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Láser semiconductor de alta energía
Láser semiconductor de alta energía, Total: 73 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Láser semiconductor de alta energía son: Aplicaciones de la tecnología de la información., Optoelectrónica. Equipo láser, Comunicaciones de fibra óptica., Pruebas ambientales, Química analítica, Vocabularios, Dispositivos semiconductores, Cerámica, Circuitos integrados. Microelectrónica.
British Standards Institution (BSI), Láser semiconductor de alta energía
- BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS EN 61207-7:2013 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS EN 61207-7:2014 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- BS EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Estándares de desempeño. Transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados
- BS EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Estándares de desempeño. Dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
Group Standards of the People's Republic of China, Láser semiconductor de alta energía
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Láser semiconductor de alta energía
- GB/T 31358-2015 Especificaciones generales para láseres semiconductores.
- GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
- GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
- GB/T 21548-2008 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
- GB/T 18904.2-2002 Dispositivos semiconductores-Parte 12-2: Dispositivos optoelectrónicos-Especificación detallada en blanco para módulos de diodos láser con pigtail para sistemas o subsistemas de fibra óptica
International Electrotechnical Commission (IEC), Láser semiconductor de alta energía
- IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
- IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- IEC 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- IEC 61207-7:2013/COR1:2015 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables; Corrección 1
- IEC 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 9: Transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
- IEC 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Norma de rendimiento. Parte 8: Dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
- IEC 60747-12-2:1995 Dispositivos semiconductores - Parte 12: Dispositivos optoelectrónicos - Sección 2: Especificación detallada en blanco para módulos de diodos láser con pigtail para sistemas y subsistemas de fibra óptica
Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Láser semiconductor de alta energía
IET - Institution of Engineering and Technology, Láser semiconductor de alta energía
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Láser semiconductor de alta energía
- GB/T 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
Professional Standard - Post and Telecommunication, Láser semiconductor de alta energía
- YD/T 1687.1-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 1: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa refrigerado de 2,5 Gbit/s
- YD/T 1687.2-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 2: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa no refrigerado de 2,5 Gbit/s
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Láser semiconductor de alta energía
- GB/T 21548-2021 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
Professional Standard - Electron, Láser semiconductor de alta energía
- SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
- SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
- SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
- SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
- SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
- SJ 50033/35-1994 Especificación detallada para el optoacoplador semiconductor de alta velocidad tipo GH30
Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Láser semiconductor de alta energía
- DB13/T 5120-2019 Especificaciones para la prueba de rendimiento de CC de chips láser semiconductores FP y DFB para comunicación óptica
International Organization for Standardization (ISO), Láser semiconductor de alta energía
- ISO/TS 17915:2013 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- ISO 17915:2018 Óptica y fotónica: método de medición de láseres semiconductores para detección.
- ISO 15632:2021 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos X de dispersión de energía (EDS) para su uso con un microscopio electrónico de barrido (SEM) o un microanalizador de sonda electrónica (EPMA).
- ISO 15632:2012 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos X de energía dispersiva para su uso en microanálisis con sonda electrónica
- ISO 15632:2002 Análisis de microhaces: especificación instrumental para espectrómetros de rayos X de energía dispersiva con detectores de semiconductores
American National Standards Institute （ANSI), Láser semiconductor de alta energía
Association Francaise de Normalisation, Láser semiconductor de alta energía
- NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento del analizador de gases: Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
- NF X21-008:2012 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos dispersivos de energía para su uso en microanálisis con sonda electrónica
- NF EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos de fibra óptica activa. Norma de rendimiento. Parte 8: dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes distribuidos.
- NF C93-884-8*NF EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Norma de rendimiento. Parte 8: dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
- NF C93-884-9*NF EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 9: transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
- NF EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos de fibra óptica activa. Normas de rendimiento. Parte 9: transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes distribuidos.
(U.S.) Telecommunications Industries Association , Láser semiconductor de alta energía
- TIA-455-128-1996 Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
- TIA-455-128-1996(2014) Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
German Institute for Standardization, Láser semiconductor de alta energía
- DIN 43653:1976-03 Fusibles de alta capacidad de ruptura para convertidores de semiconductores
- DIN EN 61207-7:2015-07 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013 / Nota: Aplica en conjunto con DIN EN 61207-1 (2011-04).
- DIN EN 61207-7:2015 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013
- DIN EN 821-2:1997 Cerámica técnica avanzada - Cerámica monolítica, propiedades termofísicas - Parte 2: Determinación de la difusividad térmica mediante el método del flash láser (o pulso de calor); Versión alemana EN 821-2:1997
- DIN ISO 15632:2015 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos X de energía dispersiva para su uso en microanálisis con sonda electrónica (ISO 15632:2012)
ES-UNE, Láser semiconductor de alta energía
- UNE-EN 61207-7:2013 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en enero de 2014.)
- UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en septiembre de 2015.)
- UNE-EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica - Normas de funcionamiento - Parte 8: Dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados (Ratificada por AENOR en agosto de 2014.)
- UNE-EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica - Normas de funcionamiento - Parte 9: Transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados (Ratificada por AENOR en octubre de 2014.)
未注明发布机构, Láser semiconductor de alta energía
- BS EN 61207-7:2013(2015) Expresión del rendimiento de los analizadores de gas Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables
European Committee for Standardization (CEN), Láser semiconductor de alta energía
- CWA 17857:2022 Sistema adaptador basado en lentes para acoplar fibra óptica a láseres semiconductores infrarrojos
- EN 821-2:1997 Cerámica técnica avanzada - Cerámica monolítica - Propiedades termofísicas - Parte 2: Determinación de la difusividad térmica mediante el método del flash láser (o pulso de calor)
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Láser semiconductor de alta energía
- EN 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
- EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 8: Dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
- EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 9: Transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
RU-GOST R, Láser semiconductor de alta energía
- GOST 17704-1972 Dispositivos semiconductores. Receptores fotoeléctricos de energía radiante. Clasificación y designaciones del sistema.
- GOST R 59740-2021 Óptica y fotónica. Láseres semiconductores para la determinación de bajas concentraciones de sustancias. Métodos para medir características.
- GOST 19834.2-1974 Emisores semiconductores. Métodos para medir la intensidad radiante y la radiancia.
- GOST 19834.3-1976 Emisores semiconductores. Métodos para medir la distribución relativa de energía espectral y el ancho de banda espectral.
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Láser semiconductor de alta energía
- KS D ISO 15632:2012 Análisis de microhaces－Especificaciones instrumentales para espectrómetros de rayos X de energía dispersiva con detectores de semiconductores
Defense Logistics Agency, Láser semiconductor de alta energía