전계 효과

모두 349항목의 전계 효과와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 전계 효과와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 개별 장치, 전자 장비용 기계 부품, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 어휘, 반도체 소재, 전송 및 배전망, 판막, 종합 전자 부품, 분석 화학, 페인트 및 바니시, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정.

YU-JUS, 전계 효과

JUS N.R1.353-1979 반도체 장치의 알파벳 기호입니다. 양극성 전계 효과 및 전계 효과 트랜지스터
JUS N.R1.323-1979 반도체 장치의 용어 및 정의. 양극성 전계 효과 및 전계 효과 트랜지스터
JUS N.R1.451-1982 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법의 일반 원칙
JUS N.R1.330-1979 양극성 전계 효과 트랜지스터. 산란 매개변수의 정의
JUS N.R1.391-1979 양극성 전계 효과 트랜지스터. 중요한 등급 및 기능. 파워 튜브
JUS N.R1.373-1980 양극성 전계 효과 트랜지스터. 중요한 등급 및 기능. 저전력 신호 트랜지스터
JUS N.R1.390-1979 양극성 전계 효과 트랜지스터. 중요한 등급 및 기능. 저전력 신호 트랜지스터

Professional Standard - Electron, 전계 효과

SJ 1974-1981 CS1 유형 저주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1975-1981 CS2 유형 저주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1976-1981 CS3 유형 저주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1977-1981 CS4 유형 고주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1978-1981 CS5 유형 고주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1979-1981 CS6 유형 고주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1980-1981 CS7 유형 고주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1981-1981 CS8 유형 고주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1982-1981 CS9 유형 고주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1990-1981 CS20 유형 저주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1991-1981 CS21 유형 저주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1992-1981 CS22 유형 저주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1989-1981 CS19 유형 저주파 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1986-1981 CS13 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1988-1981 CS15 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1984-1981 CS11 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1987-1981 CS14 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1983-1981 CS10 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1985-1981 CS12 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1994-1981 CS24 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 2002-1981 CS32 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 2003-1981 CS33 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 2001-1981 CS31 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1995-1981 CS25 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1997-1981 CS27 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1998-1981 CS28 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 2000-1981 CS30 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 2004-1981 CS34 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1993-1981 CS23 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1996-1981 CS26 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 1999-1981 CS29 유형 저주파 저잡음 전계 효과 반도체 튜브
SJ 20231-1993 Guoyang 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터 Yfs 테스터 교정 규정
SJ 20789-2000 MOS 전계 효과 트랜지스터의 열 매개변수를 신속하게 스크리닝하기 위한 테스트 방법
SJ 2748-1987 마이크로파 저잡음 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
SJ 20232-1993 Guoyang 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터 GP 매개변수 테스터 교정 규정
SJ 2099-1982 CS42 유형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2103-1982 CS46 유형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2104-1982 CS47형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2092-1982 CS35 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2093-1982 CS36형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2094-1982 CS37형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2095-1982 CS38형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2096-1982 CS39형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2097-1982 CS40형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2105-1982 CS48형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2106-1982 CS49형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2107-1982 CS50형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2108-1982 CS51형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 20184-1992 반도체 개별소자 CS3821, 3822, 3823형 전계효과 트랜지스터의 상세사양
SJ 2100-1982 CS43형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2102-1982 CS45형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2098-1982 CS41형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 2101-1982 CS44형 N채널 접합 전계 효과 저전력 반도체 스위칭 트랜지스터
SJ 50033/42-1994 반도체 개별 장치 CSO467 유형 갈륨 비소 마이크로파 전계 효과 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/78-1995 반도체 개별 장치 CS0464 유형 갈륨 비소 마이크로파 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/79-1995 반도체 개별 장치 CS0536 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/120-1997 반도체 개별 장치 CS205 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 20061-1992 반도체 개별 장치 CS146 유형 실리콘 N 채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터 상세 사양
SJ 50033.51-1994 반도체 개별 장치 CS0558 유형 갈륨 비소 마이크로파 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033.52-1994 반도체 개별 장치 CS0529 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033.54-1994 반도체 개별 장치 CS0532 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/119-1997 반도체 개별 장치 CS204 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/81-1995 반도체 개별 장치 CS0524 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/121-1997 반도체 개별 장치 CS3458~CS3460 실리콘 N 채널 접합 전계 효과 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/80-1995 반도체 개별 장치 CS0513 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/122-1997 반도체 개별 장치 CS3684~CS3687 실리콘 N 채널 접합 전계 효과 트랜지스터의 세부 사양
SJ/T 11824-2022 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 등가 정전 용량 및 전압 변화율 테스트 방법
SJ 50033/38-1994 반도체 개별 장치 CS4856~CS4861 실리콘 N채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033.53-1994 반도체 개별 장치 CS0530 및 CS0531 유형 갈륨 비소 마이크로파 전력 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/84-1995 반도체 개별 장치 CS140 유형 실리콘 N-채널 MOS 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/86-1995 반도체 개별 장치 CS5114~CS5116 실리콘 P-채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/83-1995 반도체 개별 장치 CS139 유형 실리콘 P-채널 MOS 향상 모드 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/87-1995 반도체 개별 장치 CS4091~CS4093 실리콘 N채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터의 세부 사양
SJ 50033/85-1995 반도체 개별 장치 CS141 유형 실리콘 N 채널 MOS 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ 50033/106-1996 반도체 개별 장치 CS203 유형 갈륨 비소 마이크로파 저잡음 전계 효과 트랜지스터 상세 사양
SJ 50033/89-1995 반도체 개별 장치 CS6768 및 CS6770 실리콘 N 채널 향상 모드 전계 효과 트랜지스터에 대한 세부 사양입니다.
SJ 50033/88-1995 반도체 개별 장치 CS6760 및 CS6762 실리콘 N 채널 향상 모드 전계 효과 트랜지스터에 대한 세부 사양입니다.
SJ/T 11059-1996 전자 부품 CS4220A 유형 단일 게이트 N 채널 접합 전계 효과 트랜지스터에 대한 세부 사양 (인증 가능)
SJ/T 11057-1996 전자 부품 상세 사양 4CS142형 실리콘 고주파 이중 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(인증 가능)
SJ/T 11055-1996 전자 부품 상세 사양 4CS119 실리콘 고주파 이중 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(인증 가능)
SJ/T 11056-1996 전자 부품 상세 사양 4CS1191 실리콘 고주파 이중 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(인증 가능)
SJ/T 10956-1996 전자 부품 상세 사양 4CS122 실리콘 고주파 이중 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(인증 가능)
SJ/T 10957-1996 전자 부품 상세 사양 4CS103형 실리콘 고주파 이중 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(인증 가능)
SJ/T 11058-1996 전자 부품 상세 사양 4CS1421형 실리콘 고주파 이중 절연 게이트 전계 효과 트랜지스터(인증 가능)
SJ 20011-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 CS1 유형 실리콘 N-채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터.상세 사양
SJ 20012-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 CS4 유형 실리콘 N-채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터.상세 사양
SJ 20013-1992 반도체 개별 장치 GP, GT 및 GCT 등급 CS10 유형 실리콘 N 채널 공핍 모드 전계 효과 트랜지스터 세부 사양
SJ/T 10834-1996 전자 부품 CS111, CS112, CS113, CS114, CS115, CS116 단일 게이트 접합 전계 효과 트랜지스터에 대한 세부 사양(인증 가능)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 전계 효과

KS C 5202-1980(2000) 신뢰성이 보장된 전계 효과 트랜지스터
KS C 5202-2004 신뢰성이 보장된 전계 효과 트랜지스터
KS C IEC 60747-8:2002 반도체 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터
KS C IEC 60747-8:2020 반도체 장치 - 개별 장치 - 부품 8: 전계 효과 트랜지스터

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 전계 효과

JEDEC JEP69-B-1973 전계 효과 트랜지스터 우선 순위 핀 개요
JEDEC JES2-1992 트랜지스터, 갈륨비소 전계 효과 트랜지스터, 일반 사양

CZ-CSN, 전계 효과

CSN 35 8803-1983 전계 효과 트랜지스터. 전기적 매개변수. 측정 방법
CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 반도체 장비. 개별 장비. 8부: 전계 효과 트랜지스터

PL-PKN, 전계 효과

PN T01505 ArkusZ06-1974 전계 효과 트랜지스터 게이트 전류 측정 방법 Icdo
PN T01505 ArkusZ11-1974 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법. 드레인 소스 사고 전압
PN T01505 ArkusZ01-1974 전계 효과. 트랜지스터. 측정 방법. 게이트 소스가 차단되었습니다. 전압값
PN T01501 ArkusZ4-1973 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터 매개변수의 알파벳 기호
PN T01505 ArkusZ10-1974 전계 효과 트랜지스터 U(8R) GSS의 게이트-소스 항복 전압 결정
PN T01505 ArkusZ09-1974 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법. 드레인-소스 항복 전압 U(BR) DSS
PN T01505 ArkusZ12-1974 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법. 단락 입력 컨덕턴스 공통 소스
PN T01505 ArkusZ14-1974 전계 효과. 트랜지스터 측정 방법, 단락 역전이 컨덕턴스 공통 소스
PN T01505-17-1987 전계 효과 트랜지스터 측정 방법. 공통 소스 C22SS 중간 단락 출력 커패시터
PN T01505 ArkusZ02-1974 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법. 게이트 소스 임계 전압. 게이트 소스 임계 전압
PN T01505-16-1987 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법, 공통 소스 CnM의 단락 입력 커패시턴스
PN T01505-19-1987 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법. 잡음 지수 F 및 등가 입력 잡음 전압 U
PN T01505-18-1987 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법. 입력 단락 Cl2j 포함. s의 공통 소스 역전송 커패시턴스
PN T01505-04-1987 관성 유도 시스템의 전계 효과 트랜지스터에 대한 게이트 오프 전류 및 게이트 누설 전류 측정 방법
PN T01505-15-1987 전계 효과 트랜지스터 측정 방법은 전송 및 수신 y21s를 단축하고 공통 소스의 상호 컨덕턴스를 단축합니다.
PN T01505-13-1987 전계 효과 트랜지스터. 측정 방법. 공통 소스 가우스의 단락 출력 어드미턴스 yy22s 및 단락 출력 컨덕턴스
PN T01505-03-1987 특정 특정 게이트-소스 전압 Idsx 및 누설 전류 하에서 전계 효과 트랜지스터 누설 전류 측정 방법. 게이트 소스 단락

RU-GOST R, 전계 효과

GOST 17466-1980 양극성 및 전계 효과 트랜지스터 기본 매개변수
GOST 20398.2-1974 전계 효과 트랜지스터 - 잡음 지수 측정 방법
GOST 20398.3-1974 전계 효과 트랜지스터 - 특성 곡선 측정 방법
GOST 20398.6-1974 전계 효과 트랜지스터 - 게이트 누설 전류 측정 방법
GOST 20398.11-1980 전계 효과 트랜지스터, 잡음 기전력 측정 방법
GOST 20398.0-1983 전계 효과 트랜지스터 - 전기 매개변수 측정을 위한 일반 요구 사항
GOST 20398.8-1974 전계 효과 트랜지스터 - 드레인 개시 전류 측정 방법
GOST 20398.13-1980 전계 효과 트랜지스터 드레인 소스 저항 측정 방법
GOST 20398.12-1980 전계 효과 트랜지스터 -드레인 잔류 전류 측정 방법
GOST 19095-1973 전계 효과 트랜지스터 전기 매개변수 매개변수에 대한 용어, 정의 및 알파벳 기호
GOST 20398.1-1974 전계 효과 트랜지스터 - 직접 전송 전체 어드미턴스 모듈러스 측정 방법
GOST 20398.4-1974 전계 효과 트랜지스터 - 출력 어드미턴스의 활성 구성 요소 측정 방법
GOST 20398.7-1974 전계 효과 트랜지스터 - 문턱 전압 및 차단 전압 측정 방법
GOST 20398.9-1980 전계 효과 트랜지스터 - 펄스 조건에서 특성 곡선을 측정하는 방법
GOST 20398.10-1980 전계 효과 트랜지스터 - 펄스 조건에서 드레인 전류를 측정하는 방법
GOST 20398.5-1974 전계 효과 트랜지스터 - 입력 커패시턴스, 크로스오버 커패시턴스 및 출력 커패시턴스의 측정 방법
GOST 20398.14-1988 전계 효과 트랜지스터. 출력 전력, 전력 증폭 계수 및 드레인 유효 계수의 측정 방법

IET - Institution of Engineering and Technology, 전계 효과

MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994 마이크로파 전계 효과 트랜지스터: 이론적 설계 및 응용
RF MICROW MDL MEAS TECHNQ FLD EFFT TRANSIS-2010 전계 효과 트랜지스터를 위한 RF 및 마이크로파 모델링 및 측정 기술

International Electrotechnical Commission (IEC), 전계 효과

IEC 60747-8:2000 반도체 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터
IEC 60747-8-3:1995 반도체 장치 개별 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터 섹션 3: 케이스 정격 스위칭 전계 효과 트랜지스터에 대한 공백 상세 사양
IEC 60747-8-1:1987 반도체 장치 개별 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터 섹션 1: 5W 및 1GHz 미만의 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 공백 상세 사양
IEC 60747-8-2:1993 반도체 장치 개별 장치 파트 8: 전계 효과 트랜지스터 섹션 2: 인클로저 정격 전력 증폭 전계 효과 트랜지스터 공백 상세 사양
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 반도체 장치 개별 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터
IEC 60747-8:2010 반도체 장치, 개별 장치, 8부: 전계 효과 트랜지스터
IEC 60747-8:2021 반도체 장치 개별 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV 반도체 장치 개별 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터
IEC 60747-8:1984 반도체 장치, 개별 장치, 8부: 전계 효과 트랜지스터
IEC 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
IEC 62417:2010 반도체 장치MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 이동 이온 테스트
IEC TS 62607-6-16:2022 나노제조 중요한 제어 특성 6-16부: 2차원 재료 캐리어 농도: 전계 효과 트랜지스터 방법
IEC 60747-8-4:2004 반도체 개별 장치 8-4부: 전력 스위칭 장치용 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 전계 효과

GB/T 15450-1995 실리콘 듀얼 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
GB/T 6219-1998 반도체 장치 개별 장치 8부, 전계 효과 트랜지스터 1부 공백 1GHz 및 5W 미만의 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 상세 사양
GB/T 15449-1995 케이스 정격 스위칭 애플리케이션을 위한 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양
GB/T 4586-1994 반도체 장치 개별 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터

British Standards Institution (BSI), 전계 효과

BS IEC 60747-8:2010 반도체 장치, 개별 장치, 전계 효과 트랜지스터
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 반도체 장치 디스크리트 장치 전계 효과 트랜지스터
BS IEC 60747-8:2001 개별 반도체 장치 및 집적 회로 전계 효과 트랜지스터 전력 변환 전계 효과 트랜지스터 측정 방법의 추가 전력, 특성 및 기술.
BS QC 750114:1996 전자 부품의 품질 평가를 위한 조화 시스템 반도체 장치 개별 장비 전계 효과 트랜지스터 공백 스위칭 애플리케이션용 케이스 정격 전계 효과 트랜지스터에 대한 상세 사양
BS EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
19/30389766 DC BS IEC 60747-8 AMD1 반도체 장치 개별 장비 파트 8: 전계 효과 트랜지스터
BS EN 62417:2010 반도체 장치 금속 산화물 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)에 대한 마이그레이션 이온 테스트
BS IEC 60747-8-4:2004 반도체 개별 장치, 전력 스위칭 장비용 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터

TH-TISI, 전계 효과

TIS 2124-2002 반도체 장치 개별 장치 파트 8: 전계 효과 트랜지스터 섹션 3: 케이스 등급 스위칭 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
TIS 2122-2002 반도체 장치 개별 장치 8부: 전계 효과 트랜지스터 섹션 1: 최대 1GHz 5와트의 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양입니다.
TIS 2121-2002 반도체 장치, 개별 장치, 8부: 전계 효과 트랜지스터
TIS 2123-2002 반도체 장치 개별 장치 파트 8: 전계 효과 트랜지스터 섹션 2: 인클로저 제한 전력 증폭기용 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.

Defense Logistics Agency, 전계 효과

DLA SMD-5962-89659-1990 전계 효과 트랜지스터 버퍼 선형 하이브리드 마이크로 회로
DLA SMD-5962-01512-2001 모놀리식 실리콘 듀얼 고속 선형 마이크로회로 FET 드라이버
DLA SMD-5962-01520 REV B-2003 모놀리식 실리콘 선형 미세 회로 고전류 FET 드라이버
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 게이트 레벨 보호 기능을 갖춘 맞춤형 전계 효과 트랜지스터 500V 하이브리드 마이크로 회로
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 마이크로 회로, 하이브리드, 맞춤형, 전계 효과 트랜지스터, 500V, 게이트 보호 포함
DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 유형 2N2608, JAN 및 UB
DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 유형 2N2609, JAN 및 UB
DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 유형 2N2609, JAN 및 UB
DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 유형 2N2608, JAN 및 UB
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 600V 또는 500V 동일 게이트 보호 맞춤형 하이브리드 미세 회로 전계 효과 트랜지스터
DLA SMD-5962-97637 REV A-2003 미세 회로, 선형, 빠른 J형 전계 효과 연산 증폭기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-98515 REV C-2006 마이크로회로, 선형, 듀얼 J형 전계 효과 연산 증폭기, 단일 실리콘 조각
DLA MIL-PRF-19500/750-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 2N7507U3 유형, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 2N7507U3 유형, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/748-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 2N7505T3 유형, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/751-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 2N7508U3 유형, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 유형 2N7505T3, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P-채널, 실리콘, 2N7508U3 유형, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 전계 효과 트랜지스터 전산 스피커, 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 고속 전계 효과 트랜지스터 입력 연산 증폭기, 선형 하이브리드 마이크로 회로
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 마이크로 회로, 하이브리드, 맞춤형, 전계 효과 트랜지스터, 600V 또는 500V, 게이트 보호 포함
DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 실리콘 모놀리식, 접합 전계 효과 트랜지스터 고속 연산 증폭기, 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 입력 전계 효과 트랜지스터, 차동 연산 증폭기, 선형 하이브리드 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7537, 2N7537A, JAN 및 JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7537, 2N7537A, JAN 및 JANTX
DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 2N2497~2N2500, 2N3329~2N3332, JANTX 유형의 P형 채널 실리콘 전계 효과 트랜지스터 반도체 장치
DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 2N2497~2N2500, 2N3329~2N3332, JANTX 유형의 P형 채널 실리콘 전계 효과 트랜지스터 반도체 장치
DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 JANTX, JANTXV 및 JANS 2N6966, 2N696, 2N6968 및 2N6969 실리콘 N-채널 전계 효과 트랜지스터 반도체 장치
DLA SMD-5962-98636 REV C-2003 미세 회로, 선형, 방사선 경화, J형 전계 효과 입력 연산 증폭기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 모놀리식 실리콘 보완 스위칭 전계 효과 트랜지스터 드라이버, 방사선 내성 디지털 선형 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/428 G VALID NOTICE 1-2011 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N-채널 실리콘, 유형 2N4416A 및 2N4416AUB, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/547 D-2011 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N-채널, 실리콘, 유형 2N6660 및 2N6661, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/428 H-2011 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N-채널 실리콘, 유형 2N4416A 및 2N4416AUB, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 모놀리식 실리콘 방사선 경화 디지털 비선형 미세 회로 상보형 스위칭 FET 드라이버
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 실리콘 모놀리식 바이메탈 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 실리콘 모놀리식, 접합 전계 효과 트랜지스터, 고속 및 정확한 연산 증폭기, 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 4중 양극 접합 전계 효과 트랜지스터, 연산 증폭기, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 실리콘 모놀리식 작동 강화기, 마이크로파워 접합 전계 효과 트랜지스터 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 실리콘 모놀리식 고속 접합 전계 효과 트랜지스터, 이중 작동 강화 장치, 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 폐쇄 루프 버퍼 증폭기, 입력 전계 효과 트랜지스터, 선형 하이브리드 마이크로 회로
DLA SMD-5962-97633 REV B-2006 미세 회로, 선형, 이중, 저전력 J형 전계 효과 입력 연산 증폭기, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-PRF-19500/430 B VALID NOTICE 2-2008 반도체 장치, 이중 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N5545, 2N5546 및 2N5547, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/430 C-2011 반도체 장치, 이중 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N5545, 2N5546 및 2N5547, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/562 D VALID NOTICE 1-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 실리콘, 2N6804 및 2N6806 유형 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/562 E-2010 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 실리콘, 2N6804 및 2N6806 유형 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/688 B-2012 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N-채널, 실리콘, 유형 2N7002, 2N7002T2 및 2N7002UB, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/562 E (1)-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 실리콘, 2N6804 및 2N6806 유형 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/633 D-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 경화 트랜지스터, P-채널 실리콘, 유형 2N7403 및 2N7404, JANSD 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 2N7292, 2N7294, 2N7296 및 2N7298, JANTXVM, D, R, H 및 JANSM, D 및 R 유형 실리콘 N 채널 방사선 허용(총 양자화 효과만 해당) 전계 효과 트랜지스터 반도체 장치
DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 실리콘 모놀리식, 쿼드 SPST 접합 전계 효과 트랜지스터 아날로그 스위치, 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 이중 전력 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 실리콘 모놀리식 연산 증폭기, 정밀 접합 전계 효과 트랜지스터 입력, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 실리콘 모놀리식 작동 강화기, 이중 마이크로파워 접합 전계 효과 트랜지스터 선형 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/652 B-2008 반도체 장치 N채널 고전압 전계 효과 실리콘 트랜지스터 모델 2N7387 및 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/599 D VALID NOTICE 1-2008 반도체 장치, 쿼드 채널, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 실리콘 유형 2N7335 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 실리콘 모놀리식 고속 연산 증폭기, 이중 정밀 접합 전계 효과 트랜지스터, 선형 마이크로 회로
DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 실리콘 모놀리식 접합 전계 효과 트랜지스터 아날로그 멀티플렉서, 8채널 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 실리콘 모놀리식 접합 전계 효과 트랜지스터 아날로그 멀티플렉서, 16채널 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 실리콘 모놀리식, 접합 전계 효과 트랜지스터 쿼드 고속 정확한 연산 증폭기, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 실리콘 모놀리식 작동 강화기, 4열 마이크로전력 접합 전계 효과 트랜지스터 선형 마이크로회로
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 실리콘 모놀리식 단일 공급 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버 선형 마이크로회로
DLA MIL-PRF-19500/570 D-2009 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 실리콘 로직 레벨, 유형 2N6901 및 2N6903, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 H-2010 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 실리콘, 유형 2N6756, 2N6758, 2N6760, 2N6762, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/566 B VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 실리콘, 논리 레벨, 2N6902 및 2N6904 유형 JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/542 J-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 실리콘, 유형 2N6756, 2N6758, 2N6760, 2N6762, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/542 J (1)-2013 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 실리콘, 유형 2N6756, 2N6758, 2N6760, 2N6762, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/652 C-2013 반도체 장치, 트랜지스터, 고전압, 전계 효과, N 채널, 실리콘, 유형 2N7387 및 2N7387U1, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/431 E-2011 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N-채널, 실리콘, 유형 2N4091, 2N4092, 2N4093, 2N4091UB, 2N4092UB 및 2N4093UB, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/476 E-2012 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 실리콘, 유형 2N5114 ~ 2N5116 및 2N5114UB ~ 2N5116UB, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/675 E-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 하드 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N7463T2, 2N7464T2, 2N7463U5 및 2N7464U5 JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, 포장 플라스틱, N-채널, 실리콘, 유형 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/634 D-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 경화 트랜지스터, N 채널 실리콘, 유형 2N7405, 2N7406, 2N7407 및 2N7408, JANSD 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/476 F-2013 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 실리콘, 유형 2N5114 ~ 2N5116 및 2N5114UB ~ 2N5116UB, JAN, JANTX 및 JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/563 F VALID NOTICE 1-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 실리콘 유형 2N6845, 2N6845U, 2N6847 및 2N6847U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 반도체 장치, 전계 효과, 방사선 경도, 트랜지스터 칩, N 및 P 채널, 실리콘 다양한 유형 JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/660 D-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화 트랜지스터, P 채널 실리콘, 모델 2N7424, 2N7425 및 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR 및 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/660 E-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화 트랜지스터, P 채널 실리콘, 모델 2N7424, 2N7425 및 2N7426, JANTXVR, JANTXVF, JANSR 및 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 C-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 경화 트랜지스터, N-채널 실리콘, 유형 2N7509, 2N7510 및 2N7511, JANTXVD, R 및 JANSD, R
DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 실리콘 모놀리식 접합 전계 효과 트랜지스터 아날로그 멀티플렉서, 4채널 차동 선형 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/570 E-2010 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 실리콘 로직 레벨, 유형 2N6901 및 2N6903, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/676 E-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 모델 2N7465T3 및 2N7466T3 및 U3 접미사, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 반도체 장치, N채널 트랜지스터 전계 효과 방사선 내성(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 실리콘 모델 2N7405, 2N7406, 2N7407 및 2N7408, JANSD 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 반도체 장치, N채널 트랜지스터 전계 효과 방사선 내성(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 실리콘 모델 2N7488T3, 2N7489T3 및 2N7490T3, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 반도체 장치, 전계 효과 방사선 경화 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N7475T1, 2N7476T1 및 2N7477T1(총 선량 및 단일 이벤트 효과), JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 반도체 장치, 전계 효과 방사선 경화 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N7475T1, 2N7476T1 및 2N7477T1(총 선량 및 단일 이벤트 효과), JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 경화 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N7475T1, 2N7476T1 및 2N7477T1(총 선량 및 단일 이벤트 효과), JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/556 K-2010 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N6782, 2N6782U, 2N6784, 2N6784U, 2N6786 및 2N6786U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 반도체 장치 N채널 전계 효과 방사선 경화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 실리콘 트랜지스터 모델: 2N7485U3, 2N7486U3 및 2N7487U3, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, 실리콘, N 채널, 방사선 경도(총 선량 및 단일 사건 효과), 유형 2N7472U2, 2N7473U2 및 2N7474U2, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, P 채널 실리콘, 유형 2N7403 및 2N7404, JANSD 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, P 채널 실리콘 유형 2N7438 및 2N7439 JANSD 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N7497T2, 2N7498T2 및 2N7499T2, JANTXVR 및 JANSR
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 듀얼 채널 광커플러 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 전원 공급 장치용 선형 하이브리드 마이크로 회로
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 고전압 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 연산 증폭기 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N7485U3, 2N7486U3 및 2N7487U3, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/752-2010 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 방사선 경도(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 논리 등급 실리콘, 유형 2N7608T2, JANTXVR, JANTXVF, JANSR 및 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N7485U3, 2N7486U3 및 2N7487U3, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N7488T3, 2N7489T3 및 2N7490T3, JANTXVR 및 JANSR
DLA MIL-PRF-19500/749-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널 방사선 경화(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 실리콘, 유형 2N7506U8 및 2N7506U8C, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVF, JANSR 및 JANSF
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 실리콘 모놀리식 단일 또는 이중 또는 쿼드 컬럼 작동 강화기, 접합 전계 효과 트랜지스터 저전력, 선형 미세 회로
DLA MIL-PRF-19500/375 H-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 공핍 모드, 실리콘, 유형 2N3821, 2N3821UB, 2N3822, 2N3822UB, 2N3823 및 2N3823UB, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/375 J-2011 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과, N 채널, 공핍 모드, 실리콘, 유형 2N3821, 2N3821UB, 2N3822, 2N3822UB, 2N3823 및 2N3823UB, JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS
DLA MIL-PRF-19500/595 K-2013 반도체 장치, 반복적 눈사태, 전계 효과, 트랜지스터, P 채널, 실리콘, 유형 2N7236, 2N7237, 2N7236U 및 2N7237U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 G VALID NOTICE 1-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 및 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 H-2010 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 및 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 J-2010 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 및 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 K-2012 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘 유형 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 및 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/739 A-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화 쿼드 트랜지스터, N-채널 및 P-채널, 실리콘, 유형 2N7518 및 2N7518U, JANTXVR, F 및 JANSR, F
DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 실리콘 모놀리식 연산 증폭기, 저전력 고출력 드라이버, 접합 전계 효과 트랜지스터 입력, 선형 마이크로 회로
DLA MIL-PRF-19500/662 E-2013 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과 방사선 경화 P-채널, 실리콘, 유형 2N7422, 2N7422U, 2N7423 및 2N7423U, JANTXVR 및 F 및 JANSR 및 F
DLA MIL-PRF-19500/662 F-2013 반도체 장치, 트랜지스터, 전계 효과 방사선 경화 P-채널, 실리콘, 유형 2N7422, 2N7422U, 2N7423 및 2N7423U, JANTXVR 및 F 및 JANSR 및 F
DLA MIL-PRF-19500/555 K-2010 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 유형 2N6788, 2N6788U, 2N6790, 2N6790U, 2N6792, 2N6792U, 2N6794 및 2N6794U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JAN HC 및 JANKC
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 2N7467U2,JANTXVR,F,G 및 H 및 JANSR,F,G 및 H형 방사선 내성 N채널 전계 효과 트랜지스터(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 반도체 장치
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 반도체 장치, 전계 효과 방사선 내성(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널, 실리콘, 모델 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR 및 JANSH
DLA MIL-PRF-19500/744-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, N 채널, 방사선 경화(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 논리 등급 실리콘, 유형 2N7616UB, 2N7616UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR 및 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널 실리콘, 유형 2N7509, 2N7510 및 2N7511, JANTXVD, R 및 JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널 실리콘 유형 2N7512, 2N7513 및 2N7514 JANTXVD, R 및 JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 반도체 장치, 전계 효과 방사선 강화(총 선량 및 단일 이벤트 효과) 트랜지스터, N 채널 실리콘, 유형 2N7509, 2N7510 및 2N7511, JANTXVD, R 및 JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/745-2008 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 방사선 경화(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 논리 등급 실리콘, 유형 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR 및 JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 반도체 장치, 전계 효과 트랜지스터, P 채널, 방사선 경화(총 선량 및 단일 이벤트 효과), 논리 등급 실리콘, 유형 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR 및 JANSF

Professional Standard - Aerospace, 전계 효과

QJ 2617-1994 마이크로파 전계 효과 트랜지스터(마이크로파 FET) 쉘 수용 사양

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 전계 효과

JJG(电子) 04006-1987 BJ2913 전계 효과 튜브 매개변수 테스터에 대한 시험 검증 절차
JJG(电子) 04049-1995 Guoyang 이중 게이트 전계 효과 트랜지스터 CX 테스터 교정 규정
JJG(电子) 04046-1995 QC-13 전계 효과 트랜지스터 상호 컨덕턴스 매개변수 테스터에 대한 교정 규정

RO-ASRO, 전계 효과

STAS 12389-1985 전계 효과 트랜지스터. 한계값 및 기본 전기 매개변수 명명
STAS SR CEI 747-8-1993 반도체 장치. 분리 장치. 8부: 전계 효과 트랜지스터
STAS 7128/8-1986 반도체 장치 및 집적 회로에 대한 알파벳 기호입니다. 전계 효과 트랜지스터 기호
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STAS 12124/4-1983 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터, 전기적 정적 매개변수 측정 방법

KR-KS, 전계 효과

KS C IEC 60747-8-2020 반도체 장치 - 개별 장치 - 부품 8: 전계 효과 트랜지스터

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 전계 효과

GJB/Z 41.4-1993 군용 반도체 개별 장치 시리즈 스펙트럼 전계 효과 트랜지스터
GJB 33/24-2021 CS0406-10 실리콘 전계 효과 마이크로파 펄스 전력 트랜지스터의 상세 사양
GJB 33/25-2021 CS0406-350 실리콘 전계 효과 마이크로파 펄스 전력 트랜지스터의 상세 사양
GJB 33/003-1989 반도체 개별 장치용 5W 미만 및 1GHz 미만의 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 전계 효과

EN 62417:2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트 IEC 62373:2006

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 전계 효과

IEEE 539-2020 코로나 관련 용어 정의 및 가공 전력선에 대한 전계 효과
IEEE Std 539-1990 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어에 대한 IEEE 표준 정의
IEEE Std 539-2005 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어에 대한 IEEE 표준 정의
IEEE Std 539-2020 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어에 대한 IEEE 표준 정의
IEEE P539/D6, September 2020 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어에 대한 IEEE 초안 표준 정의
IEEE Std 581-1978 금속-질화물-산화물 전계 효과 트랜지스터의 IEEE 표준 정의, 기호 및 특성화
IEEE P539/D5, April 2020 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어에 대한 IEEE 표준 정의 초안
IEEE Std P539/D7, Jan 2004 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어 정의에 대한 IEEE 초안 표준
IEEE 581-1978 금속-아질산염-산화물 전계 효과 트랜지스터의 IEEE 표준 정의, 기호 및 특성화

IN-BIS, 전계 효과

IS 4400 Pt.10-1983 반도체 장치의 측정 방법 10부 전계 효과 트랜지스터
IS 3700 Pt.10-1982 반도체 장치 X부 전계 효과 트랜지스터의 기본 정격 및 특성

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 전계 효과

QC 750112-1987 반도체 장치 개별 부품 8: 전계 효과 트랜지스터 부품 1 공백 최대 5W 및 1GHz의 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 상세 사양(IEC 747-8-1 ED 1)
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QC 750114-1996 전자 부품의 품질 평가를 위한 조정 시스템 반도체 장치 개별 장치 전계 효과 트랜지스터 스위칭 애플리케이션용 케이스 정격 전계 효과 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양(IEC 747-8-3:1995)

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T/CASAS 015-2022 탄화규소 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(SiC MOSFET) 전력 사이클 테스트 방법
T/CASAS 016-2022 실리콘 카바이드 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(SiC MOSFET) 접합 케이스 열 저항 과도 듀얼 인터페이스 테스트 방법

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 전계 효과

IEEE 539-2005 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어의 표준 정의
IEEE 539-1990 가공 전력선의 코로나 및 전계 효과와 관련된 용어의 표준 정의

American National Standards Institute （ANSI), 전계 효과

ANSI/IEEE 539:2005 가공 전력선에 대한 코로나 및 자기장 효과와 관련된 용어의 표준 정의

Association Francaise de Normalisation, 전계 효과

NF C80-203*NF EN 62417:2010 반도체 장치MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 이동 이온 테스트
NF C96-051*NF EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
NF C96-008:1985 반도체 장치, 개별 장치 및 집적 회로 8부: 전계 효과 트랜지스터
NF EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
NF EN 62417:2010 반도체 장치 - 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트
NF C86-712:1981 전자 부품 품질 평가 조정 시스템 빈 세부 사양 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터

German Institute for Standardization, 전계 효과

DIN EN 62373:2007 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
DIN EN 62373:2007-01 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
DIN EN 62417:2010-12 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
DIN 55659-2:2012 페인트 및 바니시 pH 값 결정 파트 2: 이온 감지 전계 효과 트랜지스터(ISFET)가 있는 pH 전극

Danish Standards Foundation, 전계 효과

DS/EN 62373:2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
DS/EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)

ES-UNE, 전계 효과

UNE-EN 62373:2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
UNE-EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)

Lithuanian Standards Office , 전계 효과

LST EN 62373-2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트(IEC 62373:2006)
LST EN 62417-2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트(IEC 62417:2010)

未注明发布机构, 전계 효과

BS EN 150012:1993(2000) 전자 부품 품질 평가를 위한 조정 시스템 사양 공백 단일 게이트 전계 효과 트랜지스터에 대한 상세 사양

American Society for Testing and Materials (ASTM), 전계 효과

ASTM F616M-96 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 누설 전류를 측정하기 위한 표준 테스트 방법(미터법 단위)
ASTM F616M-96(2003) MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 누설 전류를 측정하기 위한 표준 테스트 방법(미터법 단위)