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指数缓冲

本专题涉及指数缓冲的标准有241条。

国际标准分类中，指数缓冲涉及到集成电路、微电子学、分析化学、航空航天发动机和推进系统、燃料、纺织产品、电磁兼容性(EMC)、振动、冲击和振动测量、半导体分立器件、有色金属产品、信息技术应用、航空航天制造用材料。

在中国标准分类中，指数缓冲涉及到声学计量、半导体集成电路、通信网性能指标及测试、有机化工原料综合、数据通信设备、车钩与缓冲装置、煤炭分析方法、电站工业锅炉用煤、其他、计算机应用、微电路综合、电磁兼容、基础标准与通用方法、声学仪器与测震仪、磨料与磨具、半导体分立器件综合、密封与密封装置、数据媒体、航空与航天用金属铸锻材料。

(美国)军事条例和规范，关于指数缓冲的标准

ARMY MIL-B-49101 A VALID NOTICE 3-2011 缓冲区，数据 TD-1065（）/G

美国国防后勤局，关于指数缓冲的标准

DLA MIL-M-38510/55 G VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、CMOS、缓冲器/转换器、真/互补缓冲器、单片硅
DLA MIL-M-38510/162 A VALID NOTICE 3-2010 微电路、数字、TTL、NOR 缓冲器单片硅
DLA SMD-5962-87755 REV B-2005 硅单片缓冲记数器两极化数字微电路
DLA MIL-M-38510/657 A VALID NOTICE 1-2011 微电路、数字、高速 CMOS、缓冲门、单片硅
DLA MIL-M-38510/24 B VALID NOTICE 1-2010 微电路、数字、TTL、Nand 缓冲器、高速、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/06659-2008 微电路，数字，低压 CMOS，双缓冲门，单片硅
DLA MIL-M-38510/3 G VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、TTL、Nand 缓冲器单片硅
DLA SMD-5962-87755 REV C-2011 微电路、数字、双极、缓冲寄存器、单片硅
DLA MIL-M-38510/3 G (1)-2012 微电路、数字、双极、TTL、NAND 缓冲器单片硅
DLA SMD-5962-89633 REV B-1993 硅单片,高速缓冲放大器,数字微型电路
DLA SMD-5962-87509 REV C-2009 微电路、数字、ECL、十六进制缓冲器、单片硅
DLA SMD-5962-86725 REV B-2009 微电路，数字，双极，八进制缓冲器，单片硅
DLA MIL-M-38510/31 A VALID NOTICE 3-2005 DTL与非门缓冲/扩展器数字微电路,单片硅
DLA SMD-5962-86724 REV B-2007 硅单块八进制缓冲器双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86725 REV A-1987 硅单块八进制缓冲器双极数字微型电路
DLA DSCC-VID-V62/06621 REV C-2010 微电路，数字，单施密特触发器缓冲器，单片硅
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 微电路，数字，双极高性能 10 位缓冲器，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/12659-2013 微电路，数字线性，CMOS，8 位，缓冲乘法数模转换器，单片硅
DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 硅单片双极高性能10位缓冲双极数字微电路
DLA MIL-M-38510/476 A VALID NOTICE 3-2010 微电路、数字、CMOS 4 位总线缓冲器/分离器、单片硅
DLA SMD-5962-77020 REV F-2011 微电路、数字、CMOS、频闪六角反相器/缓冲器、单片硅
DLA MIL-M-38510/174 B VALID NOTICE 1-2011 微电路、数字、CMOS、反相器、NAND 缓冲器驱动器、选通六角反相器/缓冲器、电压电平转换器、单片硅、正逻辑
DLA DSCC-VID-V62/04736 REV A-2011 微电路、数字、单总线缓冲器门，带三态输出，单片硅
DLA MIL-M-38510/302 D VALID NOTICE 2-2012 微电路、数字、双极低功耗肖特基 TTL、缓冲器、单片硅
DLA SMD-5962-84156 REV E-2005 硅单片缓冲器,TTL肖脱基高级小功率数字微型电路
DLA SMD-5962-96530 REV C-2012 微电路，数字，高级 CMOS，抗辐射，六角同相缓冲器，单片硅
DLA SMD-5962-96530 REV D-2013 微电路，数字，高级 CMOS，抗辐射，六角同相缓冲器，单片硅
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 1-2008 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、八路缓冲器、单片硅
DLA MIL-M-38510/332 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、双极高级肖特基 TTL、八路缓冲器、单片硅
DLA SMD-5962-86820 REV G-2013 微电路、数字、高速 CMOS、十六进制缓冲器/转换器、单片硅
DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 硅单片3重与非门缓冲,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 硅单片六位反相缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-87536 REV A-2007 硅单块非倒转3态双极八进制缓冲器数字微型电路
DLA SMD-5962-87509 REV B-1991 硅单块六进制缓冲器发射极耦合逻辑数字微型电路
DLA SMD-5962-05214 REV B-2013 微电路，数字，CMOS，抗辐射，可编程偏斜时钟缓冲器，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/14604-2013 微电路、数字、双总线缓冲器门，带 3 个状态输出，单片硅
DLA SMD-5962-86802 REV F-2012 具有三态缓冲输出、单片硅的微电路、线性、模数转换器
DLA MIL-M-38510/153 B VALID NOTICE 1-2009 微电路，数字，TTL，具有三态输出的四路总线缓冲门，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/12618-2012 微电路，数字，200 MHz 通用时钟缓冲器，符合 PCI-X 标准，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/12618 REV A-2013 微电路，数字，200 MHz 通用时钟缓冲器，符合 PCI-X 标准，单片硅
DLA SMD-5962-93253 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的四路缓冲器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/09610-2008 微电路，数字，三重缓冲器/驱动器，带漏极开路输出，单片硅
DLA SMD-5962-96644 REV D-2010 微电路，数字，抗辐射 CMOS，双 2 输入 NAND 缓冲器/驱动器，单片硅
DLA SMD-5962-77056-1977 六位N沟道开路漏极缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88722-1988 硅单片缓冲器/线路驱动器肖特基促进双极化数字微电路
DLA SMD-5962-90937 REV C-2008 TTL兼容单片硅四总线缓冲门三态输出双极CMOS数字微电路
DLA DSCC-VID-V62/04656 REV B-2012 微电路，数字，低压 CMOS，四路总线缓冲器门，带三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-84096 REV H-2009 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器、单片硅
DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 硅单片耐辐射可编程序脉冲相位差节拍缓冲器的氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89665-1989 硅单片,9位宽缓冲寄存器,氧化物半导体高速数字微型电路
DLA SMD-5962-88596 REV C-2001 硅单片缓冲/驱动器低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
DLA SMD-5962-84061 REV A-2009 微电路、数字、高级低功耗肖特基 TTL、反相门、缓冲器输出、单片硅
DLA SMD-5962-85001 REV E-2011 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出的十六进制缓冲器、单片硅
DLA SMD-5962-85002 REV F-2011 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出的十六进制缓冲器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04654 REV A-2008 单片硅六缓冲器/驱动器带漏极开路输出低压CMOS数字微电路
DLA SMD-5962-90585 REV A-1992 硅单片,多状态缓冲锁存器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-88653-1989 硅单片缓冲收发器高速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-93112-1994 硅单片,可编程低失真时钟缓冲器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-96531 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、六角同相缓冲器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-84074 REV F-2010 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出的反相八进制缓冲器、单片硅
DLA SMD-5962-88742 REV B-2011 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基、TTL、六角同相缓冲器、单片硅
DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 硅单片,分布统计器/累积缓冲器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-86802 REV D-2003 硅单块带三-状态有缓冲颇输出模拟数字转换器,直线型微型电路
DLA SMD-5962-99505-1999 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的16位缓冲器/驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 双极低电压四重2输入阳性与门缓冲器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97594 REV B-2003 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的八路缓冲器/驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-97595 REV B-2003 微型电路,数字型,低压CMOS,带三态输出的八路缓冲器/驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-78012 REV E-2009 微电路、数字、TTL、低功耗肖特基、八进制缓冲器、驱动器/接收器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04665 REV A-2010 微电路，数字，低压 CMOS，具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04666 REV A-2010 微电路，数字，低压 CMOS，具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器，单片硅
DLA SMD-5962-97594 REV C-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-97595 REV C-2010 微电路、数字、低压 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04724 REV A-2011 微电路，数字，低电压 CMOS，具有三态输出的 16 位缓冲器/驱动器，单片硅
DLA SMD-5962-88706 REV E-2011 微电路，数字，高级 CMOS，八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出，单片硅
DLA SMD-5962-90585 REV B-2010 微电路，数字，双极，高级肖特基 TTL，多模式缓冲锁存器，INV （三态），单片硅
DLA SMD-5962-78012 REV D-2003 硅单片驱动器/接收器的八位缓冲器,肖脱基小功率TTL数字微型电路
DLA SMD-5962-89758-1992 硅单片,装有三态输出的的9位缓冲同向锁存器,高速数字微型电路
DLA SMD-5962-98540 REV B-1999 微型电路,数字型,带三态输出的反向八路缓冲器/线型驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-96643 REV B-2004 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 微电路.单片硅晶体管-晶体管逻辑(TTL)兼容数字双极型四总线缓冲门
DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-86828 REV D-2010 微电路、数字、高速 CMOS、具有反相三态输出的六角缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-86812 REV D-2011 微电路、数字、高速 CMOS、具有反相三态输出的六角缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-84061-1984 硅单片输出缓冲器的栅极反相器,TTL肖脱基高级小功率数字微型电路
DLA SMD-5962-77020 REV E-2005 硅单片带选通的六反相器/六同向缓冲器氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 硅单片装有三态输出的六位缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-04210-2004 硅单片三态输出16比特缓冲/驱动高级氧化物半导体的数字微型电路
DLA SMD-5962-90781 REV B-2006 硅单块三态缓冲器,高级肖特基晶体管晶体管逻辑,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86872 REV B-2006 硅单块非与缓冲器,高级肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,数字微型电路
DLA SMD-5962-98617 REV A-2007 微型电路,数字型,双极TTL,开集高压输出六路反向缓冲器/驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-85130 REV D-2009 微电路、数字、高速 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 四路总线缓冲器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 16 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 微电路，数字，高级双极 CMOS，3.3-V ABT 32 位缓冲器/驱动器，带三态输出，单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 微电路、数字、高级低电压 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，具有三态输出的八路缓冲门，单片硅
DLA SMD-5962-77057 REV G-2005 硅单片驱动器/接收器的八位缓冲器,肖脱基小功率TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 硅单块缓冲器低频率肖脱基晶体管-晶体管逻辑电路,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 硅单块无缓冲六位变换电路,高速互补金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88742 REV A-2004 硅单片十六进制扬声器缓冲器低电压肖特基TTL促进双极化数字微电路
DLA SMD-5962-93253 REV C-2002 硅单片,装有三态输出的四重缓冲器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96632 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体四重互补缓冲器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-97559 REV A-2006 八角缓冲器和三状态输出行驱动器晶体管硅单片电路数字双极微电路
DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有反相三态输出的八路缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/03607 REV B-2012 微电路、数字、高速 CMOS、八进制缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-92184 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、带反相三态输出的缓冲线/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器/线路驱动器、具有三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 数字微电路,具有三态输出的高级高速CMOS型八路缓冲器/驱动器和单片硅
DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 硅单片装有三态输出的八位反相缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-84031 REV D-2005 硅单片,装有输出缓冲器的逻辑门,TTL肖脱基高级小功率双极数字微型电路
DLA SMD-5962-96851 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、带输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的 3.3V ABT 八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-85505 REV D-2011 微电路、数字、高速 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，带三路输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出的八路缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 2-2013 微电路、数字、低功耗肖特基 TTL、缓冲器/驱动器、集电极开路输出、高电压、单片硅
DLA SMD-5962-91746 REV A-2008 微电路、数字、双极 CMOS、带八进制缓冲器的扫描测试设备、反相三态输出、单片硅
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 微电路、数字、双极、高级低功耗肖特基 TTL、具有三态输出的八路缓冲门、单片硅
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 微电路，数字，双极，低功耗肖特基 TTL，具有三态输出的四路总线缓冲门，单片硅
DLA SMD-5962-91726 REV A-2008 配备三态输出单片八进制的缓冲器的微电路数字式双极CMOS扫描试验设备
DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 硅单片12位缓冲成倍增加数位类比转换器互补型金属氧化物半导体微电路
DLA SMD-5962-96620 REV B-1997 抗辐射互补金属氧化物半导体六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96862-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96868-1996 互补金属氧化物半导体,四重母线三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95619 REV C-2009 微电路、数字、高级 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、八路缓冲器和具有三态输出的线路驱动器、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04761 REV A-2011 微电路、数字、高级高速 CMOS、八路缓冲器/驱动器、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-06243 REV B-2011 微电路、数字、抗辐射 CMOS、16 位缓冲器/线路驱动器、TTL 兼容输入和三态输出、单片硅
DLA SMD-5962-00529-2000 单片硅数字微电路先进CMOS 16位缓冲器/线路驱动器与三态输出的TTL兼容的输入,
DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 硅单片,双重12位双缓冲多路复用氧化物半导体数字模拟转变器,线性微型电路
DLA SMD-5962-89732-1989 硅单片,装有三态输出的八位缓冲/线路驱动器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96858 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96863 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入的四路总线缓冲器门单片硅
DLA SMD-5962-96869 REV C-2008 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有三态输出的四路总线缓冲器门、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
DLA DSCC-VID-V62/04620 REV C-2012 微电路、数字、高级 CMOS、具有 TTL 兼容输入和三态输出的八进制缓冲器/驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路总线缓冲器
DLA SMD-5962-87630 REV E-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的同相线路驱动器/缓冲器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96586 REV B-2012 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、具有三态输出的同相六角缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-91606 REV A-2006 硅单块带三态输出的10比特D缓冲器,高级互补金属氧化物半导体,数字微型电路
DLA SMD-5962-96530 REV B-2005 抗辐射数字的互补金属氧化物半导体六角非倒相缓冲器硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-96616 REV A-1998 抗辐射互补金属氧化物半导体旋转六角变极器或缓冲器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96636 REV E-2005 抗辐射互补金属氧化物半导体倒相六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96850 REV A-1997 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96857 REV A-2005 互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96806 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、带反相三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92185 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-92186 REV C-2013 微电路、数字、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-89766 REV B-2010 微电路、数字、快速 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93188 REV C-2008 单片硅TTL兼容输入,八缓冲器/驱动器反向三态同相输出,改进的双极CMOS数字微电路
DLA SMD-5962-90563 REV B-2006 硅单片,装有集电极开路输出八位缓冲器/驱动器,改进型肖脱基TTL双极数字微型电路
DLA SMD-5962-90651 REV A-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的四重缓冲器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96637 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体非倒相六角缓冲器或转换器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96644 REV C-2003 抗辐射互补金属氧化物半导体双重2与非缓冲器或驱动器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96704 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,双重J-K三状态输出缓冲器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96783 REV C-2009 微电路、数字、高级高速 CMOS、具有同相三态输出的八路缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有反相三态输出的 16 位缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/驱动器
DLA SMD-5962-92199 REV B-2013 微电路、数字、高级 CMOS、具有同相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 10 位缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-87655 REV C-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的反相八进制线驱动器/缓冲器
DLA SMD-5962-95731 REV D-2010 微电路、数字、高速 CMOS、抗辐射、具有三态输出的非反相八通道缓冲器/线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-87655 REV D-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的反相八进制线驱动器/缓冲器
DLA SMD-5962-96571 REV D-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA DSCC-VID-V62/04698 REV A-2011 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、高速 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器
DLA SMD-5962-89795 REV B-2006 硅单片,TTL可兼容输入,装有三态输出的八位总线缓冲器,改进型肖特基TTL数字微型电路
DLA SMD-5962-88591 REV B-2001 硅单片八进制缓冲和线驱动器三态输出反转低功率肖特基TTL促进双极化数字微电路
DLA SMD-5962-96685 REV C-2003 抗辐射双极互补金属氧化物半导体,3.3伏特16BIT缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96705 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体,非倒相三状态输出四重缓冲器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96807-1996 互补金属氧化物半导体,倒相三状态输出八角缓冲器或驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的 16 位缓冲器/驱动器
DLA SMD-5962-87759 REV E-2011 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-87759 REV F-2013 微电路、数字、高级 CMOS、抗辐射、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的八路缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-92247 REV D-2008 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出的 10 位缓冲器、TTL 兼容输入、有限输出电压摆幅、单片硅
DLA SMD-5962-89767 REV B-2010 微电路、数字、快速 CMOS、具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的反相八通道缓冲器/线路驱动器
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的四总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 单片硅具有三态输出的八总线缓冲门的小功率肖特基晶体管逻辑双极数字式微电路
DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 硅单片,装有三态输出放大器的驱动器及八位缓冲器,改进型肖脱基TTL,双极数字微型电路
DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 硅单片,装有正向三态输出的八位缓冲器/线路驱动器,改进型氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88706 REV D-2005 硅单片八进制缓冲器/线路驱动器与三态输出互补型金属氧化物半导体促进数字微电路
DLA SMD-5962-98541 REV C-2005 微型电路,数字型,辐射加固,改进的CMOS,带三态输出的非反向八路缓冲器/线型驱动器,单块硅
DLA SMD-5962-97542 REV C-2003 低电压互补金属氧化物半导体,八角缓冲器或三状态输出驱动器,硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 微电路、数字、高级双极 CMOS、具有非反相三态输出的八进制缓冲器/驱动器、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 微电路、数字、双极、高级肖特基 TTL、八路缓冲器和具有集电极开路输出的线路驱动器、单片硅
DLA SMD-5962-96595 REV D-2009 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96595 REV E-2011 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96595 REV G-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 微电路、数字、抗辐射、高级 CMOS、同相八路缓冲器/线路驱动器，具有三态输出、TTL 兼容输入、单片硅
DLA SMD-5962-88596 REV D-2008 高级双极数字单硅片微电路,采用小功率肖特基晶体管-晶体管逻辑,带缓冲器/线路驱动器
DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 具有反相三态输出、TTL 兼容输入、单片硅的微电路、数字、双极 CMOS、八进制缓冲器和线路驱动器

CZ-CSN，关于指数缓冲的标准

CSN ON 27 1989-1968 液压缓冲器．主要技术参数

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韩国科技标准局，关于指数缓冲的标准

KS M 1929-2002(2007) 工业尿素缓冲系数的测定电位法
KS M 1929-2009 工业用尿素缓冲系数的测定电位法
KS C IEC TR 61000-5-3:2012 电磁兼容性(EMC).第5-3部分:安装和缓解指南.高空电磁脉冲(HEMP)保护的概念
KS C IEC TS 61000-5-8:2012 电磁兼容性(EMC).第5-8部分:安装和缓解指南.基础设施分布的高空电磁脉冲(HEMP)的保护方法

RO-ASRO，关于指数缓冲的标准

STAS 4190-1983 标准规矩铁路货车．缓冲器．基本参数

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TR-TSE，关于指数缓冲的标准

TS 1964-1975 工业用尿素．缓冲系数的测定．电位滴定法

国际标准化组织，关于指数缓冲的标准

ISO 2751:1973 工业用尿素缓冲系数的测定电位滴定法
ISO 21289:2008 机械振动和冲击.振动数据的采集用指定参数

美国材料与试验协会，关于指数缓冲的标准

ASTM F3102-15 规限, 测量以及管理人工草皮比赛系统冲击缓冲的标准指南

北约标准局，关于指数缓冲的标准

STANAG 5601-2008 通过缓冲器的数据链路 1、11、11B 和 14 的接口标准

美国电信工业协会，关于指数缓冲的标准

TIA TSB-155-2007 6类数字通信电缆的接入及减缓指南

ATIS - Alliance for Telecommunications Industry Solutions，关于指数缓冲的标准

1000021-2007 互联网访问和服务 LAES 环境中的数据缓冲（短期存储）

美国电信行业解决方案联盟，关于指数缓冲的标准

ATIS 1000021-2007 互联网访问和服务 LAES 环境中的数据缓冲（短期存储）

NATO - North Atlantic Treaty Organization，关于指数缓冲的标准

ATDLP-6.01-2016 数据链路接口标准 1 11 和 11B 通过缓冲器（ED 1 Ver. 1）

行业标准-铁道，关于指数缓冲的标准

TB/T 2221-1991 铁道机车车辆非橡胶缓冲器基本参数与技术条件

IETF - Internet Engineering Task Force，关于指数缓冲的标准

RFC 7005-2013 用于去抖动缓冲区指标报告的 RTP 控制协议（RTCP）扩展报告（XR）块

ES-AENOR，关于指数缓冲的标准

UNE 83-114-1989 混凝土骨料的冲击指数测定

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DL/T 465-2007 煤的冲刷磨损指数试验方法
DL/T 465-1992 煤的冲刷磨损指数试验方法

澳大利亚标准协会，关于指数缓冲的标准

AS 4143.4:1993 纤维缆索测试方法．冲击强度指数

法国标准化协会，关于指数缓冲的标准

NF E90-014*NF ISO 21289:2008 机械振动和冲击.振动数据的采集用指定参数
NF A50-301:1991 铝和铝合金冲压过程中喇叭指数的测量

英国标准学会，关于指数缓冲的标准

BS ISO 21289:2008 机械振动和冲击.振动数据的采集用指定参数
BS DD IEC/TS 61000-5-9:2010 电磁兼容性（EMC）安装和缓解指南高空电磁脉冲（HEMP）和大功率电磁（HPEM）的系统级敏感性评定
BS DD IEC/TS 61000-5-9:2009 电磁兼容性(EMC).安装和缓解指南.高空电磁脉冲(HEMP)和大功率电磁(HPEM)的系统级敏感性评定

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GB/T 33144-2016(英文版) 超硬磨料冲击韧性指数的计算方法

欧洲电工电子元器件标准，关于指数缓冲的标准

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行业标准-煤炭，关于指数缓冲的标准

MT/T 174-2000 煤层冲击倾向性分类及指数的测定方法
MT/T 866-2000 岩石冲击倾向性分类及指数的测定方法

欧洲标准化委员会，关于指数缓冲的标准

CEN/TR 1317-10:2023 道路约束系统第 10 部分：过渡、终端和碰撞缓冲垫连接的评估方法和设计指南过渡

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于指数缓冲的标准

JEDEC JESD8-6-1995 基于数字集成电路接口标准的高速收发器逻辑(HSTL)A 1.5输出缓冲器供电电压

ITU-T - International Telecommunication Union/ITU Telcommunication Sector，关于指数缓冲的标准

ITU-T G.799.4-2014 用于承载语音频带数据的 PSTN-IP 网关中使用的去抖动缓冲器的控制程序（第 16 研究组）