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bipolar

bipolar, Total: 47 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en bipolar son: Ingeniería de audio, vídeo y audiovisual., Condensadores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Componentes electrónicos en general., Comunicaciones de fibra óptica., Dispositivos semiconductores.

CU-NC, bipolar

NC 66-29-1984 Electrónica. Métodos de medición de transistores bipolares
NC 66-27-1984
NC 66-28-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta frecuencia. Tipo BF 199. Especificaciones de calidad
NC 66-25-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Transistores bipolares de alta frecuencia. Especificaciones de calidad
NC 66-26-1984 Electrónica. Transistor de conmutación bipolar de alta potencia, tipo BU 208. Especificaciones de calidad
NC 66-23-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta potencia y baja frecuencia, tipo 2N 3055. Especificaciones de calidad
NC 66-17-1987 Industria Electrotécnica y Electrónica. Transistores Bipolares de Alta Tensión y Media Potencia. Especificaciones de calidad
NC 66-14-1987 Industria Electrónica y Electrotécnica. Transistores bipolares encapsulados en plástico. Especificaciones generales de calidad
NC 66-16-1987 Transistores bipolares de potencia y bajo ruido para la industria electrónica y electrotécnica. Especificaciones de calidad
NC 66-18-1984 Electrónica. Transistores bipolares de media potencia y alto voltaje Tipos BC 328 y BC 338. Especificaciones de calidad
NC 66-20-1984 Electronios. Transaistores bipolares de alta potencia y baja frecuencia, tipos BD 175, BD 176, BD 177 y BD 178. Especificaciones de calidad
NC 66-22-1984 Electronios. Tranaistores Bipolares de Alta Potencia y Baja Frecuencia, Tipos BD 705, BD 707, BD 708, BD 709, y BD 710 Especificaciones de Calidad
NC 66-19-1984 Electrónica. Transistores bipolares de media potencia y alto voltaje, tipos BD 135, BD 136, 3D 137, BD 138, BD 139 y BD 140. Especificaciones de calidad
NC 66-24-1984 Electrónica. Transistores bipolares de alta potencia y baja frecuencia, tipos BD 533, BD 534, BD 535, BD 536, BD 537 BD 538. Especificaciones de calidad
NC 66-21-1984 Electronios. Tranaistores Bipolares de Alta Potencia y Baja Frecuencia, Tipos BD 233, BD 234, BD 235, BD 236, BD 237 y BD 238. Especificaciones de Calidad

Defense Logistics Agency, bipolar

DLA SMD-5962-88763-1990
DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN DE SEGUIMIENTO DE DOBLE POLARIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN DE SEGUIMIENTO DE DOBLE POLARIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 MICROCIRCUITO, LINEAL, REGULADOR DE TENSIÓN DE SEGUIMIENTO DE DOBLE POLARIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, 8 BITS IGUAL AL COMPARADOR, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY DE BAJA POTENCIA, TTL, DUAL CARRY-SAVE FULL SUMADORES, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO TIPO D, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 MICROCIRCUITO DIGITAL BIPOLAR BÚFER DE 10 BITS DE ALTO RENDIMIENTO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, FLIP-FLOP DE INTERFAZ DE BUS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 MICROCIRCUITOS DIGITALES, SCHOTTKY DE 32.768 BITS, BIPOLAR, MEMORIA DE SÓLO LECTURA PROGRAMABLE (PROM), SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, REGISTRO DE CAMBIO UNIVERSAL BIDIRECCIONAL DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, SINCRÓNICO DE 8 BITS, CONTADOR ARRIBA/ABAJO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, OCTAL CHANCLAS DE DISPARO POR BORDE TIPO D CON SALIDAS DE 3 ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 MICROCIRCUITO, LINEAL, DUAL, ALTA VELOCIDAD, COMPARADOR DE TENSIÓN, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 MICROCIRCUITO DIGITAL BIPOLAR BÚFER DE 10 BITS DE ALTO RENDIMIENTO, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, ADVANCE SCHOTTKY, TTL, FLIP-FLOP TIPO D DE DISPARO POR BORDE OCTAL CON HABILITACIÓN DE RELOJ, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO DE BAJA CONSUMO, TTL, FLIP-FLOPS DE INTERFAZ DE BUS DE 8 BITS CON SALIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 FLIPFLOPS DE MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY AVANZADO, TTL, INTERFAZ DE BUS DE 10 BITS CON ENTRADAS INVERSORAS Y NO INVERSORAS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, AVANZADO SCHOTTKY TTL DE BAJA POTENCIA, TRANSCEPTORES DE BUS OCTAL Y REGISTROS CON SALIDAS INVERTIDAS DE TRES ESTADOS, SILICIO MONOLÍTICO
DLA SMD-5962-96878 REV C-2009 MICROCIRCUITO, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY TTL, BUFFERS/CONDUCTOR DE LÍNEA HEXAGONAL CON SALIDAS DE 3 ESTADOS CON 2 ENTRADAS INDEPENDIENTES O 2 DEPENDIENTES, SILICIO MONOLÍTICO

Professional Standard - Electron, bipolar

SJ/Z 9184-1995 Especificaciones para la determinación de condensadores electrolíticos de aluminio bipolares utilizados para VCR.
SJ 20973-2007 Condensadores fijos, de doble polarización, electrolíticos (electrolito sólido), tantalio, confiabilidad establecida, especificaciones generales para
SJ 20208-1992 Especificaciones detalladas para condensadores, electrolíticos (electrolito sólido), tantalio (no polarizado, sinterizado), confiabilidad establecida, tipo CAK70.
SJ 50063.1-1994 Condensadores, fijos, electrolíticos (electrolito sólido) de tantalio, confiabilidad establecida (no polarizada), estilo CAK, especificaciones detalladas para
SJ/T 10504-1994 Especificación de detalle de componentes electrónicos. Condensadores de tantalio fijos bipolares tipo CA 70 con electrolito sólido. Nivel de evaluación E

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, bipolar

GJB 605-1988 Condiciones técnicas del paquete de baterías bipolares SD01A para armas nucleares de misiles

Danish Standards Foundation, bipolar

DS/IEC 747-7-2:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares de caja para amplificación de baja frecuencia
DS/IEC 747-7-1:1990 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 7: Transistores bipolares. Sección uno: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación ambiental para amplificación de baja y alta frecuencia

Association Francaise de Normalisation, bipolar

NF EN 61243-3:2015 Trabajo en tensión - Detectores de tensión - Parte 3: tipo bipolar de baja tensión

Professional Standard - Post and Telecommunication, bipolar

YD/T 2618.3-2014 Transpondedor óptico con formatos de modulación de fase de 40 Gb/s. Parte 3: Recepción coherente y manipulación por desplazamiento de fase en cuadratura de polarización dual

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), bipolar

KS C IEC 60747-7-2:2006 Dispositivos semiconductores －Dispositivos discretos－Parte 7: Transistores bipolares －Sección dos: Especificación detallada en blanco para transistores bipolares con clasificación de caja para amplificación de baja frecuencia

US-CFR-file, bipolar

CFR 40-450.21-2014 Protección del Medio Ambiente. Parte 450: Categoría de fuente puntual de construcción y desarrollo. Sección 450.21: Limitaciones de efluentes que reflejan la mejor tecnología practicable actualmente disponible (BPT).