在高速振荡器

本专题涉及在高速振荡器的标准有3条。

国际标准分类中，在高速振荡器涉及到集成电路、微电子学。

在中国标准分类中，在高速振荡器涉及到半导体集成电路、计算机应用。

(美国)军事条例和规范，关于在高速振荡器的标准

• ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 晶体振荡器(XO):方波为1.0兆赫-85兆赫的高速互补金属氧化物半导体系列(CMOS)1型气密封晶控振荡器

美国国防后勤局，关于在高速振荡器的标准

• DLA SMD-5962-89609 REV A-2006 硅单片,装有电控振荡器的锁相环路,高速氧化物半导体数字微型电路
• DLA SMD-5962-88757 REV B-2006 硅单片TTL兼容输入锁相环与压控振荡器高速互补型金属氧化物半导体促进数字微电路

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