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Sonda de nivel 4

Sonda de nivel 4, Total: 43 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Sonda de nivel 4 son: Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., pruebas de metales, Metales no ferrosos, Materiales para el refuerzo de composites., Medidas lineales y angulares., Materiales semiconductores, Dispositivos semiconductores, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Materiales conductores, Plástica, Cerámica, Agricultura y silvicultura, Dispositivos de visualización electrónica..

Professional Standard - Electron, Sonda de nivel 4

SJ/T 10315-1992 Especificación genérica de sonda de cuatro puntos.
SJ/T 10314-1992 Especificación genérica del instrumento de medición de resistividad con sonda de cuatro puntos.
SJ/T 31122-1994 Requisitos de preparación y métodos de inspección y evaluación para sondas de cuatro puntos.

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Sonda de nivel 4

JJG 508-2004 Instrumentos de medición de resistividad con cuatro: método de matriz de sondas
JJG 508-1987 Regulación de verificación de instrumentos de medición de resistividad con método de matriz de cuatro propiedades

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Sonda de nivel 4

GB/T 1551-2021 Método de prueba para medir la resistividad del silicio monocristalino: método de sonda de cuatro puntos en línea y método de sonda de dos puntos de corriente continua
GB/T 39978-2021 Nanotecnología: resistividad del polvo de nanotubos de carbono: método de cuatro sondas

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Sonda de nivel 4

GB/T 1552-1995 Método de prueba para medir la resistividad de silicio monocristalino y germanio con una matriz colineal de cuatro sondas
GB/T 26074-2010 Monocristal de germanio.Medición de resistividad-Sonda lineal de cuatro puntos DC
GB/T 14141-2009 Método de prueba para la resistencia laminar de capas epitaxiales, difundidas e implantadas con iones de silicio utilizando una matriz colineal de cuatro sondas

RU-GOST R, Sonda de nivel 4

GOST 24392-1980 Silicio monocristalino y germanio. Medición de la resistividad eléctrica por el método de las cuatro sondas.

Group Standards of the People's Republic of China, Sonda de nivel 4

T/CSTM 00252-2020 Método de prueba para la resistividad eléctrica de la fibra de carbono mediante el método de cuatro sondas.
T/CASAS 019-2021 Método de prueba de resistividad de compactos sinterizados de micro y nanometal: método de cuatro sondas
T/ZGIA 001-2019 Método de prueba de grafeno para la determinación de la conductividad del polvo método de cuatro sondas

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Sonda de nivel 4

JIS H 0612:1975 Métodos de prueba de resistividad para obleas de silicio monocristalino con sonda de cuatro puntos
JIS H 0602:1995 Método de prueba de resistividad para cristales y obleas de silicio con sonda de cuatro puntos
JIS K 7194:1994 Método de prueba de resistividad de plásticos conductores con un conjunto de sondas de cuatro puntos
JIS R 1637:1998 Método de prueba para la resistividad de películas delgadas cerámicas conductoras con un conjunto de sondas de cuatro puntos

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Sonda de nivel 4

DB13/T 5255-2020 Determinación de la resistencia al cuadrado de la tinta conductora de grafeno mediante el método de cuatro sondas.
DB13/T 5026.3-2019 Método para determinar las propiedades físicas de la pasta conductora de grafeno Parte 3: Método de cuatro sondas para determinar la resistividad de los electrodos de la pasta

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, Sonda de nivel 4

DB32/T 4027-2021 Método dinámico de cuatro sondas para la determinación de la conductividad eléctrica del polvo de grafeno.
DB32/T 4378-2022 Método de cuatro sondas para pruebas no destructivas de resistencia laminar de películas delgadas a escala nanométrica y submicrónica sobre la superficie del sustrato

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Sonda de nivel 4

KS D 0260-1999 MÉTODOS DE PRUEBA DE RESISTIVIDAD PARA OBLEAS DE SILICIO DE CRISTAL ÚNICO CON SONDA DE CUATRO PUNTOS
KS L 1619-2013(2018) Métodos de prueba para la resistividad de películas delgadas cerámicas conductoras con una matriz de sondas de cuatro puntos
KS C 0256-2002(2022) Método de prueba de resistividad para cristales y obleas de silicio con sonda de cuatro puntos
KS D 0260-1989(1994) MÉTODOS DE PRUEBA DE RESISTIVIDAD PARA OBLEAS DE SILICIO DE CRISTAL ÚNICO CON SONDA DE CUATRO PUNTOS
KS C 0256-2002(2017) Método de prueba de resistividad para cristales y obleas de silicio con sonda de cuatro puntos
KS C IEC TS 62607-6-1:2022 Nanofabricación. Características de control clave. Parte 6-1: Material a base de grafeno. Resistividad del volumen: método de cuatro sondas.

German Institute for Standardization, Sonda de nivel 4

DIN 50431:1988 Pruebas de materiales semiconductores; Medición de la resistividad de monocristales de silicio o germanio mediante el método de cuatro sondas/corriente continua con matriz colineal.
DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua

American Society for Testing and Materials (ASTM), Sonda de nivel 4

ASTM F390-98(2003) Método de prueba estándar para la resistencia laminar de películas metálicas delgadas con una matriz colineal de cuatro sondas
ASTM F390-98 Método de prueba estándar para la resistencia laminar de películas metálicas delgadas con una matriz colineal de cuatro sondas
ASTM F390-11 Método de prueba estándar para la resistencia laminar de películas metálicas delgadas con una matriz colineal de cuatro sondas
ASTM F1711-96(2016) Práctica estándar para medir la resistencia laminar de conductores de película delgada para la fabricación de pantallas planas utilizando un método de sonda de cuatro puntos

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., Sonda de nivel 4

ASHRAE LO-09-092-2009 Modelado y optimización de un sistema de criosonda Joule-Thompson de gases mixtos en cascada

British Standards Institution (BSI), Sonda de nivel 4

PD IEC TS 62607-6-1:2020 Nanofabricación. Características clave de control. Material a base de grafeno. Resistividad de volumen: método de cuatro sondas
BS EN ISO 18452:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Determinación del espesor de películas cerámicas mediante perfilómetro de sonda de contacto.
BS EN 1071-4:2006 Cerámica técnica avanzada - Métodos de ensayo para recubrimientos cerámicos - Determinación de la composición química mediante microanálisis con sonda electrónica (EPMA)

IX-IX-IEC, Sonda de nivel 4

IEC TS 62607-6-8:2023 Nanofabricación - Características de control clave - Parte 6-8: Grafeno - Resistencia de la lámina: Sonda de cuatro puntos en línea

Association Francaise de Normalisation, Sonda de nivel 4

NF A92-810*NF EN ISO 18452:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Determinación del espesor de películas cerámicas mediante perfilómetro de sonda de contacto

International Electrotechnical Commission (IEC), Sonda de nivel 4

IEC TS 62607-6-1:2020 Nanofabricación - Características de control clave - Parte 6-1: Material a base de grafeno - Resistividad del volumen: método de cuatro sondas

KR-KS, Sonda de nivel 4

KS C IEC TS 62607-6-1-2022 Nanofabricación. Características de control clave. Parte 6-1: Material a base de grafeno. Resistividad del volumen: método de cuatro sondas.

International Organization for Standardization (ISO), Sonda de nivel 4

ISO 18452:2005 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Determinación del espesor de películas cerámicas mediante perfilómetro de sonda de contacto