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つのレベルの打錠

つのレベルの打錠は全部で 374 項標準に関連している。

つのレベルの打錠 国際標準分類において、これらの分類：集積回路、マイクロエレクトロニクス、ポンプ、原子力工学、腰の太いバレル、バケット、チューブなど。、鉄鋼製品、回転モーター、食品と接触する物品および材料、エネルギー・伝熱工学総合、映画、電子および通信機器用の電気機械部品、土工、掘削、基礎工事、地下工事、セラミックス、断熱材、切削工具、建物の保護、整流器、コンバータ、安定化電源、文字セットとメッセージエンコーディング、石油製品総合、航空宇宙用電気機器およびシステム、ゴム・プラスチック製品、音響および音響測定、航空機と宇宙船の統合。

Defense Logistics Agency, つのレベルの打錠

DLA SMD-5962-87611 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トリプルトリプル入力サムゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95652 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トリプルトリプル入力 NAND ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90772 REV D-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、トリプルトリプル入力ポジティブANDゲート、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87542 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、トライステートプライオリティエンコーダ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04762 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な低電圧CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04701 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トリプル 3 入力正和ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96522 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トリプル 3 入力 AND ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93253 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きクワッドバッファ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89510 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なショットキー、TTL、トリプル、3 入力、NOR、NOR ゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96818 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04212 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビット D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04760 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92177 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 ビット双方向トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/348 C-2004 トライステート出力バストランシーバーを備えた高度なショットキー TTL デジタルバイポーラマイクロ回路、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04210 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87694 REV F-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92179 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92180 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D ラッチ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 単一シリコン上にトライステート出力を備えた高度なバイポーラ CMOS 電子マイクロ回路 16 ビットバストランシーバー、
DLA SMD-5962-88703 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたクワッド 2 入力マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87693 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きデュアル 4 入力マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88706 REV E-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89682 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルトランシーバー/レジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96529 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トリプル 3 入力 NOR ゲート、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90585 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、マルチモードバッファラッチ、INV (トライステート)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96521 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トリプル 3 入力 NAND ゲート、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97509 REV B-2003 マイクロパワー供給電圧スーパーユーザーシリコンモノリシック回路リニアマイクロ回路
DLA SMD-5962-87551 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03601 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、TTL 互換、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04621 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプ透明ラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87695 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95620 REV E-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットトランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87631 REV D-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、オクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、トライステート出力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V 16 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87631 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、オクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、トライステート出力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87695 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04656 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きクワッドバスバッファゲート、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-04210-2004 先進酸化物半導体向けシリコンモノリシックトライステート出力 16 ビットバッファ/ドライバデジタルマイクロ回路
DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビットレジスタードバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95656 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS 耐放射線性、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTクワッドバスバッファ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTクワッドバスバッファ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04706 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3 V ABT 16 ビットバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04707 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3 V ABT 16 ビットバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04708 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3 V ABT 16 ビットバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04720 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3 V ABT 32 ビットバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/06654 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、3.3V ABT、トライステート出力付き16ビット透明Dラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96588 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02507 REV A-2003 バス制御およびトライステート出力を備えたモノリシックシリコンデジタルマイクロ回路低電圧CMOS 16ビットトランシーバ
DLA SMD-5962-04211-2004 Advanced Oxide Semiconductor のシリコンモノリシックトライステート出力 16 ビットバストランシーバデジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96856 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付きのオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96866 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付きのオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96807 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92023 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き1ライン～10ラインクロックドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-86834 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きクワッド非反転バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92184 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、反転トライステート出力を備えたバッファ付きライン/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92176 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92200 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 10 ビット透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91609 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 ビット診断レジスタ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92018 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバスドライバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88706 REV F-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95618 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビット透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96850 REV B-2008 デジタルマイクロ回路、トライステート出力とモノリシックシリコンを備えた高度な高速CMOSタイプのオクタルバッファ/ドライバー
DLA SMD-5962-97543 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93074 REV H-2008 電圧 +5,5V の 3 チャンネル DC/DC コンバータを備えたリニアシングルシリコンハイブリッドマイクロ回路
DLA SMD-5962-89599 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 入力マルチプレクサ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89557 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94528 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル 16 ビット D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04678 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3 V ABT オクタル透明 D ラッチ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04711 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、3.3V ABT、トライステート出力付き16ビットエッジトリガDタイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V ABT 18 ビットユニバーサルバスドライバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04722 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、3.3V ABT トライステート出力付き 32 ビットエッジトリガ D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87550 REV G-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/379 A VALID NOTICE 4-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な低消費電力ショットキー TTL、トライステート出力付きユニバーサルマルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89658 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87550 REV H-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタルバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92188 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、トライステート出力付きオクタルバッファゲート、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/339 E-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きデータセレクタ/マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02508 REV C-2007 モノリシックシリコンデジタルマイクロ回路、バス制御およびトライステート出力を備えた低電圧CMOS 16ビットバストランシーバ
DLA DSCC-VID-V62/04665 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04666 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97594 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97595 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタルバッファ/ドライバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04724 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付き16ビットバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04722 REV A-2005 高度なバイポーラ CMOS デジタルマイクロ回路 3.3 ボルト ABT 三相出力モノリシックシリコンを備えた 32 ビットエッジトリガ D タイプフリップフロップ
DLA SMD-5962-96854 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力を備えたオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き36ビットバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96864 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力を備えたオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03603 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビット D タイプエッジトリガフリップフロップ、TTL 互換、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96819 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91611 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、8 ビット D タイプフリップフロップ、ポジティブエッジトリガ、トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95619 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付き 16 ビットバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットレジスタードトランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96570 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、オクタルバッファおよびトライステート出力付きラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96570 REV E-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、オクタルバッファおよびトライステート出力付きラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04761 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92024 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、トライステート出力付き16ビットDタイプ透明ラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92196 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルトランシーバー/レジスタ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98580 REV G-2008 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きシュミット 16 ビット双方向多目的トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98580 REV H-2009 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きシュミット 16 ビット双方向多目的トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-98580 REV J-2010 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きシュミット 16 ビット双方向多目的トランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/03663 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04667 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96890 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付き 18 ビット GTL/LVT ユニバーサルバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97575 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きオクタル透明 D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96858 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96863 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、クワッドバスバッファゲートモノリシックシリコン、トライステート出力、TTL互換入力
DLA SMD-5962-96869 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、トライステート出力付きクワッドバスバッファゲート、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95578 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き36ビットレジスタードバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94508 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 9 ビットバスインターフェイスフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88704 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、トライステート出力付きクワッド2入力マルチプレクサ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89795 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付き 8 ウェイバスバッファ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87761 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力および TTL 互換入力を備えたデュアル 4 入力マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04620 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、TTL 互換入力およびトライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92194 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル透明 D ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94618 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94671 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 18 ビットユニバーサルバストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89795 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付き 8 ウェイバスバッファ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96573 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA MIL-M-38510/339 D VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きデータセレクタ/マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96573 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96573 REV E-2009 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96573 REV F-2010 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06239 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力を備えた 16 ビット並列エラー検出および補正回路、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06239 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力を備えた 16 ビット並列エラー検出および補正回路、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96586 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き非反転ヘックスバッファ/ラインドライバ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96573 REV G-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き 8 バストランシーバー、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/05602 REV A-2011 モノリシックシリコンマイクロ回路、調整可能な出力電圧とトライステート出力を備えたデジタルオクタルバストランシーバー
DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 スリーステート出力 8 ビットバストランシーバー、TTL ショットキー高度な低電力デジタルメモリマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックチップ
DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビット透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96806 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V ABT オクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87556 REV E-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93118 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、シリアル制御アクセスネットワーク、トライステート出力付きの透明ラッチ、TTL互換、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92025 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、トライステート出力付き16ビットDタイプエッジトリガーフリップフロップ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96589 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92185 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92186 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87556 REV F-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-91610 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、9 ビット D タイプフリップフロップ、ポジティブエッジトリガ、トライステート出力付き、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95661 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル透明ラッチ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、トライステート出力付きオクタル D タイプエッジトリガフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06234 REV A-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、シュミット 16 ビット双方向多目的レジスタードトランシーバー、トライステート出力付き、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96591 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付きオクタル D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04663 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04668 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97574 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97576 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力付きのオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06239 REV A-2007 シリコンモノリシックスリーステート出力パラレル差分検出回路/補正回路、先端酸化物半導体耐放射線デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-94502 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力を備えた 16 ビットバストランシーバおよびレジスタ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96853 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力付きオクタル透明 D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94577 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力を備えたオクタルバストランシーバおよびレジスタ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96855 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、トライステート出力付きオクタル透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93086 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力を備えたオクタルバストランシーバおよびレジスタ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96867 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、トライステート出力付きオクタル透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96783 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速CMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、反転トライステート出力付き16ビットバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタル透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタル透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93242 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力を備えたオクタルバストランシーバおよびレジスタ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力付き10ビットバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93115 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、シリアル制御アクセスネットワーク、トライステート出力付き非反転トランシーバー、TTL 互換、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94577 REV D-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力を備えたオクタルバストランシーバおよびレジスタ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92199 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、非反転トライステート出力を備えた10ビットバッファ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90720 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー、TTL、9 ビットバスインターフェイストライステート出力付き D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96571 REV D-2013 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96570 REV C-2008 モノリシックシリコン 8 バッファおよびラインドライバ、スリーステート出力、放射線耐性のある高度な CMOS デジタルマイクロ電子回路
DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、デュアルイネーブル付きオクタルラッチトランシーバー、トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットエッジトリガーDタイプフリップフロップ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き10ビットバスインターフェイスDラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力を備えた16ビットバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バス保持およびトライステート出力を備えたオクタルトランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96775 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットイベント波形スイッチングバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87759 REV E-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93207 REV C-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、シリアル制御アクセスネットワーク、トライステート出力付き D タイプフリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-87759 REV F-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー、TTL、トライステート出力付き 8 ビットバスインターフェイスフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/04680 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、3.3V ABT オクタルバストランシーバーおよびトライステート出力付きレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 シリコンモノリシックスリーステート出力 8 ビットシフトレジスタ/ストレージレコーダー、高度な酸化物半導体耐放射線デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96865 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、トライステート出力、TTL 互換入力を備えたモノリシックシリコンオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ
DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力、TTL 互換入力を備えたモノリシックシリコンオクタルエッジトリガー D タイプフリップフロップ
DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バス保持およびトライステート出力を備えた16ビットバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96595 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き非反転オクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、10 ビットバスインターフェイストライステート出力付き D タイプラッチ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96595 REV E-2011 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き非反転オクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96595 REV G-2013 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き非反転オクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96595 REV H-2013 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き非反転オクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09605-2009 マイクロ回路、デジタル、構成可能な電圧変換およびトライステート出力を備えた 16 ビットデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09615-2009 マイクロ回路、デジタル、構成可能な電圧変換およびトライステート出力を備えた 8 ビットデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/12667-2013 マイクロ回路、デジタル、構成可能な電圧変換およびトライステート出力を備えた 16 ビットデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97626 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力を備えた 8 バストランシーバーおよびレジスタ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-97627 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、低電圧 CMOS、トライステート出力を備えた 8 バストランシーバーおよびレジスタ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09604 REV A-2008 構成可能な電圧変換とトライステート出力を備えたマイクロ回路、デジタル、デュアルビット、デュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-02508 REV D-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、低電圧 CMOS、バス保持およびトライステート出力付き 16 ビットバストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA DSCC-VID-V62/09608 REV A-2008 構成可能な電圧変換とトライステート出力を備えた超小型回路、デジタル、シングルチップデュアル電源バストランシーバー、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96698 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、18ビットトランシーバ/レジスタ付きスキャンテスト装置、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96774 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、25オームの直列抵抗とトライステート出力を備えた16ビットバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93116 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、シリアル制御アクセスネットワーク、トライレベル出力付き非反転ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93127 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、シリアル制御アクセスネットワーク、トライステート出力付き反転ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93116 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、シリアル制御アクセスネットワーク、トライレベル出力付き非反転ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96587 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き非反転ヘックスバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96587 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、高度な CMOS、トライステート出力付き非反転ヘックスバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-00509 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、低電圧CMOS、トライステート出力付きクワッド2線式対1線式データセレクタ/マルチプレクサ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-06243 REV A-2007 シリコンモノリシックスリーステート出力 TTL 互換入出力、16 ビットバッファ/ラインドライバー、耐放射線性の高度な酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-06244 REV A-2007 シリコンモノリシックスリーステート出力 TTL 互換入出力、16 ビット双方向トランシーバー、耐放射線性の高度な酸化物半導体デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールドオーバー付き3.3V 16ビットレジスタードトランシーバ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89601 REV F-2011 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力および TTL 互換入力を備えたオクタルポジティブエッジトリガー D タイプフリップフロップ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96569 REV D-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付き反転オクタルバッファ/ラインドライバ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94672 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、18ビットユニバーサルバストランシーバを備えたスキャンテスト装置、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 トライステート出力 TTL 互換出力を備えたモノリシック 18 ビットバストランシーバーを備えたマイクロ回路デジタル高度バイポーラ CMOS スキャニングテスト装置
DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールドオーバー付き3.3ボルトオクタルバストランシーバー、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールドオーバー付き3.3V 16ビットバッファ/ドライバ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96575 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、耐放射線性、トライステート出力付きデュアル 4 線式から 1 線式へのデータセレクタ/マルチプレクサ、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-95606 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、25個のOシリーズ抵抗器およびトライステート出力を備えたオクタルトランシーバ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92197 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、8ビットパリティジェネレータ/ベリファイア付きオクタル双方向トランシーバ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94615 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、オクタルレジスタードバストランシーバを備えたスキャンテスト装置、トライレベル出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、オクタルバストランシーバおよび反転トライステート出力付きレジスタ、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88626 REV D-2008 高度なショットキー TTL シリーズ (ALS) バイポーラデジタルマイクロ回路データセレクター/マルチプレックスおよびトリプル出力付きモノリシックシリコンの詳細仕様
DLA SMD-5962-06234-2007 シリコンモノリシックスリーステート出力シュミット 16 ビット双方向多目的記録トランシーバー、高度な酸化物半導体耐放射線性デジタルマイクロ回路多目的
DLA SMD-5962-02543-2003 モノリシックシリコン耐放射線デジタルマイクロ回路高度な CMOS シュミット 16 ビット双方向多目的低電圧トランシーバー、トライステート出力付き
DLA SMD-5962-92247 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 10 ビットバッファ、TTL 互換入力、制限された出力電圧スイング、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールド付き3.3ボルト16ビット透明Dラッチ、トライステート出力およびTTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、18 ビットバストランシーバおよびレジスタ、トライステート出力および TTL 互換入力を備えたスキャンテスト装置、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、直列抵抗およびトライステート出力を備えた16ビット非反転バッファ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-88771 REV B-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、ユニバーサルパラレルI/Oピンを備えた8入力ユニバーサルシフト/ストレージレジスタ、TTL互換入力、トライステート出力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-89722 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なショットキー、TTL、オクタル 30 オーム伝送線ドライバー/バックプレーントランシーバー NINV、(スリーステートのオープンコレクター)、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94616 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、オクタルバストランシーバとレジスタを備えたスキャンテスト装置、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-93141 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度な CMOS、パリティジェネレーター/チェッカー付き 9 ビットラッチトランシーバー、非反転トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高速の相補型金属酸化物半導体構造、トライステート出力を備えたクワッドバスバッファゲートで構成される高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路
DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高速の相補型金属酸化物半導体構造、トライステート出力を備えたクワッドバスバッファゲートで構成される高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路
DLA SMD-5962-96890 REV A-2003 18ビット低電圧相補型金属酸化物半導体ユニバーサルバススリーステート出力レシーバーシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-97542 REV C-2003 低電圧相補型金属酸化膜半導体、八角形バッファまたはスリーステート出力ドライバ、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-97573 REV B-2003 低電圧相補型金属酸化物半導体、八角形透明クラス D スリーステート出力ラッチデバイス、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-97575 REV B-2003 低電圧相補型金属酸化物半導体、八角形透明クラス D スリーステート出力ラッチデバイス、シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
DLA SMD-5962-92258 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、トライステート出力付き 16 ビット双方向トランシーバー、TTL 互換入力、制限された出力電圧スイング、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、25オーム直列抵抗および反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96748 REV E-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、3.3ボルトオクタルバストランシーバおよびバス保持付きレジスタ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96811 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールドオーバー付き18ビットユニバーサルバストランシーバを備えた3.3ボルトスキャンテスト装置、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-96780 REV C-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、22オーム相当のAポート出力抵抗を備えた3.3V 16ビットバストランシーバ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-05211 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、耐放射線性、低電圧 CMOS、バス保持付き 16 ビット D タイプラッチ、直列出力抵抗およびトライステート出力、モノリシックシリコン
DLA SMD-5962-92222 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、トライステート出力付きオクタルDレジスタ、TTL互換入力および制限された出力電圧スイング、モノリシックシリコン

Canadian Standards Association (CSA), つのレベルの打錠

CSA C22.2 No.66.3-06-2006 低電圧変圧器パート 3: 二次および三次変圧器 UL 5085-3。
CAN/CSA-C802.4-2013 乾式変圧器 kVA セレクションガイド 1.2 kV クラス単相・三相（初版、第 1 回更新：2014 年 7 月）

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, つのレベルの打錠

GB/T 33922-2017 MEMS ピエゾ抵抗感圧チップの性能をウェハレベルでテストする方法

Society of Automotive Engineers (SAE), つのレベルの打錠

SAE AMS3646A-1977 PVCシート成形、非可塑化
SAE AS7928/7-2011 端子ラグおよびスプライス、導体、圧着スタイル、銅、ラグ、圧着スタイル、銅、非絶縁、リングタングタイプ I、導体総温度 175°C のクラス 1
SAE AS7928/7A-2014 タイプ I、クラス 1、リングトング、非絶縁、銅、圧着、端子、銅、圧着、合計導体温度 175°C の導体端子台
SAE AS7928/7-1999 タイプ I、クラス 1、リングトング、非絶縁、銅、圧着、端子、銅、圧着、合計導体温度 175°C の導体端子台
SAE AS7928/2B-2007 タイプ II クラス 1 薄肉ワイヤ平角リード絶縁圧着タイプ銅製端子台、総導体温度 105°C 対応
SAE AS7928/11-2007 タイプ I、クラス 1、錫ウィスカー耐性リングリード非絶縁圧着タイプ銅製端子台、合計導体温度 175°C 対応
SAE AS7928/9-2007 総導体温度 105°C のタイプ II クラス 1 薄肉ワイヤ用の錫ウィスカー耐性角リード非絶縁圧着タイプ銅製端子台
SAE AS7928/4-1999 (導体温度合計105℃の場合) II種、クラス1、ベルマウス、丸タン、絶縁体、端子台、銅端子、圧着、導体端子台

Indonesia Standards, つのレベルの打錠

SNI 7518-2009 ベーンポンプ油圧性能試験方法クラス1およびクラス2

Professional Standard - Nuclear Industry, つのレベルの打錠

EJ/T 417-1989 30万キロワット加圧水型原子力発電所における安全二次ポンプ及び三段ポンプの梱包に関する技術的条件
EJ/T 453-1989 30万キロワット加圧水型原子力発電所の安全レベル2および3の圧力容器の塗装、梱包および輸送に関する技術的条件
EJ/T 419-1989 30万キロワット加圧水型原子炉原子力発電所の安全二次ポンプ及び三段ポンプの塗装工程の技術的条件
EJ/T 454-1989 30万キロワット加圧水型原子炉原子力発電所の一次回路主系統および補助系統の安全のための一次、二次、三次パイプラインの設置に関する技術的条件
EJ/T 1103-1999 加圧水型原子力発電所二次・三次機器用20MnHR鋼板
EJ/T 1104-1999 加圧水型原子力発電所の二次・三次機器用20HR鋼板
EJ/T 607-1991 安全レベル II および III 鋼製圧力容器の技術的条件
EJ/T 391-1989 30万キロワット加圧水型原子炉原子力発電所における安全な三段渦巻ポンプの技術的条件
EJ/T 418-1989 30万キロワット加圧水型原子炉原子力発電所の安全二次ポンプ及び三段ポンプの清浄度及び洗浄工程の技術的条件
EJ/T 421-1989 30万キロワット加圧水型原子炉原子力発電所用原子力グレードの高効率ヨウ素吸着材
EJ/T 392-1989 30万キロワット加圧水型原子炉原子力発電所の主要機器支持体の設計規制
EJ/T 390-1989 30万キロワット加圧水型原子力発電所における二次渦巻ポンプの安全性に関する技術的条件
EJ 485-1989 30万前白加圧水型原子炉原子力発電所の安全第1レベル圧力容器用18MnNiMo鋼厚板の技術条件
EJ/T 457-1989 30万キロワット加圧水型原子力発電所の安全レベル1圧力容器用手動アーク溶接電極の技術条件
EJ 469-1989 30万キロワット加圧水型原子力発電所の安全レベル1機器用メインボルト材料の技術条件
EJ/T 504-1990 30万キロワット加圧水型原子力発電所における安全等級電子部品の経年劣化スクリーニングとディレーティングに関する規制

ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., つのレベルの打錠

ASHRAE 4582-2002 3列フィンステージヒートポンプ蒸発器（RP-1002）の着霜・除霜性能

Group Standards of the People's Republic of China, つのレベルの打錠

T/CPF 0066-2023 アルミ易開蓋スリーピース缶の品質分類と「トップランナー」評価要件
T/CPF 0031-2022 食品用金属スリーピース缶の品質分類と「リーダー」評価要件
T/CAS ES290100015-2022 高圧三相非同期電動機の工業製品品質分類評価規則
T/CEEIA 310-2018 HY630-4 355kW 原子力発電所安全レベル K1 カテゴリー高圧三相非同期電動機技術条件
T/CSEE 0213-2021 低電圧 3 レベル AC/DC および DC/DC 双方向コンバータの試験方法

Professional Standard - Agriculture, つのレベルの打錠

768药典一部-2015 製剤および単味製剤三華山寿降圧錠
772药典一部-2020 製剤および単味製剤三華山寿降圧錠
754药典一部-2010 製剤および単味製剤三華山寿降圧錠
769药典一部-2015 三華山緑茶降圧錠の製剤と単味製剤
773药典一部-2020 三華山緑茶降圧錠の製剤と単味製剤
755药典一部-2010 三華山緑茶降圧錠の製剤と単味製剤

Professional Standard - Commodity Inspection, つのレベルの打錠

SN/T 2932-2011 化学蒸気圧の測定 - 三段階膨張法

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, つのレベルの打錠

CNS 14183-1998 原子力安全グレードの低圧三相かご型誘導電動機

Professional Standard - Energy, つのレベルの打錠

NB/T 20171-2012 加圧水型原子炉原子力発電所における原子力第 3 段ポンプの特定の認定手順
NB/T 20301-2014 原子力発電所における安全級高圧三相非同期電動機の技術的条件
NB/T 20302-2014 原子力発電所における安全レベルの低圧三相非同期電動機の技術的条件
NB/T 20363-2015 加圧水型原子炉原子力発電所用の安全な三段遠心ポンプの設計および製造のための一般的な技術要件

SAE - SAE International, つのレベルの打錠

SAE AMS3669F-2010 ポリテトラフルオロエチレン (PTFE) シート成形プレミアムグレード焼結
SAE AS7928/2C-2016 タイプ II クラス 1 薄肉ワイヤ平角リード絶縁圧着タイプ銅製端子台、総導体温度 105°C 対応
SAE AS7928/11C-2015 タイプ I、クラス 1、錫ウィスカー耐性リングリード非絶縁圧着タイプ銅製端子台、合計導体温度 175°C 対応
SAE AS7928/11B-2011 タイプ I、クラス 1、錫ウィスカー耐性リングリード非絶縁圧着タイプ銅製端子台、合計導体温度 175°C 対応
SAE AS7928/11A-2010 タイプ I、クラス 1、錫ウィスカー耐性リングリード非絶縁圧着タイプ銅製端子台、合計導体温度 175°C 対応
SAE AS22520/5-2016 圧着工具タイプ 2 端子ハンドワイヤ終端同軸二軸三軸シールドコンタクトおよびフェルール端子ラグスプライスおよびエンドキャップ
SAE AS22520/5A-2017 圧着工具タイプ 2 端子ハンドワイヤ終端同軸二軸三軸シールドコンタクトおよびフェルール端子ラグスプライスおよびエンドキャップ
SAE AS7928/9A-2016 総導体温度 105°C のタイプ II クラス 1 薄肉ワイヤ用の錫ウィスカー耐性角リード非絶縁圧着タイプ銅製端子台
SAE AS7928/4B-2015 (導体温度合計105℃の場合) II種、クラス1、ベルマウス、丸タン、絶縁体、端子台、銅端子、圧着、導体端子台
SAE AS81659/56B-2017 コネクタ電気角型ソケット耐環境圧コンタクトトリプル挿入タイプ II クラス 2 (-65 °C ～ +200 °C) シリーズ 2 ハウジング指定 B

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, つのレベルの打錠

GB 20052-2013 三相配電変圧器のエネルギー効率限界値とエネルギー効率等級
GB 30254-2013 高電圧三相かご形非同期モーターのエネルギー効率限界とエネルギー効率グレード

API - American Petroleum Institute, つのレベルの打錠

API RP 510-1975 製油所圧力容器の検査、評価、および修理 (第 3 版)
API 510-1983 圧力容器検査規程保守点検等級修理及び改造（第3版）

German Institute for Standardization, つのレベルの打錠

DIN 15572-1:1984 映画の音響再生、音圧レベルの周波数応答、測定

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), つのレベルの打錠

PC57.158/D6A, August 2016 電力変圧器の三次巻線および安定化巻線に関する IEEE ドラフトアプリケーションガイド
IEEE PC57.158/D7A, August 2017 電力変圧器の三次巻線および安定化巻線に関する IEEE ドラフトアプリケーションガイド
RP 200:2012 RP 200:2012 SMPTE 推奨実践、アナログ写真フィルムオーディオ、デジタル写真フィルムオーディオ、デジタルシネマに適用される映画用マルチチャンネルサウンドシステムの相対音圧レベルと絶対音圧レベル
RP 200:2002 RP 200:2002 SMPTE 推奨実践、アナログ写真フィルムオーディオ、デジタル写真フィルムオーディオ、デジタルシネマに適用される映画用マルチチャンネルサウンドシステムの相対音圧レベルおよび絶対音圧レベル

RU-GOST R, つのレベルの打錠

GOST 23920-1979 三方溶接ラグをネジ、リベット、または圧力で固定します。

Professional Standard - Water Conservancy, つのレベルの打錠

SL 237-018-1999 地盤工学的試験手順 - 1 つの試験片に対する多段階荷重三軸圧縮試験

YU-JUS, つのレベルの打錠

JUS N.H8.022-1987 絶縁変圧器と安全絶縁変圧器。 3段ランプ用変圧器（白熱灯付）。その他のリクエスト

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), つのレベルの打錠

KS L 1601-2006(2016) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）積層セラミックスの室温圧縮強度試験方法
KS L 1601-2006(2021) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） - 積層セラミックスの室温圧縮強度試験方法
KS X ISO/IEC 11544-2003(2018) 情報技術 - プログレッシブ 2 段階画像圧縮 - 画像および音声情報のコード化表現

British Standards Institution (BSI), つのレベルの打錠

BS EN 60893-3-3:2004+A1:2012 絶縁材料電気用途の熱硬化性樹脂系工業用硬質積層板特殊材料仕様メラミン樹脂系硬質積層板の要求事項
BS ISO 17162:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンスト工業用セラミックス）、積層セラミックスの室温における機械的性質、圧縮強度の測定
BS ISO 22234:2006 映画撮影法: 映画のマルチチャンネルサウンドシステムの相対音圧レベルと絶対音圧レベル、同様の写真フィルムオーディオ、デジタル写真フィルムオーディオ、デジタルシネマサウンドに適用できる測定方法と音響レベル
BS ISO 22234:2005 写真フィルムマルチチャンネルサウンドシステムの相対および絶対音圧レベルアナログ写真フィルムオーディオ、デジタル写真フィルムオーディオ、デジタルシネマオーディオの測定方法とレベルに適用可能
BS ISO 4586-6:2018 高圧装飾ラミネート (HPL、HPDL) 熱硬化性樹脂ベースのシート (一般にラミネートとして知られています) 厚さ 2 mm 以上の外装グレードの緻密なラミネートの分類と仕様
19/30375027 DC BS ISO 23242 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）積層セラミックシートの室温における三点または四点曲げ強度の試験方法
BS EN 61265:1995 電気音響学、航空騒音測定、1/3 帯域幅オクターブ周波数音圧レベル装置の輸送航空機騒音校正および測定装置の性能要件
BS ISO 4586-5:2018 高圧装飾ラミネート (HPL、HPDL) 熱硬化性樹脂をベースにしたシート (一般にラミネートとして知られています) 支持基材への接着を目的とした、厚さ 2 mm 未満の床用ラミネートの分類と仕様
BS EN 3155-034:2007 航空宇宙シリーズ、コンポーネント接続用電気コネクタ、クラス R、圧着、タイプ D、サイズ 08、3 軸電気接触器ソケット、製品規格
BS EN 3155-035:2006 航空宇宙シリーズ、コンポーネント接続用電気接点、パート 035: クラス R、圧着、タイプ D、ソケット、サイズ 08、3 軸電気接点、製品規格
BS EN 3155-035:2007 航空宇宙シリーズのコンポーネントを接続するための電気接点パート 035: クラス R、圧着、タイプ D、ソケット、サイズ 08、3 軸電気接点の製品規格
BS EN 3155-035:2012 航空宇宙シリーズ、コンポーネント接続用電気接点、パート 035: クラス R、圧着、タイプ D、ソケット、サイズ 08、3 軸電気接点、製品規格
BS EN 3155-024:2006 航空宇宙シリーズ、コンポーネント接続用の電気コネクタ、クラス S、圧着、タイプ D、サイズ 8、3 軸電気コネクタプラグの製品規格

Professional Standard - Military and Civilian Products, つのレベルの打錠

WJ 1478.7-2007 刃先交換式ツールパート 7: ポジすくい角付きポジ三角形インサート正面フライス

American Society for Testing and Materials (ASTM), つのレベルの打錠

ASTM E1573-18 A特性および1/3オクターブバンドの音圧レベルを使用してマスキング騒音レベルを測定および報告するための標準試験方法
ASTM E1573-22 A特性および1/3オクターブバンドの音圧レベルを使用してマスキング騒音レベルを測定および報告するための標準試験方法
ASTM D6378-99e1 石油製品、炭化水素、炭化水素酸化剤の混合物の蒸気圧 (VPx) を測定するための標準試験法 (3 段階膨張法)
ASTM D6378-03 石油製品、炭化水素、炭化水素酸化剤の混合物の蒸気圧 (VPx) を測定するための標準試験法 (3 段階膨張法)
ASTM D6378-06 石油製品、炭化水素、炭化水素酸化剤の混合物の蒸気圧 (VPx) を測定するための標準試験法 (3 段階膨張法)
ASTM D6378-07 石油製品、炭化水素、炭化水素酸化剤の混合物の蒸気圧（VPX）を測定するための標準試験法（三段膨張法）
ASTM D6378-08 石油製品、炭化水素、炭化水素酸化剤の混合物の蒸気圧（VPX）を測定するための標準試験法（三段膨張法）
ASTM D6378-07e1 石油製品、炭化水素、炭化水素酸化剤の混合物の蒸気圧（VPX）を測定するための標準試験法（三段膨張法）
ASTM E1573-02 A特性および1/3オクターブの音圧レベルを使用して、オープンオフィスでのマスキング音を評価するための標準試験方法
ASTM E1573-93(1998) A特性および1/3オクターブの音圧レベルを使用して、オープンオフィスでのマスキング音を評価するための標準試験方法

International Organization for Standardization (ISO), つのレベルの打錠

ISO 22234:2005/CD Amd 1 映画撮影「映画マルチチャンネルサウンドシステムの相対音圧レベルと絶対音圧レベル」アナログ写真フィルムオーディオ、デジタル写真フィルムオーディオ、デジタルシネマオーディオに適用される測定方法と音響レベル」修正 1
ISO 17162:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンスト工業用セラミックス）、積層セラミックスの室温における機械的性質、圧縮強度の測定
ISO 22234:2005 映画撮影法: 映画マルチチャンネルサウンドシステムの相対および絶対音圧レベルアナログ写真フィルムサウンド、デジタル写真フィルムサウンド、およびデジタルシネマサウンドに適用される測定方法とレベル。

International Electrotechnical Commission (IEC), つのレベルの打錠

IEC 60893-3-3/COR2:1997 電気用途用熱硬化性樹脂の工業用硬質積層板の仕様第 3 部: 個別材料仕様シート 3: メラミン樹脂硬質積層板の要件
IEC 60893-3-3:2003 絶縁材料電気用途の熱硬化性樹脂の工業用硬質積層板パート 3-3: 特殊材料の仕様メラミン樹脂硬質積層板の要件
IEC 60893-3-3:1993 電気用途用熱硬化性樹脂工業用硬質積層板仕様書第3部：特殊材料仕様第3シート：メラミン樹脂硬質積層板の要求事項

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, つのレベルの打錠

EN 60893-3-3:2004 絶縁材料電気用途の熱硬化性樹脂の工業用硬質積層板パート 3-3: 特殊材料の仕様メラミン樹脂硬質積層板の要件

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, つのレベルの打錠

EN 60893-3-3:1995 絶縁材料電気用途の熱硬化性樹脂の工業用硬質積層板パート 3-3: 特殊材料の仕様メラミン樹脂硬質積層板の要件

Professional Standard - Machinery, つのレベルの打錠

JB/T 11706.2-2015 三相 AC モーターによる代表的な負荷駆動ユニットのエネルギー効率定格パート 2: スクリュー空気圧縮機ユニットのエネルギー効率定格
JB/T 10444-2014 Y2シリーズ、YX2シリーズ高圧三相非同期モータの技術的条件とエネルギー効率区分（枠番号355～560）
JB/T 8543.1-1997 ポンプ製品部品の非破壊検査ポンプ圧鋳鋼部品の放射線透過検査方法と皮膜のグレード分類

工业和信息化部/国家能源局, つのレベルの打錠

JB/T 12730-2016 YKKおよびYXKKシリーズ高圧三相非同期モータの技術条件とエネルギー効率分類（枠番号355～630）
JB/T 12728-2016 YおよびYXシリーズ高圧三相非同期モータの技術条件とエネルギー効率分類（枠番号355～630）

Association Francaise de Normalisation, つのレベルの打錠

NF C26-183-3/A1*NF EN 60893-3-3/A1:2013 絶縁材料熱硬化性樹脂をベースとした電気用途向け工業用硬質積層板第 3-3 部：メラミン樹脂硬質積層板の個別材料仕様の要求事項
C52-111:1960 電源トランス三相二巻線変圧器 1000～10000kVA 定格一次電圧 5.5T0 63kV 定格二次電圧 3～20kV その他要求特性
NF S31-140:1995 電気音響学、航空騒音測定器、輸送機騒音検証用の 1/3 オクターブ帯域音圧レベルシステムの測定の性能要件

American Welding Society (AWS), つのレベルの打錠

WRC 507:2005 長期加圧グラファイトガスケット接合試験: パート 1、パート 2、およびパート 1 パート 3

Professional Standard - Petrochemical Industry, つのレベルの打錠

SH/T 0769-2005 石油製品、炭化水素および炭化水素と酸素の混合物の蒸気圧の測定（三段膨張法）

国家能源局, つのレベルの打錠

NB/SH/T 0769-2019 石油製品、炭化水素および炭化水素と酸素の混合物の蒸気圧の測定 - 三段階膨張法

SE-SIS, つのレベルの打錠

SIS SS CECC 42101-803-1982 詳細な仕様。主に電話用途に使用される低電圧バリスタ。ディスク形状、ラインエンド。保護力0.1W。評価P
SIS SS CECC 42101-802-1982 詳細な仕様。主に電話用途に使用される低電圧バリスタ。ディスク形状、ワンウェイワイヤ端子付き。保護性能 1.0W定格Pレベル
SIS SS CECC 42101-801-1982 詳細な仕様。主に電話用途に使用される低電圧バリスタ。ディスク形状、ワンウェイワイヤ端子付き。保護性能 0.4W：定格Pレベル

PL-PKN, つのレベルの打錠

PN E02113-1974 回転モーター。内燃機関によって駆動される単相および三相同期発電機の出力。電圧と速度の定格

ES-UNE, つのレベルの打錠

UNE-EN 3155-025:2006 航空宇宙シリーズ - 接続要素に使用する電気コンタクト - パート 025: コンタクト、電気、3 軸、サイズ 8、メス、フォーム D、圧着、クラス S