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極端なアイテム

極端なアイテムは全部で 271 項標準に関連している。

極端なアイテム 国際標準分類において、これらの分類：金属腐食、 情報技術の応用、 溶接、ロウ付け、低温溶接、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 電気、磁気、電気および磁気測定、 航空宇宙製造用の材料、 ゴム・プラスチック製品、 電子および通信機器用の電気機械部品、 半導体ディスクリートデバイス、 道路車両装置、 熱力学と温度測定、 複合強化素材、 コンデンサ。

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 極端なアイテム

• EIA_ECA-953-2006 ポリマーカソードを備えたモールドタンタルチップコンデンサ
• EIA/ECA-953-2006 ポリマーカソードを備えたモールドタンタルチップコンデンサ
• ECA EIA/ECA-955-2007 ポリマーカソードを備えた表面実装アルミニウム電子チップコンデンサ (認定仕様)
• ECA SP 4984-2005 ポリマーカソードを備えた表面実装アルミニウム電解コンデンサチップがANSI/EIA/ECA-955として発行

International Organization for Standardization (ISO), 極端なアイテム

• ISO 22426:2020 試験片測定による陰極防食効果の評価

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 極端なアイテム

• JEDEC JESD2-1982 チップキャリア用デジタルバイポーラロジック端子配置
• JEDEC JESD51-50-2012 シングルチップおよびマルチチップ、シングルおよびマルチ PN 接合の発光ダイオード (LED) の熱測定方法の概要

British Standards Institution (BSI), 極端なアイテム

• BS ISO 22426:2020 クーポン測定に基づいた陰極防食の有効性の評価
• BS EN ISO 8092-1:1998 道路車両 車両の電気ワイヤリング ハーネスの接続 単極接続コネクタのラグ 寸法と特殊要件

German Institute for Standardization, 極端なアイテム

• DIN 41622-1:1965-01 ブレードコンタクト付き多極コネクタ 3 × 1 mm、アスペクト
• DIN 41618-1:1966-10 ブレードコンタクト付き多極コネクタ 2.5 mm × 1 mm、アスペクト
• DIN 41618-3:1974-05 ブレードコンタクト 2.5 mm × 1 mm を備えた多極コネクタ、位置決めおよび制動コンポーネント
• DIN CEN/TR 16625:2014-03*DIN SPEC 18449:2014-03 防水用フレキシブルシートのメーカー限界値および公称値（MLVおよびMDV）の統計的定義 95％統計
• DIN 41618-4:1976-02 ブレードコンタクト 2.5 mm × 1 mm を備えた多極コネクタ、コネクタ DIN 41618 および DIN 41622 用のハウジングおよびロック装置
• DIN EN 2995-006:2023-06 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー単極温度補償電流定格 1 A ～ 25 A パート 006: 6.3 mm および 2.8 mm ブレード端子製品標準、極性信号コンタクト付き
• DIN 16196:2015 電気制限接触装置を備えたポインター温度計、充填システム温度計およびバイメタル ストリップ温度計
• DIN 16196:2013 電気制限接触装置を備えたポインター温度計、充填システム温度計およびバイメタル ストリップ温度計
• DIN EN 2995-006:2020 航空宇宙シリーズサーキットブレーカー、単極、温度補償、定格電流 1 A ～ 25 A パート 006: 極性信号コンタクトを備えた 6,3 mm および 2,8 mm ブレード端子の製品規格、英語版 prEN 2995-006 :2020

Association Francaise de Normalisation, 極端なアイテム

• NF A81-304:1994 手動金属アーク電極用のコーティングされた電極棒 化学分析用の溶接金属パッドの堆積
• NF EN ISO 2128:2010 アルミニウムとその合金の陽極酸化、陽極層の厚さの決定、光学的切片顕微鏡の非破壊法
• FD R13-438:1996 道路車両用ハウジング ロック付き多極 3 mm フラット プラグ接続の寸法特性
• NF R13-440:1992 道路車両 フラットブレードクイック接続デバイス パート 2: 単極接続性能のテストと要件

Defense Logistics Agency, 極端なアイテム

• DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 低電力ショーケント トランジスタ、ポジティブ NAND ゲート、シングル シリコン ダイを備えた高度なバイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-00516 REV B-2002 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路アノード用の5V調整可能な高精度電圧リファレンス
• DLA SMD-5962-02534 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路正固定2.5V低ドロップアウト電圧レギュレータ
• DLA SMD-5962-02535 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路3.3V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
• DLA SMD-5962-02536 REV D-2006 モノリシックシリコンリニアマイクロ回路5V低ドロップアウト電圧レギュレータ、固定正極付き
• DLA SMD-5962-97572 REV A-2006 倍 2 入力専用シリコンモノリシックデジタルバイポーラマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94676 REV F-2005 非常に高速なシリコンモノリシック回路電流フィードバック（フィードバック）増幅リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-01507-2001 モノリシックシリコンバイポーラデジタルマイクロ回路高速予測キャリージェネレーター
• DLA SMD-5962-88729 REV B-2008 モノリシック シリコン 6 反転ドライバー修正ショットキー TTL バイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95575 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、TTL、プリセットと透明なモノリシック シリコンを備えたデュアル JK フリップフロップ
• DLA SMD-5962-88541 REV B-1992 シリコンモノリシック 512 x 4 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88718 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高速 CMOS、オープン ドレイン出力付きヘックス インバーター、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-98533 REV D-2010 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、超低ノイズ クワッド チャネル、オペアンプ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-98533 REV E-2013 マイクロ回路、リニア、耐放射線性、超低ノイズ クワッド チャネル、オペアンプ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-87767 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、オープンコレクタ出力を備えたオクタル バッファおよびライン ドライバ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-94677 REV A-2002 非常に高速なシリコンモノリシック出力クランプ回路電流フィードバック（フィードバック）増幅リニアマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88523 REV B-2008 モノリシック シリコン 6 2 入力またはドライバー、修正ショットキー TTL バイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-06250-2006 シリコンモノリシックマルチチャネルゲートレスハイブリッドマイクロ回路、ショットキーバイポーラTTLデジタルマイクロ回路
• DLA DSCC-VID-V62/06609-2006 単一シリコン上にトライステート出力を備えた高度なバイポーラ CMOS 電子マイクロ回路 16 ビット バス トランシーバー、
• DLA SMD-5962-90506 REV A-2005 シリコンモノリシック、8 ビットバストランシーバー、スリーステートフォワード出力、バイポーラデジタルマイクロ回路を装備
• DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 バイポーラ低電力トランジスタ六角形シュミットトリガーシリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88727 REV C-2008 モノリシック シリコン 8 ウェイ バス トランシーバー、改良された低電力ショットキー TTL バイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA DSCC-VID-V62/03620 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビット バス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA DSCC-VID-V62/06609 REV A-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 16 ビット バス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90506 REV B-2012 トライステート非反転出力を備えた超小型回路、デジタル、バイポーラ、オクタル バス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-03202-2003 シリコンモノリシック 1024 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-03203-2003 シリコンモノリシック 1048 x 8 ビットバイポーラプログラマブル読み取り専用メモリデジタルメモリマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88728 REV C-2008 モノリシック シリコン 8 エッジ D タイプ フリップフロップ、改良された低電力ショットキー TTL バイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88741 REV C-2008 モノリシック シリコン 8 ビット アドレス指定可能ラッチ、改良された低電力ショットキー TTL バイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86706 REV C-2010 マイクロ回路、メモリ、デジタル、バイポーラ、1K x 8 ビット、プログラマブル初期化機能付きレジスタード PROM、モノリシック シリコン
• DLA DSCC-VID-V62/04602 REV E-2012 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V 16 ビット バス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-87647 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高速CMOS、オープンドレイン出力付きクワッド2入力NANDゲート、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-95537 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、透明なモノリシック シリコンを使用したクワッド D タイプ フリップフロップ
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きバス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/348 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きバス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 バイポーラ先進トランジスタ、4重クラスD双安定マルチバイブレータシリコンモノリシックリニアマイクロ回路
• DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 2N3700UE1、JAN、JANTX、JANJ エネルギースイッチング半導体デバイス用トランジスタ、プラスチック、トランジスタ、シリコンウェーハの標準仕様
• DLA SMD-5962-91726 REV A-2008 スリーステート出力モノリシックオクタルバッファを備えたマイクロ回路デジタルバイポーラCMOSスキャニングテスト装置
• DLA SMD-5962-84061-1984 シリコンモノリシック出力バッファ用ゲートインバータ、TTLショットキー先進低電力デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-79024 REV D-2011 マイクロ回路、メモリ、デジタル、8192ビット、スイッチャブル、ショットキー、トライステート出力付きバイポーラPROM、モノリシックシリコン
• DLA DSCC-VID-V62/03621 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 36 ビット レジスタード バス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90686 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なCMOS、オープンドレイン出力付きヘックスインバーター、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA DSCC-VID-V62/03658 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度な高速 CMOS、クワッド 2 入力ポジティブまたは TTL 互換入力付きゲート、モノリシック シリコン
• DLA DSCC-VID-V62/04671 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTクワッドバスバッファ、モノリシックシリコン
• DLA DSCC-VID-V62/04700 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力を備えたオクタル バッファ/ドライバ、モノリシック シリコン
• DLA DSCC-VID-V62/04705 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTクワッドバスバッファ、モノリシックシリコン
• DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、トライステート出力付きバス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、トライステート出力付きオクタル バッファ ゲート、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/328 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、トライステート出力付きバス トランシーバー、モノリシック シリコン
• DLA MIL-PRF-19500/253 K-2008 2N930、2N930UB、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC 低損失半導体デバイス、トランジスタ、トランジスタ、シリコンウェーハの標準仕様
• DLA SMD-5962-96697 REV A-2008 モノリシックシリコン TTL 互換入力 1 ラインから 8 ラインのクロックドライバー、改良されたバイポーラ CMOS デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86709 REV F-2008 バイポーラデジタルマイクロ回路メモリ、16×48×8ドメインプログラマブルロジックシーケンサおよびモノリシックシリコンの製品仕様
• DLA SMD-5962-88590 REV C-2008 高度な低消費電力ショットキー TTL シリーズ (ALS) バイポーラ デジタル マイクロエレクトロニクス ポジティブ NAND ゲートおよびモノリシック シリコンの詳細仕様
• DLA SMD-5962-90590 REV C-2008 アドバンスト COS シリーズ デジタルマイクロ回路、オープン ドレイン出力およびシングル シリコン ダイを備えた六角形インバーターの詳細仕様
• DLA SMD-5962-77057 REV G-2005 シリコンモノリシックドライバ/レシーバ、ショットキー低電力TTLバイポーラデジタルマイクロ回路用の8ビットバッファ
• DLA DSCC-VID-V62/04757 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き1ライン～10ラインクロックドライバ、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-84031 REV D-2005 シリコンモノリシック、出力バッファ付きロジックゲート、TTLショットキー先進低電力バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA DSCC-VID-V62/04672 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
• DLA DSCC-VID-V62/04673 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き3.3V ABTオクタルバッファ/ドライバ、モノリシックシリコン
• DLA DSCC-VID-V62/04718 REV A-2011 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V ABT 18 ビット ユニバーサル バス ドライバー、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-91746 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラCMOS、オクタルバッファ付きスキャンテスト装置、反転トライステート出力、モノリシックシリコン
• DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、高速キャリーを備えた 4 ビット バイナリ全加算器、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/383 B VALID NOTICE 1-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、トライステート出力付きオクタル バッファ ゲート、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/79 D VALID NOTICE 1-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、ショットキー TTL、トライステート出力付きデータ セレクター/マルチプレクサー、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-89444 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー、TTL、入力ラッチ付き 8 ビット シフト レジスタ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90514 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタルバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-90870 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタルレジスタードトランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、トライステート出力付き六角形バス ドライバー、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低消費電力ショットキーTTL、トライステート出力付きクワッドバスバッファゲート、モノリシックシリコン
• DLA MIL-M-38510/342 A VALID NOTICE 2-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、高速キャリーを備えた 4 ビット バイナリ全加算器、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-88621 REV C-2008 アドバンストショットキーTTLシリーズ(ALS)バイポーラデジタルマイクロ回路用モノリシックシリコンを使用したクワッド2入力XORゲートの詳細仕様
• DLA SMD-5962-95577 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き36ビットバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-95590 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93175 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットバストランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93241 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットレジスタードトランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-87621 REV B-2011 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、低電力ショットキー TTL、入力レジスタ付き 8 ビット バイナリカウンタ、モノリシック シリコン
• DLA MIL-M-38510/322 C VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコン低消費電力ショットキートランジスタロジックバイポーラデジタルマイクロ回路、トライステート出力付き6つのバスドライバを搭載
• DLA MIL-M-38510/323 D VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコン低消費電力ショットキートランジスタロジックバイポーラデジタルマイクロ回路、クワッドバスバッファゲート、トライステート出力付き
• DLA MIL-M-38510/324 D VALID NOTICE 1-2008 モノリシック シリコン低電力ショットキー トランジスタ ロジック バイポーラ デジタルマイクロ回路、スリーステート出力 8 バス バッファ ゲート付き
• DLA MIL-M-38510/339 D VALID NOTICE 1-2008 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、トライステート出力付きデータ セレクタ/マルチプレクサ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90746 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、バイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタルDタイプ透明ラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93200 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビット透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93227 REV E-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA DSCC-VID-V62/04676 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力付き 3.3V ABT オクタル エッジ トリガー D タイプ フリップフロップ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-93188 REV C-2008 モノリシックシリコン TTL 互換入力、8 つのバッファ/ドライバー逆トライステート非反転出力、改良されたバイポーラ CMOS デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-88626 REV D-2008 高度なショットキー TTL シリーズ (ALS) バイポーラ デジタルマイクロ回路データ セレクター/マルチプレックスおよびトリプル出力付きモノリシック シリコンの詳細仕様
• DLA SMD-5962-93199 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、反転トライステート出力付き16ビットバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93218 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタル透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93219 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付きオクタル透明Dラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-94509 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力付き10ビットバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、クロック イネーブル付きオクタル エッジ トリガー D タイプ フリップフロップ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-95646 REV B-2008 モノリシック シリコン TTL 互換入力、20 ビット バス インターフェイス、三相出力付き D タイプ ラッチ、改良されたバイポーラ CMOS デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90625 REV B-2012 トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシック シリコン、デジタル、バイポーラ CMOS、オクタル バッファおよびライン ドライバを備えたマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90743 REV B-2012 トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシック シリコン、デジタル、バイポーラ CMOS、オクタル バッファおよびライン ドライバを備えたマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94601 REV C-2008 トライステート出力 TTL 互換出力を備えたモノリシック 18 ビット バス トランシーバーを備えたマイクロ回路デジタル高度バイポーラ CMOS スキャニング テスト装置
• DLA SMD-5962-92314 REV D-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、デュアル イネーブル付きオクタル ラッチ トランシーバー、トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-93201 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き16ビットエッジトリガーDタイプフリップフロップ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-96769 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、トライステート出力付き10ビットバスインターフェイスDラッチ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-94501 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力を備えた16ビットバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-97623 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バス保持およびトライステート出力を備えたオクタルトランシーバー、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー、TTL、トライステート出力付き 8 ビット バス インターフェイス フリップフロップ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー、TTL、非反転および反転入力を備えた 10 ビット バス インターフェイス フリップフロップ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-84011 REV G-2005 シリコンモノリシック、リセットクリアキーを備えたDタイプダブルポジティブエッジトリガーフリップフロップ、TTLショットキー高度な低消費電力バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89602 REV B-2006 シリコンモノリシック、スリーステート出力アンプドライバーと8ビットバッファー、修正ショットキーTTL、バイポーラデジタルマイクロ回路を装備
• DLA SMD-5962-89668 REV B-2006 シリコンモノリシック、同期リセットキーを備えた同期8ビットバリューアップおよびバリューダウンカウンタ、改良されたショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90582 REV A-2006 シリコンモノリシック、リセットボタンとマイクロ波タイマーを備えたアップ/ダウンカウンター、改良されたショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93148 REV B-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、クロック イネーブル付きオクタル エッジ トリガー D タイプ フリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-92147 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-94718 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、非反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93220 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、トライステート出力、TTL 互換入力を備えたモノリシック シリコン オクタル エッジ トリガー D タイプ フリップフロップ
• DLA SMD-5962-97625 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バス保持およびトライステート出力を備えた16ビットバストランシーバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93148 REV C-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、クロック イネーブル付きオクタル エッジ トリガー D タイプ フリップフロップ、TTL 互換入力、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90710 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、10 ビット バス インターフェイス トライステート出力付き D タイプ ラッチ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-91716 REV A-2010 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度なショットキー TTL、クロック ドライバー、伝播遅延が整合したクワッド D タイプ フリップフロップ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90748 REV B-2012 反転トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシック シリコン、デジタル、バイポーラ CMOS、オクタル バッファおよびライン ドライバを備えたマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89722-1989 シリコンモノリシック、8 ビット伝送ラインおよびバックプレーントランシーバー (スリーステート出力付きオープンコレクター)、改良されたショットキー TTL デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96698 REV A-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、18ビットトランシーバ/レジスタ付きスキャンテスト装置、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-93241 REV B-2000 シリコンモノリシック、逆トライステート出力、TTL互換入力16ビットラッチトランシーバー、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-90514 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビットバストランシーバー、高速酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90523 REV B-2003 シリコン モノリシック、8 ビット バス トランシーバーおよびレジスタ、スリーステート出力、改良型低電力ショットキー TTL、バイポーラ デジタル マイクロ回路を装備
• DLA SMD-5962-96849 REV B-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールドオーバー付き3.3V 16ビットレジスタードトランシーバ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-94672 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、18ビットユニバーサルバストランシーバを備えたスキャンテスト装置、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 モノリシックシリコン高電圧オープンコレクタ出力低消費電力トランジスタトランジスタロジックデジタルマイクロ回路（バッファ/ドライバ付き）
• DLA SMD-5962-90741 REV C-2013 トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシック シリコン、デジタル、バイポーラ CMOS、オクタル バッファ、ライン ドライバ/MOS ドライバを備えたマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90562 REV A-2005 シリコンモノリシック、スリーステート出力を備えた 16 分の 1 データジェネレータ/マルチプレクサ、改良型ショットキーバイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90625 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL互換入力、トライステート出力を備えた8ビットバッファおよびラインドライバ、酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93227 REV D-2000 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力8ビットバッファ/ドライバ、改質酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-93250 REV A-2005 トライステート出力と 25 オームのプルダウン抵抗を備えたシリコン モノリシック 8 ビット バッファ/ドライバ、修正ショットキー TTL バイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96761-1996 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、1～8行クロックドライバ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95642 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールドオーバー付き3.3ボルトオクタルバストランシーバー、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-96685 REV D-2010 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールドオーバー付き3.3V 16ビットバッファ/ドライバ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-94615 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、オクタルレジスタードバストランシーバを備えたスキャンテスト装置、トライレベル出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、バイポーラ、高度な低消費電力ショットキー TTL、オクタル バス トランシーバおよび反転トライステート出力付きレジスタ、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-90939 REV D-2013 反転トライステート出力、TTL 互換入力、モノリシック シリコン、デジタル、バイポーラ CMOS、オクタル バッファおよびライン ドライバ/MOS ドライバを備えたマイクロ回路
• DLA SMD-5962-92314 REV C-1997 シリコンモノリシック、TTL互換入力、デュアルイネーブルおよびトライステート出力を備えた8ビットラッチトランシーバー、改良されたバイポーラ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94615 REV A-2007 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えたレジスタードバストランシーバ用のスキャンテストセットアップ
• DLA SMD-5962-93186 REV B-2007 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えた8ビットバストランシーバー用のスキャンテストセットアップ
• DLA SMD-5962-96747-1997 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビット双方向データバススキャンパスセレクタトランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94501 REV A-1998 シリコンモノリシック、正トライステート出力、TTL 互換入力 16 ビットバッファ/ドライバ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-94509 REV A-2001 シリコンモノリシック、フォワードトライステート出力、TTL互換入力10ビットバッファ/ドライバ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-94618 REV A-2007 シリコンモノリシック、フォワードトライステート出力、TTL互換入力8ビットバストランシーバー、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-93086 REV A-1996 シリコンモノリシック、TTL互換入力、スリーステート出力を備えた8ビットバストランシーバーおよびレジスタ、改良されたバイポーラ酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93174 REV D-2003 シリコンモノリシック、正トライステート出力、TTL 互換入力 16 ビットバッファ/ドライバ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-93188 REV B-1995 シリコンモノリシック、反転トライステート出力、TTL互換入力8ビットバッファ/ドライバ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-93199 REV B-1999 シリコンモノリシック、反転トライステート出力、TTL互換入力16ビットバッファ/ドライバ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-93218 REV B-2000 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力8ビット透明D型ラッチ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-93219 REV B-2000 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力8ビット透明D型ラッチ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、タイミングおよび待機状態生成回路、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、クワッドバス スリーステート出力バッファ、トランジスタ互換入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96810 REV C-2008 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、バスホールド付き3.3ボルト16ビット透明Dラッチ、トライステート出力およびTTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-94698 REV A-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラ CMOS、18 ビット バス トランシーバおよびレジスタ、トライステート出力および TTL 互換入力を備えたスキャン テスト装置、モノリシック シリコン
• DLA SMD-5962-94587 REV C-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、直列抵抗およびトライステート出力を備えた16ビット非反転バッファ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-94616 REV B-2013 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、オクタルバストランシーバとレジスタを備えたスキャンテスト装置、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-96862 REV A-2008 高速の相補型金属酸化物半導体構造、トライステート出力を備えたクワッドバスバッファゲートで構成される高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96868 REV A-2008 高速の相補型金属酸化物半導体構造、トライステート出力を備えたクワッドバスバッファゲートで構成される高度なバイポーラデジタルシングルシリコンマイクロ回路
• DLA SMD-5962-95647 REV C-2008 モノリシック シリコン TTL 互換入力、三相出力、バス ホールド機能付き 3.3V 16 ビット エッジ トリガ D タイプ フリップフロップ、改良されたバイポーラ CMOS デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94616 REV A-2007 トライステート出力、TTL互換入力バストランシーバーおよびレジスタスキャンテストセットアップ、改良酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を備えたシリコンモノリシックチップ
• DLA SMD-5962-93147 REV A-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、スリーステート出力を備えた 8 ビットエッジトリガー D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93148 REV A-1995 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、クロックイネーブル付き 8 ビットエッジトリガー D タイプ双安定マルチバイブレータ、変性酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93149 REV C-2007 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、スリーステート出力を備えた 8 ビットエッジトリガー D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90616 REV A-2004 シリコンモノリシック、10ビットバスインターフェース双安定マルチバイブレータフリップフロップ、スリーステート出力、改良型低電力ショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路を装備
• DLA SMD-5962-93242 REV B-2001 シリコンモノリシック、逆トライステート出力、TTL互換入力16ビットトランシーバーおよびラッチを装備、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96746 REV A-2003 バイポーラ相補型金属酸化物半導体、8 ビットから 9 ビットのスリーステート出力バス トランシーバー、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96748 REV D-1999 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、3.3 ボルト八角形バス レシーバーおよびレジスタ、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94697 REV D-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、25オーム直列抵抗および反転トライステート出力を備えたオクタルバッファ/ラインドライバ、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA SMD-5962-96748 REV E-2009 マイクロ回路、デジタル、高度なバイポーラCMOS、3.3ボルトオクタルバストランシーバおよびバス保持付きレジスタ、トライステート出力、TTL互換入力、モノリシックシリコン
• DLA MIL-PRF-19500/394 M-2008 2N4150, 2N5237, 2N5238, 2N4150s, 2N5237S, 2N5238s, An, JANTX, Jans, Jansm, Jansd, Jansl, Jansr, Jansg, Janhca, Janhcb, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, JANKCA, Jankca B, Jankcm, JankCエネルギー変換 半導体デバイス、トランジスタ、三極管、シリコンウェーハの標準仕様
• DLA SMD-5962-94586 REV A-2007 スリーステート出力、TTL 互換入力 8 ビット バス トランシーバーおよびレジスタ スキャン テスト セットアップを備えたシリコン モノリシック チップ、改良された酸化物半導体バイポーラ デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94601 REV B-1996 シリコンモノリシック、トライステート出力、TTL互換入力18ビットバストランシーバーおよびレジスタスキャンテストセットアップを装備、改良された酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-94508 REV A-2000 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力9ビットバスインターフェース双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-94528 REV B-2003 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL互換入力16ビットバスインターフェース双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-89663-1989 シリコンモノリシック、バスドライバパリティI/Oポートを備えた9ビットパリティジェネレータ/チェッカー、修正ショットキーTTLバイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-89950 REV A-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、同期リセットクリアキー付きデュアルネガティブエッジトリガー JK フリップフロップ、修正ショットキー TTL、バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96769 REV A-1998 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、10 ビット バス インターフェイス クラス D スリーステート出力ラッチ デバイス、トランジスタ互換入力シリコン モノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-96810 REV B-1998 バイポーラ相補型金属酸化膜半導体、3.3ボルト16ビット透明トライステート出力クラスDラッチデバイス、トランジスタ入力シリコンモノリシック回路デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-90516 REV B-2006 シリコンモノリシック、TTL 互換入力、トライステート出力付き 8 ビット D タイプエッジトリガー双安定マルチバイブレータ、高速酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-93201 REV B-1997 シリコンモノリシック、スリーステート出力、TTL 互換入力 16 ビットエッジトリガ D タイプ双安定マルチバイブレータ、改良型酸化物半導体バイポーラデジタルマイクロ回路を搭載
• DLA SMD-5962-88591 REV C-2008 低電力ショットキー・トランジスタ・トランジスタ・ロジックを使用した高度なバイポーラ・デジタル・シングル・シリコン・マイクロ回路、反転オクタル・バッファおよびトライステート出力を備えたライン・ドライバ

National Association of Corrosion Engineers (NACE), 極端なアイテム

• NACE RP0104-2004 電気防食監視アプリケーションでのクーポンの使用プロジェクト番号 21105
• NACE 35201-2001 陰極保護された金属構造の評価のための外部クーポン データのアプリケーションと説明に関する技術レポート 製品番号 24213

Society of Automotive Engineers (SAE), 極端なアイテム

• SAE AMS6546E-1991 硬質消耗電極溶融鋼板ストリップおよびプレート 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
• SAE AMS6524D-1991 硬質消耗電極溶融鋼板およびストリップおよびプレート 1.0Cr 7.5Ni 4.5Co 1.0Mo 0.09V (0.29-0.34C)
• SAE AMS6439B-1988 硬質消耗電極真空溶解鋼板、帯および板 1.05Cr 0.55Ni 1.0Mo 0.12V (0.42 0.48C)
• SAE AMS6520D-1995 溶体化熱処理、消耗電極溶融マルテンサイト鋼板、帯板、板材 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
• SAE MAM5914A-2003 溶体化処理された消耗電極または真空誘導溶解精密冷間圧延耐食性および耐熱性ニッケル合金シート、ストリップおよび箔 52.5Ni 19Cr 3.0Mo 5.0Cb 0.90Ti 0.50Al 18Fe
• SAE AMS5605F-2013 消耗電極の 1800 ℉ (982℃) 溶体化熱処理またはニッケル合金シート、ストリップ、プレートの高周波溶解 41.5Ni-16Cr-37Fe-2.9Cb-1.8Ti
• SAE AMS5605E-2006 1800°F (982°C) 溶液熱処理された消耗電極または高周波溶解ニッケル合金シート、ストリップおよびプレート 41.5Ni 16Cr 37Fe 2.9Cb(Nb) 1.8Ti
• SAE AMS5605D-2000 1800\mDF (982\mDC) 溶体熱処理消耗電極または高周波溶解ニッケル合金シートおよびストリップおよびプレート 41.5Ni 16Cr 37Fe 2.9Cb 1.8Ti
• SAE J2223/3-1998 道路車両車載用電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件
• SAE J2223/1-1998 道路車両車載用電気ワイヤーハーネスの接続 パート 1: 単極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件
• SAE J2223/1-2011 道路車両車載用電気ワイヤーハーネスの接続 パート 1: 単極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件
• SAE J2223/1-2005 道路車両車載用電気ワイヤーハーネスの接続 パート 1: 単極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件
• SAE J2223/3-1994 道路車両車載用電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの平刃端子の寸法特性と特殊要件
• SAE J2223/3-2003 道路車両車載用電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件
• SAE J2223/1-2003 道路車両車載用電気ワイヤーハーネスの接続 パート 1: 単極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件
• SAE J2223/1-1994 道路車両車載用電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 1: 単極コネクタの平刃端子の寸法特性と特殊要件
• SAE J2223-3-2011 道路車両車載用電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの平刃端子の寸法特性と特殊要件
• SAE AMS5872D-2000 48Ni 20Cr 20Co 5.9Mo 2.2Ti 0.45Al 消耗電極または真空誘導溶解溶液の熱処理された耐熱性および耐食性のニッケル合金シート、ストリップおよびプレート
• SAE AMS5606D-2000 41.5Ni 16Cr 37Fe 2.9Cb 1.8Ti 消耗電極または真空誘導溶解 1750\mDF (954\mDC) 溶液熱処理済みの耐食性および耐熱性合金シート、ストリップおよびプレート
• SAE AMS5597F-2009 耐食性および耐熱性 52.5Ni 19Cr 3.0Mo 5.1Cb (Nb) 0.90Ti 0.50Al 18Fe ニッケル合金のストリップ、シートおよびプレートを消耗電極または真空誘導により 1950°F (1066°C) での溶体化熱処理により溶解します。
• SAE AMS5914A-2001 組成は UNS N07719 と同様で、52.5Ni - 19Cr - 3.0Mo - 5.0Cb - 0.90Ti - 0.50Al - 18Fe、消耗電極または真空誘導溶解、精密冷間圧延および溶体化熱処理耐食性および耐熱性ニッケルを含む合金シート、ストリップおよびフォイル

U.S. Military Regulations and Norms, 極端なアイテム

• ARMY MIL-PRF-55365/12 D (2)-2008 確立された信頼性と非信頼性を備えた CWR15 型有極タンタル固定チップ コンデンサ
• ARMY MIL-PRF-55365/12 E-2011 コンデンサ、チップ、固定、タンタル、分極、確定信頼性および未定信頼性、タイプ CWR15
• ARMY MIL-PRF-55365/13 A-2011 コンデンサ、チップ、固定、タンタル、分極、確定信頼性および未定信頼性、タイプ CWR16
• ARMY MIL-PRF-55365/8 H-2011 コンデンサ、チップ、固定、タンタル、分極、確定信頼性、未定信頼性および高信頼性、タイプ CWR11 (メートル法)
• ARMY MIL-PRF-55365/4 H-2011 コンデンサ、チップ、固定、タンタル、有極 確立信頼性、未確立信頼性、高信頼性タイプ CWR06、CWR09
• ARMY MIL-PRF-55365/11 C-2011 コンデンサ、チップ、固定、タンタル、分極、確立された信頼性、未確立の信頼性および高信頼性、モデル CWR19 および CWR29

SAE - SAE International, 極端なアイテム

• SAE AMS6546F-2001 硬質消耗電極溶融鋼板ストリップおよびプレート 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
• SAE AMS6546E-1995 硬質消耗電極溶融鋼板ストリップおよびプレート 0.48Cr 8.0Ni 4.0Co 0.48Mo 0.09V (0.24-0.30C)
• SAE AMS6524E-2003 硬質消耗電極溶融鋼板およびストリップおよびプレート 1.0Cr 7.5Ni 4.5Co 1.0Mo 0.09V (0.29-0.34C)
• SAE AMS6520D-2001 溶体化熱処理、消耗電極溶融マルテンサイト鋼板、帯板、板材 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
• SAE AMS6520C-1995 溶体化熱処理、消耗電極溶融マルテンサイト鋼板、帯板、板材 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
• SAE AMS6520E-2016 溶体化熱処理、消耗電極溶融マルテンサイト鋼板、帯板、板材 18Ni 7.8Co 4.9Mo 0.40Ti 0.10Al
• SAE AMS5605G-2019 消耗電極の 1800 ℉ (982℃) 溶体化熱処理またはニッケル合金シート、ストリップ、プレートの高周波溶解 41.5Ni-16Cr-37Fe-2.9Cb-1.8Ti
• SAE J2223-1-2005 道路車両車載用電気ワイヤーハーネスの接続 パート 1: 単極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件
• SAE J2223-3-1998 道路車両車載用電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの平刃端子の寸法特性と特殊要件
• SAE J2223-3-2006 道路車両車載用電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの平刃端子の寸法特性と特殊要件
• SAE J2223/3 DRAFT-1994 道路車両用電気ワイヤーハーネスの接続 第 3 部：多極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件に関する技術報告書
• SAE J2223/1 DRAFT-1994 道路車両車載用電気ワイヤーハーネスの接続 第 1 部：単極コネクタの平刃端子の寸法特性と特有の要件に関する技術報告書

American Society for Testing and Materials (ASTM), 極端なアイテム

• ASTM D1830-17 湾曲電極法による電気絶縁用フレキシブルシートの耐熱性の標準試験方法
• ASTM D1830-99 アーク電極法による電気絶縁性フレキシブルシート材の熱安定性の標準試験方法
• ASTM D1830-99(2005) アーク電極法による電気絶縁性フレキシブルシート材の熱安定性の標準試験方法

American National Standards Institute （ANSI), 極端なアイテム

• ANSI/ASTM D1830:1999 アーク電極法による電気絶縁性可撓性シート材の耐熱性試験方法(10.01)
• ANSI/EIA 580AOOO:1991 金属化電極とポリエチレンテレフタレート誘電体を備えた固定チップコンデンサのサブ仕様 注: 1991 年 11 月 7 日に承認

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 極端なアイテム

• KS C IEC 60130-5-2003(2008) MHz (Mc/s) 未満の周波数用コネクタ パート 5: ブレード コンタクト付き角形多極コネクタ
• KS C IEC 60130-6-2003(2008) MHz (Mc/s) 未満の周波数用のコネクタ パート 6: ブレード コンタクト付き長方形小型多極コネクタ
• KS R ISO 8092-3-2003(2018) 道路車両用車載電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: ラグの寸法と多極接続の特別要件
• KS C IEC 60748-2-1:2001 半導体デバイス、集積回路、パート 2: デジタル集積回路、セクション 1: バイポーラ モノリシック デジタル集積ゲート回路 (独立したロジック アレイを除く)
• KS C 6384-3101-2013 電子機器用固定コンデンサその３：個別仕様：固体電解質・多孔質陽極形状の表面実装型タンタルチップコンデンサ I 評価レベル E

SE-SIS, 極端なアイテム

• SIS SS 06 11 01-1990 溶接電極。 炭素鋼、炭素マンガン合金鋼、微量合金鋼、低合金鋼のガスメタルアーク溶接およびメタルアーク溶接用の溶接電極および管状電極。 溶融金属試験片の溶接金属試験
• SIS SS CECC 32200-1988 標準以下。 金属電極とポリエチレンテレフタレート誘電体を用いた直流用チップ固定コンデンサ
• SIS SS 06 13 01-1990 消耗品。 炭素鋼、炭素マンガン鋼、微量合金鋼、低合金鋼のサブマージアーク溶接用の溶接電極およびフラックス。 溶融金属試験片の溶接金属試験
• SIS SS CECC 32201-1988 詳細な仕様については空白です。 金属電極とポリエチレンテレフタレート誘電体を用いた直流用チップ固定コンデンサ

Danish Standards Foundation, 極端なアイテム

• DS/EN ISO 8092-1:1999 道路車両用車載電気ワイヤリングハーネスの接続 Del 1: 単極コネクタの寸法と特定の要件
• DS/EN ISO 8092-3:2000 道路車両用車載電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの寸法と特別要件
• DS/IEC 574-18:1989 オーディオビジュアル、ビデオ、およびテレビの機器およびシステム パート 18: オーディオビジュアル用途向けの自動スライド プロジェクターおよび内蔵トライアック スイッチ用のコネクタ

YU-JUS, 極端なアイテム

• JUS N.R2.624-1980 焼結アノードと固体定常電解質を備えた、保護層のない極性タンタルコンデンサ。 タンタルチップコンデンサ（タイプ3A2）6、3～35V d． c.気候の厳しさ: 55/125

BE-NBN, 極端なアイテム

• NBN-EN 28092-2-1992 翻訳の意味。 スライダーで素早く接続。 パート 2: ユニポーラ接続の接続に関する実験と要件 (ISO 8092:2:1989)

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 極端なアイテム

• DB13/T 5026.3-2019 グラフェン導電性スラリーの物性測定法 その3：スラリー磁極片抵抗率の測定 四探針法

KR-KS, 極端なアイテム

• KS R ISO 8092-3-2003(2023) 道路車両用車載電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: ラグの寸法と多極接続の特別要件

Lithuanian Standards Office , 極端なアイテム

• LST EN ISO 8092-3:2002 道路車両用車載電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 3: 多極コネクタの寸法と特定の要件 (ISO 8092-3:1996)
• LST EN ISO 8092-1:2002 道路車両用車載電気ワイヤリングハーネスの接続 パート 1: 単極コネクタの寸法と特定の要件 (ISO 8092-1:1996)

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TH-TISI, 極端なアイテム

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