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プローブのインピーダンス

プローブのインピーダンスは全部で 64 項標準に関連している。

プローブのインピーダンス 国際標準分類において、これらの分類:非破壊検査、 金属材料試験、 絶縁流体、 半導体材料、 非鉄金属、 複合強化素材、 消防、 総合電子部品、 電気、磁気、電気および磁気測定、 半導体ディスクリートデバイス、 導体材料、 プラスチック、 微生物学、 建物の保護、 セラミックス、 農林、 電子表示装置。


American Society for Testing and Materials (ASTM), プローブのインピーダンス

  • ASTM E1629-07 絶対渦電流プローブのインピーダンス決定の標準的な手法
  • ASTM E1629-94 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E1629-94(2001) 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-02ae1 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-98e1 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-02a 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-08 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-08a 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-08b 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-87 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E1629-12(2020) 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM E162-22 渦電流プローブの絶対インピーダンスを決定するための標準的な手法
  • ASTM F397-93(1999) 点プローブを使用してシリコンロッドの抵抗率を測定する標準的な試験方法
  • ASTM E1629-12 絶対渦電流プローブのインピーダンスを決定するための標準的な方法
  • ASTM B667-97(2003)e1 電気接触抵抗を測定するためのプローブの構築と使用に関する標準的な慣行
  • ASTM B667-97(2019) 電気接触抵抗を測定するためのプローブの構築と使用に関する標準的な慣行
  • ASTM B667-97(2014) 電気接触抵抗を測定するためのプローブの構築と使用に関する標準的な慣行
  • ASTM B667-97(2009) 電気接触抵抗を測定するためのプローブの構築と使用に関する標準的な慣行
  • ASTM F390-98 同一直線上にある 4 つのプローブ アレイを使用した金属薄膜のシート抵抗の標準試験方法
  • ASTM F390-11 共線四探針法による金属薄膜のシート抵抗を測定するための標準試験方法
  • ASTM F1711-96(2016) 点プローブ法を使用してフラット パネル ディスプレイの製造に使用される薄膜導体のシート抵抗を測定するための標準的な手法

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, プローブのインピーダンス

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, プローブのインピーダンス

  • GB/T 6617-1995 拡張抵抗プローブ法によるシリコンウェーハの抵抗率測定
  • GB/T 6617-2009 拡張抵抗プローブ法によるシリコンウェーハの抵抗率測定
  • GB/T 1552-1995 インライン四探針法によるシリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率測定
  • GB/T 1551-1995 シリコンおよびゲルマニウム単結晶の抵抗率を測定するための DC 2 プローブ法
  • GB/T 26074-2010 ゲルマニウム単結晶抵抗率直流四探針測定法
  • GB/T 30820-2014 非破壊検査における絶対渦電流プローブのインピーダンス測定法
  • GB/T 14141-2009 シリコンエピタキシャル層、拡散層、イオン注入層のシート抵抗測定 インライン四探針法

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, プローブのインピーダンス

  • GB/T 1551-2021 直流四探針法および直流二探針法によるシリコン単結晶の比抵抗測定
  • GB/T 39978-2021 ナノテクノロジー カーボンナノチューブ粉末抵抗率 四探針法

Professional Standard - Non-ferrous Metal, プローブのインピーダンス

  • YS/T 602-2007 ゾーンメルティングゲルマニウムインゴットの比抵抗試験法 二探針法
  • YS/T 602-2017 ゾーンメルティングゲルマニウムインゴットの比抵抗試験法 二探針法

RU-GOST R, プローブのインピーダンス

  • GOST 24392-1980 単結晶シリコンとゲルマニウム 四探針法による抵抗率の測定

Group Standards of the People's Republic of China, プローブのインピーダンス

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, プローブのインピーダンス

  • DB13/T 5255-2020 グラフェン導電性インクのシート抵抗を測定するための 4 プローブ法
  • DB13/T 5026.3-2019 グラフェン導電性スラリーの物性測定法 その3:スラリー磁極片抵抗率の測定 四探針法

Professional Standard - Electron, プローブのインピーダンス

  • SJ/T 10314-1992 直流四探針抵抗率計の一般的な技術条件
  • SJ/T 10481-1994 シリコンエピタキシャル層抵抗率の表面接触スリープローブ 試験方法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), プローブのインピーダンス

  • KS D 0260-1999 単結晶シリコンウェーハの抵抗率を検査するための四探針法
  • KS L 1619-2013(2018) 4探針アレイ導電性セラミック薄膜抵抗率試験方法
  • KS C 0256-2002(2022) シリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率の四探針試験方法
  • KS L 1619-2013 導電性セラミックス薄膜の抵抗率の測定方法 4探針法
  • KS L 1619-2003 導電性セラミックス薄膜の抵抗率の測定方法 4探針法
  • KS D 0260-1989(1994) 四探針による単結晶シリコンウェーハの抵抗率検査方法
  • KS C 0256-2002 4探針法によるシリコン単結晶およびシリコンウェーハの比抵抗測定方法
  • KS C 0256-2002(2017) 四探針を用いたシリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率試験方法
  • KS C IEC TS 62607-6-1:2022 ナノ加工、重要な制御特性、パート 6-1: グラフェンベースの材料、体積抵抗率: 4 探針法

German Institute for Standardization, プローブのインピーダンス

  • DIN 50431:1988 半導体材料の検査 プローブを直線に並べた4探針/DC法を使用した単結晶シリコンまたはゲルマニウム単結晶の抵抗率測定
  • DIN 10115:1999 インピーダンス法を使用した食品中の微生物の検出と判定の基本原理
  • DIN 50435:1988 半導体材料試験: 4 プローブ/DC 法を使用して、シリコン ウェーハおよびゲルマニウム ウェーハの抵抗率の半径方向の変化を測定します。

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), プローブのインピーダンス

  • JIS H 0602:1995 四探針法を用いたシリコン結晶およびシリコンウェーハの抵抗率の試験方法
  • JIS K 7194:1994 四探針配置法を用いた導電性プラスチックの抵抗率測定方法
  • JIS R 1637:1998 四探針配置法による導電性ファインセラミックス薄膜の抵抗率測定方法

KR-KS, プローブのインピーダンス

  • KS L 1619-2013(2023) 4点プローブアレイを使用した導電性セラミック薄膜の抵抗率の検査方法
  • KS C IEC TS 62607-6-1-2022 ナノ加工、重要な制御特性、パート 6-1: グラフェンベースの材料、体積抵抗率: 4 探針法

British Standards Institution (BSI), プローブのインピーダンス

  • BS ISO 9869-3:2023 建築部材の断熱抵抗と熱伝導率のその場測定 - プローブ挿入法
  • PD IEC TS 62607-6-1:2020 ナノ加工の重要な制御特性 グラフェンベース材料の体積抵抗率: 4 探針アプローチ

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, プローブのインピーダンス

  • DB32/T 4378-2022 基板表面のナノおよびサブミクロンスケールの薄膜シート抵抗を非破壊検査するための 4 プローブ法

ECIA - Electronic Components Industry Association, プローブのインピーダンス

  • 337-1967 ガラスコーティングされたサーミスタ ビーズ、およびガラス プローブおよびガラス ロッド内のサーミスタ ビーズ (負の温度係数) の一般仕様

IX-IX-IEC, プローブのインピーダンス

  • IEC TS 62607-6-8:2023 ナノ加工の重要な制御特性 パート 6-8: グラフェン シート抵抗器: 直列の 4 点プローブ

International Electrotechnical Commission (IEC), プローブのインピーダンス

  • IEC TS 62607-6-1:2020 ナノ製造の重要な制御特性 パート 6-1: グラフェンベースの材料の体積抵抗率: 4 探針法




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