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Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

Nuevos materiales y dispositivos semiconductores., Total: 150 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Nuevos materiales y dispositivos semiconductores. son: Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Dispositivos semiconductores, Redes de transmisión y distribución de energía., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Circuitos integrados. Microelectrónica, Materiales semiconductores, Accesorios electricos.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

GB/T 7423.2-1987 Disipador de calor de dispositivos semiconductores--Disipador de calor, formas extruidas
GB 7423.2-1987 Disipador de calor del perfil del disipador de calor del dispositivo semiconductor
GB 7085-1986 Especificación detallada para componentes electrónicos - Circuito integrado semiconductor - CJ0450 Controladores Y positivos periféricos duales

British Standards Institution (BSI), Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos.
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.

Professional Standard - Machinery, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

JB/T 5781-1991 Radiador seccionado para dispositivos semiconductores de potencia. Especificación técnica
JB/T 8175-1999 Dimensiones generales del disipador de calor extruido para dispositivos semiconductores de potencia

机械电子工业部, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

JB 5781-1991 Condiciones técnicas de radiadores perfilados para dispositivos semiconductores de potencia.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

JIS C 7012:1982 Sistema de designación de tipos para dispositivos semiconductores discretos.
JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
JIS C 5630-12:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS.

International Electrotechnical Commission (IEC), Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
IEC 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos
IEC 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS
IEC 60749-20:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 20: Resistencia de los SMD encapsulados en plástico al efecto combinado de la humedad y el calor de soldadura.

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

Defense Logistics Agency, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

DLA MIL-PRF-19500/672-2001 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, PLÁSTICO, NPN, SILICIO, CONMUTACIÓN, TIPO 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, NPN, Silicio, Conmutación, Tipo 2N2222AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, PNP, Silicio, Conmutación, Tipo 2N2907AUE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, PNP, Silicio, Conmutación, Tipo 2N4033UE1 JAN, JANTX, JANJ
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7537, 2N7537A, JAN Y JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, Transistor de efecto de campo, Plástico, Canal N, Silicio, Tipo 2N7537, 2N7537A, JAN y JANTX
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO, PLÁSTICO ENCAPSULADO, CANAL N, SILICIO, TIPO 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX Y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 Dispositivo semiconductor, transistor de efecto de campo, plástico encapsulado, canal N, silicio, tipo 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX y JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, NPN, Silicio, Conmutación, Tipo 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ

Association Francaise de Normalisation, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayos de compresión utilizando la técnica de micropilares para materiales MEMS
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS.
NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos
NF EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales autónomos para sistemas microelectromecánicos
NF EN 62007-1/A1:2022 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 1: Modelo de especificación relativo a valores y características esenciales
NF EN 62007-1:2015 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 1: modelo de especificación relativo a valores y características esenciales

Professional Standard - Aerospace, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

QJ 2300-1992 Materiales de ferrita de microondas y espectro de tipos de series de dispositivos

Danish Standards Foundation, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

DS/EN 62047-10:2011
DS/EN 62047-2:2007
DS/EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
DS/EN 62047-6:2010
DS/EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
DS/EN 60749-39:2006
DS/EN 62047-12:2012
DS/EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-20:2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 20: Resistencia de los SMD encapsulados en plástico al efecto combinado de la humedad y el calor de soldadura.

ES-UNE, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)
UNE-EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 14: Método de medida del límite de formación de materiales de película metálica (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2022.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de ensayo de fatiga por flexión de materiales de película delgada mediante vibración resonante de estructuras MEMS (Ratificada por AENOR en febrero de 2012.)
UNE-EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de ensayo para coeficientes de dilatación térmica lineal de materiales autoportantes para sistemas microelectromecánicos (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

German Institute for Standardization, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN EN 62047-21:2015-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
DIN EN 62047-12:2012-06 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011); Versión alemana EN 62047-12:2011
DIN EN 62047-11:2014-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos (IEC 62047-11:2013); Versión alemana EN 62047-11:2013
DIN EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN EN 62047-21:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014
DIN EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN EN IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2021); Versión alemana EN IEC 60749-39:2022 / Nota: DIN...
DIN 49018-1:1972 Conductos y accesorios para instalaciones eléctricas; Conductos flexibles corrugados e inflamables de material aislante y acopladores para cargas de presión media y ligera.
DIN EN 62047-12:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011); Versión alemana EN 62047-12:2011
DIN EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos (IEC 62047-11:2013); Versión alemana EN 62047-11:2013
DIN EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS
EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores Dispositivos microelectromecánicos Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS
EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos

Lithuanian Standards Office , Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

LST EN 62047-14-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012).
LST EN 62047-10-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011).
LST EN 62047-2-2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006).
LST EN 62047-6-2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009).
LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).
LST EN 62047-12-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 12: Método de ensayo de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011).

Professional Standard - Electron, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

SJ/T 10827-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CJ0451 HTL controladores AND positivos periféricos duales
SJ/T 10826-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Controladores AND positivos periféricos duales CJ0450 HTL
SJ/T 10828-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Controladores NAND positivos periféricos duales HTL CJ0452
SJ/T 10042-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Circuito integrado semiconductor. Puerta NAND positiva cuádruple de 2 entradas CT54LS00/CT74LS00
SJ/T 10823-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CH2009 HTL triple puerta NAND positiva de 3 entradas
SJ/T 10084-1991 Especificación detallada para componentes electrónicos. Circuito integrado semiconductor CT54H20/CT74H20 puerta NAND positiva dual de 4 entradas
SJ/T 10824-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Puerta NAND positiva CH2010 HTL Quad de 2 entradas
SJ/T 10822-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Puerta NAND positiva dual CH2008 HTL de 4 entradas
SJ/T 10820-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Puerta NAND positiva dual CH2001 HTL de 4 entradas
SJ/T 10815-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1030 Puerta NAND positiva de entrada TTL8 (Aplicable para certificación)
SJ/T 10842-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CE10104 ECL Quad 2 entradas AND gate (Aplicable para certificación)
SJ/T 10816-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1040 TTL dual búfer NAND positivo de 4 entradas (aplicable para certificación)
SJ/T 10808-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - Puerta NAND positiva CT1000 TTL Quad de 2 entradas (aplicable para certificación)
SJ/T 10809-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1002 TTL Quad puerta NAND positiva de 2 entradas (aplicable para certificación)
SJ/T 10811-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1008 TTL Quad puerta NAND positiva de 2 entradas (aplicable para certificación)
SJ/T 10813-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1020 TTL doble puerta NAND positiva de 4 entradas (aplicable para certificación)
SJ/T 10814-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1027 TTL Triple puerta NAND positiva de 3 entradas (Aplicable para certificación)
SJ/T 10812-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1010 TTL Triple puerta NAND positiva de 3 entradas (Aplicable para certificación)
SJ/T 10849-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CE10121 ECL4-channel 3-3-3-3 input AND-OR/OR-NAND gate (Aplicable para certificación)
SJ/T 10848-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CE10117 ECL doble puerta AND-OR/OR-NAND de 2 canales y 2-3 entradas (aplicable para certificación)
SJ/T 10817-1996 Especificaciones detalladas para componentes electrónicos - Circuitos integrados semiconductores - CT1054 TTL4 canales 2-2-2-2 entrada AND OR INVENT gate (Aplicable para certificación)

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

ICEA T-32-645-2012 MÉTODO DE PRUEBA PARA ESTABLECER LA COMPATIBILIDAD DE RESISTIVIDAD DE VOLUMEN DE COMPONENTES BLOQUEADORES DE AGUA CON MATERIALES DE PROTECCIÓN SEMICONDUCTORES EXTRUIDOS

KR-KS, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 60749-20-2020 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 20: Resistencia de los SMD encapsulados en plástico al efecto combinado de la humedad y el calor de soldadura.

IEC - International Electrotechnical Commission, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

IEC 62047-31:2017 Dispositivos semiconductores – Dispositivos microelectromecánicos – Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas (Edición 1.0)

AT-OVE/ON, Nuevos materiales y dispositivos semiconductores.

OVE EN IEC 60749-39:2020 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV) (versión en inglés)