ZH
RU
EN
ES

キャリア濃度

キャリア濃度は全部で 19 項標準に関連している。

キャリア濃度 国際標準分類において、これらの分類：金属材料試験、 絶縁流体、 半導体材料、 分析化学。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, キャリア濃度

• GB/T 14146-2021 シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度の試験容量-電圧法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, キャリア濃度

• GB/T 8757-2006 ガリウムヒ素中のキャリア濃度のプラズマ共鳴測定法
• GB/T 36705-2018 ラマン分光法による窒化ガリウム基板のキャリア濃度の検査
• GB/T 14146-1993 シリコンエピタキシャル層キャリア濃度測定とプローブ容量電圧法
• GB/T 11068-2006 ガリウムヒ素エピタキシャル層キャリア濃度容量電圧測定法
• GB/T 14146-2009 シリコンエピタキシャル層のキャリア濃度の測定 水銀プローブ容量電圧法
• GB 11068-1989 ガリウムヒ素エピタキシャル層キャリア濃度容量電圧測定法
• GB/T 14863-2013 ゲートダイオードと非ゲートダイオードの電圧と容量の関係を使用して、シリコンエピタキシャル層の正味キャリア濃度を決定する方法
• GB/T 14863-1993 ゲートダイオードおよび非ゲートダイオードの電圧と容量の関係を使用してシリコンエピタキシャル層の正味キャリア濃度を決定する標準的な方法

Professional Standard - Electron, キャリア濃度

• SJ 2757-1987 高濃度ドープ半導体のキャリア濃度の赤外線反射試験方法
• SJ 3248-1989 高濃度ドープガリウムヒ素およびインジウムリンのキャリア濃度の赤外線反射試験方法
• SJ 3244.1-1989 ガリウムヒ素およびインジウムリン材料のホール移動度およびキャリア濃度の測定方法
• SJ 3244.4-1989 ガリウムヒ素およびインジウムリン材料のキャリア濃度プロファイル分布の試験方法 電気化学的電圧容量法

Group Standards of the People's Republic of China, キャリア濃度

• T/IAWBS 003-2017 炭化珪素エピタキシャル層のキャリア濃度の測定_水銀プローブ静電容量-電圧法

British Standards Institution (BSI), キャリア濃度

• PD IEC TS 62607-5-3:2020 ナノ加工における重要な制御特性 薄膜有機/ナノエレクトロニクスデバイスのキャリア濃度の測定

International Electrotechnical Commission (IEC), キャリア濃度

• IEC TS 62607-6-16:2022 ナノ加工 臨界制御特性 第6-16部 二次元材料 キャリア濃度 電界効果トランジスタ法
• IEC TS 62607-5-3:2020 ナノ加工の臨界制御特性パート 5-3: 薄膜有機/ナノ電子デバイスにおける電荷キャリア濃度の測定

American Society for Testing and Materials (ASTM), キャリア濃度

• ASTM F398-92(1997) プラズモン共鳴の最小波数または波長を測定することにより、半導体内の多数キャリア濃度を決定するための標準的な試験方法

International Organization for Standardization (ISO), キャリア濃度

• ISO/WD TR 23683:2023 表面化学分析走査型プローブ顕微鏡電気走査型プローブ顕微鏡を使用した半導体デバイスのキャリア濃度の実験的定量化に関するガイド

その他：   キャリア濃度, キャリア濃度, キャリア濃度電圧, キャリア濃度測定, 正味キャリア濃度, キャリア濃度の測定方法, キャリア濃度測定, 重いキャリア濃度, 金キャリア濃度, キャリア濃度とは何ですか?, テストキャリア濃度, キャリア濃度分布, キャリア濃度測定, キャリア濃度の検査方法, キャリア濃度試験方法, キャリア濃度、, おおよそのキャリア濃度はどれくらいですか?, キャリア濃度はどうでしょうか？, キャリア濃度の測定方法, キャリア濃度分布.