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Detección de partículas semiconductoras de alta energía

Detección de partículas semiconductoras de alta energía, Total: 49 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Detección de partículas semiconductoras de alta energía son: Mediciones de radiación, ingeniería de energía nuclear, Acústica y mediciones acústicas., Dispositivos semiconductores, Química analítica, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Optoelectrónica. Equipo láser, Materiales semiconductores, Sistemas y operaciones espaciales., Circuitos integrados. Microelectrónica.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

GB/T 5201-1994 Procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
GB/T 5201-2012 Procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
GB/T 20726-2006 Especificación instrumental para espectrómetros de rayos X de energía dispersiva con detectores de semiconductores.
GB/T 11685-2003 Procedimientos de medición para sistemas detectores de rayos X de semiconductores y espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores.
GB/T 43226-2023 Método de prueba en el dominio del tiempo de error suave de un solo evento para circuitos integrados de semiconductores utilizados en aplicaciones aeroespaciales

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Detección de partículas semiconductoras de alta energía

IEEE 300-1988 Procedimientos de prueba estándar para detectores de partículas cargadas de semiconductores
IEEE 300-1982 PROCEDIMIENTOS DE PRUEBA ESTÁNDAR PARA DETECTORES DE PARTÍCULAS CARGADAS DE SEMICONDUCTOR

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Detección de partículas semiconductoras de alta energía

IEEE Std 300-1988 Procedimientos de prueba estándar IEEE para detectores de partículas cargadas de semiconductores
ANSI/IEEE Std 300-1982 Procedimientos de prueba estándar IEEE para detectores de partículas cargadas de semiconductores
IEEE/ANSI N42.31-2003 Estándar nacional estadounidense para procedimientos de medición para la resolución y eficiencia de detectores semiconductores de radiación ionizante de banda ancha

International Electrotechnical Commission (IEC), Detección de partículas semiconductoras de alta energía

IEC 60333:1993 Instrumentación nuclear; detectores de partículas cargadas de semiconductores; procedimientos de prueba
IEC 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND).

Professional Standard - Building Materials, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

JC/T 2018-2010 Cristal de yoduro de cesio dopado con talio para la detección de partículas de alta energía

British Standards Institution (BSI), Detección de partículas semiconductoras de alta energía

BS EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)

SE-SIS, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

SIS SS IEC 333:1986 Instrumentación nuclear: procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
SIS SS IEC 700:1984 Electrónica de potencia. Válvulas semiconductoras para transmisión de potencia CC de alto voltaje. Pruebas.

American National Standards Institute （ANSI), Detección de partículas semiconductoras de alta energía

ANSI/IEEE 300:1988 Procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores
ANSI N42.31-2003 Procedimientos de medición para la resolución y eficiencia de detectores semiconductores de radiación ionizante de banda ancha

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Detección de partículas semiconductoras de alta energía

KS C IEC 60749-16:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)
KS C IEC 60749-16-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)
KS D ISO 15632:2012 Análisis de microhaces－Especificaciones instrumentales para espectrómetros de rayos X de energía dispersiva con detectores de semiconductores

German Institute for Standardization, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

DIN EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND) (IEC 60749-16:2003); Versión alemana EN 60749-16:2003
DIN EN 60749-44:2017-04 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: Método de prueba de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores (IEC 60749-44:2016); Versión alemana EN 60749-44:2016
DIN 50452-2:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
DIN 50452-3:1995-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN EN 60749-16:2003-09 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND) (IEC 60749-16:2003); Versión alemana EN 60749-16:2003
DIN 50452-2:1991 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; método de prueba para análisis de partículas en líquidos; determinación de partículas con contadores ópticos de partículas
DIN ISO 15632:2015 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos X de energía dispersiva para su uso en microanálisis con sonda electrónica (ISO 15632:2012)

Professional Standard - Electron, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

SJ 50033/114-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el detector sensible a la posición tipo GD3283Y

Association Francaise de Normalisation, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

NF EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 44: método de prueba para los efectos de un evento único (SEE) irradiado por un haz de neutrones para dispositivos semiconductores.
NF C53-225:1985 Pruebas de válvulas semiconductoras para transmisión de energía CC de alta tensión.
NF X21-008:2012 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos dispersivos de energía para su uso en microanálisis con sonda electrónica

RO-ASRO, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

STAS 6693/2-1975 Dispositivos semiconductores TRANSISTORES Métodos para medir propiedades eléctricas.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores Métodos de prueba mecánicos y climáticos Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

JEDEC JESD57-1996 Procedimientos de prueba para la medición de efectos de un solo evento en dispositivos semiconductores debido a la irradiación de iones pesados
JEDEC JESD89A-2006 Medición e informes de errores leves inducidos por partículas alfa y rayos cósmicos terrestres en dispositivos semiconductores

ES-UNE, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

UNE-EN 60749-44:2016 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 44: Método de ensayo de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores (Ratificada por AENOR en diciembre de 2016.)
UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 44: Método de ensayo de efecto de evento único (SEE) irradiado con haz de neutrones para dispositivos semiconductores (Ratificada por AENOR en diciembre de 2016.)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Detección de partículas semiconductoras de alta energía

ASTM F1192-11 Guía estándar para la medición de fenómenos de evento único (SEP) inducidos por irradiación de iones pesados de dispositivos semiconductores

RU-GOST R, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

GOST 19834.2-1974 Emisores semiconductores. Métodos para medir la intensidad radiante y la radiancia.
GOST R 59605-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Términos y definiciones

AENOR, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

UNE-EN 60749-16:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND)

International Organization for Standardization (ISO), Detección de partículas semiconductoras de alta energía

ISO 15632:2021 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos X de dispersión de energía (EDS) para su uso con un microscopio electrónico de barrido (SEM) o un microanalizador de sonda electrónica (EPMA).
ISO 15632:2012 Análisis de microhaces: parámetros de rendimiento instrumental seleccionados para la especificación y verificación de espectrómetros de rayos X de energía dispersiva para su uso en microanálisis con sonda electrónica
ISO 15632:2002 Análisis de microhaces: especificación instrumental para espectrómetros de rayos X de energía dispersiva con detectores de semiconductores

Danish Standards Foundation, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

DS/EN 60749-16:2003

Lithuanian Standards Office , Detección de partículas semiconductoras de alta energía

LST EN 60749-16-2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 16: Detección de ruido de impacto de partículas (PIND) (IEC 60749-16:2003)

Defense Logistics Agency, Detección de partículas semiconductoras de alta energía

DLA SMD-5962-90512-1992 MICROCIRCUITO, DIGITAL, HMOS, MICROCOMPUTADORA DE 8 BITS, SILICIO MONOLÍTICO