Photostrom-Halbleiter

Für die Photostrom-Halbleiter gibt es insgesamt 96 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Photostrom-Halbleiter die folgenden Kategorien: Optoelektronik, Lasergeräte, Diskrete Halbleitergeräte, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Optik und optische Messungen, Prüfung von Metallmaterialien, medizinische Ausrüstung, Integrierter Schiffbau und Offshore-Strukturen, Glasfaserkommunikation.

American National Standards Institute （ANSI), Photostrom-Halbleiter

ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Verfahren zur Bestimmung des Schwellenstroms von Halbleiterlasern

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Photostrom-Halbleiter

TIA-455-128-1996 Verfahren zur Bestimmung des Schwellenstroms von Halbleiterlasern
TIA-455-128-1996(2014) Verfahren zur Bestimmung des Schwellenstroms von Halbleiterlasern

CZ-CSN, Photostrom-Halbleiter

CSN 35 8761-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des fotoelektrischen Stroms
CSN 35 8762-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des Dunkelstroms
CSN 35 8773-1977 Messung von Halbleiterbauelementen. Thyristoren. Messung des Sperrstroms und Rückwärtssperrstroms.
CSN 35 1531-1973 Silizium-Halbleitergleichrichter
CSN 35 8735-1964 Halbleiterdioden. Messung von Gleichströmen und Spannungen
CSN 35 8732-1964 Halbleiterdioden. Messung des Vorwärtsstroms
CSN 35 8772-1970 Thyristoren. Methode zur Messung des Haltestroms
CSN 35 8742-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung von Abschaltströmen
CSN 35 8770-1970 Thyristoren. Methode zur Messung der Durchlassspannung
CSN 35 8734-1975 Halbleitergeräte. Dioden. Messung des Rückstroms.

British Standards Institution (BSI), Photostrom-Halbleiter

BS IEC 60747-5-4:2022 Halbleitergeräte – Optoelektronische Geräte. Halbleiterlaser
BS IEC 60747-5-4:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
BS IEC 60747-6:2000 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Thyristoren
BS IEC 60747-6:2001 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise – Thyristoren
BS EN IEC 60747-5-5:2020 Halbleiterbauelemente. Optoelektronische Geräte. Fotokoppler
19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Halbleiterbauelemente. Teil 5-4. Optoelektronische Geräte. Halbleiterlaser
BS EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Halbleiterbauelemente – Teil 5-4. Optoelektronische Geräte. Halbleiterlaser
BS IEC 60747-18-3:2019 Halbleiterbauelemente. Halbleiter-Biosensoren. Fluidströmungseigenschaften von linsenfreien CMOS-Photonik-Array-Sensorpaketmodulen mit Fluidsystem
BS EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
BS IEC 60092-304:2002 Elektroinstallation auf Schiffen - Ausrüstung - Halbleiterwandler
BS EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden

Professional Standard - Electron, Photostrom-Halbleiter

SJ 2214.10-1982 Methode zur Messung des Lichtstroms von Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ 2214.3-1982 Methode zur Messung des Dunkelstroms von Halbleiterfotodioden
SJ 2214.8-1982 Methode zur Messung der Dunkelstromspannung von Halbleiter-Fototransistoren
SJ 2215.10-1982 Methode zur Messung des Gleichstromübertragungsverhältnisses von Halbleiter-Optokopplern
SJ 1795-1981 Detaillierte Spezifikation für 50-1000-mA-Niederstrom-Thyristoren
SJ 20642-1997 Optoelektronisches Halbleitermodul Allgemeine Spezifikation für
SJ 20786-2000 Allgemeine Spezifikation für die optoelektronische Halbleiterbaugruppe
SJ 2215.3-1982 Methode zur Messung des Durchlassstroms von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 2215.4-1982 Methode zur Messung des Rückstroms von Halbleiter-Optokopplern (Dioden)
SJ 50033/109-1996 Optoelektronische Halbleitergeräte. Detaillierte Spezifikation für die Halbleiterlaserdioden der Typen GJ9031T und GJ9032T sowie GJ9034T
SJ/T 2214-2015 Messmethoden für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
SJ 2355.3-1983 Methode zur Messung des Rückstroms lichtemittierender Geräte
SJ/T 2215-2015 Messmethoden für Halbleiter-Optokoppler
SJ 2247-1982 Umreißt die Abmessungen für optoelektronische Halbleitergeräte
SJ 2215.9-1982 Methode zur Messung des Rückwärts-Abschaltstroms von Halbleiter-Optokoppler-Transistoren

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Photostrom-Halbleiter

DB52/T 844-2013 Halbleiter-Stromregler

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Photostrom-Halbleiter

GJB 33/17-2011 Optoelektronisches Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den Halbleiter-Fotokoppler vom Typ GO11
GJB 33/16-2011 Optoelektronisches Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den Halbleiterfototransistor Typ 3DU32
GJB 33/18-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für bidirektionalen Analogschalter-Halbleiter-Optokoppler vom Typ GO417
GJB/Z 41.3-1993 Militärische diskrete Halbleitergeräteserie Spektrum optoelektronischer Halbleitergeräte
GJB 8121-2013 Allgemeine Spezifikation für die optoelektronische Halbleiterbaugruppe
GJB 8120-2013 Allgemeine Spezifikation für optoelektronische Halbleitermodule
GJB 8119-2013 Allgemeine Spezifikation für optoelektronische Halbleitergeräte
GJB 33/15-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für die Halbleiter-Infrarotdiode Typ BT401

International Electrotechnical Commission (IEC), Photostrom-Halbleiter

IEC 60747-5-4:2022 Halbleiterbauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
IEC 60747-5-4:2006 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser
IEC TR 60146-6:1992 Halbleiterwandler – Teil 6: Anwendungsleitfaden zum Schutz von Halbleiterwandlern gegen Überstrom durch Sicherungen
IEC 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
IEC 60146-2:1999 Halbleiterwandler – Teil 2: Selbstgeführte Halbleiterwandler einschließlich direkter Gleichstromwandler
IEC TR2 60146-6:1992 Halbleiterwandler; Teil 6: Anwendungsleitfaden zum Schutz von Halbleiterwandlern gegen Überstrom durch Sicherungen

ZA-SANS, Photostrom-Halbleiter

SANS 60146-6:1992 Halbleiterwandler Teil 6: Anwendungsleitfaden zum Schutz von Halbleiterwandlern gegen Überstrom durch Sicherungen
SANS 60146-2:1999 Halbleiterwandler Teil 2: Selbstgeführte Halbleiterwandler einschließlich direkter Gleichstromwandler

RU-GOST R, Photostrom-Halbleiter

GOST R 50471-1993 Halbleiter-Fotoemitter. Messmethode für Halbwertswinkel
GOST 18986.1-1973 Halbleiterdioden. Verfahren zur Messung von Gleichstrom

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Photostrom-Halbleiter

NEMA RI 6-1959 ELEKTROCHEMISCHE VERARBEITUNGS-HALBLEITER-GLEICHRICHTER-ANLAGE

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Photostrom-Halbleiter

IEEE 59-1962 HALBLEITER-GLEICHRICHTER-KOMPONENTEN

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Photostrom-Halbleiter

GB/T 3859.4-2004 Halbleiterwandler – selbstgeführte Halbleiterwandler, einschließlich direkter Gleichstromwandler
GB/T 17950-2000 Halbleiterwandler – Teil 6: Anwendungsleitfaden zum Schutz von Halbleiterwandlern gegen Überstrom durch Sicherungen
GB 15651.4-2017 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente Halbleiterlaser
GB/T 3859.2-1993 Halbleiterkonverter.Anwendungsleitfaden
GB/T 13422-2013 Halbleiterwandler.Elektrische Prüfmethoden
GB/T 13422-1992 Leistungshalbleiterwandler – Elektrische Prüfmethoden
GB/T 3859.3-1993 Halbleiterwandler. Transformatoren und Drosseln
GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
GB/T 15167-1994 Allgemeine Spezifikation für Lichtquellen von Halbleiterlasern
GB 12565-1990 Abschnittsspezifikation für Halbleiterbauelemente und optoelektronische Bauelemente
GB/T 22193-2008 Elektrische Anlagen in Schiffen. Ausrüstung. Halbleiterwandler

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Photostrom-Halbleiter

GB/T 15651.4-2017 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-4: Optoelektronische Bauelemente – Halbleiterlaser

German Institute for Standardization, Photostrom-Halbleiter

DIN EN 60146-2:2001 Halbleiterwandler - Teil 2: Selbstgeführte Halbleiterwandler einschließlich Gleichstromwandler (IEC 60146-2:1999); Deutsche Fassung EN 60146-2:2000
DIN EN 62415:2010-12 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (IEC 62415:2010); Deutsche Fassung EN 62415:2010

Professional Standard - Machinery, Photostrom-Halbleiter

JB/T 7063-1993 Nennspannung und -strom von Leistungshalbleiterbauelementen
JB/T 1505-1975 Verfahren zum Entwurf von Arten von Leistungshalbleiterwandlern

Danish Standards Foundation, Photostrom-Halbleiter

DS/EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Photostrom-Halbleiter

EN 62415:2010 Semiconductor devices - Constant current electromigration test

Association Francaise de Normalisation, Photostrom-Halbleiter

NF EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest
NF C53-221*NF EN 60146-2:2002 Halbleiterwandler – Teil 2: Selbstgeführte Halbleiterwandler einschließlich direkter Gleichstromwandler
NF C80-201*NF EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest.
NF C86-503:1986 Halbleiterbauelemente. Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Fototransistoren, Fotodarlington-Transistoren und Fototransistor-Arrays. Blanko-Bauartspezifikation CECC 20 003.

ES-UNE, Photostrom-Halbleiter

UNE-EN 62415:2010 Halbleiterbauelemente – Konstantstrom-Elektromigrationstest (von AENOR im September 2010 empfohlen.)

YU-JUS, Photostrom-Halbleiter

JUS N.R1.322-1979 Begriffe und Definitionen für Halbleitergeräte. Thyristoren

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Photostrom-Halbleiter

CNS 13805-1997 Methode zur Messung der Photolumineszenz optoelektronischer Halbleiterwafer

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Photostrom-Halbleiter

KS C IEC 60146-2:2002 Halbleiterwandler – Teil 2: Selbstgeführte Wandler, einschließlich direkter Gleichstromwandler
KS C IEC 60146-6-2002(2012) Halbleiterwandler – Teil 6: Anwendungsleitfaden zum Schutz von Halbleiterwandlern vor Überstrom durch Sicherungen
KS C IEC 60146-6:2002 Halbleiterwandler – Teil 6: Anwendungsleitfaden zum Schutz von Halbleiterwandlern gegen Überstrom durch Sicherungen
KS C IEC 60146-6:2013 Halbleiterwandler – Teil 6: Anwendungsleitfaden zum Schutz von Halbleiterwandlern gegen Überstrom durch Sicherungen

Standard Association of Australia （SAA）, Photostrom-Halbleiter

AS 60146.2:2001 Halbleiterwandler – Selbstgeführte Halbleiterwandler einschließlich direkter Gleichstromwandler

RO-ASRO, Photostrom-Halbleiter

STAS 12258/3-1985 Optoelektronische Halbleiterbauelemente FOTOTRANSISTOREN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
STAS 12258/7-1987 OPTOELEKTRONISCHE SEMICONDIC-TOH-GERÄTE PHOTOVOLTAISCHE ZELLEN Terminologie und wesentliches Cliarac! eristik

Group Standards of the People's Republic of China, Photostrom-Halbleiter

T/CASME 698-2023 Halbleiter-Lasertherapiegerät

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Photostrom-Halbleiter

EN 60146-2:2000 Halbleiterwandler Teil 2: Selbstgeführte Halbleiterwandler einschließlich direkter Gleichstromwandler

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Photostrom-Halbleiter

DB22/T 2725-2017 980-nm-Fasergitter-Halbleiterlaser