Der Peak dritter Ordnung von Silizium

Für die Der Peak dritter Ordnung von Silizium gibt es insgesamt 280 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Der Peak dritter Ordnung von Silizium die folgenden Kategorien: analytische Chemie, Chemikalien, Prüfung von Metallmaterialien, Abfall, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Diskrete Halbleitergeräte, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Nichteisenmetalle, Umfangreiche elektronische Komponenten, Gummi, nichtmetallische Mineralien, Halbleitermaterial, Baumaterial, Herstellungsformverfahren, Drahtlose Kommunikation, Textilprodukte, Ventil, Telekommunikationssystem, Offene Systemverbindung (OSI), Metallerz, Glas.

National Aeronautics and Space Administration (NASA), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

NASA-CR-191413-1992 Simulation des Grenzschichtübergangs: Empfänglichkeit für das Spike-Stadium

工业和信息化部, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

YS/T 1300-2019 Bestimmung von Methyldichlorsilan, Trimethylchlorsilan und Methyltrichlorsilan in Chlorsilanen mittels Gaschromatographie-Massenspektrometrie
YS/T 1060-2015 Bestimmung anderer Chlorsilane in Trichlorsilan für die Siliziumepitaxie mittels Gaschromatographie
YS/T 1059-2015 Bestimmung des Gesamtkohlenstoffs in Trichlorsilan für die Siliziumepitaxie mittels Gaschromatographie
YS/T 1301-2019 Bestimmung von Phosphoroxychlorid und Phosphortrichlorid in Chlorsilanen mittels Gaschromatographie-Massenspektrometrie
YB/T 6037-2022 Bestimmung der Gehalte an Magnesiumoxid, Aluminiumoxid, Siliciumdioxid, Calciumoxid, Titandioxid, Chromtrioxid und Eisenoxid in geschmolzenem Magnesia-Chrom-Sand mittels wellenlängendispersiver Röntgenfluoreszenzspektrometrie (Fused Plate Me).

Group Standards of the People's Republic of China, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

T/CHBAS 11-2021 Nachweis von Verunreinigungen in Trimethylsilyltrifluormethansulfonat
T/CAMMT 43-2022 Erkennungsmethode für Lücken und Bündigkeiten in Flugzeughautnähten basierend auf 3D-Linienlaser
T/HZAS 17-2021 Bestimmung der Migration von hydrierten Terphenylen auf Silikonölpapier für den Lebensmittelkontakt? Gaschromatographie-Massenspektrometrie

Association Francaise de Normalisation, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

NF T77-154:1987 Basissilikone für den industriellen Einsatz. Bestimmung von Silinetriyl-Radikalen (Silantriyl-Gehalt über 0,5 Prozent (m/m)). Gasvolumetrische Methode.
NF T77-161:1988 Silikone. Polydimethylsiloxane. Bestimmung von Silantriylradikalen (Silantriylgehalt weniger als 0,01 Prozent (m/m)). Gaschromatographische Methode.
NF ISO 23812:2009 Chemische Oberflächenanalyse – Sekundärionen-Massenspektrometrie – Methode zur Tiefenkalibrierung für Silizium unter Verwendung mehrerer Delta-Schicht-Referenzmaterialien

U.S. Military Regulations and Norms, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

ARMY A-A-52573 A-2003 THEODOLITEN, VERMESSUNG, RICHTUNG: DRITTE ORDNUNG

Professional Standard - Chemical Industry, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

HG/T 4683-2014 Behandlungs- und Entsorgungsmethode für verschüttetes Trichlorsilan
HG/T 3743-2004 Die Mischung aus Bis(triethoxysilpropyl)tetrasulfid und weißem Rußsilan-Haftvermittler
HG/T 3739-2004 Die Mischung aus Bis(triethoxysilpropyl)tetrasulfid und Ruß N330 Silan-Haftvermittler

RO-ASRO, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

SR 5063/9-1993 Siliziumkarbid. Bestimmung des Eisentrioxidgehalts
STAS 9163/6-1989 SILICO-ALUMINIUM-BERGBAUPRODUKTE Bestimmung von Aluminiumoxid
STAS 9163/5-1973 MISCHPRODUKTE AUS KIESEL- UND ALUMINIUMOXID Bestimmung von Eisentrioxid
STAS 9281/6-1974 Feuerfeste Materialien aus Siliciumkarbid. Bestimmung des Aluminium-Irioxid-Gehalts
STAS E 12744-1989 QUARZITE FÜR DIE GIEßEREI Gehaltsbestimmung von Eisentrioxid, Aluminiumtrioxid, Magnesiumoxid, Titandioxid, Calciumoxid, Natriumoxid, Kaliumoxid und Siliziumdioxid

Defense Logistics Agency, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-STUFIGES SHIFT REGISTER/LATCH MIT DREI-ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98622 REV A-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE UND GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86802 REV F-2012 MIKROSCHALTUNG, LINEARE ANALOG-DIGITAL-KONVERTER MIT DREI-ZUSTANDS-GEPUFFERTEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/153 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, TTL, Vierfach-Bus-Puffer-Gates mit Drei-Zustands-Ausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-77026 REV C-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, QUAD R/S LATCH MIT DREI STATUS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93253 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, QUAD-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84096 REV H-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96818 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 MIKROKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86825 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, QUAD-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/421 A VALID NOTICE 4-2010 Mikroschaltungen, digital, Schottky TLL, Eingangs-/Ausgangsport mit Drei-Zustands-Ausgang, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-85001 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85002 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACHES NAND-GATE MIT DREI EINGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89758-1992 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELL, 9-BIT-GEPUFFERTER, NICHT-INVERTIERENDER LATCH, DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-80021 REV J-2005 MIKROKREISE, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL-BUS-TRANSCEIVER MIT NIEDRIGER LEISTUNG, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-80023 REV C-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, TTL, SCHOTTKY, MULTIPLEXER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99534-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99535-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86813 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85128 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97543 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84074 REV F-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, INVERTIERENDER OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93074 REV H-2008 MIKROSCHALTUNG, HYBRID, LINEAR, +5 UND ?5 VOLT, DREIFACHKANAL, DC/DC-KONVERTER
DLA SMD-5962-04212-2004 MIKROKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-99505-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99507-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 10-BIT-BUS-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND PEGELVERSCHIEBUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97594 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97595 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04665 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04666 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97594 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97595 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04724 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87806 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-BIT-UNIVERSAL-SCHIEBEREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87693 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, DUAL 4-EINGANG-MULTIPLEXER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 MIKROKALTER TRANSCEIVER/REGISTER, DIGITAL, ADVANCED CMOS, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87629 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLER CMOS, NICHTINVERTIERENDER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 MIKROSCHALTER, DIGITALER, BIPOLARER OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-NICHTINVERTIERENDEN AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-80020 REV F-2005 MIKROKREIS, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG UND GATE, BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98540 REV B-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, INVERTIERENDER OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREISTATUS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP TRANSPARENTER LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04667 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97575 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86828 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86812 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-86062 REV E-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER INVERTIERENDER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Bus-Transceiver mit Drei-Zustands-Ausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-84072 REV G-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-TRANSPARENTE D-TYP-LATCHES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89513 REV C-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OCTAL-D-REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Advanced Schottky TTL, Bus-Transceiver mit Drei-Zustands-Ausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Halbleiterbauelement, Transistor, Kunststoff, NPN, Silizium, Schalten, Typ 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ
DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, HEX-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-04210-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-99506-1999 MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS, 10-BIT-BUS-AUSTAUSCH-SCHALTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN UND PEGELVERSCHIEBUNG, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, 8192 BIT, SCHALTBAR, SCHOTTKY, BIPOLARER PROM MIT TRI-STATE-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-D-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85130 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-VIERFACH-BUS-PUFFER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-VIERFACH-BUS-PUFFER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Bus-Transceiver mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88639 REV D-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREISTATUS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88575 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-NICHTINVERTIERENDER BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Oktalpuffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Bus-Transceiver mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 HALBLEITERGERÄT, TRANSISTOR, NPN, SILIKON, NIEDRIGE LEISTUNG, TYPEN 2N930 UND 2N930UB, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC und JANKC
DLA DSCC-VID-V62/05602 REV A-2011 DIGITALER MIKROKALBUS-TRANSCEIVER MIT EINSTELLBARER AUSGANGSSPANNUNG UND DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-04211-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92180 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93253 REV C-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, QUAD-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98605-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-DUAL-VERSORGUNG-ÜBERSETZUNGS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-98606-1999 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, OKTAL-DUAL-VERSORGUNG-ÜBERSETZUNGS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96856 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTALER TRANSPARENTER D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-85506 REV E-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04663 REV A-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04668 REV A-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOP MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97574 REV D-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOPP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-97576 REV C-2010 MIKROKALTER, DIGITALER NIEDERSPANNUNGS-CMOS, D-TYP-FLIP-FLOPP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 1-ZEILIGEN BIS 10-ZEILIGEN TAKTTREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03607 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-PUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL, QUAD-NICHTINVERTIERENDE BUS-TRANSCEIVERS MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92184 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, PUFFERLEITUNG/TREIBER MIT INVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 10-BIT-TRANSPARENTER LATCH MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 8-BIT-DIAGNOSEREGISTER MIT DREISTATUS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-BUSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT TRANSPARENTER LATCH MIT THREESTATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89603 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-EINGANG-BINÄRZÄHLER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANGSREGISTERN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-00529-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-06238 REV B-2009 MIKROKREIS, DIGITAL, ADVANCED CMOS STRAHLENGEHÄRTEN, 8-BIT-UNIVERSAL-SHIFT-/SPEICHERREGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, INVERTIERENDER OKTALPUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-80022 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, TTL, SCHOTTKY, DATENSELEKTOREN/MULTIPLEXER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-PUFFER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, OKTAL-PUFFER-GATES MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89989-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96528 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTEN, FORTGESCHRITTENES CMOS, DREIFACH, 3 EINGÄNGE ODER GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-85507 REV F-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HIGH-SPEED-CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89599 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-EINGANG-MULTIPLEXER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-PUFFER/TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 3,3-V-ABT-18-BIT-UNIVERSAL-BUS-TREIBER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/379 A VALID NOTICE 4-2012 Mikroschaltungen, digital, fortschrittlicher Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, universeller Multiplexer mit Drei-Zustands-Ausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-90524 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-EINGANG-MULTIPLEXER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTAL-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTAL-PUFFER/LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85125 REV D-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, 8-EINGANG-DATENSELEKTOR/MULTIPLEXER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91746 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, SCAN-TESTGERÄT MIT OKTALPUFFER, INVERTIERENDE DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 Mikroschaltungen, digital, bipolar, fortschrittliche Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Oktalpuffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-86867 REV E-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, OKTALER TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/79 D VALID NOTICE 1-2010 Mikroschaltungen, digital, bipolar, SCHOTTKY TTL, Datenselektoren/Multiplexer mit Dreizustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLARES CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR CMOS, OKTAL REGISTRIERTER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 Mikroschaltungen, digital, bipolar, Schottky-TTL mit geringem Stromverbrauch, Vierfach-Bus-Puffer-Gates mit drei Zustandsausgängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-04213-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, 8-BIT BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90524 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHGESCHWINDIGKEIT CMOS, 8-EINGANG-MULTIPLEXER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96854 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OCTAL EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 36-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96864 REV A-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OCTAL EDGE-TRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, 16-BIT D-TYP EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOP MIT 3-STATE-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 16-BIT-BUS-TRASCEIVER MIT DREI-ZU-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS, OKTAL-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-BUS-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, REGISTRIERTER 16-BIT-TRANSCEIVER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/04680 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, NIEDERSPANNUNGS-CMOS, 3,3-V-ABT-OKTAL-BUS-TRANSCEIVER UND REGISTER MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES CMOS, 16-BIT-D-TYP-TRANSPARENTER LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, OKTAL-TRANSCEIVER/REGISTER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96570 REV C-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ADVANCED CMOS, STRAHLENGEHÄRTEN, OKTALPUFFER UND LEITUNGSTREIBER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIZIUM

CZ-CSN, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

CSN 65 1045-1978 Chomioale Analyse von Aluminiumoxid. Bestimmung von Siliciumoxid

Professional Standard - Electron, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

SJ 2148-1982 Methoden zur Messung der dynamischen Impedanz von Silizium-Stromreglertransistoren
SJ 1787-1981 Methode zur Messung der Nennspitzen-Arbeitssperrspannung und des Sperrstroms von Silizium-Einphasen-Brückengleichrichtern bis zu 5 A
SJ/T 10481-1994 Testverfahren für den spezifischen Widerstand epitaktischer Siliziumschichten durch Flächenkontakte mit Drei-Sonden-Techniken

ECMA - European Association for Standardizing Information and Communication Systems, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

348-2003 Web Services Description Language (WSDL) für CSTA Phase III
269-1997 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III
348-2006 Web Services Description Language (WSDL) für CSTA Phase III (3. Auflage)
348-2004 Web Services Description Language (WSDL) für CSTA Phase III (2. Auflage)
323-2001 XML-Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III
269-2006 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA) Phase III (7. Auflage)
ECMA 285 VOL 2-1998 Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (Band 2)
269-2004 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (6. Auflage)
ECMA 285 VOL 1-1998 Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (Band 1)
269-2000 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA) Phase III (4. Auflage)
TR 82-2009 Szenarien für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (2. Auflage)
269-2009 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (8. Auflage)
269-1998 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (zweite Ausgabe)
269-2011 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (9. Auflage)
323-2006 XML-Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (4. Auflage)
323-2004 XML-Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (3. Auflage)
TR 72-1998 Glossar der Definitionen und Terminologie für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (2. Auflage)
TR 72-2000 Glossar der Definitionen und Terminologie für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (3. Auflage)
348-2009 Web Services Description Language (WSDL) für CSTA Phase III (4. Edition; inklusive Zugriff auf zusätzliche Inhalte)
285-2010 Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (3. Ausgabe; beinhaltet Zugriff auf zusätzliche Inhalte)
323-2002 XML-Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (eingearbeitete Errata: 18. September 2003)
323-2011 XML-Schemadefinitionen für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (6. Auflage; beinhaltet Zugriff auf zusätzliche Inhalte)

IN-BIS, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

IS 1559 Pt.3-1982 Chemische Analysemethoden für Ferrosilicium Teil 3 Bestimmung von Schwefel

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

GB/T 14634.2-2010 Prüfverfahren für Seltenerd-Dreibandenleuchtstoffe für Leuchtstofflampen. Teil 2: Bestimmung des emissionsdominanten Peaks und der Chromatizität
GB/T 14506.5-1993 Silikatgestein. Bestimmung von Eisenoxid
GB/T 29056-2012 Trichlorsilan für die Siliziumepitaxie. Bestimmung des Bor-, Aluminium-, Phosphor-, Vanadium-, Chrom-, Mangan-, Eisen-, Kobalt-, Nickel-, Kupfer-, Arsen-, Molybdän- und Antimongehalts. Massenspektrometrische Methode mit induktiv gekoppeltem Plasma

American Society for Testing and Materials (ASTM), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

ASTM D6741-10(2015) Standardtestmethoden für in Gummiformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Schwefelgehalt
ASTM D8455-22 Standardtestmethode für den GC-IMS-Analysator für speziiertes Siloxan, online basierend auf dem Siloxan- und Trimethylsilanolgehalt gasförmiger Brennstoffe
ASTM D6741-01 Standardtestmethoden für in Gummiformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Schwefelgehalt
ASTM D6741-01(2006) Standardtestmethoden für in Gummiformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Schwefelgehalt
ASTM D6741-10 Standardtestmethoden für in Gummiformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Schwefelgehalt
ASTM D6740-10 Standardtestmethode für Silane, die in Gummiformulierungen verwendet werden (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Rückstände bei der Zündung
ASTM D6740-01 Standardtestmethode für Silane, die in Gummiformulierungen verwendet werden (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Rückstände bei der Zündung
ASTM D6740-15 Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Rückstände bei der Zündung
ASTM D6741-10(2023) Standardtestmethoden für in Gummiformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Schwefelgehalt
ASTM D6843-10(2019) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Gaschromatographie (GC)
ASTM D6843-02(2007) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Gaschromatographie (GC)
ASTM D6740-15(2023) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Rückstände bei der Zündung
ASTM C1365-98 Standardtestmethode zur Bestimmung des Phasenanteils in Portlandzement und Portlandzementklinker mittels Röntgenpulverbeugungsanalyse
ASTM C1365-98(2004) Standardtestmethode zur Bestimmung des Phasenanteils in Portlandzement und Portlandzementklinker mittels Röntgenpulverbeugungsanalyse
ASTM D6844-02 Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Hochleistungsflüssigkeitschromatographie (HPLC)
ASTM D6843-10(2015) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Gaschromatographie (GC)
ASTM D6844-10 Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Hochleistungsflüssigkeitschromatographie (HPLC)
ASTM D6843-10(2023) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Gaschromatographie (GC)
ASTM C1365-06(2011) Standardtestmethode zur Bestimmung des Phasenanteils in Portlandzement und Portlandzementklinker mittels Röntgenpulverbeugungsanalyse
ASTM C1365-06 Standardtestmethode zur Bestimmung des Phasenanteils in Portlandzement und Portlandzementklinker mittels Röntgenpulverbeugungsanalyse
ASTM D6844-02(2007) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Hochleistungsflüssigkeitschromatographie (HPLC)
ASTM D6844-10(2019) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Hochleistungsflüssigkeitschromatographie (HPLC)
ASTM D6843-10 Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Gaschromatographie (GC)
ASTM D6844-10(2015) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Hochleistungsflüssigkeitschromatographie (HPLC)
ASTM D6844-10(2023) Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Hochleistungsflüssigkeitschromatographie (HPLC)
ASTM D6845-02 Standardtestmethode für die Oberfläche von gefälltem, hydratisiertem8212;CTAB (Cetyltrimethylammoniumbromid).
ASTM D6845-22 Standardtestmethode für gefälltes, hydratisiertes Siliciumdioxid – CTAB-Oberfläche (Cetyltrimethylammoniumbromid).
ASTM D6845-20 Standardtestmethode für die Oberfläche von Siliciumdioxid, gefälltem, hydratisiertem CTAB (Cetyltrimethylammoniumbromid).
ASTM D6845-18 Standardtestmethode für die Oberfläche von Siliciumdioxid, gefälltem, hydratisiertem CTAB (Cetyltrimethylammoniumbromid).
ASTM D6843-02 Standardtestmethode für in Kautschukformulierungen verwendete Silane (Bis-(triethoxysilylpropyl)sulfane): Charakterisierung durch Gaschromatographie (GC)

Professional Standard - Commodity Inspection, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

SN/T 1043-2002 Bestimmung von Aluminiumoxid in Siliziumkarbid für den Import und Export. Spektrophotometrische Methode
SN/T 2949-2011 Bestimmung von Siliciumdioxid, Eisenoxid, Aluminiumoxid, Calciumoxid und Magnesiumoxid in Talk für die Export-Röntgenfluoreszenzspektrometrie

International Telecommunication Union (ITU), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

ITU-R SM.1837-1-2013 Testverfahren zur Messung des Intercept-Point-Pegels 3. Ordnung (IP3) von Funküberwachungsempfängern
ITU-R SM.1837 SPANISH-2007 Testverfahren zur Messung des Intercept-Point-Pegels 3. Ordnung (IP3) von Funküberwachungsempfängern. Prüfverfahren für die Mitte des Abfangpunkts der 3. Ordnung (IP3) der Rezeptoren der technischen Funktechnik
ITU-T Q.824.2-1995 Beschreibung der Stufen 2 und 3 für die Q3-Schnittstelle – Kundenverwaltung – Integrierte Dienste des digitalen Netzwerks (ISDN) Zusatzdienste – Spezifikationen des Signalisierungssystems Nr. 7 (Studiengruppe 11) 33 Seiten
ITU-R SM.1837 FRENCH-2007 Testverfahren zur Messung des Intercept-Point-Pegels 3. Ordnung (IP3) von Funküberwachungsempfängern. Verfahren zum Messen des Levels des Intercept-Punkts (IP3) des Empfängers der Funküberwachung Ausgaben
ITU-R SM.1837-2013 Testverfahren zur Messung des Intercept-Point-Pegels 3. Ordnung (IP3) von Funküberwachungsempfängern
ITU-T Q.824.0-1995 Beschreibung der Stufen 2 und 3 für die Q3-Schnittstelle – Kundenverwaltung – Allgemeine Informationen – Spezifikationen des Signalisierungssystems Nr. 7 (Studiengruppe 11)
ITU-T G.747-1988 Digitale Multiplexausrüstung zweiter Ordnung, die mit 6312 kbit/s arbeitet und drei Nebenflüsse mit 2048 kbit/s multiplext
ITU-T Q.734.2 FRENCH-1996 Beschreibung der Stufe 3 für Mehrparteien-Zusatzdienste unter Verwendung des Signalisierungssystems Nr. 7: Three-Party Service Study Group 11; 22 Seiten
ITU-T Q.954.1 SPANISH-1993 STUFE 3 BESCHREIBUNG FÜR ZUSATZDIENSTLEISTUNGEN FÜR MEHRPARTEIEN UNTER VERWENDUNG VON DSS 1 KLAUSEL 1 – KONFERENZANRUFE
ITU-T Q.824.1-1995 Beschreibung der Stufen 2 und 3 für die Q3-Schnittstelle – Kundenverwaltung – Basis- und Primärratenzugang des Integrated Services Digital Network (ISDN) – Spezifikationen des Signalisierungssystems Nr. 7 (Studiengruppe 11)
ITU-T Q.824.3-1995 Beschreibung der Stufen 2 und 3 für die Q3-Schnittstelle – Kundenverwaltung – Integrated Services Digital Network (ISDN), optionale Benutzereinrichtungen – Spezifikationen des Signalisierungssystems Nr. 7

RU-GOST R, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

GOST 26239.6-1984 Siliziumtetrachlorid. Methode zur Bestimmung von Dichlorsilan, Trichlorsilan, Siliziumtetrachlorid, 1,3,3,3-Tetrachlordisiloxan, 1,1,3,3-Tetrachlordisilan, Pentachlordisiloxan, Hexachlordisiloxan und Hexaclordisilan

YU-JUS, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

JUS N.N6.185-1978 Funkkommunikation. Kabelgebundene Verteilungssysteme. Messmethoden. Verhältnis von Fernseh-HF-Signal zu Intermodulation. Typische Produkte zweiter und dritter Ordnung.
JUS N.N6.175-1978 Funkkommunikation. Kabelgebundene Verteilungssysteme. Messmethoden. Fernsehsignal-Rausch-Verhältnis.

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

ITU-R SM.1837-2007 Test procedure for measuring the 3rd order intercept point (IP3) level of radio monitoring receivers
ITU-R SM.IP3-2007 Testverfahren zur Messung des Intercept-Point-Pegels 3. Ordnung (IP3) von Funküberwachungsempfängern (Dokument 1/BL/20-E)

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TS 102 173-2003 Services for Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) Phase III (ISO/IEC 18051 (2000)@ modified)
TS 102 174-2003 XML-Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III (ISO/IEC DIS 18056@ modifiziert)
PRETS 300 529-1996 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Technische Realisierung ergänzender Dienste (GSM 03.11 Version 4.10.0) Dritte Auflage
ETR 200-1996 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Empfohlene Infrastrukturmaßnahmen zur Überwindung spezifischer Phase-1-Mobilstationsfehler (MS) (GSM 09.94; Dritte Ausgabe; Version 4.3.0)
TS 102 173-2004 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA) Phase III (ISO/IEC 18051 (2000)@modifiziert; V1.2.1; einschließlich Diskette)
TS 102 173-2006 Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA) Phase III (ISO/IEC 18051 (2000)@modifiziert; V1.3.1; einschließlich Diskette)
ETS 300 529-1996 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Technische Realisierung ergänzender Dienste (GSM 03.11; Dritte Ausgabe; Version 4.10.1)
ETS 300 561-1996 Digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 2); Leistungsanforderungen an die Mobilfunkschnittstelle (GSM 04.13; Dritte Ausgabe)
TS 102 174-2004 XML protocol for Computer Supported Telecommunications Applications (CSTA) Phase III (ISO/IEC DIS 18056@ modified; V1.2.1; Includes Diskette)
TS 102 174-2006 XML-Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA) Phase III (ISO/IEC DIS 18056@ modifiziert; V1.3.1; inklusive Diskette)

International Electrotechnical Commission (IEC), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

IEC 63011-3:2018 Integrierte Schaltkreise – Dreidimensionale integrierte Schaltkreise – Teil 3: Modell und Messbedingungen von Through-Silicium-Via

IX-ECMA, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

ECMA 285-2010 Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III, 3. Auflage; Zugriff auf zusätzliche Inhalte

API - American Petroleum Institute, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

API PUBL 958-1981 Pilotstudien zur Toxizität von Abwässern aus der konventionellen und kohlenstoffverstärkten Behandlung von Raffinerieabwässern – Phase III

US-CFR-file, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

CFR 40-721.9497-2014 Umweltschutz. Teil 721: Bedeutende neue Verwendungen chemischer Stoffe. Abschnitt 721.9497: Trifunktionelles Ketoximinosilan.

European Telecommunications Standards Institute (ETSI), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

ETSI TS 129 501-2020 5G; 5G-System; Grundsätze und Richtlinien für die Definition von Diensten; Stufe 3 (V16.5.0; 3GPP TS 29.501 Version 16.5.0 Release 16)
ETSI PRI-ETS 300 070-1992 Europäisches digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 1); Technische Umsetzung der Faksimile-Gruppe 3 Transparent
ETSI PRI-ETS 300 071-1992 Europäisches digitales Mobilfunk-Telekommunikationssystem (Phase 1); Technische Umsetzung der Faksimile-Gruppe 3 nicht transparent

TR-TSE, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

TS 3080-1978 Methoden zur chemischen Analyse von Keramik-Weißware-Tonen. Bestimmung des Gehalts an Siliciumdioxid, Gesamt-R2O3, Eisen-3-oxid, Titandioxid, Aluminium-3-oxid, Calciumoxid und Magnesiumoxid

Canadian Standards Association (CSA), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

CAN/CSA-ISO/IEC 18051:2014 Informationstechnologie – Telekommunikation und Informationsaustausch zwischen Systemen – Dienste für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III
CAN/CSA-ISO/IEC 18052:2013 Informationstechnologie – Telekommunikation und Informationsaustausch zwischen Systemen – Protokoll für computergestützte Telekommunikationsanwendungen (CSTA), Phase III

Henan Provincial Standard of the People's Republic of China, Der Peak dritter Ordnung von Silizium

DB41/T 1568-2018 Bestimmung des verfügbaren Aluminium- und aktiven Siliziumgehalts in Bauxit-Trihydrat durch Atomemissionsspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma

British Standards Institution (BSI), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

14/30299899 DC BS ISO 16293-3. Glas im Gebäude. Basisprodukte aus Natron-Kalk-Silikatglas. Teil 3. Poliertes Drahtglas

International Organization for Standardization (ISO), Der Peak dritter Ordnung von Silizium

ISO 7610:1985 Öl aus Sandelholz; Bestimmung des Gehalts an Santalolen (in Form ihres Trimethylsilyl-Derivats); Gaschromatographische Methode an Kapillarsäulen