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氮化硅窗口片

本专题涉及氮化硅窗口片的标准有41条。

国际标准分类中，氮化硅窗口片涉及到集成电路、微电子学、电学、磁学、电和磁的测量、航空航天制造用材料、半导体分立器件。

在中国标准分类中，氮化硅窗口片涉及到商业、贸易、合同、半导体集成电路、、计算机应用、电子测量与仪器综合、航空与航天用金属铸锻材料、半导体分立器件综合。

英国标准学会，关于氮化硅窗口片的标准

18/30386543 DC BS EN 63229 Ed.1.0 半导体器件碳化硅衬底氮化镓外延片缺陷分类

行业标准-商品检验，关于氮化硅窗口片的标准

SN/T 0770-1999 出口中碳鳞片石墨中二氧化硅的测定.硅钼蓝分光光度法

美国国防后勤局，关于氮化硅窗口片的标准

DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 硅单片可编程序外围接口,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 硅单片串联控制器接口,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89652-1990 硅单片,四冲双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 硅单片,96位浮点双口处理器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 硅单片,8-16位并行接口/限时器,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 硅单片处理器接口电路互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-87734 REV B-1992 硅单片准备接口时钟发生器互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-89971-1992 硅单片,远程通用外围接口,高性能金属氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 硅单片,四重串联接口8位交流/直流转变器,氧化物半导体线性微型电路
DLA SMD-5962-96682 REV C-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96684 REV B-2000 抗辐射互补金属氧化物半导体4X4多端口寄存器硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96895-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜传播器接口硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-96896-1997 双互补金属氧化物半导体,光学的铜接收器接口硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 硅单片,2K X 8双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 硅单片,4K X 9双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-88516 REV D-2002 硅单片10超宽总线接口记数器高性能互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88610 REV F-2007 硅单片2K X 16双端口静态存取存储器互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 硅单片,装有1K X 16随机存取存储器的运程终端接口,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-95646 REV A-1996 先进互补金属氧化物半导体20-BIT母线接口D类闭锁,三状态输出硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-88674-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口调节输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-96812 REV A-2003 双极互补金属氧化物半导体,10-BIT扫描端口多支路标准1149.1接收器,硅单片电路数字微电路
DLA DSCC-VID-V62/03612 REV B-2008 单硅片数字微电路,由互补金属氧化物半导体构成,带具备三个接口的电缆收发器/优判器
DLA SMD-5962-96736-1996 的互补金属氧化物半导体,硅单片电路数字微电路8-BIT双向的互补金属氧化物半导体或晶体管接口转换器
DLA SMD-5962-88575-1989 硅单片10 -位扬声器总线接口锁存器与三态输出快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-88675-1988 硅单片8位扬声器TTL兼容总线接口锁存器输入快速互补型金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-92212 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,双重双口寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 双极互补金属氧化物半导体,16-BIT三端口母线三状态输出转换器,晶体管输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-94672 REV A-2007 数字的先进双极互补金属氧化物半导体,18-BIT母线接口和双稳态多谐振荡器转化输出晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的9位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 硅单片,装有三态输出,TTL可兼容输入的16位总线接口双稳态多谐振荡器,改进型氧化物半导体双极数字微型电路
DLA SMD-5962-92244 REV C-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 双极的互补金属氧化物半导体,10-BIT母线接口D类三状态输出闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路数字微电路
DLA SMD-5962-95712 REV A-2007 双极互补金属氧化物半导体三状态输出9-BIT母线接口D类闭锁装置,晶体管兼容输入硅单片电路线型微电路
DLA SMD-5962-92243-1993 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有三态输出的八位反向双口收发器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92228-1994 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有正向三态输出的十位总线接口锁存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92229 REV B-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的九位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-92230 REV A-1996 硅单片,TTL兼容输入及受输出限制的电压摆幅,装有时钟使能的八位总线接口D型寄存器,高速氧化物半导体数字微型电路