ZH
EN
ES

Улучшение эффекта

Улучшение эффекта, Всего: 12 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Улучшение эффекта, являются: Испытание металлов, Черные металлы, Материалы для аэрокосмического строительства, Полупроводниковые приборы, Медицинское оборудование, Неразрушающий контроль.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Улучшение эффекта

GJB 5814-2006 Метод испытания эффекта повышения дозы рентгеновского излучения для военных электронных устройств

British Standards Institution (BSI), Улучшение эффекта

BS EN 10325:2006 Сталь. Определение повышения предела текучести под воздействием термообработки (индекс закалки при запекании)
BS EN 2489:1995 Армированные волокнами пластмассы. Определение действия испытательных жидкостей

European Committee for Standardization (CEN), Улучшение эффекта

EN 10325:2006 Сталь. Определение повышения предела текучести под действием термообработки [Индекс закалки при запекании]

German Institute for Standardization, Улучшение эффекта

DIN EN 10325:2006 Сталь - Определение повышения предела текучести под воздействием термообработки (индекс закалки); Английская версия DIN EN 10325:2006-10

Association Francaise de Normalisation, Улучшение эффекта

NF A03-680*NF EN 10325:2006 Сталь. Определение повышения предела текучести под воздействием термообработки (индекс закалки при запекании)

Defense Logistics Agency, Улучшение эффекта

DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ДВОЙНОЙ, JFET, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, J-FET МАЛОЙ МОЩНОСТИ, ОДИНОЧНЫЙ/ДВОЙНОЙ/ЧЕТЫРЕХ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

RU-GOST R, Улучшение эффекта

GOST R IEC 61262-1-1999 Медицинское электрооборудование. Характеристики электрооптических усилителей рентгеновского изображения. Часть 1. Определение размера входного поля

Professional Standard - Electron, Улучшение эффекта

SJ 50033/83-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого P-канального МОП-транзистора типа CS139 с режимом улучшения.
SJ 50033/89-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора CS 6768 и CS 6770 с режимом улучшения.
SJ 50033/88-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора с режимом расширения CS6760 и CS6762.