 系列电阻器和三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-92197 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路双向收发器，带 8 位奇偶校验发生器/校验器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-94615 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、带八进制寄存总线收发器的扫描测试设备、三电平输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 微电路、数字、双极性、高级低功耗肖特基 TTL、八路总线收发器和具有反相三态输出的寄存器、单片硅
• DLA SMD-5962-88626 REV D-2008 高级肖特基TTL系列(ALS)双极数字微电路的带三路输出的数据选择器/多路复与单片硅的详细规范
• DLA SMD-5962-02543-2003 单片硅辐射硬化数字化微电路先进CMOS施密特16位双向多用途低压收发器与三态输出
• DLA SMD-5962-92247 REV D-2008 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的 10 位缓冲器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
• DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有总线保持功能的 3.3 伏 16 位透明 D 型锁存器、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、带 18 位总线收发器和寄存器的扫描测试设备、三态输出和 TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、带串联电阻器和三态输出的 16 位同相缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-88771 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有通用并行 I/O 引脚的 8 输入通用移位/存储寄存器、TTL 兼容输入、三态输出、单片硅
• DLA SMD-5962-89722 REV A-2010 微电路、数字、高级肖特基、TTL、八进制 30 欧姆传输线驱动器/背板收发器 NINV，（集电极开路，具有三种状态），单片硅
• DLA SMD-5962-94616 REV B-2013 微电路、数字、高级双极 CMOS、带八进制总线收发器和寄存器的扫描测试设备、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-93141 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、带奇偶校验发生器/校验器的 9 位可锁存收发器、非反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
• DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高级双极数字单硅片微电路,由高速互补金属氧化物半导体结构组成,带三态输出的四倍总线缓冲闸
• DLA SMD-5962-96890 REV A-2003 18-BIT低电压互补金属氧化物半导体通用母线三状态输出接收器硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97542 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97573 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-97575 REV B-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角透明D类三状态输出闭锁装置,硅单片电路数字微电路
• DLA SMD-5962-92258 REV B-2008 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的 16 位双向收发器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
• DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有 25 欧姆串联电阻和反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
• DLA SMD-5962-96748 REV E-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、3.3 伏八进制总线收发器和具有总线保持功能的寄存器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-96811 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、3.3 伏扫描测试设备，带 18 位通用总线收发器，带总线保持，三态输出，TTL 兼容输入，单片硅
• DLA SMD-5962-96780 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有等效 22 欧姆 A 端口输出电阻器的 3.3V 16 位总线收发器、三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
• DLA SMD-5962-05211 REV C-2012 微电路，数字，抗辐射，低压 CMOS，带总线保持的 16 位 D 型锁存器，串联输出电阻器和三态输出，单片硅
• DLA SMD-5962-92222 REV C-2008 具有三态输出、TTL 兼容输入和有限输出电压摆幅、单片硅的微电路、数字、快速 CMOS、八进制 D 寄存器
• DLA SMD-5962-92223 REV D-2008 TTL兼容输入和限定输出电压摆幅的单片快速CMOS带三态输出的八进制寄存/收发器的微电子电路
• DLA SMD-5962-92238 REV D-2008 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的八进制透明锁存器、TTL 兼容输入和有限的输出电压摆幅、单片硅

加拿大标准协会，关于压片三级的标准

• CSA C22.2 No.66.3-06-2006 低压变压器.第3部分:二级和三级变压器 UL 5085-3.
• CAN/CSA-C802.4-2013 干式变压器 kVA 选型指南，1.2 kV 级，单相和三相（第一版；第 1 次更新：2014年7月）

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于压片三级的标准

• GB/T 33922-2017 MEMS压阻式压力敏感芯片性能的圆片级试验方法

美国机动车工程师协会，关于压片三级的标准

• SAE AMS3646A-1977 聚氯三氟乙烯片材模压，未增塑
• SAE AS7928/7-2011 端子接线片和接头，导体，压接式，铜，接线片，压接式，铜，未绝缘，环舌 I 型，175°C 总导体温度的 1 级
• SAE AS7928/7A-2014 175℃总导体温度用I型,1级,环形舌片,非绝缘,铜,压接,终端接线,铜,压接,导体接线端子
• SAE AS7928/7-1999 175℃总导体温度用I型,1级,环形舌片,非绝缘,铜,压接,终端接线,铜,压接,导体接线端子
• SAE AS7928/2B-2007 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用矩形簧片绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS7928/11-2007 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS7928/9-2007 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用抗锡晶须矩形簧片非绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS7928/4-1999 (105℃总导体温度用)II型、1级、喇叭口、环形舌片、绝缘、接线头、铜端子、压接、导体接线端子
• SAE AS22520/10A-2023 压接工具，类型 2，端子，手动，电线端接，用于同轴、双轴、三轴、屏蔽触点和套圈、端子接线片、接头和端盖
• SAE AS22520/10-2021 压接工具，类型 2，端子，手动，电线端接，用于同轴、双轴、三轴、屏蔽触点和套圈、端子接线片、接头和端盖
• SAE AS22520/5B-2023 压接工具，类型 2，端子，手动，电线端接，用于同轴、双轴、三轴、屏蔽触点和套圈、端子接线片、接头和端盖

印度尼西亚标准，关于压片三级的标准

• SNI 7518-2009 叶片泵. 液压性能试验方法. 1级和2级

行业标准-核工业，关于压片三级的标准

• EJ/T 417-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全二级泵、三级泵包装技术条件
• EJ/T 453-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全二级、三级压力容器的油漆、包装和运输技术条件
• EJ/T 419-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全二级泵、三级泵涂装工艺技术条件
• EJ/T 454-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 一回路主、辅系统安全一级、二级、三级管道安装技术条件
• EJ/T 1103-1999 压水堆核电厂二、三级设备用20MnHR钢板
• EJ/T 1104-1999 压水堆核电厂二、三级设备用20HR钢板
• EJ/T 607-1991 安全二、三级钢制压力容器技术条件
• EJ/T 391-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全三级离心泵技术条件
• EJ/T 418-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全二级泵、三级泵清洁度和清洗工艺技术条件
• EJ/T 421-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 核级高效碘吸附器
• EJ/T 392-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 一级设备支承件设计规定
• EJ/T 390-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全二级离心泵技术条件
• EJ 485-1989 三十万千百压水堆核电厂 安全一级压力容器用18MnNiMo钢厚板技术条件
• EJ/T 457-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全一级压力容器用手工电弧焊焊条技术条件
• EJ 469-1989 三十万千瓦压水堆核电厂 安全一级设备主螺栓材料技术条件
• EJ/T 504-1990 三十万千瓦压水堆核电厂 安全级电子元器件老化筛选和降额使用规定

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc.，关于压片三级的标准

• ASHRAE 4582-2002 三排翅片级热泵蒸发器的霜/除霜性能（RP-1002）

行业标准-农业，关于压片三级的标准

• 768药典 一部-2015 成方制剂和单味制剂 三画 山菊降压片
• 772药典 一部-2020 成方制剂和单味制剂 三画 山菊降压片
• 754药典 一部-2010 成方制剂和单味制剂 三画 山菊降压片
• 769药典 一部-2015 成方制剂和单味制剂 三画 山绿茶降压片
• 773药典 一部-2020 成方制剂和单味制剂 三画 山绿茶降压片
• 755药典 一部-2010 成方制剂和单味制剂 三画 山绿茶降压片

行业标准-商品检验，关于压片三级的标准

• SN/T 2932-2011 化学品蒸气压测定方法 三级膨胀法

台湾地方标准，关于压片三级的标准

• CNS 14183-1998 核安级低压三相鼠笼型感应电动机

行业标准-能源，关于压片三级的标准

• NB/T 20171-2012 压水堆核电厂核三级泵特定鉴定规程
• NB/T 20301-2014 核电厂安全级中压三相异步电动机技术条件
• NB/T 20302-2014 核电厂安全级低压三相异步电动机技术条件
• NB/T 20363-2015 压水堆核电厂安全三级离心泵设计制造通用技术要求

中国团体标准，关于压片三级的标准

• T/CPF 0031-2022 质量分级及“领跑者”评价要求 罐头食品金属三片罐
• T/CAS ES290100015-2022 工业品质量分级评价规则 高压三相异步电动机
• T/CEEIA 310-2018 HY630-4 355kW核电厂安全级K1类高压三相异步电动机技术条件
• T/CSEE 0213-2021 低压等级三电平交流/直流、直流/ 直流双向变换器试验方法

SAE - SAE International，关于压片三级的标准

• SAE AMS3669F-2010 聚四氟乙烯（PTFE）片材 模压优质级 烧结
• SAE AS7928/2C-2016 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用矩形簧片绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS7928/11C-2015 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS7928/11B-2011 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS7928/11A-2010 175℃总导体温度用I型1级抗锡晶须环形簧片非绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS22520/5-2016 压接工具 2 型 端子 手 电线端接 同轴 双轴 三轴 屏蔽触点和套圈 端子接线片 接头和端盖
• SAE AS22520/5A-2017 压接工具 2 型 端子 手 电线端接 同轴 双轴 三轴 屏蔽触点和套圈 端子接线片 接头和端盖
• SAE AS7928/9A-2016 105℃总导体温度的II型1级薄壁线用抗锡晶须矩形簧片非绝缘压接型铜接线端子
• SAE AS7928/4B-2015 (105℃总导体温度用)II型、1级、喇叭口、环形舌片、绝缘、接线头、铜端子、压接、导体接线端子
• SAE AS81659/56B-2017 连接器电气矩形插座耐环境压接触点三重插入类型 II 2 级（-65 °C 至 +200 °C）系列 2 外壳代号 B

国家质检总局，关于压片三级的标准

• GB 20052-2013 三相配电变压器能效限定值及能效等级
• GB 30254-2013 高压三相笼型异步电动机能效限定值及能效等级

日本工业标准调查会，关于压片三级的标准

• JIS C 4210:1983 普通低压三相鼠笼式感应电动机(E级绝缘)

API - American Petroleum Institute，关于压片三级的标准

• API RP 510-1975 炼油厂压力容器的检查、评级和维修（第三版）
• API 510-1983 压力容器检验规范维护检验 评级 维修 和改造（第三版）

德国标准化学会，关于压片三级的标准

• DIN 15572-1:1984 影片的声音重放.声压级的频率响应.测量

美国电气电子工程师学会，关于压片三级的标准

• IEEE PC57.158/D7A, August 2017 IEEE 电力变压器三级和稳定绕组应用指南草案
• PC57.158/D6A, August 2016 IEEE 电力变压器三级和稳定绕组应用指南草案
• RP 200:2012 RP 200:2012 SMPTE 推荐做法 电影多声道音响系统的相对和绝对声压级 适用于模拟摄影胶片音频、数字摄影胶片音频和数字影院
• RP 200:2002 RP 200:2002 SMPTE 推荐做法 电影多声道音响系统的相对和绝对声压级 适用于模拟摄影胶片音频、数字摄影胶片音频和数字影院

RU-GOST R，关于压片三级的标准

• GOST 23920-1979 用螺钉或铆钉或加压固定的三向焊片.结构和尺寸

行业标准-水利，关于压片三级的标准

• SL 237-018-1999 土工试验规程—一个试样多级加荷三轴压缩试验

YU-JUS，关于压片三级的标准

• JUS N.H8.022-1987 隔离变压器和安全隔离变压器．三级灯具用变压器（带白炽灯）．其它要求

韩国科技标准局，关于压片三级的标准

• KS L 1601-2006(2016) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）单片陶瓷室温抗压强度试验方法
• KS L 1601-2006(2021) 精细陶瓷（高级陶瓷、高级工业陶瓷）－室温下单片陶瓷抗压强度的试验方法
• KS X ISO/IEC 11544-2003(2018) 信息技术 - 渐进式双级图像压缩 - 图片和音频信息编码表示

英国标准学会，关于压片三级的标准

• BS EN 60893-3-3:2004+A1:2012 绝缘材料.电工用热固性树脂基工业硬质层压片.专用材料规格.三聚氰胺树脂基硬质层压片要求
• BS ISO 17162:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室温环境下单片陶瓷的机械性能. 抗压强度的测定
• BS ISO 22234:2006 电影摄影.电影多路声道系统的相对和绝对声压级.适用于类似照相软片音频、数字照相软片音频和数字影院声音的测量方法和声级
• BS ISO 22234:2005 摄影 电影多声道音响系统的相对和绝对声压级 适用于模拟摄影胶片音频、数字摄影胶片音频和数字电影音频的测量方法和级别
• BS ISO 4586-6:2018 高压装饰层压板（HPL，HPDL） 基于热固性树脂的片材（通常称为层压板） 厚度为2mm及以上的外部级致密层压板的分类和规范
• 19/30375027 DC BS ISO 23242 精细陶瓷（高级陶瓷、先进技术陶瓷） 室温下单片陶瓷薄板三点或四点弯曲抗弯强度试验方法
• BS EN 61265:1995 电声学.航空噪声测量.运输机噪声检定测量三分之一带宽倍频声压级装置性能要求
• BS ISO 4586-5:2018 高压装饰层压板（HPL，HPDL） 基于热固性树脂的片材（通常称为层压板） 厚度小于2mm的地板级层压板的分类和规范，用于粘合到支撑基底上
• BS EN 3155-034:2007 航空航天系列.连接部件用电连接器.R级、压接、D型、尺寸为08、三轴电接触器插座.产品标准
• BS EN 3155-035:2006 航空航天系列.部件连接用电触点.第035部分:R级、压接、D型、插座、尺寸08、三轴电接点.产品标准
• BS EN 3155-035:2007 航空航天系列 部件连接用电触点 第035部分：R级、压接、D型、插座、尺寸08、三轴电接点 产品标准
• BS EN 3155-035:2012 航空航天系列.部件连接用电触点.第035部分:R级、压接、D型、插座、尺寸08、三轴电接点.产品标准
• BS EN 3155-024:2006 航空航天系列.连接元件用电连接器.S级、压接、D型、尺寸为8、三轴电连接器插头的产品标准

行业标准-兵工民品，关于压片三级的标准

• WJ 1478.7-2007 可转位刀具第7部分：上压式三角刀片正前角套式面铣刀

美国材料与试验协会，关于压片三级的标准

• ASTM E1573-18 使用A加权和三分之一倍频程声压级测量和报告掩蔽声级的标准测试方法
• ASTM E1573-22 使用A加权和三分之一倍频程声压级测量和报告掩蔽声级的标准试验方法
• ASTM D6378-99e1 测定石油产品、烃和烃氧化剂混合物蒸气压力(VPx)的标准试验方法(三级膨胀法)
• ASTM D6378-03 测定石油产品、烃和烃氧化剂混合物蒸气压力(VPx)的标准试验方法(三级膨胀法)
• ASTM D6378-06 测定石油产品、烃和烃氧化剂混合物蒸气压力(VPx)的标准试验方法(三级膨胀法)
• ASTM D6378-07e1 测定石油产品、烃和烃氧化剂混合物蒸气压力(VPX)的标准试验方法(三级膨胀法)
• ASTM D6378-07 测定石油产品、烃和烃氧化剂混合物蒸气压力(VPX)的标准试验方法(三级膨胀法)
• ASTM D6378-08 测定石油产品、烃和烃氧化剂混合物蒸气压力(VPX)的标准试验方法(三级膨胀法)
• ASTM E1573-02 用A加权和三分之一倍频程声压级评定开放式办公室掩蔽声的标准试验方法
• ASTM E1573-93(1998) 用A加权和三分之一倍频程声压级评定开放式办公室掩蔽声的标准试验方法

国际标准化组织，关于压片三级的标准

• ISO 22234:2005/CD Amd 1 电影摄影《电影多声道音响系统的相对声压级和绝对声压级》适用于模拟摄影胶片音频、数字摄影胶片音频和数字电影音频的测量方法和声级'修正案1
• ISO 17162:2014 精细陶瓷(高级陶瓷, 高级工业陶瓷). 室温环境下单片陶瓷的机械性能. 抗压强度的测定
• ISO 22234:2005 电影摄影.电影多路声道系统的相对和绝对声压级.适用于模拟照相软片声音、数字照相软片声音和数字影院声音的测量方法和级别

国际电工委员会，关于压片三级的标准

• IEC 60893-3-3/COR2:1997 电工用热固性树脂工业硬质层压片规范.第3部分:单项材料规范.活页3:对三聚氰胺树脂硬质层压片的要求
• IEC 60893-3-3:1993 电工用热固性树脂工业硬质层压片规范 第3部分:专用材料规范 活页3:对三聚氰胺树脂硬质层压片的要求
• IEC 60893-3-3:2003 绝缘材料.电工用热固性树脂工业硬质层压片.第3-3部分:专用材料规范.对三聚氰胺树脂硬质层压片的要求

欧洲电工标准化委员会，关于压片三级的标准

• EN 60893-3-3:2004 绝缘材料.电工用热固性树脂工业硬质层压片.第3-3部分:专用材料规范.对三聚氰胺树脂硬质层压片的要求

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于压片三级的标准

• EN 60893-3-3:1995 绝缘材料.电工用热固性树脂工业硬质层压片.第3-3部分:专用材料规范.对三聚氰胺树脂硬质层压片的要求

行业标准-机械，关于压片三级的标准

• JB/T 11706.2-2015 三相交流电动机拖动典型负载机组能效等级 第2部分:螺杆空压机机组能效等级
• JB/T 10444-2014 Y2系列、YX2系列高压三相异步电动机技术条件及能效分级(机座号355~560)
• JB/T 8543.1-1997 泵产品零件无损检测.泵受压铸钢件射线检测方法及底片的等级分类

工业和信息化部/国家能源局，关于压片三级的标准

• JB/T 12728-2016 Y、YX系列高压三相异步电动机技术条件及能效分级（机座号355～630）
• JB/T 12730-2016 YKK、YXKK系列高压三相异步电动机技术条件及能效分级（机座号355～630）

法国标准化协会，关于压片三级的标准

• NF C26-183-3/A1*NF EN 60893-3-3/A1:2013 绝缘材料 电工用基于热固性树脂的工业硬质层压片 第3-3部分：单项材料规范 对三聚氰胺树脂硬质层压片的要求
• C52-111:1960 电力变压器 三相双绕组变压器1000～10000千伏安 额定初级电压 5.5 T0 63 千伏 额定二次电压3～20千伏 其他要求 特征
• NF S31-140:1995 电声学.航空噪声测量仪.运输机噪声检定的三分之一倍频带声压级系统测量用性能要求

美国焊接协会，关于压片三级的标准

• WRC 507:2005 长期加压石墨垫片接头测试：第 1 部分、第 2 部分和第 1 部分第三部分

行业标准-石油化工，关于压片三级的标准

• SH/T 0769-2005 石油产品、烃类及烃类-含氧化合物混合物蒸气压测定法(三级膨胀法)

国家能源局，关于压片三级的标准

• NB/SH/T 0769-2019 石油产品、烃类及烃类-含氧化合物混合物蒸气压的测定 三级膨胀法

SE-SIS，关于压片三级的标准

• SIS SS CECC 42101-803-1982 详细规范．主要用于电话应用的低压压敏电阻器．圆片形，线端．保护性0．1 W．评定P级
• SIS SS CECC 42101-802-1982 详细规范．主要用于电话应用的低压压敏电阻器．圆片形，有单向导线端子．保护性1．0 W评定P级
• SIS SS CECC 42101-801-1982 详细规范．主要用于电话应用的低压压敏电阻器．圆片形，有单向导线端子．保护性0．4 W：评定P级

PL-PKN，关于压片三级的标准

• PN E02113-1974 旋转电机．内燃机驱动的单相和三相同步发电机输出．电压和转速评级

ES-UNE，关于压片三级的标准

• UNE-EN 3155-025:2006 航空航天系列 - 连接元件中使用的电触点 - 第 025 部分：触点，电气，三轴，尺寸 8，母头，D 型，压接，S 级

行业标准-地质，关于压片三级的标准

• DZ/T 0279.1-2016 区域地球化学样品分析方法 第1部分：三氧化二铝等24个成分量测定 粉末压片—X射线荧光光谱法

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可能用到的仪器设备