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Semiconductor indirecto directo UV

Semiconductor indirecto directo UV, Total: 56 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semiconductor indirecto directo UV son: Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Dispositivos semiconductores, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Circuitos integrados. Microelectrónica, Alambres y cables eléctricos., Optoelectrónica. Equipo láser, Comunicaciones de fibra óptica., Materiales semiconductores, Componentes y accesorios para equipos de telecomunicaciones..


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semiconductor indirecto directo UV

  • GB/T 7677-1987 Convertidores de CC directos de semiconductores
  • GB/T 3859.4-2004 Convertidor de semiconductores: convertidores de semiconductores autoconmutados, incluidos convertidores de CC directos
  • GB/T 42848-2023 Método de prueba para sintetizador de frecuencia digital directo de circuito integrado semiconductor.
  • GB/T 21548-2008 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
  • GB/T 12843-1991 Principio general de los métodos de medición de parámetros de microprocesadores y circuitos de interfaz periféricos para circuitos integrados de semiconductores.
  • GB 12843-1991 Principios básicos de los métodos de prueba de parámetros eléctricos para microprocesadores de circuitos integrados semiconductores y circuitos de interfaz periféricos.

Standard Association of Australia （SAA）, Semiconductor indirecto directo UV

Danish Standards Foundation, Semiconductor indirecto directo UV

ES-UNE, Semiconductor indirecto directo UV

  • UNE-EN 60146-2:2000 Convertidores de semiconductores -- Parte 2: Convertidores de semiconductores autoconmutados incluidos los convertidores directos de corriente continua (Ratificada por AENOR en diciembre de 2001.)

RU-GOST R, Semiconductor indirecto directo UV

  • GOST 23900-1987 Dispositivos semiconductores de potencia. Dimensiones totales y de montaje.
  • GOST 27591-1988 Módulos semiconductores de potencia. Dimensiones generales y de montaje

International Electrotechnical Commission (IEC), Semiconductor indirecto directo UV

  • IEC 60146-2:1999 Convertidores de semiconductores. Parte 2: Convertidores de semiconductores autoconmutados, incluidos los convertidores de CC directos.
  • IEC 62830-6:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía - Parte 6: Métodos de prueba y evaluación para dispositivos triboeléctricos de recolección de energía en modo de contacto vertical

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Semiconductor indirecto directo UV

  • EN 60146-2:2000 Convertidores de semiconductores Parte 2: Convertidores de semiconductores autoconmutados, incluidos los convertidores de CC directos

Lithuanian Standards Office , Semiconductor indirecto directo UV

  • LST EN 60146-2-2002 Convertidores de semiconductores. Parte 2: Convertidores semiconductores autoconmutados, incluidos los convertidores directos de CC (IEC 60146-2:1999)

工业和信息化部, Semiconductor indirecto directo UV

  • SJ/T 11702-2018 Método de prueba de interfaz periférica serie de circuito integrado semiconductor

British Standards Institution (BSI), Semiconductor indirecto directo UV

  • BS EN 60146-2:2000 Convertidores de semiconductores. Requisitos generales y convertidores conmutados de línea. Convertidores de semiconductores con conmutación automática, incluidos convertidores de CC directos
  • BS IEC 62830-6:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía: métodos de prueba y evaluación para dispositivos triboeléctricos de recolección de energía en modo de contacto vertical.

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Semiconductor indirecto directo UV

  • IEEE 592-1990 Blindajes semiconductores expuestos en empalmes de cables de alta tensión y conectores aislados separables

Professional Standard - Electron, Semiconductor indirecto directo UV

  • SJ 20074-1992 Especificaciones detalladas para la interfaz de equipo periférico programable Jμ8305 del circuito integrado semiconductor
  • SJ/T 10802-1996 Circuitos integrados semiconductores utilizados como circuitos de interfaz. Principios generales de los métodos de medición para controladores periféricos.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Semiconductor indirecto directo UV

  • ASTM F584-06 Práctica estándar para la inspección visual de cables semiconductores
  • ASTM F584-06e1 Práctica estándar para la inspección visual de cables semiconductores

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Semiconductor indirecto directo UV

  • GB/T 21548-2021 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Semiconductor indirecto directo UV

  • KS C IEC 60146-2-2002(2022) Convertidores de semiconductores －Parte 2: Convertidores autoconmutados, incluidos los convertidores de CC directos
  • KS C IEC 60146-2-2002(2017) Convertidores de semiconductores －Parte 2: Convertidores autoconmutados, incluidos los convertidores de CC directos
  • KS C IEC 62830-6:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía. Parte 6: Métodos de prueba y evaluación para dispositivos triboeléctricos de recolección de energía en modo de contacto vertical.

Association Francaise de Normalisation, Semiconductor indirecto directo UV

  • NF EN 61169-8:2014 Conectores de radiofrecuencia - Parte 8: Especificación intermedia - Conectores de radiofrecuencia coaxiales, con un diámetro interior del conductor exterior de 6,5 mm (0,256 in), con cierre de bayoneta...
  • NF EN IEC 61169-21:2022 Conectores de radiofrecuencia - Parte 21: Especificación intermedia para conectores RF con conductor exterior de 9,5 mm (0,374 in) de diámetro interior con bloqueo de tornillo - Impedancia característica 50 o...
  • NF EN IEC 61169-15:2021 Conectores de radiofrecuencia - Parte 15: Especificación intermedia - Conectores coaxiales de radiofrecuencia con conductor exterior de diámetro interior de acoplamiento roscado de 4,13 mm (0,163 in) - Impedan...
  • NF EN 61169-16:2018 Conectores de radiofrecuencia - Parte 16: Especificación intermedia - Conectores coaxiales de radiofrecuencia con bloqueo de tornillo de identificación del conductor externo de 7 mm (0,276 pulg.) - Impedan...
  • NF EN IEC 61169-63:2020 Conectores de radiofrecuencia - Parte 63: especificación intermedia - Conectores coaxiales de radiofrecuencia con conductor exterior de 6,5 mm (0,256 in) de diámetro interior con cierre de bayoneta...
  • NF EN 61169-11:2017 Conectores de radiofrecuencia - Parte 11: Especificación intermedia para conectores coaxiales de radiofrecuencia con un diámetro interior del conductor exterior de 9,5 mm atornillado - Imp...
  • NF EN 61169-53:2016 Conectores de radiofrecuencia - Parte 53: Especificación intermedia para conectores coaxiales de radiofrecuencia con 16 mm de diámetro interior de conductores exteriores con bloqueo de tornillo - Imp...
  • NF EN IEC 61169-17:2022 Conectores de radiofrecuencia - Parte 17: Especificación intermedia para conectores RF coaxiales acoplados por tornillo con un conductor exterior que tiene un diámetro interior de 6,5 mm (0,256 pulgadas) - Impedancia característica...
  • NF EN IEC 61169-61:2020 Conectores de radiofrecuencia - Parte 61: Especificación intermedia para conectores coaxiales de radiofrecuencia con diámetro interior del conductor exterior de 9,5 mm, cierre rápido, serie Q4...
  • NF EN 61169-50:2015 Conectores de radiofrecuencia - Parte 50: Especificación intermedia para conectores coaxiales de radiofrecuencia con conductor exterior de diámetro interior de 4,11 mm con sistema de bloqueo...
  • NF EN 61169-51:2015 Conectores de radiofrecuencia - Parte 51: Especificación intermedia para conectores coaxiales de radiofrecuencia con 13,5 mm de diámetro interior de conductores exteriores con cierre de bayoneta...
  • NF EN IEC 61169-65:2021 Conectores de radiofrecuencia - Parte 65: Especificación intermedia para conectores coaxiales de radiofrecuencia, con un diámetro interior del conductor exterior de 1,35 mm, acoplados por tornillo, impermeables...
  • NF EN IEC 61169-66:2021 Conectores de radiofrecuencia - Parte 66: Especificación intermedia para conectores coaxiales de radiofrecuencia con conductor exterior de diámetro interior de 5 mm con acoplamiento de bloqueo rápido...
  • NF EN IEC 61169-54:2021 Conectores de radiofrecuencia - Parte 54: Especificación intermedia para conectores coaxiales con conductor exterior de diámetro interior de 10 mm, impedancia característica nominal 50 Omega, serie 4.3-10
  • NF EN IEC 61169-64:2019 Conectores de radiofrecuencia - Parte 64: especificación intermedia - Conectores RF coaxiales con un conductor exterior con un diámetro interior de 0,8 mm - Impedancia característica de 50 ohmios (tipo 0,8)
  • NF EN IEC 61169-71:2022 Conectores de radiofrecuencia - Parte 71: Especificación intermedia para conectores RF coaxiales con conductor exterior con un diámetro interior de 5 mm - Impedancia característica de 50 ohmios (tipo NEX10R)

Defense Logistics Agency, Semiconductor indirecto directo UV

Professional Standard - Post and Telecommunication, Semiconductor indirecto directo UV

  • YD/T 1687.1-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 1: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa refrigerado de 2,5 Gbit/s
  • YD/T 1687.2-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 2: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa no refrigerado de 2,5 Gbit/s

German Institute for Standardization, Semiconductor indirecto directo UV

  • DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
  • DIN EN 60169-25:1994 Conectores de radiofrecuencia; parte 25: conectores acoplados por tornillo de dos polos (3/4-20 UNEF) para uso con cables balanceados blindados que tienen conductores internos gemelos con un diámetro interno del conductor externo de 13,56 mm (tipo TWHN) (IEC 60169-25:1992); Versión alemana EN 6016

PH-BPS, Semiconductor indirecto directo UV

  • PNS IEC 62830-6:2021 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía - Parte 6: Métodos de prueba y evaluación para dispositivos triboeléctricos de recolección de energía en modo de contacto vertical

KR-KS, Semiconductor indirecto directo UV

  • KS C IEC 62830-6-2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para la recolección y generación de energía. Parte 6: Métodos de prueba y evaluación para dispositivos triboeléctricos de recolección de energía en modo de contacto vertical.

  Semiconductor indirecto directo UV.

 



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