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Nuevos materiales semiconductores.

Nuevos materiales semiconductores., Total: 174 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Nuevos materiales semiconductores. son: Materiales semiconductores, Fluidos aislantes, pruebas de metales, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Herramientas de corte, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Circuitos integrados. Microelectrónica, Materiales de construcción, Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Dispositivos semiconductores, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Componentes electrónicos en general., Circuitos impresos y placas., Redes de transmisión y distribución de energía., Vocabularios, Química analítica, Alambres y cables eléctricos., Cerámica, Óptica y medidas ópticas., Tratamiento superficial y revestimiento., Accesorios electricos.

Group Standards of the People's Republic of China, Nuevos materiales semiconductores.

T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
T/CASME 479-2023 Marco de conductores perforados para embalaje plástico de contorno pequeño de circuitos integrados semiconductores
T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Nuevos materiales semiconductores.

GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 7423.2-1987 Disipador de calor de dispositivos semiconductores--Disipador de calor, formas extruidas
GB 7423.2-1987 Disipador de calor del perfil del disipador de calor del dispositivo semiconductor
GB/T 42529-2023 Requisitos de evaluación para la conducción de humedad y la función respiratoria de cambio de fase de nuevos materiales de pared
GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
GB/T 14112-2015 Circuitos integrados semiconductores. Especificación para marcos conductores estampados de plástico DIP.
GB/T 14112-1993 Circuitos integrados semiconductores Especificación para marcos conductores estampados de plástico DIP
GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Nuevos materiales semiconductores.

GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.
GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis

RO-ASRO, Nuevos materiales semiconductores.

STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

HU-MSZT, Nuevos materiales semiconductores.

MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai

Professional Standard - Electron, Nuevos materiales semiconductores.

SJ/T 11775-2021 Sierra de varios hilos utilizada para materiales semiconductores
SJ/T 10746-1996 Procedimientos y reglas para la evaluación de patrones de nuevos productos para circuitos integrados semiconductores.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.

Indonesia Standards, Nuevos materiales semiconductores.

SNI 19-0429-1989 Guía para muestreo de materiales líquidos y semisólidos.

British Standards Institution (BSI), Nuevos materiales semiconductores.

BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
BS EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos.
BS EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
PD CEN/TR 17603-32-05:2022 Ingeniería espacial. Manual de materiales estructurales. Nuevos materiales avanzados, materiales metálicos avanzados, aspectos generales de diseño y transferencia de carga y diseño de uniones.

Professional Standard - Machinery, Nuevos materiales semiconductores.

JB/T 8175-1999 Dimensiones generales del disipador de calor extruido para dispositivos semiconductores de potencia
JB/T 5781-1991 Radiador seccionado para dispositivos semiconductores de potencia. Especificación técnica

International Electrotechnical Commission (IEC), Nuevos materiales semiconductores.

IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos
IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.

German Institute for Standardization, Nuevos materiales semiconductores.

DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN 50448:1998
DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
DIN 50449-2:1998
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN 50433-3:1982
DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X

机械电子工业部, Nuevos materiales semiconductores.

JB 5781-1991 Condiciones técnicas de radiadores perfilados para dispositivos semiconductores de potencia.

Defense Logistics Agency, Nuevos materiales semiconductores.

DLA MIL-PRF-19500/672-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PLÁSTICO, NPN, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPO 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, NPN, Silicio, Conmutación, Tipo 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, PNP, Silicio, Conmutación, Tipo 2N2907AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, PNP, Silicio, Conmutación, Tipo 2N4033UE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7537, 2N7537A, JAN Y JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, Transistor de efecto de campo, Plástico, Canal N, Silicio, Tipo 2N7537, 2N7537A, JAN y JANTX
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, plástico encapsulado, canal N, silicio, tipo 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, NPN, Silicio, Conmutación, Tipo 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Nuevos materiales semiconductores.

DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

Association Francaise de Normalisation, Nuevos materiales semiconductores.

NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF EN 62329-3-102:2010 Perfiles termorretráctiles - Parte 3: requisitos de dimensiones del perfil, requisitos de materiales y rendimiento de compatibilidad - Hoja 102: perfiles elastoméricos termorretráctiles, semirrígidos - Requisitos para...
NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS.
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF EN 60684-3-281:2010 Conductos aislantes flexibles - Parte 3: especificaciones para tipos particulares de conductos - Hoja 281: tubos termorretráctiles de poliolefina, semiconductores

American Society for Testing and Materials (ASTM), Nuevos materiales semiconductores.

ASTM D3004-02 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-97 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-08(2020) Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores extruidos termoplásticos y reticulados
ASTM D6095-99 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-05 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-06 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM B976-11(2015) Especificación estándar para alambre de núcleo compuesto de matriz de aluminio reforzado con fibra (AMC) para conductores de aluminio, reforzado con compuesto (ACCR)
ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

RU-GOST R, Nuevos materiales semiconductores.

GOST 22622-1977 Materiales semiconductores. Términos y definiciones

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Nuevos materiales semiconductores.

JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada

American National Standards Institute （ANSI), Nuevos materiales semiconductores.

ANSI/ASTM D3004:2008 Especificación para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ANSI/ASTM D6095:2012 Método de prueba para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Nuevos materiales semiconductores.

KS C 6520-2021 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C 6520-2019 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, Nuevos materiales semiconductores.

DB32/T 3378-2018 Nueva especificación de gestión de laboratorio empresarial de producción de materiales de pared.

Anhui Provincial Standard of the People's Republic of China, Nuevos materiales semiconductores.

DB34/T 3969-2021 Nueva especificación de gestión de laboratorio empresarial de producción de materiales de pared.

Ningxia Provincial Standard of the People's Republic of China, Nuevos materiales semiconductores.

DB64/T 1829.1-2022 Parte 1 del sistema de estándares de desarrollo de alta calidad de la industria "seis nuevos" de Ningxia: nuevos materiales

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Nuevos materiales semiconductores.

EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS
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EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS

Lithuanian Standards Office , Nuevos materiales semiconductores.

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LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).

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UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

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KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada

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T-32-645-2012 Método de prueba para establecer la compatibilidad de la resistividad del volumen de componentes que bloquean el agua con materiales de protección semiconductores extruidos

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ICEA T-32-645-2012 MÉTODO DE PRUEBA PARA ESTABLECER LA COMPATIBILIDAD DE RESISTIVIDAD DE VOLUMEN DE COMPONENTES BLOQUEADORES DE AGUA CON MATERIALES DE PROTECCIÓN SEMICONDUCTORES EXTRUIDOS

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AS/NZS 1660.2.1:1998 Métodos de prueba para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y cubiertas no metálicas - Métodos de aplicación general

CO-ICONTEC, Nuevos materiales semiconductores.

ICONTEC 1332-1981 ELECTRICIDAD CONDUCTORES UNIPOLARES AISLADOS CON MATERIAL TERMOPLASTICO DE PVC. TIPOS ESPECIALES