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初期酸化電位 酸化電位

初期酸化電位 酸化電位は全部で 310 項標準に関連している。

初期酸化電位 酸化電位 国際標準分類において、これらの分類：水質、 土壌品質、土壌科学、 発電所総合、 分析化学、 表面処理・メッキ、 非鉄金属、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 食用油脂、油糧種子、 消毒・滅菌、 エネルギー・伝熱工学総合、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 空気の質、 語彙、 環境を守ること、 無機化学、 果物、野菜およびその製品、 ガラス、 非鉄金属製品、 原子力工学、 燃料、 金属腐食、 合金鉄、 天然ガス、 計測学と測定の総合、 無線通信、 電気、磁気、電気および磁気測定、 電子機器、 化学製品、 半導体ディスクリートデバイス、 金属材料試験。

Professional Standard - Water Conservancy, 初期酸化電位 酸化電位

• SL 94-1994 酸化還元電位の測定（電位差測定法）

Professional Standard - Environmental Protection, 初期酸化電位 酸化電位

• HJ 746-2015 土壌酸化還元電位を決定するための電位差測定法
• HJ/T 46-1999 定電位電解二酸化硫黄分析計の技術的条件
• HJ 693-2014 固定汚染源排ガス中の窒素酸化物の定量：定電位電解法
• HJ 57-2017 定電位電解法による固定汚染源排ガス中の二酸化硫黄の定量
• HJ 973-2018 固定汚染源からの排ガス中の一酸化炭素の定量：定電位電解法
• HJ/T 57-2000 固定汚染源からの排ガス中の二酸化硫黄の定量 定電位電解法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 初期酸化電位 酸化電位

• KS C IEC 60746-5-2014(2019) 電気化学分析装置の性能表現その５：酸化還元電位または酸化還元電位
• KS I ISO 11271-2016(2021) 電場法による土壌物質の酸化還元電位の測定
• KS D ISO 2376:2012 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化 - 絶縁破壊電位の測定
• KS D ISO 2376:2013 陽極酸化アルミニウムおよびアルミニウム合金の絶縁破壊電位の測定
• KS B ISO 10156:2018 ガスシリンダーおよびガス混合物用の選択されたガスシリンダーバルブの出口の発火電位と酸化能力の測定

German Institute for Standardization, 初期酸化電位 酸化電位

• DIN IEC 60746-5:1996-07 電気化学分析装置の性能の表現 - パート 5: 酸化還元電位または酸化還元電位 (IEC 60746-5:1992)
• DIN ISO 11271:2022-11 土壌塊の酸化還元電位を測定するためのフィールド法
• DIN EN ISO 27107:2010-08 動植物油の過酸化物価の測定 潜在的なエンドポイントの決定
• DIN ISO 11271:2023-11 土壌塊の酸化還元電位を測定するためのフィールド法 (ISO 11271:2022)
• DIN ISO 11271:2003-03 土壌品質 - 酸化還元電位の測定 - フィールド法 (ISO 11271:2002)
• DIN 38404-6:1984-05 水、廃水および汚泥の検査のためのドイツの標準方法、物理的および物理化学的パラメーター (グループ C)、酸化還元 (レドックス) 電位の決定 (C 6)
• DIN 38404-6 Berichtigung 1:2018-12 水、廃水、汚泥のドイツ標準検査法 物理的および物理化学的パラメーター (グループ C) パート 6: 酸化還元 (レドックス) 電位の決定 (C 6)

VN-TCVN, 初期酸化電位 酸化電位

• TCVN 7594-2006 土壌の質、酸化還元電位、圃場法

Professional Standard - Electricity, 初期酸化電位 酸化電位

• DL/T 1480-2015 水の酸化還元電位の測定方法

GOSTR, 初期酸化電位 酸化電位

• GOST R 59012-2020 電位差滴定による硬炭の酸化の測定

KR-KS, 初期酸化電位 酸化電位

• KS I ISO 11271-2016 電場法による土壌物質の酸化還元電位の測定
• KS D ISO 2376-2012 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化破壊電位の測定
• KS B ISO 10156-2018 ガスシリンダーおよびガス混合物用の選択されたガスシリンダーバルブの出口の発火電位と酸化能力の測定

PL-PKN, 初期酸化電位 酸化電位

• PN T06513-02-1990 酸化還元電位値の測定。 工業用分析装置
• PN T06513-03-1989 酸化還元電位の値。 実験室用測定器。 一般的な要件とテスト
• PN Z04005-04-1987 空気純度の保護。 アルカリ含有量検査。 職場における水酸化カリウムの電位差測定

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 初期酸化電位 酸化電位

• GB/T 20245.5-2013 電気化学分析装置の性能表現パート 5: 酸化還元電位
• GB/T 8754-2006 絶縁破壊電位法によるアルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化皮膜の絶縁特性の測定
• GB 28234-2011 酸酸化電位水生成装置の安全衛生基準
• GB 21346-2022 電解アルミニウム及びアルミナの単位製品当たりのエネルギー消費限度
• GB 8754-1988 絶縁特性をテストするための絶縁破壊電位測定法を使用したアルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化
• GB/T 11064.3-2013 炭酸リチウム、水酸化リチウム一水和物、塩化リチウムの化学分析法 その３：電位差滴定法による塩化リチウム量の定量
• GB/T 5686.1-2008 フェロマンガン、マンガン - シリコン合金、窒化フェロマンガンおよび金属マンガン マンガン含有量の測定 電位差滴定、硝酸アンモニウム酸化滴定および過塩素酸酸化滴定
• GB/T 5686.1-2022 電位差滴定、硝酸アンモニウム酸化滴定および過塩素酸酸化滴定によるフェロマンガン、マンガン - シリコン合金、窒化フェロマンガンおよび金属マンガンの含有量の測定
• GB/T 11060.6-2011 天然ガス 硫黄含有化合物の測定 パート 6: 電位差法による硫化水素、メルカプタン硫黄および硫化炭素含有量の測定
• GB/T 7730.1-2002 電位差滴定および硝酸アンモニウム酸化滴定によるフェロマンガンおよび高炉フェロマンガン含有量の測定
• GB/T 4699.2-2008 フェロクロムおよびシリコンクロム合金 クロム含有量の測定 過硫酸アンモニウム酸化滴定および電位差滴定

Group Standards of the People's Republic of China, 初期酸化電位 酸化電位

• T/ZSZJX 006-2020 電位差滴定法による水中の化学的酸素要求量の測定
• T/HATSI 0022-2023 グリーンデザイン製品評価技術仕様次亜塩素酸酸化高電位消毒剤

American Society for Testing and Materials (ASTM), 初期酸化電位 酸化電位

• ASTM D1498-14(2022)e1 水の酸化還元電位の標準試験方法
• ASTM UOP291-15 マイクロ波分解および電位差滴定を使用した、アルミナおよびシリカ-アルミナ触媒中の総塩素含有量の測定
• ASTM D1498-14 水の酸化還元電位を測定するための標準試験方法
• ASTM D1498-08 水の酸化還元電位を測定するための標準試験方法
• ASTM G200-09 土壌酸化還元電位（ORP）測定の標準試験法
• ASTM G200-20 土壌酸化還元電位（ORP）測定の標準試験法
• ASTM G200-09(2014) 土壌酸化還元電位40;ORP41を測定するための標準試験法
• ASTM D873-02(2007) 航空燃料の酸化安定性に関する標準試験法（電位残留法）
• ASTM D873-12(2018) 航空燃料の酸化安定性に関する標準試験法（電位残留法）
• ASTM UOP291-13 マイクロ波分解および電位差滴定によるアルミナおよびシリカ-アルミナ触媒中の総塩化物の測定
• ASTM D3610-00 電位差滴定によるアルミナベースのコバルトモリブデン触媒中の総コバルト含有量を測定するための標準試験方法
• ASTM D3610-00(2004) 電位差滴定によるアルミナベースのコバルトモリブデン触媒中の総コバルト含有量を測定するための標準試験方法
• ASTM D3610-22 電位差滴定によるアルミナベースのコバルトモリブデン触媒中の総コバルトの標準試験方法
• ASTM D3610-00(2015) 電位差滴定によるアルミナベースのコバルトモリブデン触媒中の総コバルトの標準試験方法
• ASTM D3610-00(2010) 電位差滴定による酸化コバルト担持コバルトモリブデン触媒中の総コバルト含有量を測定するための標準試験方法
• ASTM F616M-96 MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
• ASTM F616M-96(2003) MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ) のリーク電流を測定するための標準的な試験方法 (メートル単位)
• ASTM C1413-05 熱イオン化質量分析法による加水分解六フッ化ウラン溶液および硝酸ウラニル溶液の同位体分析の標準試験方法
• ASTM E18-08 p-トルエンスルホニルイソシアネート（TSI）反応および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定によるヒドロキシル基の測定のための標準試験法
• ASTM E1899-97 p-トルエンスルホニルイソシアネート（TSI）反応および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定によるヒドロキシル基の測定のための標準試験法
• ASTM E18-08a p-トルエンスルホニルイソシアネート（TSI）反応および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定によるヒドロキシル基の測定のための標準試験法
• ASTM E1899-23 p-トルエンスルホニルイソシアネート (TSI) 反応と水酸化テトラブチルアンモニウムの電位差滴定を使用したヒドロキシル定量の標準試験法

British Standards Institution (BSI), 初期酸化電位 酸化電位

• BS EN ISO 2376:2010 アルミニウムおよびアルミニウム合金の陽極酸化 - 絶縁破壊電位の測定
• BS ISO 11271:2022 土壌品質の酸化還元電位を現場で測定する方法
• BS EN ISO 27107:2008 動物性および植物性油脂 過酸化物価の測定 潜在的なエンドポイントの決定
• BS ISO 15158:2014 金属および合金の腐食 酸化ナトリウム溶液中での動電位制御によるステンレス鋼の孔食電位の測定方法
• BS 2000-138:2002 石油およびその製品の試験方法 航空燃料の酸化安定性の測定 電位差残留法
• BS EN 15168:2006 界面活性剤、水酸基価の測定、トルエンスルホニルフルオリドイソシアネート (TSI) 法および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定法

Danish Standards Foundation, 初期酸化電位 酸化電位

• DS/EN ISO 2376:2010 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の絶縁破壊電位の測定
• DS/ISO 11271:2004 土壌品質の酸化還元電位を測定するためのフィールド法
• DS/EN ISO 27107:2010 動植物油の過酸化物価の測定と潜在的なエンドポイントの測定 (ISO 27107:2008、改訂版 2009-05-15)
• DS/EN 15168:2007 トルエンスルホニルイソシアネート（TSI）法および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定法による界面活性剤の水酸基価の測定

Defense Logistics Agency, 初期酸化電位 酸化電位

• DLA SMD-5962-94532-1994 64 ビット マイクロプロセッサ、酸化物半導体マイクロ回路
• DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、1K x 8 ビット、プログラマブル初期化機能付きレジスタード PROM、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-94533-1994 シリコンモノリシック、32ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87763 REV A-2004 シリコンモノリシックデジタルアナログコンバータデュアル12ビット相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 シリコンモノリシック静的シフトレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 シリコンモノリシック6ビット反転バッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 シリコンモノリシック、64 ビット出力相関器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 シリコンモノリシック、16ビットマイクロコントローラー、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92331-1993 シリコンモノリシック、16X16ビット座標コンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 シリコンモノリシック、16ビットマイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 リセットボタン搭載シリコンモノリシックJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89446-1991 シリコンモノリシック8ビット可変長シフトレジスタ相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94537-1994 シリコンモノリシック、8ビットメモリ処理ユニット、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 シリコンモノリシック、16ビットカスケード演算ユニット、酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 シリコンモノリシック、12 X 10ビットマトリックス乗算器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89462 REV B-2005 シリコンモノリシック 16 ビットおよび 8/16 ビットマイクロプロセッサ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96683-1996 耐放射線性相補型金属酸化物半導体 4BIT ビット演算シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 セットリセットボタン搭載シリコンモノリシックデュアルJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89731-1989 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、8 ビットパリティラッチトランシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88778 REV A-2002 シリコンモノリシック 12 ビットバッファ乗算デジタルアナログコンバータ相補型金属酸化物半導体マイクロ回路
• DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 シリコンモノリシック8ビットラッチバスドライバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77056-1977 6ビットNチャネルオープンドレインバッファ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 シリコンモノリシック、8ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 シリコンモノリシック、14ビットアナログデジタルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 シリコンモノリシック、16ビットアナログデジタルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビットアナログデジタルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 シリコンモノリシック、96ビット浮動小数点デュアルポートプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 シリコンモノリシック、12ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84091 REV F-2002 シリコンモノリシック6ビット反転シュミットトリガ回路、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89772-1992 シリコンモノリシックチップ、8ビットまたは16ビット外部バス16ビットマイクロコントローラ、相補型高性能金属酸化膜半導体構造マイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 シリコンモノリシック1～64ビットシフトレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94542-1994 シリコンモノリシック、32ビットLANコプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89665-1989 シリコンモノリシック、9ビット幅バッファレジスタ、酸化物半導体高速デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 シリコンモノリシック 16 ビットマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 シリコンモノリシック 16 ビットマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 シリコンモノリシック、32 ビット高集積マイクロプロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 シリコンモノリシック、8～16ビットパラレルインターフェース/タイマー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90512-1992 シリコンモノリシック、8ビットマイクロコンピュータ、高性能金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84073 REV G-2006 リセットボタン付きシリコンモノリシック6ビットD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90501 REV A-2006 シリコンモノリシック、8ビット直列/並列入力、直列出力シフトレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 シリコンモノリシック6ビットD型双安定マルチバイブレータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 シリコンモノリシック、16 ビットマイクロコントローラー、チャネル金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 シリコンモノリシック、16 X 16ビットパラレルマルチプレクサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94564-1994 シリコンモノリシック、24 ビット汎用デジタル信号プロセッサ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 シリコンモノリシック、8ビットビデオDC/ACコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 シリコンモノリシック、12ビット高速AC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビットDC/ACコンバータ、デュアル酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94608-1994 シリコンモノリシック、12 ビットカスケード可能な乗算器加算器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 シリコンモノリシック 8 ビット TTL 互換の高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88568-1988 シリコンモノリシック 8 ビットマイクロコンピュータ単一アセンブリチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 シリコンモノリシック、8 ビットパラレル相互接続バストランシーバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88743 REV B-1991 シリコンモノリシック8ビット相補型金属酸化物半導体フラッシュコンバータリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87806 REV C-2005 シリコンモノリシック8ビット汎用シフトレジスタおよびスリーステート出力高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88765 REV B-2002 シリコンモノリシックデュアル12ビットアナログコンバータマイクロプロセッサ互換相補型金属酸化膜半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86010 REV C-2004 シリコンモノリシックアンバッファー6ビット変換回路、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 シリコンモノリシック、8ビットTTL/BTL登録トランシーバー、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89707-1989 シリコンモノリシック、同期リセット2進10進カウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K×8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体メモリハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93187 REV L-2007 128K X 32ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89517 REV A-1994 シリコンモノリシック 16 ビットチップマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 シリコンモノリシック、登録済み 8K X 8 ビットプログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77031 REV A-1979 14次進行波キャリーカウンター/ドライバーおよび発振器、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93262 REV D-2006 シリコンモノリシック、6ビットアニメーションファイルAC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89747 REV B-2003 シリコンモノリシック、TTL互換入力、6ビットインバータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89777 REV C-2007 シリコンモノリシック、8ビットAC/DCアニメーションファイルコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 シリコンモノリシック、9 ビットパリティジェネレーター/チェッカー、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88574 REV A-1994 シリコンモノリシックH相補型金属酸化膜半導体8ビット入力またはチャネルレスデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセットチャネル金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90553 REV A-2006 シリコンモノリシック、8ビット同期バイナリダウンカウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86862 REV B-1989 シリコンモノリシックユニバーサルシフトレジスタ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89481 REV A-2004 シリコンモノリシック 12 ビット乗算 D/A コンバータ相補型金属酸化膜半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89512 REV D-1995 シリコンモノリシック56ビットデジタル信号プロセッサ相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89702 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、セットリセットボタン付きデュアルJKフリップフロップ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89704 REV B-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、8ビット直列入力/並列出力シフトレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89741-1990 シリコンモノリシック、TTL互換入力、I/Pラッチ付き8ビットシフトレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87808 REV A-2005 非同期リセット高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシック 4 ビット同期アップ/ダウン ディケイド カウンタ
• DLA SMD-5962-89436 REV A-2006 シリコンモノリシック TTL 互換 8 ビットユニバーサルシフトレジスタ、トライステート出力高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 シリコンモノリシック、512 X 8ビットシリーズ電気的に消去可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 スリーステート出力6ビットバッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 スリーステート出力6ビットバッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体デジタルメモリハイブリッドマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89953 REV A-2006 シリコンモノリシック、デュアル4段シフトレジスタ、改良された高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 シリコンモノリシックエラー検出および訂正用のユニット相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 オープンチャネル入力を備えたシリコンモノリシック、6 ビットインバータ、改良された酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86816 REV C-2003 シリコンモノリシック8ビットシフトレジスタ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86817 REV C-2005 シリコンモノリシック8ビットシフトレジスタ、高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88733 REV D-1997 シリコンモノリシック 16 X 16 ビット乗算器アキュムレータ相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89518 REV A-2002 シリコンモノリシック A/D 変換 ランウェイ/シェルフ 8 ビット相補型金属酸化膜半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89533-1989 シリコンモノリシック 10 ビットスピーカートランシーバー高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94527 REV E-2004 シリコンモノリシック、4重直列インターフェース8ビットAC/DCコンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89946 REV A-2006 シリコンモノリシック、4ビット同期10進アップ/ダウンカウンター、高速酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88613 REV B-1991 シリコンモノリシック 16 ビットエラー検出および訂正コンポーネント相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8ビットスタティックランダムアクセスメモリ、酸化物半導体メモリハイブリッドおよびモノリシックマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 シリコンモノリシック、4ビットIDバスを備えたスキャンチャネルコネクタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89534 REV C-1991 シリコンモノリシック80ビットデジタルプロセッサ拡張プロジェクト相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89743 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、リセットボタン付き6ビットDタイプ双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96668 REV B-2000 耐放射線強化相補型金属酸化物半導体、デュアル 64 ステージ静的シフト レジスタ、シリコン モノリシック回路デジタル マイクロ回路
• DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 スリーステート出力8ビット反転バッファ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックデバイス
• DLA SMD-5962-81017 REV G-2005 シリコンモノリシック4ビットパラレル入力/パラレル出力シフトレジスタ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 シリコンモノリシック、スリーステート出力8ビットバスレシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 リセットボタン付きシリコンモノリシックD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 シリコンモノリシック、スリーステート出力8ビットバスレシーバー、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-89852 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、8 ビットアドレス指定可能なラッチ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89989-1990 シリコンモノリシック、スリーステート出力、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えた 8 ビットバストランシーバー
• DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 シリコンモノリシック 256 × 4 スタティックメモリリセット相補型金属酸化膜半導体デジタルストレージマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88608 REV A-2004 シリコンモノリシック TTL 互換 10 ビット拡大鏡 調整可能な高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88656 REV A-2004 シリコンモノリシック TTL 互換 9 ビット拡大鏡制御高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88661-1989 シリコンモノリシック9ビットスピーカーバストランシーバー高速相補型金属酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92197 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、8 ビットパリティジェネレーター/チェッカー付き 8 ビット双方向トランシーバー、変性酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89614 REV F-2003 シリコンモノリシック、128K
• DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 リセットボタン付きシリコンモノリシックD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック8段シフトレジスタ/ラッチ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89671 REV B-2002 シリコンモノリシック、デュアル 12 ビットバッファ多重酸化物半導体 DC/AC コンバータ、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック 8 ビット双方向トランシーバー、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 モノリシック電気的にプログラム可能な読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシック16ビットマイクロプロセッサ
• DLA SMD-5962-05214 REV A-2007 プログラマブルパルス位相差ビートバッファを備えたシリコンモノリシック放射線耐性酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84072 REV F-2002 スリーステート出力8ビットD型透明ラッチ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックデバイス
• DLA SMD-5962-84162 REV D-2002 シリコンモノリシック8ビット直列入力並列出力シフトレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89672 REV A-2001 シリコンモノリシック、デュアル12ビットダブルバッファ多重酸化物半導体デジタルアナログコンバータ、リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89682 REV A-1999 シリコンモノリシック、スリーステート出力、修飾酸化物半導体、デジタルマイクロ回路を備えた 8 ビット トランシーバー/レジスタ
• DLA SMD-5962-89732-1989 トライステート出力を備えたシリコンモノリシック8ビットバッファ/ラインドライバ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87756 REV D-2005 マスターリセット付きシリコンモノリシックオクタルDタイプフリップフロップ相補型金属酸化膜半導体によりデジタルマイクロ回路を促進
• DLA SMD-5962-89951-1990 シリコンモノリシック、256 X 4ビット不揮発性ランダムアクセスメモリ、金属酸化膜半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92345 REV B-2001 シリコンモノリシック、12ビット直列入力多重化デジタルアナログコンバータ、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86826 REV C-2005 シリコンモノリシック 4 ビット双方向ユニバーサルシフトレジスタ高速相補型金属酸化膜半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92333 REV C-2006 10ビットAC/DC比較クロック、酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシック、8ビット消去可能プログラマブル読み取り専用メモリコントローラ
• DLA SMD-5962-92209 REV C-1996 シリコンモノリシック、TTL 互換の入出力制限電圧スイング、非同期リセット付き 4 ビットプリセット可能バイナリカウンタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89484 REV A-2007 シリコンモノリシック8K
• DLA SMD-5962-84075 REV E-2002 シリコンモノリシックチップには、同期リセット付きの4ビット同期バイナリカウンタと高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路が搭載されています。
• DLA SMD-5962-84095 REV C-2002 シリコンモノリシック、8ビットパラレル入力およびシリーズ出力シフトレジスタ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89947 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、12段進行波キャリーバイナリカウンタ、高速酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90705-1991 シリコンモノリシック非同期リセット2進10進デコードカウンター、高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 シリコンモノリシック、32K X 8ビット電力変換プログラマブル読み取り専用メモリ、酸化物半導体デジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89519 REV F-1998 シリコンモノリシックMIL-STD-1750タイプ命令セットアーキテクチャ16ビットマイクロプロセッサ相補型金属酸化膜半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 シリコンモノリシックシフトレジスタ、相補型金属酸化物半導体、高度なショットキートランジスタ-トランジスタ論理回路、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-84071 REV G-2002 スリーステート出力8ビットD型フリップフロップマルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載したシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-89849 REV A-2005 シリコンモノリシック、TTL互換入力、8ビットD型双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90574-1990 シリコンモノリシック、TTL互換入力、8ビット同期2進10進ダウンバリューカウンタ、高速酸化物半導体、デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88650 REV A-1996 シリコンモノリシックA/D変換トラック/保持された8ビットマイクロプロセッサ互換の相補型金属酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93175 REV B-1999 順方向トライステート出力、16ビットバストランシーバー、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-93244-1993 シリコンモノリシック、512K
• DLA SMD-5962-88556 REV A-2005 シリコンモノリシック二極位置決めアナログマルチプレクサ/デマルチプレクサ高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90686-1999 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、オープンチャネル出力付き 6 ビットインバーター、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88705 REV A-2003 シリコンモノリシック TTL 互換 10 ビット D タイプ フリップフロップ、トライステート出力付き 相補型金属酸化膜半導体によりデジタルマイクロ回路が容易
• DLA SMD-5962-88766 REV A-2004 シリコンモノリシック出力スピーカーリファレンス 12 ビット相補型金属酸化物半導体デジタルアナログ変換デジタルリニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90564 REV D-2006 16キロバイトの取り外し可能なプログラマブル読み取り専用メモリ、モノリシック酸化物半導体デジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシック8ビットマイクロコントローラ
• DLA SMD-5962-06238 REV A-2007 シリコンモノリシックスリーステート出力 8 ビットシフトレジスタ/ストレージレコーダー、高度な酸化物半導体耐放射線デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89593 REV D-1995 シリコンモノリシック、周辺サポート統合システム、酸化物半導体デジタルマイクロ回路を搭載した32ビットメモリチケットアクセスコントローラ
• DLA SMD-5962-89678 REV A-2001 シリコンモノリシック、メモリ付きクアドルプル 8 ビット多重化 D/A コンバータ、酸化物半導体リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92176 REV B-2006 シリコンモノリシック、順方向トライステート出力を備えた 8 ビットバッファ/ラインドライバ、変性酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92178 REV A-2006 シリコンモノリシック、8ビット双方向トランシーバー、スリーステート出力を備えたD型ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92179 REV A-2006 スリーステート出力を備えたシリコンモノリシック8ビットD型双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92183 REV C-2003 シリコンモノリシック、TTL対応入力、シュミットトリガ搭載6ビットインバータ、改良型酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92200 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 10 ビット透明ラッチ、改良された酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88674-1988 シリコンモノリシック8ビットスピーカーTTL互換バスインターフェース調整入力高速相補型金属酸化膜半導体デジタルマイクロ回路

International Organization for Standardization (ISO), 初期酸化電位 酸化電位

• ISO 11271:2022 土壌の品質、酸化還元電位の測定、フィールド法
• ISO 8298:2000 核燃料技術 硝酸溶液中のプルトニウムのミリグラム量の測定 セリウム (IV) 酸化および鉄 II 還元後の重クロム酸カリウム電位差滴定

(U.S.) Ford Automotive Standards, 初期酸化電位 酸化電位

• FORD ESB-M64J27-A4-1993 酸化電位制御添加剤。 標準 ESB-M64J27-A1 に記載

CZ-CSN, 初期酸化電位 酸化電位

• CSN 44 1876-1982 ボーキサイト。 酸化クロム (III) の測定。 電位差測定法と測光法
• CSN 44 1875-1983 ボーキサイト。 酸化バナジウム含有量の測定。 電位差測定法と測光法
• CSN 70 0632 Cast.1-1986 ガラスの化学分析。 酸化鉛の測定。 配位ケトン３体積法（イオン化分解後）

Professional Standard - Machinery, 初期酸化電位 酸化電位

• JB/T 7948.2-1999 製錬フラックスの化学分析方法 電位差滴定による酸化マンガン含有量の測定。

Professional Standard - Aviation, 初期酸化電位 酸化電位

• HB/Z 339.1-1999 アルミニウム合金クロム酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定法により遊離三酸化クロムと総三酸化クロムの含有量を測定します。
• HB/Z 5086.3-2000 シアン化電気めっき銅液の分析法と水酸化ナトリウムの含有量を求める電位差滴定法
• HB/Z 5105.1-2000 電解研磨液分析法 三酸化クロムの含有量を求める電位差滴定法
• HB/Z 5084.2-2000 シアン化亜鉛電気めっき液の分析方法 水酸化ナトリウムの含有量を求めるための電位差滴定法
• HB/Z 5085.3-1999 シアン化カドミウム電気めっき液の分析方法 電位差滴定による水酸化ナトリウム含有量の測定。
• HB/Z 5105.2-2000 電解研磨液分析法 三酸化クロムの含有量を求める電位差滴定法
• HB/Z 5109.9-2001 不動態化溶液の分析方法 電気めっき銅の不動態化溶液中の三酸化クロムの含有量を測定するための電位差滴定法
• HB/Z 5091.1-1999 電気めっきクロム溶液の分析法 三酸化クロムの含有量を求める電位差滴定法
• HB/Z 5107.18-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第18部：電位差滴定による硝酸酸化溶液中の塩化アンモニウム（塩化ナトリウム）含有量の定量
• HB/Z 5107.17-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 17 部：電位差滴定による硝酸酸化溶液中の硝酸含有量の測定
• HB/Z 5092.1-2001 電気めっき黒色クロム溶液の分析方法と三酸化クロムの含有量を求める電位差滴定法
• HB/Z 5091.2-1999 電気めっきクロム溶液の分析法 三酸化クロムの含有量を求める電位差滴定法
• HB/Z 5109.3-2001 不動態化溶液の分析方法 亜鉛電気めっきおよびカドミウム電気めっきの三酸不動態化溶液中の三酸化クロムの含有量を測定するための電位差滴定法
• HB/Z 5107.7-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 7 部：電位差滴定による氷酢酸酸化溶液中の氷酢酸含有量の測定
• HB/Z 5107.9-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 9 部：電位差滴定による氷酢酸酸化溶液中の塩素イオン含有量の測定
• HB/Z 5107.16-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 16 部：電位差滴定による硝酸酸化溶液中の重クロム酸カリウム含有量の測定
• HB/Z 5093.2-2000 アルカリ電気めっき錫溶液の分析法 水酸化ナトリウムの含有量を求める電位差滴定法
• HB/Z 5107.5-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 5 部：電位差滴定による硫酸アルミニウムカリウム酸化溶液中の氷酢酸含有量の測定
• HB/Z 5107.6-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 パート 6: 電位差滴定による氷酢酸酸化溶液中の重クロム酸カリウム含有量の測定
• HB/Z 5107.3-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 3 部：電位差滴定による硫酸アルミニウムカリウム酸化溶液中の重クロム酸カリウム含有量の測定
• HB/Z 5107.11-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 11 部：電位差滴定による重クロム酸ナトリウムおよび硫酸マンガン酸化溶液中の重クロム酸ナトリウム含有量の測定
• HB/Z 5107.12-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 12 部：電位差滴定による重クロム酸カリウム硫酸マンガン酸化溶液中の重クロム酸カリウム含有量の測定
• HB/Z 5107.14-2004 マグネシウム合金の化学酸化溶液の分析方法 第 14 部：電位差滴定による重クロム酸カリウムおよび硫酸マンガン酸化溶液中の硫酸アンモニウム含有量の測定
• HB/Z 5110.2-2000 電気化学的油分除去および化学的油分除去溶液分析法 電位差滴定法による水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、およびリン酸三ナトリウムの含有量の測定
• HB 20055.2-2011 アルミニウム合金のケミカルミリング溶液の分析方法 パート 2: 電位差滴定による水酸化ナトリウム含有量の測定
• HB/Z 5099.5-2000 電気メッキ銀溶液の分析方法 硬質銀メッキ溶液中の水酸化カリウムの含有量を測定するための電位差滴定法。
• HB/Z 5104.2-1999 アルミニウム合金硫酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定法によるアルミニウム含有量の定量
• HB/Z 339.2-1999 アルミニウム合金クロム酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定による塩素イオン含有量の定量
• HB/Z 5104.3-1999 アルミニウム合金硫酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定による塩素イオン含有量の測定
• HB/Z 5104.1-1999 アルミニウム合金硫酸陽極酸化処理液の分析方法 電位差滴定法により遊離硫酸と結合硫酸の含有量を測定します。

RU-GOST R, 初期酸化電位 酸化電位

• GOST ISO 27107-2016 動物性および植物性油脂 電位差測定エンドポイント法を使用した過酸化物価の測定
• GOST R 8.702-2010 測定の一貫性を確保するための国家システム 酸化還元電位 (ORP) 測定用の測定電極 校正手順

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 初期酸化電位 酸化電位

• GJB 760-1989 二酸化プルトニウム中の総プルトニウム含有量を測定するための制御電位電量法

Lithuanian Standards Office , 初期酸化電位 酸化電位

• LST EN ISO 2376:2010 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の電気絶縁破壊電位の測定 (ISO 2376:2010)
• LST EN ISO 27107:2010 動植物油の過酸化物価の測定と潜在的なエンドポイントの測定 (ISO 27107:2008、改訂版 2009-05-15)
• LST EN 15168-2007 トルエンスルホニルイソシアネート（TSI）法および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定法による界面活性剤の水酸基価の測定

AENOR, 初期酸化電位 酸化電位

• UNE-EN ISO 2376:2011 陽極酸化アルミニウムおよびその合金の電気絶縁破壊電位の測定 (ISO 2376:2010)
• UNE-ISO 11271:2007 土壌品質の酸化還元電位を測定するためのフィールド法 (ISO 11271:2002)
• UNE 51118:1983 航空燃料の酸化安定性に関する標準試験法（電位残留法）
• UNE-EN ISO 27107:2010 動植物油の過酸化物価の測定と潜在的なエンドポイントの測定 (ISO 27107:2008、改訂版 2009-05-15)
• UNE-EN 15168:2007 トルエンスルホニルイソシアネート（TSI）法および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定法による界面活性剤の水酸基価の測定

Association Francaise de Normalisation, 初期酸化電位 酸化電位

• NF T20-554:1989 工業用過酸化水素、見かけの pH (pha) の測定、電位差測定法
• NF T90-260:2023 水質分析法の特性評価 水中の酸化還元電位の測定
• NF EN ISO 27107:2010 動物性および植物性の脂肪。 過酸化物価の測定。 潜在的なブレークポイントの決定
• NF M07-013:1982 液体燃料および潤滑剤 航空燃料の酸化安定性 電位差残留法
• NF A05-207*NF ISO 15158:2014 金属および合金の腐食 酸化ナトリウム溶液中での動電位制御によるステンレス鋼の孔食電位の測定方法
• NF EN ISO 10156:2017 シリンダーガスとガス混合物により可燃性と酸化電位を決定し、バルブ出口接続を選択します

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 初期酸化電位 酸化電位

• YS/T 710.1-2009 酸化コバルトの化学分析方法 パート 1: コバルト含有量の測定 電位差滴定法

Shanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 初期酸化電位 酸化電位

• DB14/T 692-2012 自動電位差滴定法によるナッツ農産物の過酸化物価の測定

International Telecommunication Union (ITU), 初期酸化電位 酸化電位

• ITU-R M.587-1 SPANISH-1986 自動VHF/UHF海上携帯電話システムの位置登録及び海岸局の認証の初期化
• ITU-R M.587-1-1986 自動 VHF/UHF 海上移動電話システムの位置登録の初期化と海岸局の特性 パート 8C - 海上移動サービス 電気通信および関連分野

工业和信息化部, 初期酸化電位 酸化電位

• YS/T 1157.4-2016 粗水酸化コバルトの化学分析方法 第 4 部：電位差滴定によるマンガン含有量の測定
• YS/T 1157.1-2016 粗水酸化コバルトの化学分析方法 パート 1: 電位差滴定によるコバルト含有量の測定
• SJ/T 11636-2016 エレクトロニクス産業向けの開発ソリューション中の水酸化テトラメチルアンモニウムの自動電位差滴定による定量
• YB/T 4174.3-2022 カルシウムシリコン合金の分析方法 パート 3: 電位差滴定による酸化カルシウム含有量の測定
• YS/T 1445.2-2021 ニッケル・コバルト・アルミニウム三元系複合水酸化物の化学分析法その２：電位差滴定法によるコバルト含有量の定量

Professional Standard - Nuclear Industry, 初期酸化電位 酸化電位

• EJ/T 1212.2-2008 焼結ガドリニア二酸化ウランペレットの分析方法パート 2: 熱イオン化質量分析によるウラン同位体存在量の決定
• EJ/T 20164-2018 後処理された三酸化ウラン粉末中のウラン含有量を測定するための自動電位差滴定法
• EJ/T 20223-2018 熱イオン化質量分析による後処理三酸化ウラン粉末のウラン同位体組成の決定
• EJ/T 973-1995 熱イオン化質量分析法による二酸化ウラン粉末およびペレット中のウラン同位体存在量の測定
• EJ/T 973-2016 熱イオン化質量分析による二酸化ウラン粉末およびペレット中のウラン同位体存在量の測定
• EJ/T 1212.5-2008 焼結ガドリニア-二酸化ウランペレットの分析方法 パート 5: 硫酸アンモニウム第一鉄の還元 二クロム酸カリウム電位差滴定によるウラン含有量の測定
• EJ/T 277-1986 硫酸第一鉄還元・二クロム酸カリウム電位差滴定法による高純度八酸化ウラン中のウランの精密定量

Universal Oil Products Company (UOP), 初期酸化電位 酸化電位

• UOP 291-2013 マイクロ波分解および電位差滴定によるアルミナおよびシリカ-アルミナ触媒中の総塩化物の測定
• UOP 291-2015 マイクロ波分解および電位差滴定によるアルミナおよびシリカ-アルミナ触媒中の総塩化物の測定

U.S. Military Regulations and Norms, 初期酸化電位 酸化電位

• ARMY MIL-M-63320 A (4)-1990 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63320 A-1981 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63321 A NOTICE 1-1997 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路
• ARMY MIL-M-63320 A NOTICE 1-1997 相補型金属酸化物半導体 (一次ロジック) デジタルマイクロ回路

Professional Standard - Commodity Inspection, 初期酸化電位 酸化電位

• SN/T 4306-2015 マイクロ波試料溶解－自動電位差滴定法によるクロム鉱石中の三酸化クロムの定量

IN-BIS, 初期酸化電位 酸化電位

• IS 8554-1977 絶縁破壊電位の測定により陽極酸化皮膜の絶縁性を確認する方法

Professional Standard - Agriculture, 初期酸化電位 酸化電位

• 水和废水监测分析方法 3.1.10-2003 第3部 総合指標と無機汚染物質 第1章 物理的・化学的指標 10 酸化還元電位(B)

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, 初期酸化電位 酸化電位

• GJB 5969.2-2007 海底原子力発電所で使用するニオブ被覆二酸化ウラン微小球の試験方法 パート 2: ウランの定量 硫酸第一鉄の還元、重クロム酸カリウムの酸化、電位差滴定法。

未注明发布机构, 初期酸化電位 酸化電位

• GJB 8793.2-2015 海底原子力発電所で使用されるニオブ被覆二酸化ウラン微小球の試験方法その2：ウランの定量硫酸第一鉄還元・重クロム酸カリウム酸化電位差滴定法

European Committee for Standardization (CEN), 初期酸化電位 酸化電位

• EN 15168:2006 界面活性剤、水酸基価の測定、トルエンスルホニルフルオリドイソシアネート (TSI) 法および水酸化テトラブチルアンモニウム電位差滴定法

その他：   実は酸化電位は, 酸化電位とは何ですか?, 陽極酸化の可能性, ケトン酸化電位, 酸化電位, 重クロム酸カリウムの酸化電位, 酸化電位検出, 重クロム酸カリウムの酸化電位, 標準酸化電位, 水の酸化電位, 酸化ピーク酸化電位, 初期酸化電位 酸化電位, 半酸化電位, 酸化電位 還元電位, 炭素酸化電位, コバルトの酸化電位, 炭素の酸化電位, 水の酸化電位, 塩化物イオンの酸化電位, 酸化電位分析.