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石墨烯基
本专题涉及石墨烯基的标准有28条。
国际标准分类中，石墨烯基涉及到试验条件和规程综合、纺织纤维、物理学、化学。
在中国标准分类中，石墨烯基涉及到。
中国团体标准，关于石墨烯基的标准
- T/ZGIA 005-2021 石墨烯测试方法 复合纤维中石墨烯基材料的测定 锦纶
- T/ZGIA 003-2020 石墨烯测试方法 复合纤维中石墨烯基材料的测定 涤纶
英国标准学会，关于石墨烯基的标准
- IEC TS 62607-6-18:2022 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 官能团：TGA-FTIR
- BS PD IEC TS 62607-6-3:2020 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 域大小：基底氧化
- PD IEC TS 62607-6-3:2020 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 域尺寸：底物氧化
- PD IEC TS 62607-6-1:2020 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 体积电阻率：四探针法
- PD IEC TS 62607-6-13:2020 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 氧官能团含量：Boehm滴定法
- PD IEC TS 62607-6-10:2021 纳米制造 关键控制特性 石墨烯基材料 方块电阻：太赫兹时域光谱
- IEC 62607-6-5:2022 纳米制造 关键控制特性 第6-5部分：石墨烯基材料 接触电阻和方块电阻：传输线测量
- IEC 62607-6-21:2022 纳米制造 关键控制特性 第6-21部分：石墨烯基材料 元素组成、C/O比：X射线光电子能谱
- IEC 62607-6-20:2022 纳米制造 关键控制特性 第6-20部分：石墨烯基材料 金属杂质含量：电感耦合等离子体质谱法
KR-KS，关于石墨烯基的标准
- KS C IEC TS 62607-6-3-2023 纳米制造——关键控制特性——第6-3部分:石墨烯基材料——畴尺寸:基底氧化
- KS C IEC TS 62607-6-14-2023 纳米制造关键控制特性第6-14部分:石墨烯基材料缺陷等级:拉曼光谱
- KS C IEC TS 62607-6-1-2022 纳米制造.关键控制特性.第6-1部分:石墨烯基材料.体积电阻率:四探针法
国际电工委员会，关于石墨烯基的标准
- IEC TS 62607-6-22:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-22部分:石墨烯基材料.灰分含量:焚烧
- IEC TS 62607-6-9:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-9部分:石墨烯基材料.薄板电阻:涡流法
- IEC TS 62607-6-3:2020 纳米制造.关键控制特性.第6-3部分:石墨烯基材料.磁畴尺寸:衬底氧化
- IEC TS 62607-6-14:2020 纳米制造.关键控制特性.第6-14部分:石墨烯基材料.缺陷水平:拉曼光谱
- IEC TS 62876-3-1:2022 纳米制造可靠性评估第3-1部分:石墨烯基材料稳定性:温度和湿度试验
- IEC TS 62607-6-1:2020 纳米制造关键控制特性第6-1部分:石墨烯基材料体积电阻率:四探针法
- IEC TS 62607-6-19:2021 纳米制造关键控制特性第6-19部分:石墨烯基材料元素组成:CS分析仪ONH分析仪
- IEC TS 62607-6-10:2021 纳米制造.关键控制特性.第6-10部分:石墨烯基材料.薄片电阻:太赫兹时域光谱法
- IEC TS 62607-6-4:2024 纳米制造 关键控制特性 第 6-4 部分：石墨烯基材料 表面电导：非接触式微波谐振腔法
- IEC TS 62607-6-21:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-21部分:石墨烯基材料.元素组成 C/O比:X射线光电子能谱
- IEC TS 62607-6-20:2022 纳米制造 关键控制特性 第 6-20 部分：石墨烯基材料 金属杂质含量：电感耦合等离子体质谱法
韩国科技标准局，关于石墨烯基的标准
- KS C IEC TS 62607-6-1:2022 纳米制造.关键控制特性.第6-1部分:石墨烯基材料.体积电阻率:四探针法
IX-IX-IEC，关于石墨烯基的标准
- IEC TS 62607-6-17:2023 纳米制造 关键控制特性 第 6-17 部分：石墨烯基材料 阶参数：X 射线衍射和透射电子显微镜
GOSTR，关于石墨烯基的标准
- PNST 500-2020 纳米技术 第13部分 石墨烯和基于它的二维（2D）材料 术语和定义
