단결정 실리콘 검출

모두 251항목의 단결정 실리콘 검출와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 단결정 실리콘 검출와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 소재, 태양광 공학, 광학 장비, 금속 재료 테스트, 비철금속, 방사선 측정, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 배터리 및 축전지, 산업안전, 산업위생, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 주파수 제어 및 선택을 위한 압전 및 유전체 장치, 반도체 개별 장치, 전자 디스플레이 장치, 무기화학, 내화물, 분석 화학, 공기질, 연료, 철강 제품, 비파괴 검사, 금속 광석, 어휘, 길이 및 각도 측정, 전등 및 관련 기기, 농업 및 임업, 토양질, 토양과학, 비금속 광물, 포괄적인 테스트 조건 및 절차, 전기 장비 부품, 광학 및 광학 측정, 화학 제품.

Professional Standard - Electron, 단결정 실리콘 검출

SJ/T 11500-2015 탄화규소 단결정 결정 배향 시험 방법
SJ/T 11501-2015 탄화규소 단결정 형태의 시험 방법
SJ/T 11499-2015 탄화규소 단결정의 전기적 특성 시험 방법
SJ/T 11504-2015 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 테스트 방법
SJ 20858-2002 탄화규소 단결정 재료의 전기적 변수에 대한 테스트 방법
SJ/T 11503-2015 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 거칠기 시험 방법
SJ/T 11494-2015 실리콘 단결정의 III-V 불순물에 대한 광발광 테스트 방법
SJ/T 2429-1983 우주용 단결정 실리콘 태양전지의 전기적 성능 시험 방법
SJ/T 2428-1983 우주용 표준 단결정 실리콘 태양전지 교정
SJ 3244.3-1989 갈륨비소 및 인듐인 단결정의 결정방위 측정방법
SJ 3245-1989 인듐인화물 단결정의 전위 측정 방법
SJ/T 11207-1999 이트륨철석류석 단결정 자성막의 자기특성 측정방법
SJ/T 10625-1995 게르마늄 단결정의 격자간 산소 함량에 대한 적외선 흡수 측정 방법

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

DB61/T 512-2011 태양전지용 단결정 실리콘 웨이퍼 검사 규칙
DB61/T 511-2011 태양전지용 단결정 실리콘 로드 검사규칙

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 단결정 실리콘 검출

GB/T 1551-2009 실리콘 단결정 저항률 측정 방법
GB/T 31351-2014 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 마이크로튜브 밀도에 대한 비파괴 검사 방법
GB/T 41765-2022 탄화규소 단결정의 전위밀도 시험방법
GB/T 26066-2010 실리콘 웨이퍼의 얕은 부식 피트를 탐지하는 테스트 방법
GB/T 30866-2014 실리콘 카바이드 단일 웨이퍼 직경 테스트 방법
GB/T 32278-2015 실리콘 카바이드 단일 웨이퍼 평탄도 테스트 방법
GB/T 42263-2022 2차 이온 질량 분석법을 통한 실리콘 단결정의 질소 함량 측정
GB/T 1552-1995 인라인 4개 프로브 방법을 사용한 실리콘 및 게르마늄 단결정 저항률 측정
GB/T 1551-1995 실리콘 및 게르마늄 단결정의 저항률을 측정하는 DC 2탐침 방법
GB/T 24574-2009 실리콘 단결정의 III-V족 불순물에 대한 광발광 시험 방법
GB/T 30868-2014 화학적 에칭 방법에 의한 탄화규소 단일 웨이퍼의 마이크로튜브 밀도 측정
GB/T 42271-2022 반절연 탄화규소 단결정의 비저항 비접촉 시험 방법
GB/T 30867-2014 탄화규소 단일 웨이퍼의 두께 및 전체 두께 변화에 대한 테스트 방법
GB/T 35306-2023 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용한 실리콘 단결정의 탄소 및 산소 함량 측정
GB/T 42676-2023 반도체 단결정 품질검사 X선 회절법
GB/T 24581-2009 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용한 실리콘 단결정의 III족 및 V족 불순물 함량 측정 시험 방법
GB/T 19421.2-2003 층상 결정질 이규산나트륨의 시험 방법 - 백색도 측정
GB/T 18210-2000 결정질 실리콘 광전지(PV) 어레이의 IV 특성 현장 측정
GB/T 19421.3-2003 층상 결정질 이규산나트륨에 대한 시험 방법 - pH 측정
GB/T 8760-2006 갈륨비소 단결정의 전위밀도 측정방법
GB 8760-1988 갈륨비소 단결정의 전위밀도 측정방법
GB/T 25188-2010 X선 광전자 분광법을 이용한 실리콘 웨이퍼 표면의 초박형 실리콘 산화물 층 두께 측정
GB/T 1557-2006 실리콘 결정의 격자간 산소 함량에 대한 적외선 흡수 측정 방법
GB/T 32189-2015 질화갈륨 단결정 기판의 표면 거칠기의 원자력 현미경 검사 방법
GB 11297.7-1989 안티몬화인듐 단결정의 저항률 및 홀 계수 측정 방법
GB/T 43315-2023 실리콘 웨이퍼의 흐름 패턴 결함을 검출하기 위한 부식 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 단결정 실리콘 검출

KS D 2715-2006 단결정 실리콘 및 다결정 실리콘 나노/마이크로필름의 인장 시편
KS C 0256-2002 4-프로브법을 이용한 실리콘 단결정 및 실리콘 웨이퍼의 비저항 측정 방법
KS D 0260-1999 단결정 실리콘 웨이퍼의 저항률을 테스트하기 위한 4점 프로브 방법
KS D 0260-1989(1994) 4점 프로브를 이용한 단결정 실리콘 웨이퍼의 비저항 테스트 방법
KS C 0256-2002(2017) 4점 프로브를 이용한 실리콘 결정 및 실리콘 웨이퍼의 비저항 테스트 방법
KS D 0257-2002(2022) 실리콘 단결정의 소수 캐리어 수명을 측정하기 위한 광전도 감쇠 방법
KS D 0257-2002 광전도도 감쇠 측정법을 이용한 실리콘 단결정의 소수 캐리어 수명 결정 방법
KS C IEC 62276:2019 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법
KS C 0256-2002(2022) 실리콘 결정 및 실리콘 웨이퍼 저항률에 대한 4점 프로브 테스트 방법
KS C IEC/TS 62804-1-2016(2021) 태양광 모듈 잠재적으로 유발된 성능 저하 감지를 위한 테스트 방법 1부: 결정질 실리콘
KS C IEC/TS 62804-1:2016 광전지(PV) 모듈 "잠재적 유발 열화 감지를 위한 테스트 방법" 1부: 결정질 실리콘
KS C IEC 61829-2016(2021) 결정질 실리콘 광전지 어레이의 IV 특성 현장 측정
KS C 7110-2007(2022) 액정 디스플레이 장치 - 액정 디스플레이 백라이트 장치의 측정 방법
KS C IEC 61747-20-1-2015(2020) 액정 디스플레이 장치 - 제20-3부: 육안 검사 - 흑백 LCD 디스플레이 장치(모든 활성 매트릭스 액정 장치 제외)
KS D 0258-2012(2022) 우선적인 에칭 기술을 사용하여 실리콘의 결정 결함을 테스트하는 방법
KS I ISO 24095:2012 작업장 공기 결정질 실리카의 호흡 저항 측정 기준
KS D 0258-2012(2017) 우선적 식각 기술을 이용한 실리콘의 결정 결함 테스트 방법
KS D 0070-2002(2022) 단일 시편을 이용한 비정질 금속의 자성을 시험하는 방법
KS M ISO 1620:2002 천연 및 인공 빙정석 실리카 함량 측정 감소된 규소몰리브덴산염 분광광도법
KS M ISO 1620-2002(2012) 천연 및 인공 빙정석의 실리카 함량 측정 감소된 규소몰리브덴산염 분광광도법
KS M ISO 1620:2013 천연 및 인공 빙정석의 실리카 함량 측정 감소된 규소몰리브덴산염 분광광도법
KS D 0078-2008(2018) 불순물 농도 측정을 위한 실리콘 결정의 광발광 분광법 테스트 방법
KS C IEC 60444-2-2002(2022) p-네트워크에서 영위상 기술을 사용하여 수정석 단위 매개변수 측정 2부: 수정석 단위 이동 정전용량 측정을 위한 위상 변이 방법
KS D 0070-2002(2017) 단일 시편을 이용한 비정질 금속의 자기특성 측정 시험방법

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

JJG 48-1990 실리콘 단결정 저항률 표준 샘플의 교정 절차

German Institute for Standardization, 단결정 실리콘 검출

DIN V VDE V 0126-18-3:2007 태양광 실리콘 웨이퍼 3부: 결정질 실리콘 웨이퍼의 알칼리성 부식 손상 단결정 및 다결정 실리콘 웨이퍼의 부식 속도 결정 방법.
DIN 50434:1986 반도체 공정 재료 검사 (111) 및 (100) 표면 식각 기법을 이용한 단결정 실리콘의 결정 구조 결함 확인
DIN 50443-1:1988 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 1부: X선 프로파일로법을 통한 반도체 단결정 실리콘의 결정 결함 및 불균일 검출
DIN 50431:1988 반도체 재료의 테스트 프로브를 직선으로 배열한 4-프로브/DC 방식을 사용하여 단결정 실리콘 또는 게르마늄 단결정의 저항률을 측정합니다.
DIN EN 60444-9:2007-12 석영 결정 단위의 매개 변수 측정 9부: 압전 수정 단위의 기생 공명 측정
DIN EN 60444-8:2017-11 석영 크리스털 장치 매개변수 측정 8부: 표면 실장 석영 크리스털 장치용 테스트 픽스처
DIN 50453-1:2023-08 반도체 기술용 재료 테스트 - 에칭 혼합물의 에칭 속도 결정 - 1부: 실리콘 단결정, 중량법
DIN 50446:1995 반도체 공정 재료 검사 실리콘 결정 에피층의 결함 유형 및 결함 밀도 결정
DIN EN 60444-7:2004-11 석영 크리스털 유닛 매개변수 측정 - 파트 7: 석영 크리스털 유닛의 활동 및 주파수 딥 측정
DIN EN 61829:1999 결정질 실리콘 광전지(PV) 매트릭스의 IV 특성 현장 측정
DIN IEC/TS 62804-1:2017 광전지(PV) 모듈 전위 유발 감쇠를 감지하기 위한 테스트 방법 1부: 결정질 실리콘(IEC/TS 62804-1-2015)
DIN EN 62276:2017-08 표면 탄성파(SAW) 장치 애플리케이션을 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
DIN EN IEC 62276:2023-05 표면 탄성파(SAW) 장치 애플리케이션을 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
DIN 51798:2018 액체연료 검사, 순수 벤젠의 결정화점 측정
DIN 51798:2005 액체연료 검사, 순수 벤젠의 결정화점 측정
DIN EN 13925-3:2005-07 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 대한 비파괴 검사 3부: 계측
DIN EN 13925-2:2003-07 비파괴 검사 - 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절 - 2부: 절차
DIN 50454-1:2000 반도체 공정 재료 검사 III-V 화합물 단결정의 전위 측정 1부: 갈륨 비소
DIN 51075-4:1982 세라믹 재료 테스트 탄화규소의 화학적 분석 유리 실리콘 함량 측정
DIN 50433-3:1982 반도체 공정 재료 조사 3부: Laue 후방 산란법을 통한 단결정 방향 결정
DIN EN 13925-1:2003-07 비파괴 검사 - 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절 - 1부: 일반 원리
DIN 53736:1973 플라스틱 검사 결정성 플라스틱의 녹는점 육안 검사
DIN 50440:1998 반도체 공정 재료 테스트 실리콘 단결정의 캐리어 수명 측정 광전도법에 의한 마이크로젯의 복합 캐리어 수명 측정

Group Standards of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

T/IAWBS 010-2019 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 및 마이크로튜브 밀도 검출 방법 - 레이저 산란 검출 방법
T/IAWBS 014-2021 탄화규소 단결정 연마웨이퍼의 전위밀도 시험방법
T/CAB 0181-2022 규산루테튬과 규산이트륨의 섬광 단결정의 특성변수 측정방법
T/IAWBS 016-2022 탄화규소 단결정 웨이퍼의 X선 트윈 로킹 곡선의 반높이 폭 시험 방법
T/CNIA 0018-2019 폴리실리콘 공장의 화재 제한 안전 점검 작업에 대한 사양
T/IAWBS 013-2019 반절연 탄화규소 단일 웨이퍼의 비저항 측정 방법
T/IAWBS 011-2019 전도성 탄화규소 단일 웨이퍼 저항률 측정 방법 - 비접촉 와전류 방법
T/ZJSEE 0010-2023 태양광발전소의 결정질 실리콘 부품에 대한 전계발광 검출 및 결함 판정 방법
T/CASAS 013-2021 탄화규소 웨이퍼 전위 밀도 검출 방식 KOH 부식과 이미지 인식 방식 결합
T/IAWBS 008-2019 SiC 웨이퍼의 잔류응력 검출방법
T/ZSA 38-2020 SiC 웨이퍼의 잔류응력 검출방법
T/CNIA 0017-2019 유도 결합 플라즈마 질량 분석법을 통한 다결정 실리콘용 클로로실란의 불순물 함량 측정
T/SBX 039-2020 알킬 비페닐 시안화물 액정 단량체의 순도 측정
T/SBX 026-2019 시차주사열량계를 이용한 액정 단량체의 녹는점 측정
T/CPIA 0009-2019 전자발광 이미징을 이용한 결정질 실리콘 태양광 모듈의 결함 검출 방법
T/CNIA 0060-2020 가스 크로마토그래피를 이용한 다결정 실리콘의 수소 가스 내 포스핀 함량 측정
T/IAWBS 018-2022 다이아몬드 단결정 연마웨이퍼의 전위밀도 시험방법
T/IAWBS 012-2019 탄화규소 단결정 연마 웨이퍼의 표면 품질 및 마이크로튜브 밀도 테스트 방법 - 공초점 차동 간섭 광학 방법
T/SBX 041-2021 가스 크로마토그래피를 이용한 삼환계 아세틸렌 액정 단량체의 순도 측정
T/SBX 044-2021 가스 크로마토그래피를 이용한 터페닐 액정 단량체의 순도 측정
T/SBX 070-2022 가스 크로마토그래피를 이용한 알킬비페닐 액정 단량체의 순도 측정

Association Francaise de Normalisation, 단결정 실리콘 검출

NF C57-203*NF EN 50513:2009 태양광 실리콘 웨이퍼 태양전지 생산용 결정질 실리콘에 대한 데이터 시트 및 제품 정보 결정질 실리콘 웨이퍼
NF EN 62276:2018 표면탄성파(OAS) 장치를 사용하는 애플리케이션을 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 사양 및 측정 방법
NF C93-616*NF EN 62276:2018 표면 탄성파(SAW) 장치 애플리케이션을 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
NF X43-208:2010 작업장 공기 - 호흡 가능한 결정질 실리카 측정 가이드
NF X43-208*NF ISO 24095:2021 작업장 공기 중 호흡 가능한 결정질 실리카 측정 지침
NF EN 1330-11:2007 비파괴 검사 - 용어 - 파트 11: 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절
NF C57-331*NF EN IEC 63202-1:2019 태양광 전지 1부: 결정질 실리콘 태양광 전지의 광유도 열화 측정
NF EN IEC 63202-1:2019 광전지 - 1부: 결정질 실리콘 광전지의 광유도 분해 측정
NF EN 13925-3:2005 비파괴 검사 - 다결정 및 비정질 재료에 적용되는 X선 회절 - 3부: 장비

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 단결정 실리콘 검출

GJB 2918-1997 검출기 등급 고저항 영역 융합 실리콘 모놀리스에 대한 사양
GJB 2918A-2017 검출기 등급 고저항 구역의 용융 실리콘 단결정 연마 웨이퍼 사양

RU-GOST R, 단결정 실리콘 검출

GOST 24392-1980 단결정 실리콘 및 게르마늄 4개 프로브 방법을 통한 저항률 측정
GOST 8.592-2009 균일한 측정을 보장하는 국가 시스템 단결정 실리콘 나노미터 진폭 감소 측정 형상, 라인 치수 및 제조 재료 요구 사항

American Society for Testing and Materials (ASTM), 단결정 실리콘 검출

ASTM F847-94(1999) 단결정 실리콘 웨이퍼 기준면의 결정학적 방향에 대한 X선 측정을 위한 표준 테스트 방법
ASTM F374-00a 단일형 프로그래밍된 인라인 4포인트 프로브 방식을 이용한 실리콘 에피층, 확산층, 폴리실리콘층 및 이온주입층의 면저항을 측정하는 테스트 방법
ASTM F951-01 실리콘 웨이퍼의 방사상 격자간 산소 변화를 측정하기 위한 표준 테스트 방법
ASTM D6058-96(2011) 작업 환경에서 공기 중 단결정 세라믹 위스커 농도를 측정하기 위한 표준 작업 절차
ASTM D6058-96(2016) 작업 환경에서 공기 중 단결정 세라믹 위스커 농도를 측정하기 위한 표준 작업 절차
ASTM F1390-97 자동 비접촉 스캐닝 방식에 의한 실리콘 웨이퍼의 핀 곡률 측정 테스트 방법
ASTM F1239-94 격자간 산소 감소를 측정하여 실리콘 웨이퍼의 산소 침전을 특성화하기 위한 표준 테스트 방법
ASTM D3942-03(2013) 포자사이트 제올라이트의 단위 격자 크기 결정을 위한 표준 시험 방법

British Standards Institution (BSI), 단결정 실리콘 검출

PD IEC/TS 62804-1:2015 광전지(PV) 모듈 결정질 실리콘의 잠재적으로 유발된 열화를 감지하는 테스트 방법
PD IEC TS 62804-1-1:2020 광전지(PV) 모듈의 결정질 실리콘 박리에서 잠재적으로 유발된 열화를 감지하는 테스트 방법
BS PD IEC/TS 62804-1:2015 태양광(PV) 모듈 전위에 의한 열화 감지 테스트 방법 결정질 실리콘
BS EN IEC 63202-1:2019 결정질 실리콘 태양전지의 광유도 열화 측정
BS EN 60444-2:1997 수정결정 단위 매개변수 측정 위상변이법 수정결정 소자의 동적 정전용량 측정
BS ISO 24095:2010 작업장 공기 중 호흡 가능한 결정질 실리카 측정 지침
BS ISO 24095:2009 작업장 공기 호흡 가능한 결정질 실리카 측정 지침
BS ISO 24095:2021 작업장 공기 중 호흡 가능한 결정질 실리카 측정 지침
23/30468947 DC BS EN 62276 표면탄성파(SAW) 장치 응용 분야를 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
PD IEC TS 63202-4:2022 결정질 실리콘 광전지의 광전지 및 고온 유발 열화 측정
BS EN IEC 60444-6:2021 석영 크리스탈 셀 매개변수 측정 드라이브 레벨 종속(DLD) 측정
BS EN 60444-2:1993 수정 소자의 매개변수 결정 파트 2: 위상 편차 방법에 의한 수정 소자의 동적 정전 용량 측정
20/30348162 DC 작업장 공기 중 호흡 가능한 결정질 실리카 측정을 위한 BS ISO 24095 가이드

Xinjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

DB65/T 3486-2013 태양광 등급 다결정 실리콘 블록의 적외선 결함 탐지 방법

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 단결정 실리콘 검출

JIS H 0604:1995 광전도 감쇠법을 이용한 실리콘 단결정의 소수 캐리어 수명 측정
JIS H 0609:1999 선호되는 에칭 기술을 사용하여 실리콘의 결정 결함을 검출하는 테스트 방법
JIS H 0602:1995 4점 탐침법을 이용한 실리콘 결정 및 실리콘 웨이퍼 저항률 테스트 방법
JIS K 0555:1995 고순도수 내 실리콘 정량을 위한 검출방법
JIS H 0615:2021 광발광 분광법을 이용한 실리콘 결정의 불순물 농도 측정 시험 방법
JIS H 0615:1996 광발광 분광법을 이용한 실리콘 결정의 불순물 농도 측정 시험 방법
JIS H 7152:1996 단판시험기를 이용한 비정질 금속의 자기특성 측정방법

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 단결정 실리콘 검출

GB/T 37213-2018 실리콘 잉곳 크기를 측정하는 레이저 방법
GB/T 1551-2021 직류 4탐침법과 직류 2탐침법을 이용한 실리콘 단결정의 저항률 측정
GB/T 41153-2021 2차 이온 질량분석법을 통한 탄화규소 단결정의 붕소, 알루미늄 및 질소 불순물 함량 측정
GB/T 24581-2022 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 통한 실리콘 단결정의 III족 및 V족 불순물 함량 측정
GB/T 5252-2020 게르마늄 단결정의 전위밀도 시험방법
GB/T 8760-2020 갈륨비소 단결정의 전위밀도 측정방법
GB/T 1557-2018 실리콘 결정의 격자간 산소 함량에 대한 적외선 흡수 측정 방법
GB/T 36655-2018 전자 포장재용 구형 실리카 미세분말 내 α상 결정질 실리카 함량 시험 방법 XRD 방법

Defense Logistics Agency, 단결정 실리콘 검출

DLA SMD-5962-87803 REV D-2011 마이크로회로, 선형, 위상 주파수 검출기, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/04648 REV B-2010 마이크로회로, 선형, 전압 검출기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-11239-2013 마이크로회로, 선형, 전력 검출기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-11239 REV A-2013 마이크로회로, 선형, 전력 검출기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-89780 REV A-2010 미세 회로, 선형, 과전압 감지 회로, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-87560 REV F-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로를 이미터 결합 논리, 디지털 미세 회로로 변환
DLA SMD-5962-87508 REV E-2006 실리콘 모놀리식 이미터 결합 논리를 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로, 디지털 미세 회로로 변환
DLA SMD-5962-89842 REV B-2005 실리콘 모놀리식, 프로그래밍 가능 전압 검출기, 선형 미세 회로
DLA SMD-5962-98621-1998 미세회로, 디지털형, 하이브리드 CMOS, 수정수정 발생기, 모놀리식 실리콘
DLA DSCC-VID-V62/11607 REV B-2011 마이크로회로, 디지털, 위상 검출기/주파수 합성기, 모놀리식 실리콘
DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 실리콘 모놀리식 오류 감지 및 수정을 위한 단위 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 양극 저전력 트랜지스터 육각형 슈미트 트리거 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
DLA DSCC-VID-V62/09633-2011 프로그래밍 가능한 전압 감지 기능을 갖춘 마이크로 회로, 디지털, 마이크로프로세서 전압 모니터, 모놀리식 실리콘
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 모놀리식 실리콘 고전압 개방형 컬렉터 출력 저전력 트랜지스터 트랜지스터 논리 디지털 마이크로회로(버퍼/드라이버 포함)
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 저전력 Shawkent 트랜지스터, 포지티브 NAND 게이트 및 단일 실리콘 다이를 갖춘 고급 바이폴라 디지털 마이크로회로
DLA SMD-5962-91530 REV A-2006 실리콘 모놀리식 육각형 트랜지스터 트랜지스터 논리를 이미터 결합 논리, 이미터 결합 논리, 디지털 마이크로 회로로 변환기
DLA SMD-5962-91531 REV A-2004 실리콘 모놀리식 육각형 트랜지스터 트랜지스터 논리를 이미터 결합 논리, 이미터 결합 논리, 디지털 마이크로 회로로 변환기
DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 양극성 고급 트랜지스터, 4중 클래스 D 쌍안정 멀티바이브레이터 실리콘 모놀리식 선형 마이크로회로
DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 JAN, JANTX, JANTXV 및 JANS 2N6989, 2N6989U 및 2N6990 4-트랜지스터 어레이 스위치 실리콘 NPN 단위형 반도체 장치

KR-KS, 단결정 실리콘 검출

KS C IEC 62276-2019 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법
KS C IEC/TS 62804-1-2016 태양광(PV) 모듈 - 잠재적인 저하를 감지하기 위한 테스트 방법 - 1부: 결정질 실리콘
KS C IEC 61829-2016 결정질 실리콘 광전지 어레이의 IV 특성 현장 측정
KS C IEC 60444-9-2016 수정 소자의 매개변수 측정 - 파트 9: 압전 수정 소자의 기생 공진 결정
KS C IEC 61080-2018(2023) 석영 크리스털 장치의 등가 전기 매개변수 측정 가이드

International Electrotechnical Commission (IEC), 단결정 실리콘 검출

IEC 62276:2016 표면 탄성파(Saw)를 위한 단결정 실리콘 웨이퍼 장치 응용 - 사양 및 측정 방법
IEC TS 62804-1:2015 태양광 모듈 잠재적으로 유발된 성능 저하 감지를 위한 테스트 방법 1부: 결정질 실리콘
IEC TS 62804-1-1:2020 태양광 모듈 잠재적으로 유발된 열화 감지를 위한 테스트 방법 파트 1-1: 결정질 실리콘 박리
IEC 63202-1:2019 태양광전지 1부: 결정질 실리콘 태양전지의 광분해 측정

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 단결정 실리콘 검출

GB/T 35306-2017 저온 푸리에 변환 적외선 분광법을 이용한 실리콘 단결정의 탄소 및 산소 함량 측정

CZ-CSN, 단결정 실리콘 검출

CSN 34 5941-1984 갈륨비소 및 갈륨인화물 단결정 실리콘. 저항률 및 홀 계수 결정

Professional Standard - Non-ferrous Metal, 단결정 실리콘 검출

YS/T 1600-2023 글로우 방전 질량분석법을 이용한 탄화규소 단결정의 미량 불순물 원소 함량 측정
YS/T 14-2015 헤테로에피텍셜층 및 실리콘 다결정층의 두께를 측정하는 방법
YS/T 14-1991 헤테로에피텍셜층 및 실리콘 다결정층의 두께를 측정하는 방법
YS/T 983-2014 다결정실리콘 환원로 및 수소화로의 배기가스 성분 측정 방법

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

DB15/T 1241-2017 가스 크로마토그래피를 이용한 실란법으로 생산된 다결정 실리콘의 테일가스 내 실란 함량 측정

工业和信息化部, 단결정 실리콘 검출

YS/T 1290-2018 가스 크로마토그래피를 통한 다결정 실리콘 생산 테일 가스의 실란 함량 측정
YB/T 4766-2019 내화물용 산업용 실리콘의 원소 실리콘 및 실리카 측정 방법

Danish Standards Foundation, 단결정 실리콘 검출

DS/EN 60444-9:2007 석영 크리스탈 유닛의 매개변수 측정 9부: 압전 크리스탈 유닛의 스퓨리어스 공진 측정
DS/EN 61829:1999 결정질 실리콘 광전지(PV) 어레이의 IV 특성에 대한 현장 측정
DS/EN 62276:2013 표면 탄성파(SAW) 장치 애플리케이션을 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
DS/EN 13925-2:2003 X선 회절을 이용한 다결정 및 비정질 재료의 비파괴 검사 2부: 절차
DS/EN 13925-3:2005 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 대한 비파괴 검사 3부: 계측
DS/EN 1330-11:2007 비파괴 검사 용어 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 사용되는 용어
DS/EN 13925-1:2003 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 대한 비파괴 검사 1부: 일반 원리

Professional Standard - Commodity Inspection, 단결정 실리콘 검출

SN/T 0480.7-1995 중정석 분석법 수출, 실리카 측정

Qinghai Provincial Standard of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

DB63/T 1781-2020 발전소 현장의 결정질 실리콘 태양전지 모듈의 숨겨진 결함 탐지를 위한 기술 사양

Lithuanian Standards Office , 단결정 실리콘 검출

LST EN 60444-9-2007 수정 수정 장치의 매개변수 측정 파트 9: 압전 수정 수정 장치의 기생 공진 측정(IEC 60444-9:2007)
LST EN 60444-8-2004 수정 크리스탈 장치의 매개변수 측정 파트 8: 표면 실장 수정 수정 장치용 테스트 장치(IEC 60444-8:2003)
LST EN 60444-7-2004 수정 크리스탈 단위 매개변수 측정 7부: 수정 수정 단위 활동 및 주파수 딥 측정(IEC 60444-7:2004)
LST EN 61829-2001 결정질 실리콘 광전지(PV) 어레이의 IV 특성에 대한 현장 측정(IEC 61829:1995)
LST EN 13925-3-2005 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 대한 비파괴 검사 3부: 계측
LST EN 13925-2-2004 X선 회절을 이용한 다결정 및 비정질 재료의 비파괴 검사 2부: 절차
LST EN 1330-11-2007 비파괴 검사 용어 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 사용되는 용어
LST EN 62276-2006 표면 탄성파(SAW) 장치 응용 분야를 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법(IEC 62276:2005)
LST EN 62276-2013 표면 탄성파(SAW) 장치 응용 분야를 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법(IEC 62276:2012)
LST EN 13925-1-2004 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 대한 비파괴 검사 1부: 일반 원리

ES-UNE, 단결정 실리콘 검출

UNE-EN 60444-9:2007 수정 수정 장치의 매개변수 측정 파트 9: 압전 수정 수정 장치의 기생 공진 측정(IEC 60444-9:2007)
UNE-EN 62276:2016 표면 탄성파(SAW) 장치 애플리케이션을 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
UNE-EN IEC 63202-1:2020 태양광 전지 1부: 결정질 실리콘 태양광 전지의 광유도 열화 측정

Professional Standard - Agriculture, 단결정 실리콘 검출

GB 11011-1989 비정질 실리콘 태양전지의 전기적 성능 시험에 대한 일반 조항
NY/T 1121.15-2006 토양 테스트 15부: 토양에서 이용 가능한 실리콘 결정

Professional Standard - Aviation, 단결정 실리콘 검출

HB 6742-1993 X선 후면 조명 Laue 사진을 통한 단결정 블레이드의 결정 방향 결정

HU-MSZT, 단결정 실리콘 검출

MSZ KGST 1568-1979 3,3 붕규산 유리 용기의 결정 성장 속도 측정
MSZ 8626-1966 강의 오스테나이트 결정립계 검출 방법

IEC - International Electrotechnical Commission, 단결정 실리콘 검출

PAS 62276-2001 표면 탄성파 장치에 사용되는 단결정 웨이퍼 - 사양 및 측정 방법(버전 1.0)
PAS 62277-2001 표면 실장 석영 크리스털 장치용 테스트 픽스처(버전 1.0;)

PL-PKN, 단결정 실리콘 검출

PN Z04018-02-1991 공기 순도 보호. 유리 결정질 실리콘 함량 테스트, 적외선 흡수 분광법을 이용한 작업장 전체 먼지 내 유리 결정질 실리콘 측정
PN Z04018-03-1991 공기 순도 보호. 유리 결정 실리콘 함량 테스트, 적외선 흡수 분광법을 통한 작업장 호흡성 먼지 내 유리 결정 실리콘 측정
PN Z04018-04-1991 공기 순도 보호. 자유 결정질 실리카 함량 테스트. 비색법을 통해 작업장 내 호흡 가능한 먼지와 총 규산염의 비율로 유리 결정질 실리카를 측정합니다.

TR-TSE, 단결정 실리콘 검출

TS 2228-1976 천연 및 인공 빙정석. 실리콘 함량 결정. 감소된 몰리브덴 실리콘 복합 분광광도법

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 단결정 실리콘 검출

EN 62276:2013 표면 탄성파(SAW) 장치 애플리케이션을 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 단결정 실리콘 검출

EN 62276:2016 표면 탄성파(SAW) 장치 애플리케이션을 위한 단결정 웨이퍼 사양 및 측정 방법
EN IEC 63202-1:2019 태양광 전지 1부: 결정질 실리콘 태양광 전지의 광유도 열화 측정

European Committee for Standardization (CEN), 단결정 실리콘 검출

EN 13925-2:2003 비파괴 검사 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절 2부: 절차

AENOR, 단결정 실리콘 검출

UNE-EN 13925-2:2004 X선 회절을 이용한 다결정 및 비정질 재료의 비파괴 검사 2부: 절차
UNE-EN 13925-3:2006 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 대한 비파괴 검사 3부: 계측
UNE-EN 13925-1:2006 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 대한 비파괴 검사 1부: 일반 원리
UNE-EN 1330-11:2008 비파괴 검사 용어 11부: 다결정 및 비정질 재료의 X선 회절에 사용되는 용어

International Organization for Standardization (ISO), 단결정 실리콘 검출

ISO 1620:1976 천연 및 인공 빙정석의 실리카 함량 측정 감소된 규소몰리브덴산염 분광광도법
ISO 24095:2009 작업장 공기 통기성 결정질 실리카 측정 지침
ISO 24095:2021 작업장 공기 호흡 가능한 결정질 실리카 측정을 위한 지침

BR-ABNT, 단결정 실리콘 검출

ABNT MB-348-1966 일반 포틀랜드 시멘트의 통기성 시험

YU-JUS, 단결정 실리콘 검출

JUS K.A1.001-1980 외날 선삭 공구의 수명 테스트

American National Standards Institute （ANSI), 단결정 실리콘 검출

ANSI/ASTM D6057:2001 위상차 현미경을 사용하여 작업 환경 공기 중 단결정 세라믹 위스커의 농도를 측정하는 방법
ANSI/ASTM D6059:2001 주사전자현미경을 이용하여 작업환경 공기 중 단결정 세라믹 위스커의 농도를 측정하는 방법
ANSI/ASTM D6056:2001 투과전자현미경을 이용하여 작업 환경 공기 중 단결정 세라믹 위스커의 농도를 측정하는 방법

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

DB32/T 2554-2013 ESR 분광법 - 결정화된 설탕을 함유한 조사된 농산물의 검출

Yunnan Provincial Standard of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

DB53/T 747-2016 가스 크로마토그래피를 이용한 다결정 실리콘 생산에서 회수된 수소의 염화수소 함량 측정

BE-NBN, 단결정 실리콘 검출

NBN T 03-432-1983 천연 및 인공 빙정석, 실리콘 함량 측정. 감소된 텅스텐-몰리브덴 합금 분광광도법

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, 단결정 실리콘 검출

DB13/T 5223-2020 네마틱상 열방성 액정 모노머의 전압 유지율 측정 방법
DB13/T 5222-2020 가스 크로마토그래피를 이용한 네마틱 열방성 액정 단량체의 순도 측정