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光電子材料 半導体照明

光電子材料 半導体照明は全部で 171 項標準に関連している。

光電子材料 半導体照明 国際標準分類において、これらの分類：セラミックス、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 総合電子部品、 表面処理・メッキ、 金属材料試験、 半導体材料、 プリント回路およびプリント回路基板、 語彙、 光学および光学測定、 ワイヤーとケーブル、 半導体ディスクリートデバイス、 電子および通信機器用の電気機械部品、 絶縁流体。

Association Francaise de Normalisation, 光電子材料 半導体照明

• NF ISO 14605:2013 屋内照明環境で半導体光触媒材料をテストするためのテクニカル セラミックス光源
• XP CEN/TS 16599:2014 光触媒は、半導体材料の光触媒性能をテストするための照射条件を決定します。
• NF B44-105*NF ISO 14605:2013 ファインセラミックス（モダンセラミックス、先端産業用セラミックス） - 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト光源
• XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光触媒 半導体材料の光触媒性能を試験するための照射条件とその測定
• NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
• NF ISO 18560-1:2014 工業用セラミック屋内照明環境におけるテストチャンバー法を使用して、空気浄化用の半導体光触媒材料の性能を測定するための試験方法 - パート 1: 除去...
• NF B44-103*NF ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）を用いた半導体光触媒材料の検査用紫外線光源
• NF EN 62047-2:2006 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
• NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
• NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験
• NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
• NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
• NF EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
• NF ISO 22197-4:2021 テクニカルセラミック空気浄化用半導体光触媒材料の性能試験方法 パート 4: ホルムアルデヒド除去
• NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
• NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 半導体デバイス用微小電気機械デバイス 第6回 薄膜材料の軸疲労試験方法
• NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第21回：薄膜MEMS材料のポアソン比の試験方法
• NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第14部 金属層材料の形成限界の測定方法
• NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス・微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
• NF ISO 22197-5:2021 テクニカルセラミック空気浄化用半導体光触媒材料の性能試験方法 第5部：メチルメルカプタンの除去
• NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: マイクロピラー技術を使用した MEMS 材料の圧縮試験

International Organization for Standardization (ISO), 光電子材料 半導体照明

• ISO 14605:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）屋内照明環境における半導体光電子材料光源の試験
• ISO 24448:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料検査用LED光源
• ISO 17094:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内光環境下における半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
• ISO 19810:2017 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性試験方法 水接触角測定
• ISO 19652:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料の完全分解性能試験方法 アセトアルデヒドの分解
• ISO 18071:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料の抗ウイルス活性測定 バクテリオファージQ-βを用いた試験方法
• ISO 17168-2:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第２部：アセトアルデヒドの除去
• ISO 17168-3:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での空気浄化性能試験方法 その３：トルエンの除去
• ISO 17168-4:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第４部：ホルムアルデヒド除去
• ISO 22551:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンスト工業用セラミックス） 半導体光触媒材料を用いた室内照明環境における細菌減少率の測定 実環境における細菌汚染表面の抗菌活性を推定するセミドライ法
• ISO 17168-5:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第５部：メチルメルカプタンの除去
• ISO 17168-1:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下における空気浄化性能試験方法 第１部 一酸化窒素の除去
• ISO 19810:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性能試験方法 水接触角の測定
• ISO 13125:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の防カビ効果試験方法
• ISO 19635:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の藻類抑制活性試験方法
• ISO 27447:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
• ISO 27447:2009 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 光電子材料 半導体照明

• GJB 8190-2015 航空機外装照明用半導体固体光源の一般規格

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 光電子材料 半導体照明

• GB/T 36005-2018 半導体照明装置およびシステムの光放射安全性試験方法

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, 光電子材料 半導体照明

• DB44/T 1639.1-2015 半導体照明規格光学部品の一般原則 第 1 部 階層部門

KR-KS, 光電子材料 半導体照明

• KS L ISO 14605-2023 屋内照明環境下での半導体光触媒材料の検査用ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）光源
• KS C IEC 62899-203-2023 プリンテッド エレクトロニクス パート 203: 材料、半導体インク
• KS L ISO 17168-2-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス） ～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～ その２：アセトアルデヒド除去
• KS L ISO 17168-4-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その４：ホルムアルデヒド除去
• KS L ISO 17168-3-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その３：トルエン除去
• KS L ISO 17168-1-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その１：一酸化窒素の除去
• KS L ISO 10677-2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス）半導体光触媒材料検査用紫外線光源
• KS C IEC 62047-18-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
• KS C IEC 62047-22-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
• KS L ISO 18560-1-2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス） ～室内光環境における実験室法による半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～ その１：ホルムアルデヒド除去
• KS L ISO 27447-2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法

Professional Standard - Electron, 光電子材料 半導体照明

• SJ/T 11067-1996 赤外線検出材料のうち、半導体光電子材料と焦電材料の共通用語と用語
• SJ/Z 3206.13-1989 半導体材料の発光スペクトル解析法の一般原則
• SJ 20744-1999 半導体材料中の不純物含有量の赤外吸収分光分析に関する一般ガイドライン

European Committee for Standardization (CEN), 光電子材料 半導体照明

• PD CEN/TS 16599:2014 光触媒：半導体材料の光触媒特性の照射条件とその条件の決定
• CEN/TS 16599:2014 光触媒試験 半導体材料の光触媒性能の照射条件とその測定

British Standards Institution (BSI), 光電子材料 半導体照明

• BS ISO 14605:2013 ファインセラミックス（モダンセラミックス、先端産業用セラミックス）、屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト光源
• BS PD CEN/TS 16599:2014 光触媒：半導体材料の光触媒特性を試験するための照射条件とその測定
• BS IEC 62899-203:2018 プリンテッドエレクトロニクス材料 半導体インク
• BS ISO 24448:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）。 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト用LED光源
• BS ISO 17094:2014 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内光環境下における半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
• 21/30403033 DC BS EN ISO 24448。 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）。 屋内照明環境で使用される半導体光触媒材料のテスト用LED光源
• BS ISO 22551:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 室内照明環境における半導体光触媒材料の細菌減少率の測定 セミドライ式抗菌活性推定法...
• BS ISO 17168-2:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での空気浄化性能試験方法 アセトアルデヒドの除去
• BS ISO 17168-4:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境におけるホルムアルデヒド除去空気浄化性能試験方法
• BS ISO 19810:2017 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性試験方法 水接触角測定
• BS ISO 17168-5:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での空気浄化性能試験方法 メチルメルカプタンの除去
• BS ISO 19652:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境下での完全分解性能試験方法 アセトアルデヒドの分解
• BS ISO 17168-3:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端技術セラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法 トルエンの除去
• BS ISO 17168-1:2018 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法 一酸化窒素の除去
• BS ISO 19810:2023 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料のセルフクリーニング性能試験方法 水接触角の測定
• BS ISO 18071:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 屋内照明環境下における半導体光触媒材料の抗ウイルス活性測定 バクテリオファージQ-βを用いた試験方法
• BS ISO 10677:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス）、半導体光触媒材料試験用紫外光源
• BS EN 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜材料の曲げ試験方法
• BS EN 62047-2:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の引張試験方法
• 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 プリンテッド エレクトロニクス パート 203 材料 半導体インク
• BS EN 62047-10:2011 半導体デバイス、マイクロ電子機械デバイス、MEMS材料の微小柱圧縮試験
• BS EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
• BS EN 62047-6:2010 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の軸疲労試験方法
• BS EN 62047-14:2012 半導体デバイス、マイクロモーターデバイス、金属薄膜材料の成形限界の測定方法
• BS ISO 27447:2019 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
• BS ISO 13125:2013 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の防カビ効果試験方法
• BS ISO 19635:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の藻類抑制活性試験方法
• PD IEC TS 62607-3-3:2020 ナノ加工発光ナノ材料の重要な制御特性 時間相関単一光子計数法 (TCSPC) を使用した半導体量子ドットの蛍光寿命の測定
• BS IEC 62047-31:2019 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス用積層MEMS材料の界面付着エネルギーの4点曲げ試験方法
• BS ISO 27447:2009 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス） 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法

German Institute for Standardization, 光電子材料 半導体照明

• DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光触媒試験 半導体材料の光触媒性能の照射条件とその測定
• DIN 50447:1995 半導体プロセス材料の検査、渦電流法による半導体層の表面抵抗の非接触測定
• DIN 50448:1998 半導体プロセス材料の試験、容量性検出器を使用した半絶縁半導体スライスの抵抗率の非接触測定
• DIN 50455-2:1999-11 半導体技術の材料試験 フォトレジストの特性評価方法 パート 2: ポジ型フォトレジストの感光性の決定
• DIN 50455-1:2009-10 半導体技術材料試験フォトレジスト特性評価方法パート 1: 光学的方法によるコーティング厚さの決定
• DIN EN 62047-2:2007-02 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
• DIN EN 62047-10:2012-03 半導体デバイス - マイクロ電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
• DIN 50455-1:2009 半導体技術で使用する材料のテスト フォトレジストの特性評価方法 パート 1: コーティング厚さの光学的決定
• DIN EN 62047-18:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
• DIN EN 62047-2:2007 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
• DIN EN 62047-6:2010-07 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
• DIN 50441-3:1985 半導体プロセス材料の検査 その3: 半導体スライスの幾何学的寸法の測定 その3: 多線干渉法による研磨スライスの面ずれの測定
• DIN 50440:1998 半導体プロセス材料の検査 シリコン単結晶のキャリア寿命測定 光導電法によるマイクロジェットの複合キャリア寿命測定
• DIN 50452-3:1995 半導体プロセス材料の検査 液体中の粒子分析の試験方法 パート 3: 光学式粒子計数器の校正
• DIN 50455-2:1999 半導体技術で使用される材料のテスト フォトレジストの特性評価方法 パート 2: 陽極フォトレジストの感光性の測定
• DIN 50452-3:1995-10 半導体技術材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - パート 3: 光学式粒子計数器の校正
• DIN EN 62047-14:2012-10 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
• DIN 50452-2:2009-10 半導体技術材料の試験液中の粒子分析の試験方法 第 2 部：光学式粒子計数器による粒子の測定
• DIN 50435:1988 半導体材料試験: 4 プローブ/DC 法を使用して、シリコン ウェーハおよびゲルマニウム ウェーハの抵抗率の半径方向の変化を測定します。

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 光電子材料 半導体照明

• GB/T 1550-2018 外部半導体材料の導電型の試験方法
• GB/T 37131-2018 ナノテクノロジー半導体ナノ粉末材料の紫外可視拡散反射率スペクトルの試験方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 光電子材料 半導体照明

• GB/T 1550-1997 外部半導体材料の導電型の試験方法
• GB/T 3048.3-1994 電線・ケーブルの電気的特性の試験方法 半導電性ゴム・プラスチック材料の体積抵抗率試験
• GB/T 3048.3-2007 電線およびケーブルの電気的特性の試験方法 パート 3: 半導電性ゴムおよびプラスチック材料の体積抵抗率試験

International Electrotechnical Commission (IEC), 光電子材料 半導体照明

• IEC 62899-203:2018 プリンテッド エレクトロニクス パート 203: 材料、半導体インク
• IEC 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
• IEC 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
• IEC 62047-6:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
• IEC 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
• IEC 62047-10:2011/COR1:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMS 材料の微極圧縮試験、正誤表 1
• IEC 62047-14:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第14回：金属膜材料の形成限界の測定方法

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 光電子材料 半導体照明

• JIS R 1750:2012 ファインセラミックスの室内光環境における半導体光触媒材料の検査用光源
• JIS C 5630-2:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
• JIS C 5630-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
• JIS R 1712:2022 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 半導体光触媒材料の防藻活性試験方法
• JIS C 5630-6:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
• JIS R 1708:2016 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス） 溶存酸素消費量を用いた半導体光触媒材料の光触媒活性評価試験方法

RU-GOST R, 光電子材料 半導体照明

• GOST 22622-1977 半導体材料 基本的な電気的および物理的パラメータ 用語と定義

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 光電子材料 半導体照明

• KS L ISO 17168-2:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス） ～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～ その２：アセトアルデヒド除去
• KS L ISO 17168-3:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その３：トルエン除去
• KS L ISO 17168-4:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その４：ホルムアルデヒド除去
• KS L ISO 17168-1:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス）～半導体光触媒材料の室内照明環境における空気浄化性能試験方法～その１：一酸化窒素の除去
• KS C IEC 62047-18:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
• KS C IEC 62047-22:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回：薄膜材料の曲げ試験方法
• KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
• KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
• KS L ISO 18560-1:2020 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス・アドバンストテクノロジーセラミックス） ～室内光環境における実験室法による半導体光触媒材料の空気浄化性能試験方法～ その１：ホルムアルデヒド除去
• KS L ISO 27447-2011(2016) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス）半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
• KS L ISO 27447-2011(2021) ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） - 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
• KS L ISO 27447:2011 ファインセラミックス（アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス） 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法

TR-TSE, 光電子材料 半導体照明

• TS 2959-1978 船舶の電気設備: 電力および照明変圧器、半導体整流器、発電機およびエンジン、電気推進ユニット、燃料タンク

American Society for Testing and Materials (ASTM), 光電子材料 半導体照明

• ASTM D6095-99 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の標準試験方法
• ASTM D6095-05 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率の標準試験方法
• ASTM D6095-06 押出された架橋結合および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の経度測定のための標準試験方法
• ASTM D6095-12 押出された架橋結合および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の経度測定のための標準試験方法
• ASTM D6095-12(2023) 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率を縦方向に測定するための標準試験方法
• ASTM D6095-12(2018) 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率を縦方向に測定するための標準試験方法

American National Standards Institute （ANSI), 光電子材料 半導体照明

• ANSI/ASTM D6095:2012 圧縮成形された交差接続された熱可塑性半導体、導体および絶縁シールド材料の体積抵抗を縦方向に測定するための試験方法

Danish Standards Foundation, 光電子材料 半導体照明

• DS/EN 62047-10:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
• DS/EN 62047-2:2007 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第２部：薄膜材料の引張試験方法
• DS/EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
• DS/EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
• DS/EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法

ES-UNE, 光電子材料 半導体照明

• UNE-EN 62047-10:2011 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
• UNE-EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
• UNE-EN 62047-6:2010 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸疲労試験方法
• UNE-EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 21 部: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
• UNE-EN 62047-14:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
• UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
• UNE-EN 62047-2:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
• UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., 光電子材料 半導体照明

• T-32-645-2012 押出成形半導体シールド材を使用した防水コンポーネントの体積抵抗互換性を確立するための試験方法

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 光電子材料 半導体照明

• EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
• EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第21回 薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
• EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部：薄膜材料の軸方向疲労試験方法
• EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
• EN 62047-10:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: 微小電気機械システム (MEMS) 材料のマイクロピラー圧縮試験
• EN 62047-2:2006 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 IEC 62047-2:2006

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), 光電子材料 半導体照明

• ICEA T-32-645-2012 防水コンポーネントと押出成形半導体シールド材料の体積抵抗適合性を決定するための試験方法

Standard Association of Australia （SAA）, 光電子材料 半導体照明

• AS/NZS 1660.2.3:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法 絶縁体、押出成形半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法 PVC およびハロゲン熱可塑性プラスチック材料
• AS/NZS 1660.2.2:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法 絶縁体、押出半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法 エラストマー、XLPE および XLPVC 材料

Lithuanian Standards Office , 光電子材料 半導体照明

• LST EN 62047-10-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験 (IEC 62047-10:2011)
• LST EN 62047-2-2007 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)
• LST EN 62047-6-2010 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6:2009)

その他：   光電子半導体材料, 半導体光電子材料, 光電子材料と半導体照明, 光電子材料 半導体照明.