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Efecto mejorado

Efecto mejorado, Total: 12 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Efecto mejorado son: pruebas de metales, Metales ferrosos, Materiales para la construcción aeroespacial., Dispositivos semiconductores, Equipo medico, Pruebas no destructivas.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Efecto mejorado

• GJB 5814-2006 Método de prueba del efecto de mejora de la dosis de rayos X para dispositivos electrónicos militares

British Standards Institution (BSI), Efecto mejorado

• BS EN 10325:2006 Acero - Determinación del aumento del límite elástico por efecto del tratamiento térmico (Bake-Hardening-Index)
• BS EN 2489:1995 Plásticos reforzados con fibra. Determinación de la acción de los fluidos de prueba.

European Committee for Standardization (CEN), Efecto mejorado

• EN 10325:2006 Acero - Determinación del aumento del límite elástico por efecto del tratamiento térmico [Bake-Hardening-Index]

German Institute for Standardization, Efecto mejorado

• DIN EN 10325:2006 Acero - Determinación del aumento del límite elástico por efecto del tratamiento térmico (Bake-Hardening-Index); Versión en inglés de DIN EN 10325:2006-10

Association Francaise de Normalisation, Efecto mejorado

• NF A03-680*NF EN 10325:2006 Acero - Determinación del aumento del límite elástico por efecto del tratamiento térmico (Bake-Hardening-Index)

Defense Logistics Agency, Efecto mejorado

• DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 MICROCIRCUITO, LINEAL, AMPLIFICADOR OPERACIONAL, DUAL, JFET, ALTA VELOCIDAD, SILICIO MONOLÍTICO
• DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 MICROCIRCUITO, LINEAL, J-FET DE BAJA POTENCIA, AMPLIFICADOR OPERACIONAL SIMPLE/DUAL/QUAD, SILICIO MONOLÍTICO

RU-GOST R, Efecto mejorado

• GOST R IEC 61262-1-1999 Equipo eléctrico médico. Características de los intensificadores de imágenes de rayos X electroópticos. Parte 1. Determinación del tamaño del campo de entrada.

Professional Standard - Electron, Efecto mejorado

• SJ 50033/83-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora MOS de canal P de silicio tipo CS139
• SJ 50033/89-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de silicio tipo CS 6768 y CS 6770
• SJ 50033/88-1995 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para el transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de silicio tipo CS6760 y CS6762

Otros:   reforzado con fibra, mejora de la superficie, efecto, Efecto, Aumentar la resiliencia, efecto efecto, Efecto mejorado, Mejorar la altura máxima, Efecto refuerzo, efecto de autorrefuerzo, PCR mejorada, efecto de onda, efecto de microondas, Efecto Efecto de interfaz, efecto de generación de efecto de grupo, Análisis mejorados, tubo de refuerzo, mejorar t, Mayor dureza, película mejorada.