Siliziumnitrid-Fenster

Für die Siliziumnitrid-Fenster gibt es insgesamt 41 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Siliziumnitrid-Fenster die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Diskrete Halbleitergeräte.

British Standards Institution (BSI), Siliziumnitrid-Fenster

18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0. Halbleiterbauelemente. Die Klassifizierung von Defekten in Galliumnitrid-Epitaxiewafern auf Siliziumkarbidsubstrat

Professional Standard - Commodity Inspection, Siliziumnitrid-Fenster

SN/T 0770-1999 Bestimmung von Siliziumoxid in Flockengraphit mit mittlerem Kohlenstoffgehalt. Photometrische Methode mit Molybdänblau

Defense Logistics Agency, Siliziumnitrid-Fenster

DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROGRAMMIERBARE PERIPHERIESCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, SERIELLE CONTROLLER-SCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89652-1990 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, QUAD-DUAL-PORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 96-BIT-FLOATING-POINT-DUAL-PORT-PROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, 8-16 BIT PARALLELSCHNITTSTELLE/TIMER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, PROZESSOR-SCHNITTSTELLENSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, TAKTGENERATOR UND FERTIGSCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89971-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HMOS, REMOTE UNIVERSAL PERIPHERAL INTERFACE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, CMOS, QUAD, SERIELLE SCHNITTSTELLE, 8-BIT-D/A-KONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4X4 MULTIPORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTETES CMOS, 4X4 MULTIPORT-REGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96895-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BICMOS, SCHNELLER OPTISCHER/KUPFER-SENDERSCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96896-1997 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BICMOS, HOCHGESCHWINDIGKEITS-OPTISCHE/KUPFER-EMPFÄNGERSCHNITTSTELLE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 2K
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS, 4K X 9 DUAL PORT, STATISCHER RANDOM-ACCESS-SPEICHER (SRAM), MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88516 REV D-2002 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HOCHLEISTUNGS-CMOS 9-WIDE- UND 10-WIDE-BUS-SCHNITTSTELLENREGISTER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88610 REV F-2007 MIKROSCHALTUNG, SPEICHER, DIGITAL, CMOS 2K X 16 DUAL PORT SRAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, REMOTE-TERMINAL-SCHNITTSTELLE MIT 1K X 16 RAM, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95646 REV A-1996 MIKROKIRCUIT, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BICMOS, 20-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCHES MIT TRI-STATE-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88674-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT, NICHT INVERTIEREND, BUS-SCHNITTSTELLENREGISTER, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT ADRESSIERBARE SCAN-PORTS, MULTIDROP-ADRESSIERBARER IEEE STD 1149.1 (JTAG) TAP-TRANSCEIVER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/03612 REV B-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, DREI-PORT-KABEL-TRANSCEIVER/ARBITER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96736-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, STRAHLENGEHÄRTET, CMOS, HOCHGESCHWINDIGKEIT 8-BIT BIDIREKTIONALER CMOS/TTL-SCHNITTSTELLEN-PEGELKONVERTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88575-1989 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-NICHTINVERTIERENDER BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGANG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88675-1988 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8-BIT-NICHTINVERTIERENDER BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH, TTL-KOMPATIBEL, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 MIKROKREISE, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, QUAD-DUAL-PORT-REGISTER, TTL-KOMPATIBEL, BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 16-BIT-TRI-PORT-UNIVERSAL-BUS-AUSTAUSCHER MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 Mikroschaltkreis, digital, fortschrittliches bipolares CMOS, Scan-Testgerät mit 18-Bit-Universalbus-Transceiver, dreistufigen Ausgängen, TTL-kompatiblen Eingängen, monolithisches Silizium
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLARES CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, OKTALES 16-BIT-D-TYP-FLIP-FLOP MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITALER, SCHNELLER CMOS, OKTALER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES BIPOLAR-CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-TYP-LATCH MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92243-1993 DIGITALER, SCHNELLER CMOS-OKTAL-INVERTIERENDER BIDIREKTIONALER TRANSCEIVER MIT MIKROKREISKREIS, MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWINGUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92228-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 10-BIT-BUS-SCHNITTSTELLEN-LATCH MIT NICHTINVERTIERENDEN DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, TTL-KOMPATIBELEN EINGÄNGEN UND BEGRENZTEM AUSGANGSSPANNUNGSSCHWING, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92229 REV B-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 9-BIT-BUS-SCHNITTSTELLE D-REGISTER MIT TAKTFREIGABE, ASYNCHRONES LÖSCHEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, SCHNELLES CMOS, 8 BIT, BUS-SCHNITTSTELLE, D-REGISTER MIT TAKTFREIGABE, ASYNCHRONES LÖSCHEN, DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGE, TTL-KOMPATIBLE EINGÄNGE UND BEGRENZTER AUSGANGSSPANNUNGSSCHWUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Siliziumnitrid-Fenster

DB13/T 5091-2019 Bestimmung des Ferromangan-, Mangan-Silizium-, Ferromangannitrid- und Metallmangan-Silizium-, Mangan- und Phosphorgehalts Wellenlängendispersive Röntgenfluoreszenzspektrometrie (Gussglasverfahren)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Siliziumnitrid-Fenster

GB/T 5686.9-2023 Bestimmung der Gehalte an Ferromangan, Mangan-Silizium-Legierungen, Ferromangannitrid und metallischem Mangan-Mangan, Silizium, Phosphor und Eisen mittels wellenlängendispersiver Röntgenfluoreszenzspektrometrie (Gussglasplattenverfahren)