ZH

EN

ES

Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник, Всего: 56 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник, являются: Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Полупроводниковые приборы, Механические конструкции электронного оборудования, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Электрические провода и кабели, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Оптоволоконная связь, Полупроводниковые материалы, Комплектующие и аксессуары для телекоммуникационного оборудования.


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • GB/T 7677-1987 Полупроводниковые преобразователи постоянного тока прямого действия
  • GB/T 3859.4-2004 Полупроводниковый преобразователь. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.
  • GB/T 42848-2023 Метод испытаний прямого цифрового синтезатора частоты полупроводниковой интегральной схемы
  • GB/T 21548-2008 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи
  • GB/T 12843-1991 Общие принципы методов измерения параметров микропроцессоров и цепей периферийного интерфейса полупроводниковых интегральных схем
  • GB 12843-1991 Основные принципы методов контроля электрических параметров полупроводниковых интегральных схем микропроцессоров и схем периферийных интерфейсов

Standard Association of Australia (SAA), Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • AS 60146.2:2001/Amdt 1:2001 Полупроводниковые преобразователи. К самокоммутирующимся полупроводниковым преобразователям относятся преобразователи прямого тока в постоянный ток.
  • AS 60146.2:2001(R2013)
  • AS 60146.2:2001 Полупроводниковые преобразователи. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.

Danish Standards Foundation, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • DS/EN 60146-2:2000 Полупроводниковые преобразователи. Часть 2. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.

ES-UNE, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • UNE-EN 60146-2:2000 Полупроводниковые преобразователи. Часть 2. Самокоммутирующие полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи постоянного тока (одобрено AENOR в декабре 2001 г.).

RU-GOST R, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • GOST 23900-1987 Силовые полупроводниковые приборы. Габаритные и монтажные размеры
  • GOST 27591-1988 Силовые полупроводниковые модули. Общие и монтажные размеры

International Electrotechnical Commission (IEC), Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • IEC 60146-2:1999 Полупроводниковые преобразователи. Часть 2. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.
  • IEC 62830-6:2019 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • EN 60146-2:2000 Полупроводниковые преобразователи. Часть 2. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.

Lithuanian Standards Office , Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • LST EN 60146-2-2002 Полупроводниковые преобразователи. Часть 2. Самокоммутирующие полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи постоянного тока (IEC 60146-2:1999).

工业和信息化部, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • SJ/T 11702-2018 Метод испытаний последовательного периферийного интерфейса полупроводниковой интегральной схемы

British Standards Institution (BSI), Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • BS EN 60146-2:2000 Полупроводниковые преобразователи. Общие требования и преобразователи с линейной коммутацией. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока
  • BS IEC 62830-6:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • IEEE 592-1990 Открытые полупроводниковые экраны на соединениях высоковольтных кабелей и разъемных изолированных разъемах.

Professional Standard - Electron, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • SJ 20074-1992 Подробные характеристики интерфейса программируемого периферийного оборудования Jμ8305 полупроводниковой интегральной схемы
  • SJ/T 10802-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения драйверов периферийных устройств.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • ASTM F584-06 Стандартная практика визуального контроля полупроводниковой свинцовой проволоки
  • ASTM F584-06e1 Стандартная практика визуального контроля полупроводниковой свинцовой проволоки

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • GB/T 21548-2021 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • KS C IEC 60146-2-2002(2022) Полупроводниковые преобразователи. Часть 2: Самокоммутирующиеся преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.
  • KS C IEC 60146-2-2002(2017) Полупроводниковые преобразователи. Часть 2: Самокоммутирующиеся преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.
  • KS C IEC 62830-6:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.

Association Francaise de Normalisation, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • NF EN 61169-8:2014 Радиочастотные соединители. Часть 8. Промежуточная спецификация. Коаксиальные радиочастотные соединители с внутренним наружным диаметром проводника 6,5 мм (0,256 дюйма), байонетным замком...
  • NF EN IEC 61169-21:2022 Радиочастотные соединители. Часть 21. Промежуточные спецификации для радиочастотных соединителей с внешним проводником с винтовой фиксацией внутренним диаметром 9,5 мм (0,374 дюйма). Характеристическое сопротивление 50 Ом.
  • NF EN IEC 61169-15:2021 Радиочастотные соединители. Часть 15. Промежуточная спецификация. Радиочастотные коаксиальные соединители с внутренним диаметром наружного проводника 4,13 мм (0,163 дюйма) с резьбовой муфтой. Импедансное...
  • NF EN 61169-16:2018 Радиочастотные разъемы. Часть 16. Промежуточные технические характеристики. Радиочастотные коаксиальные разъемы с винтовым фиксатором внутреннего диаметра 7 мм (0,276 дюйма) - Импеданс...
  • NF EN IEC 61169-63:2020 Соединители радиочастотные. Часть 63. Промежуточная спецификация. Соединители коаксиальные радиочастотные с внутренним диаметром наружного проводника 6,5 мм (0,256 дюйма) с байонетным замком...
  • NF EN 61169-11:2017 Радиочастотные соединители. Часть 11. Промежуточные спецификации для коаксиальных радиочастотных соединителей с внутренним диаметром внешнего проводника 9,5 мм, с резьбовым соединением. Непроницаемость...
  • NF EN 61169-53:2016 Радиочастотные соединители. Часть 53. Промежуточные спецификации для радиочастотных коаксиальных соединителей с внутренним диаметром внешних проводников 16 мм и винтовым замком.
  • NF EN IEC 61169-17:2022 Радиочастотные соединители. Часть 17. Промежуточные спецификации для коаксиальных радиочастотных соединителей с винтовой связью и внешним проводником внутреннего диаметра 6,5 мм (0,256 дюйма). Характеристический импеданс...
  • NF EN IEC 61169-61:2020 Радиочастотные соединители. Часть 61. Промежуточные спецификации для радиочастотных коаксиальных соединителей с внутренним диаметром наружного проводника 9,5 мм, быстрой блокировкой, серия Q4...
  • NF EN 61169-50:2015 Радиочастотные соединители. Часть 50. Промежуточные спецификации для радиочастотных коаксиальных соединителей с внутренним диаметром наружного проводника 4,11 мм и системой фиксации...
  • NF EN 61169-51:2015 Радиочастотные соединители. Часть 51. Промежуточные спецификации для коаксиальных радиочастотных соединителей с внутренним диаметром внешних проводников 13,5 мм с байонетным замком...
  • NF EN IEC 61169-65:2021 Соединители радиочастотные. Часть 65. Промежуточные спецификации для коаксиальных соединителей радиочастотных с внутренним диаметром наружного проводника 1,35 мм, с винтовой муфтой, противоударные...
  • NF EN IEC 61169-66:2021 Радиочастотные соединители. Часть 66. Промежуточные спецификации для радиочастотных коаксиальных соединителей с внутренним диаметром 5 мм, внешним проводником и быстрозамковым соединением...
  • NF EN IEC 61169-54:2021 Радиочастотные соединители. Часть 54. Промежуточные спецификации для коаксиальных соединителей с внутренним диаметром наружного проводника 10 мм, номинальным характеристическим сопротивлением 50 Омега, серии 4,3-10.
  • NF EN IEC 61169-64:2019 Радиочастотные соединители. Часть 64. Промежуточная спецификация. Коаксиальные радиочастотные соединители с внешним проводником внутренним диаметром 0,8 мм. Характеристическое сопротивление 50 Ом (тип 0,8).
  • NF EN IEC 61169-71:2022 Радиочастотные соединители. Часть 71. Характеристики сечения коаксиальных радиочастотных соединителей с внешним проводником внутренним диаметром 5 мм. Характеристическое сопротивление 50 Ом (тип NEX10R).

Defense Logistics Agency, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ ПЕРИФЕРИЧЕСКИЙ ИНТЕРФЕЙС, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89971-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, HMOS, УДАЛЕННЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ПЕРИФЕРИЧЕСКИЙ ИНТЕРФЕЙС, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЕЧНАЯ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕЙС, 8-битный ЦАП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДРАЙВЕРЫ BIMOS II, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-87575 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, NMOS, МНОГОМОДОВЫЙ КОНТРОЛЛЕР DMA, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Professional Standard - Post and Telecommunication, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • YD/T 1687.1-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 1:2,5 Гбит/с, охлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией
  • YD/T 1687.2-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 2: 2,5 Гбит/с, неохлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией

German Institute for Standardization, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • DIN 50449-1:1997 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 1. Углерод в арсениде галлия.
  • DIN EN 60169-25:1994 Радиочастотные разъемы; часть 25: двухполюсные разъемы с винтовым соединением (3/4-20 UNEF) для использования с экранированными симметричными кабелями, имеющими сдвоенные внутренние проводники с внутренним диаметром внешнего проводника 13,56 мм (тип TWHN) (IEC 60169-25:1992); Немецкая версия EN 6016

PH-BPS, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • PNS IEC 62830-6:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.

KR-KS, Прямой УФ-излучение, непрямой полупроводник

  • KS C IEC 62830-6-2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.