Nachweis von einkristallinem Silizium

Für die Nachweis von einkristallinem Silizium gibt es insgesamt 256 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Nachweis von einkristallinem Silizium die folgenden Kategorien: Halbleitermaterial, Solartechnik, Optische Ausrüstung, Prüfung von Metallmaterialien, Nichteisenmetalle, Strahlungsmessung, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Batterien und Akkus, Arbeitssicherheit, Arbeitshygiene, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Diskrete Halbleitergeräte, Elektronische Anzeigegeräte, Anorganische Chemie, analytische Chemie, Feuerfeste Materialien, Luftqualität, Kraftstoff, Stahlprodukte, Metallerz, Zerstörungsfreie Prüfung, Wortschatz, Längen- und Winkelmessungen, Elektrische Lichter und zugehörige Geräte, Land-und Forstwirtschaft, nichtmetallische Mineralien, Bodenqualität, Bodenkunde, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Komponenten elektrischer Geräte, Optik und optische Messungen, Chemikalien.

Professional Standard - Electron, Nachweis von einkristallinem Silizium

SJ/T 11500-2015 Testverfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von monokristallinem Siliziumkarbid
SJ/T 11501-2015 Prüfverfahren zur Bestimmung des Kristalltyps von monokristallinem Siliziumkarbid
SJ/T 11499-2015 Prüfverfahren zur Messung der elektrischen Eigenschaften von monokristallinem Siliziumkarbid
SJ/T 11504-2015 Prüfverfahren zur Messung der Oberflächenqualität von poliertem monokristallinem Siliziumkarbid
SJ 20858-2002 Messmethoden für elektrische Parameter von Siliziumkarbid-Einkristallmaterial
SJ/T 11503-2015 Testmethoden zur Messung der Oberflächenrauheit von polierten monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
SJ/T 11494-2015 Testmethoden zur Photolumineszenzanalyse von einkristallinem Silizium auf III-V-Verunreinigungen
SJ/T 2429-1983 Prüfverfahren für die elektrischen Eigenschaften von einkristallinen Silizium-Solarzellen für die Raumfahrt
SJ/T 2428-1983 Kalibrierung für astronautische Standard-Monokristall-Silizium-Solarzellen
SJ 3244.3-1989 Messmethoden für die Kristallorientierung von Einkristallen aus Galliumarsenid und Indiumphosphid
SJ 3245-1989 Methoden zur Messung der Versetzung von Indiumphosphid-Einkristallen
SJ/T 11207-1999 Messung der magnetischen Eigenschaften von YIG-Einkristall-Magnetfilmen
SJ/T 10625-1995 Bestimmungsmethode für den interstitiellen atomaren Sauerstoffgehalt von Germanium durch Infrarotabsorption

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

DB61/T 512-2011 Prüfregeln für monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
DB61/T 511-2011 Prüfregeln für monokristalline Siliziumstäbe für Solarzellen

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

GB/T 1551-2009 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium
GB/T 31351-2014 Zerstörungsfreie Prüfmethode für die Mikroröhrendichte von polierten monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 41765-2022 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von monokristallinem Siliziumkarbid
GB/T 26066-2010 Übung zur Erkennung flacher Ätzgruben auf Silizium
GB/T 30866-2014 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 32278-2015 Prüfverfahren für die Ebenheit eines Siliziumkarbid-Einzelwafers
GB/T 42263-2022 Bestimmung des Stickstoffgehalts in Silizium-Einkristallen – Methode der Sekundärionen-Massenspektrometrie
GB/T 1552-1995 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium und Germanium mit einem kollinearen Vier-Sonden-Array
GB/T 1551-1995 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Silizium- und Germaniumstäben mit einer Zweipunktsonde
GB/T 24574-2009 Testmethoden zur Photolumineszenzanalyse von einkristallinem Silizium auf III-V-Verunreinigungen
GB/T 30868-2014 Testmethode zur Messung der Mikroröhrendichte von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern. Chemisches Ätzen
GB/T 42271-2022 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von halbisolierendem monokristallinem Siliziumkarbid durch berührungslose Messung
GB/T 30867-2014 Testverfahren zur Messung der Dicke und der Gesamtdickenschwankung von monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern
GB/T 35306-2023 Bestimmung des Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalts in der Niedertemperatur-Fourier-Transformations-Infrarotspektroskopie von Silizium-Einkristallen
GB/T 42676-2023 Röntgenbeugungsmethode zur Prüfung der Qualität von Halbleitereinkristallen
GB/T 24581-2009 Testmethode zur Niedertemperatur-FT-IR-Analyse von einkristallinem Silizium auf III-V-Verunreinigungen
GB/T 19421.2-2003 Testmethoden für kristallines geschichtetes Natriumdisilikat – Messung des Weißgrades
GB/T 18210-2000 Photovoltaik-Array (PV) aus kristallinem Silizium – Vor-Ort-Messung der IV-Eigenschaften
GB/T 19421.3-2003 Testmethoden für kristallines schichtförmiges Natriumdisilicat – Methode zur Bestimmung des pH-Werts
GB/T 8760-2006 Galliumarsenid-Einkristall – Bestimmung der Versetzungsdichte
GB 8760-1988 Galliumarsenid-Einkristall – Bestimmung der Versetzungsdichte
GB/T 25188-2010 Dickenmessungen für ultradünne Siliziumoxidschichten auf Siliziumwafern. Röntgenphotoelektronenspektroskopie
GB/T 1557-2006 Die Methode zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption
GB/T 32189-2015 Rasterkraftmikroskopische Untersuchung der Oberflächenrauheit von Galliumnitrid-Einkristallsubstraten
GB 11297.7-1989 Testmethode für den spezifischen Widerstand und den Hall-Koeffizienten von InSb-Einkristallen
GB/T 43315-2023 Korrosionsmethode zur Erkennung von Strömungsmusterdefekten in Siliziumwafern

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Nachweis von einkristallinem Silizium

KS D 2715-2006 Zugprobe aus ein- und polykristallinen Nano-/Mikro-Dünnschichtmaterialien
KS C 0256-2002 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde
KS D 0260-1999 PRÜFMETHODEN DES WIDERSTANDS EINKRISTALLER SILIZIUMWAFER MIT VIERPUNKTSONDE
KS D 0260-1989(1994) PRÜFMETHODEN DES WIDERSTANDS EINKRISTALLER SILIZIUMWAFER MIT VIERPUNKTSONDE
KS C 0256-2002(2017) Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde
KS D 0257-2002(2022) Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium-Einkristallen durch photoleitende Zerfallsmethode
KS D 0257-2002 Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium-Einkristallen durch photoleitende Zerfallsmethode
KS C IEC 62276:2019 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
KS C 0256-2002(2022) Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde
KS C IEC/TS 62804-1-2016(2021) Photovoltaik(PV)-Module – Prüfverfahren zur Erkennung potenzialbedingter Degradation – Teil 1: Kristallines Silizium
KS C IEC/TS 62804-1:2016 Photovoltaik(PV)-Module – Prüfverfahren zur Erkennung potenzialbedingter Degradation – Teil 1: Kristallines Silizium
KS C IEC 61829-2016(2021) Photovoltaik-Array (PV) aus kristallinem Silizium – Vor-Ort-Messung der I-V-Eigenschaften
KS C 7110-2007(2022) Flüssigkristallanzeigegeräte – Messmethoden der Hintergrundbeleuchtungseinheit für Flüssigkristallanzeigen
KS C IEC 61747-20-1-2015(2020) FLÜSSIGKRISTALLANZEIGEGERÄTE – Teil 20-3: Sichtprüfung – Monochrome LCD-Anzeigezellen (ausgenommen alle Aktivmatrix-Flüssigkristallzellen)
KS D 0258-2012(2022) Testmethoden für kristalline Defekte in Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
KS I ISO 24095:2012 Arbeitsplatzluftführung zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure
KS D 0258-2012(2017) Testmethoden für kristalline Defekte in Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
KS D 0070-2002(2022) Methode zur Prüfung der magnetischen Eigenschaften amorpher Metalle unter Verwendung einzelner Blechproben
KS M ISO 1620:2002 Kryolith, natürlich und künstlich – Bestimmung des Siliciumdioxidgehalts – spektrophotometrische Methode mit reduziertem Molybdosilikat
KS M ISO 1620-2002(2012) Kryolith, natürlich und künstlich – Bestimmung des Siliciumdioxidgehalts – spektrophotometrische Methode mit reduziertem Molybdosilikat
KS M ISO 1620:2013 Kryolith, natürlich und künstlich – Bestimmung des Siliciumdioxidgehalts – spektrophotometrische Methode mit reduziertem Molybdosilikat
KS D 0078-2008(2018) Testverfahren zur Bestimmung der Verunreinigungskonzentrationen in Siliziumkristallen mittels Photolumineszenzspektroskopie
KS C IEC 60444-2-2002(2022) Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten durch Nullphasentechnik in einem p-Netzwerk – Teil 2: Phasenversatzverfahren zur Messung der Bewegungskapazität von Quarzkristalleinheiten
KS D 0070-2002(2017) Methode zur Prüfung der magnetischen Eigenschaften amorpher Metalle unter Verwendung einzelner Blechproben

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

JJG 48-1990 Überprüfungsregelung der Standardscheibe des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium

German Institute for Standardization, Nachweis von einkristallinem Silizium

DIN V VDE V 0126-18-3:2007 Solarwafer – Teil 3: Alkalische Korrosionsschäden an kristallinen Siliziumwafern – Methode zur Bestimmung der Korrosionsrate von mono- und multikristallinen Siliziumwafern (im Schnitt)
DIN 50434:1986 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Erkennung von Kristalldefekten in monokristallinem Silizium mittels Ätztechniken auf {111}- und {100}-Oberflächen
DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
DIN 50431:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Messung des spezifischen Widerstands von Silizium- oder Germanium-Einkristallen mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrommethode mit kollinearem Array
DIN EN 60444-9:2007-12 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten - Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten (IEC 60444-9:2007); Deutsche Fassung EN 60444-9:2007
DIN EN 60444-8:2017-11 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten - Teil 8: Prüfvorrichtung für oberflächenmontierte Quarzkristalleinheiten (IEC 60444-8:2016); Deutsche Fassung EN 60444-8:2017 / Hinweis: DIN EN 60444-8 (2004-03) bleibt neben dieser Norm bis zum 19.01.2020 gültig.
DIN 50453-1:2023-08 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Ätzraten von Ätzmischungen – Teil 1: Silizium-Einkristalle, gravimetrische Methode
DIN 50446:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Defektarten und Defektdichten von Silizium-Epitaxieschichten
DIN EN 60444-7:2004-11 Messung von Parametern von Quarzkristalleinheiten - Teil 7: Messung von Aktivitäts- und Frequenzeinbrüchen von Quarzkristalleinheiten (IEC 60444-7:2004); Deutsche Fassung EN 60444-7:2004
DIN EN 61829:1999 Photovoltaik-Array (PV) aus kristallinem Silizium – Vor-Ort-Messung der IV-Eigenschaften (IEC 61829:1995); Deutsche Fassung EN 61829:1998
DIN IEC/TS 62804-1:2017 Photovoltaik (PV)-Module – Prüfverfahren zur Erkennung potenzialinduzierter Degradation – Teil 1: Kristallines Silizium (IEC/TS 62804-1:2015)
DIN EN 62276:2017-08 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 62276:2016); Deutsche Fassung EN 62276:2016 / Hinweis: DIN EN 62276 (2013-08) bleibt neben dieser Norm bis zum 28.11.2019 gültig.
DIN EN IEC 62276:2023-05 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 49/1401/CD:2022); Text in Deutsch und Englisch / Hinweis: Ausgabedatum 28.04.2023*Gedacht als Ersatz für DIN EN 62276 (2017-08).
DIN 51798:2018 Prüfung flüssiger Kraftstoffe - Bestimmung des Kristallisationspunkts von reinem Benzol
DIN 51798:2005 Prüfung flüssiger Kraftstoffe - Bestimmung des Kristallisationspunkts von reinem Benzol
DIN EN 13925-3:2005-07 Zerstörungsfreie Prüfung - Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien - Teil 3: Instrumente; Deutsche Fassung EN 13925-3:2005
DIN EN 13925-2:2003-07 Zerstörungsfreie Prüfung - Röntgenbeugung an polykristallinem und amorphem Material - Teil 2: Verfahren; Deutsche Fassung EN 13925-2:2003
DIN 50454-1:2000 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Versetzungen in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 1: Galliumarsenid
DIN 51075-4:1982 Prüfung keramischer Werkstoffe; chemische Analyse von Siliziumkarbid; Bestimmung des freien Siliziumgehalts
DIN 50433-3:1982 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Bestimmung der Orientierung von Einkristallen mittels Laue-Rückstreuung
DIN EN 13925-1:2003-07 Zerstörungsfreie Prüfung - Röntgenbeugung an polykristallinem und amorphem Material - Teil 1: Allgemeine Grundsätze; Deutsche Fassung EN 13925-1:2003
DIN 53736:1973 Prüfung von Kunststoffen; Bestimmung der Schmelztemperatur von teilkristallinen Kunststoffen
DIN 50440:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie – Messung der Ladungsträgerlebensdauer in Silizium-Einkristallen – Rekombinationsladungsträgerlebensdauer bei geringer Injektion durch Photoleitfähigkeitsmethode

Group Standards of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

T/IAWBS 010-2019 Detektionsmethode zur Messung der Oberfläche Detektionsmethode zur Messung der Oberflächenqualität und Mikroröhrendichte von polierten monokristallinen Siliziumkarbid-Wafern – Laserstreumethode
T/IAWBS 014-2021 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von polierten Siliziumkarbid-Wafern
T/CAB 0181-2022 Die Methoden zur Messung charakteristischer Parameter von LYSO- und LSO-Szintillatoren
T/IAWBS 016-2022 Röntgen-Doppelkristall-Rocking-Kurve FWHM-Testmethode für Siliziumkarbid-Einzelwafer
T/CNIA 0018-2019 Betriebsspezifikationen für die auf Heißfeuer beschränkte Sicherheitsinspektion in Polysiliziumanlagen
T/IAWBS 013-2019 Die Methode zur Messung des spezifischen Widerstands für halbisolierende Siliziumkarbidsubstrate
T/IAWBS 011-2019 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands leitfähiger Siliziumkarbid-Wafer mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
T/ZJSEE 0010-2023 Test- und Fehlerbeurteilungsmethode für kristalline Siliziummodule in Photovoltaikkraftwerken durch Elektrolumineszenz(EL)-Bildgebung
T/CASAS 013-2021 Messmethode zur Prüfung der Versetzungsdichte in SiC-Kristallen. Kombinierte KOH-Ätz- und Bilderkennungsmethoden
T/IAWBS 008-2019 Experimentelle Methode für Eigenspannungen in SiC-Wafern
T/ZSA 38-2020 Experimentelle Methode für Eigenspannungen in SiC-Wafern
T/CNIA 0017-2019 Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Chlorsilanen für Polysilicium durch Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
T/SBX 039-2020 Bestimmung der Reinheit von Alkylbiphenylcyanid-Flüssigkristallmonomer
T/SBX 026-2019 Bestimmung des Schmelzpunkts von Flüssigkristallmonomer durch dynamische Differenzkalorimetrie
T/CPIA 0009-2019 Elektrolumineszenz-Bildgebungsverfahren zur Defekterkennung von kristallinen Silizium-Photovoltaikmodulen
T/CNIA 0060-2020 Bestimmung des Phosphingehalts in Wasserstoff für Polysilicium mittels Gaschromatographie
T/IAWBS 018-2022 Testverfahren für die Versetzungsdichte von polierten Diamant-Einkristallwafern
T/IAWBS 012-2019 Testmethode für Oberflächenqualität und Mikroröhrendichte von Siliziumkarbid-Einkristall-Polierwafern – konfokale und differenzielle Interferometrie-Optik
T/SBX 041-2021 Bestimmung der Reinheit von trizyklischem Alkin-Flüssigkristallmonomer durch Gaschromatographie
T/SBX 044-2021 Bestimmung der Reinheit von Terphenyl-Flüssigkristallmonomeren mittels Gaschromatographie
T/SBX 070-2022 Bestimmung der Reinheit von Alkylbiphenyl-Flüssigkristallmonomeren mittels Gaschromatographie

Association Francaise de Normalisation, Nachweis von einkristallinem Silizium

NF C57-203*NF EN 50513:2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung.
NF EN 62276:2018 Einkristallwafer für Anwendungen mit Oberflächenwellengeräten (OAS) – Spezifikationen und Messmethoden
NF C93-616*NF EN 62276:2018 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
NF X43-208:2010 Arbeitsplatzluft – Leitfaden zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure.
NF X43-208*NF ISO 24095:2021 Arbeitsplatzluft – Leitfaden zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure
NF EN 1330-11:2007 Zerstörungsfreie Prüfung – Terminologie – Teil 11: Röntgenbeugung polykristalliner und amorpher Materialien
NF C57-331*NF EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
NF EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
NF EN 13925-3:2005 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 3: Ausrüstung
NF C57-105-1-1*NF EN IEC 61215-1-1:2021 Terrestrische Photovoltaikmodule (PV) – Entwurfsqualifizierung und Typgenehmigung – Teil 1-1: Besondere Anforderungen für die Prüfung von Photovoltaikmodulen (PV) aus kristallinem Silizium

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Nachweis von einkristallinem Silizium

GJB 2918-1997 Spezifikation für zonengeschmolzene Siliziummonolithe mit hohem Widerstand in Detektorqualität
GJB 2918A-2017 Spezifikation für polierte Wafer aus geschmolzenem Silizium-Einkristall in einer Zone mit hohem Widerstand in Detektorqualität

RU-GOST R, Nachweis von einkristallinem Silizium

GOST 24392-1980 Monokristallines Silizium und Germanium. Messung des elektrischen Widerstands nach der Vier-Sonden-Methode
GOST 8.592-2009 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messungen. Reliefmaße im Nanometerbereich von einkristallinem Silizium. Geometrische Formen, lineare Größe und Anforderungen an das Herstellungsmaterial

American Society for Testing and Materials (ASTM), Nachweis von einkristallinem Silizium

ASTM F847-94(1999) Standardtestmethoden zur Messung der kristallographischen Ausrichtung von Flächen auf einkristallinen Siliziumwafern durch Röntgentechniken
ASTM F374-00a Standardtestverfahren für den Schichtwiderstand epitaktischer, diffundierter, polykristalliner und ionenimplantierter Siliziumschichten unter Verwendung einer Inline-Vierpunktsonde mit dem Einzelkonfigurationsverfahren
ASTM F951-01 Standardtestmethode zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Siliziumwafern
ASTM D6058-96(2011) Standardverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung
ASTM D6058-96(2016) Standardverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung
ASTM F1390-97 Standardtestmethode zur Messung der Verformung von Siliziumwafern durch automatisiertes berührungsloses Scannen
ASTM F1239-94 Standardtestmethoden zur Sauerstoffpräzipitationscharakterisierung von Siliziumwafern durch Messung der interstitiellen Sauerstoffreduktion
ASTM D3942-03(2013) Standardtestmethode zur Bestimmung der Elementarzellendimension eines Zeolithen vom Faujasit-Typ

British Standards Institution (BSI), Nachweis von einkristallinem Silizium

PD IEC/TS 62804-1:2015 Photovoltaik (PV)-Module. Prüfverfahren zur Erkennung potenzialinduzierter Degradation. Kristallines Silizium
PD IEC TS 62804-1-1:2020 Photovoltaik (PV)-Module. Prüfverfahren zur Erkennung potenzialinduzierter Degradation. Kristallines Silizium. Delaminierung
BS PD IEC/TS 62804-1:2015 Photovoltaik (PV)-Module. Prüfverfahren zur Erkennung potenzialinduzierter Degradation. Kristallines Silizium
BS EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
BS EN 60444-2:1997 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten. Phasenversatzverfahren zur Messung der Bewegungskapazität von Quarzkristalleinheiten
BS ISO 24095:2010 Luft am Arbeitsplatz. Anleitung zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure
BS ISO 24095:2009 Arbeitsplatzluft – Leitfaden zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure
BS ISO 24095:2021 Luft am Arbeitsplatz. Leitfaden zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure
23/30468947 DC BS EN 62276. Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden
PD IEC TS 63202-4:2022 Photovoltaikzellen – Messung der durch Licht und erhöhte Temperatur verursachten Verschlechterung von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen
BS EN IEC 60444-6:2021 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten. Messung der Drive Level Dependance (DLD)
BS EN 60444-2:1993 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Phasenversatzmethode zur Messung der Bewegungskapazität von Quarzkristalleinheiten
20/30348162 DC BS ISO 24095. Luft am Arbeitsplatz. Leitfaden zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure

Xinjiang Provincial Standard of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

DB65/T 3486-2013 Infrarot-Fehlererkennungsmethode für Polysiliziumblöcke in Solarqualität

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Nachweis von einkristallinem Silizium

JIS H 0604:1995 Messung der Lebensdauer von Minoritätsträgern in Silizium-Einkristallen mittels photoleitender Zerfallsmethode
JIS H 0609:1999 Testmethoden für kristalline Defekte in Silizium durch bevorzugte Ätztechniken
JIS H 0602:1995 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde
JIS K 0555:1995 Testmethoden zur Bestimmung von Kieselsäure in hochreinem Wasser
JIS H 0615:2021 Testverfahren zur Bestimmung der Verunreinigungskonzentrationen in Siliziumkristallen mittels Photolumineszenzspektroskopie
JIS H 0615:1996 Testverfahren zur Bestimmung der Verunreinigungskonzentrationen in Siliziumkristallen mittels Photolumineszenzspektroskopie
JIS H 7152:1996 Methoden zur Messung der magnetischen Eigenschaften amorpher Metalle mit einem Einzelblechtester

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Nachweis von einkristallinem Silizium

GB/T 37213-2018 Testmethode für die Dimensionierung von Siliziumziegeln – Lasertechnologie-Methode
GB/T 1551-2021 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von einkristallinem Silizium – Inline-Vierpunktsonden- und Gleichstrom-Zweipunktsondenverfahren
GB/T 41153-2021 Bestimmung des Gehalts an Bor-, Aluminium- und Stickstoffverunreinigungen in Siliziumkarbid-Einkristallen – Sekundärionen-Massenspektrometrie
GB/T 24581-2022 Testmethode für Ⅲ und Ⅴ Verunreinigungen in einkristallinem Silizium – Niedertemperatur-FT-IR-Analysemethode
GB/T 5252-2020 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Germanium
GB/T 8760-2020 Prüfverfahren für die Versetzungsdichte von einkristallinem Galliumarsenid
GB/T 1557-2018 Testverfahren zur Bestimmung des interstitiellen Sauerstoffgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption
GB/T 36655-2018 Testmethode für den Gehalt an alpha-kristallinem Siliciumdioxid in sphärischem Siliciumdioxidpulver für elektronische Verpackungen – XRD-Methode

Defense Logistics Agency, Nachweis von einkristallinem Silizium

DLA SMD-5962-87803 REV D-2011 MIKROSCHALTUNGEN, LINEAR, PHASENFREQUENZDETEKTOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/04648 REV B-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, SPANNUNGSDETEKTOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-11239-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, LEISTUNGSDETEKTOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-11239 REV A-2013 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, LEISTUNGSDETEKTOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89780 REV A-2010 MIKROSCHALTUNG, LINEAR, ÜBERSPANNUNGSMESSSCHALTUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87560 REV F-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, TTL-zu-ECL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-87508 REV E-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL-TO-TTL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89842 REV B-2005 MIKROSCHALTUNG, LINEARE, PROGRAMMIERBARE SPANNUNGSDETEKTOREN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-98621-1998 MIKROKREISE, DIGITAL, FORTGESCHRITTENES CMOS, KRISTALLUHRGENERATOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA DSCC-VID-V62/11607 REV B-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, PHASENDETEKTOR/FREQUENZSYNTHESIZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88533 REV C-1994 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, FEHLERERKENNUNGS- UND KORREKTUREINHEIT, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, SCHOTTKY-TTL-WECHSELRICHTER MIT NIEDRIGER LEISTUNG, HEX-SCHMITT-TRIGGER-WECHSELRICHTER, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA DSCC-VID-V62/09633-2011 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, MIKROPROZESSOR-SPANNUNGSÜBERWACHUNG MIT PROGRAMMIERBARER SPANNUNGSERKENNUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 MIKROSCHALTUNGEN, DIGITAL, SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, PUFFER/TREIBER, OFFENER KOLLEKTOR-AUSGANG, HOCHSPANNUNG, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTGESCHRITTENES SCHOTTKY-TTL MIT NIEDRIGER LEISTUNG, POSITIVES NAND-GATE, MONOLITHISCHES SILIZIUM
DLA SMD-5962-91530 REV A-2006 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, HEX TTL-ZU-ECL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-91531 REV A-2004 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, ECL, HEX-ECL-TO-TTL-ÜBERSETZER, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-95537 REV A-2001 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL, VIERFACH-D-TYP-FLIP-FLOPS MIT KLAREM, MONOLITHISCHEM SILIKON
DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 HALBLEITERGERÄT, UNITIZED, NPN, SILIKON, SCHALTEND, VIER-TRANSISTOR-ARRAY, TYPEN 2N6989, 2N6989U UND 2N6990, JAN, JANTX, JANTXV UND JANS
DLA SMD-5962-86834 REV B-2006 MIKROKREISKREIS, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHE SCHOTTKY-TTL, QUAD-NICHTINVERTIERENDE BUS-TRANSCEIVERS MIT DREI-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97589 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, BIPOLAR, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, OKTAL-TRANSPARENTE D-TYP-LATCHES MIT 3-ZUSTANDS-AUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-97590 REV A-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, FORTSCHRITTLICHES SCHOTTKY-TTL, D-TYP-FLIP-FLOPS MIT OKTALKANTEN-GETriggert, DREI ZUSTANDSAUSGÄNGEN, MONOLITHISCHES SILIKON

KR-KS, Nachweis von einkristallinem Silizium

KS C IEC 62276-2019 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
KS C IEC/TS 62804-1-2016 Photovoltaik(PV)-Module – Prüfverfahren zur Erkennung potenzialbedingter Degradation – Teil 1: Kristallines Silizium
KS C IEC 61829-2016 Photovoltaik-Array (PV) aus kristallinem Silizium – Vor-Ort-Messung der I-V-Eigenschaften
KS C IEC 60444-9-2016 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung der Störresonanz von piezoelektrischen Kristalleinheiten
KS C IEC 61080-2018(2023) Leitfaden zur Messung äquivalenter elektrischer Parameter von Quarzkristalleinheiten

International Electrotechnical Commission (IEC), Nachweis von einkristallinem Silizium

IEC 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
IEC TS 62804-1:2015 Photovoltaik (PV)-Module – Prüfverfahren zur Erkennung potenzialbedingter Degradation – Teil 1: Kristallines Silizium
IEC TS 62804-1-1:2020 Photovoltaik (PV)-Module – Prüfverfahren zur Erkennung potenzialinduzierter Degradation – Teil 1-1: Kristallines Silizium – Delaminierung
IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Nachweis von einkristallinem Silizium

GB/T 35306-2017 Testmethode für den Kohlenstoff- und Sauerstoffgehalt von einkristallinem Silizium – Niedertemperatur-Fourier-Transformations-Infrarotspektrometrie

CZ-CSN, Nachweis von einkristallinem Silizium

CSN 34 5941-1984 Galliumarsenid und Galliumphospid einkristallin. Bestimmung des spezifischen Widerstands und des Hall-Koeffizienten

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Nachweis von einkristallinem Silizium

YS/T 1600-2023 Bestimmung von Spurenverunreinigungselementen in Siliziumkarbid-Einkristallen – Glimmentladungs-Massenspektrometrie
YS/T 14-2015 Verfahren zur Messung der Dicke einer heteroepitaktischen Schicht und einer polykristallinen Siliziumschicht
YS/T 14-1991 Verfahren zur Messung der Dicke einer heteroepitaktischen Schicht und einer polykristallinen Siliziumschicht
YS/T 983-2014 Testverfahren zur Messung der Zusammensetzung des Polysilicium-Abscheidungsreaktors und des Abgases des TCS-zu-STC-Konverters

Inner Mongolia Provincial Standard of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

DB15/T 1241-2017 Bestimmung des Silangehalts im Endgas von Polysilicium, hergestellt durch Silanmethode Gaschromatographie

工业和信息化部, Nachweis von einkristallinem Silizium

YS/T 1290-2018 Bestimmung des Silangehalts im Abgas der Produktion von polykristallinem Silizium mittels Gaschromatographie
YB/T 4766-2019 Methode zur Bestimmung von elementarem Silizium und Siliziumdioxid in Industriesilizium für feuerfeste Materialien

Danish Standards Foundation, Nachweis von einkristallinem Silizium

DS/EN 60444-9:2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten
DS/EN 61829:1999 Photovoltaik-Array (PV) aus kristallinem Silizium – Vor-Ort-Messung der IV-Eigenschaften
DS/EN 62276:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
DS/EN 13925-2:2003 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 2: Verfahren
DS/EN 13925-3:2005 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 3: Instrumente
DS/EN 1330-11:2007 Zerstörungsfreie Prüfung – Terminologie – Begriffe, die bei der Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien verwendet werden
DS/EN 13925-1:2003 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinem und amorphem Material – Teil 1: Allgemeine Grundsätze

Professional Standard - Commodity Inspection, Nachweis von einkristallinem Silizium

SN/T 0480.7-1995 Analysemethode für Baryt für den Export. Bestimmung von Siliziumdioxid

Qinghai Provincial Standard of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

DB63/T 1781-2020 Technische Spezifikation zur Erkennung rezessiver Defekte von kristallinen Silizium-Solarzellenmodulen vor Ort in Kraftwerken

Lithuanian Standards Office , Nachweis von einkristallinem Silizium

LST EN 60444-9-2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten (IEC 60444-9:2007)
LST EN 60444-8-2004 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten. Teil 8: Prüfvorrichtung für oberflächenmontierte Quarzkristalleinheiten (IEC 60444-8:2003)
LST EN 60444-7-2004 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten. Teil 7: Messung der Aktivität und Frequenzeinbrüche von Quarzkristalleinheiten (IEC 60444-7:2004)
LST EN 61829-2001 Photovoltaik-Array (PV) aus kristallinem Silizium. Vor-Ort-Messung der IV-Eigenschaften (IEC 61829:1995)
LST EN 13925-3-2005 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 3: Instrumente
LST EN 13925-2-2004 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 2: Verfahren
LST EN 1330-11-2007 Zerstörungsfreie Prüfung – Terminologie – Begriffe, die bei der Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien verwendet werden
LST EN 62276-2006 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW). Spezifikationen und Messmethoden (IEC 62276:2005)
LST EN 62276-2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messverfahren (IEC 62276:2012)
LST EN 13925-1-2004 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinem und amorphem Material – Teil 1: Allgemeine Grundsätze

ES-UNE, Nachweis von einkristallinem Silizium

UNE-EN 60444-9:2007 Messung der Parameter von Quarzkristalleinheiten – Teil 9: Messung von Störresonanzen piezoelektrischer Kristalleinheiten (IEC 60444-9:2007). (Von AENOR im August 2007 gebilligt.)
UNE-EN 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Januar 2017.)
UNE-EN IEC 63202-1:2020 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen

Professional Standard - Agriculture, Nachweis von einkristallinem Silizium

GB 11011-1989 Allgemeine Vorschriften für die elektrische Leistungsprüfung von Solarzellen aus amorphem Silizium
NY/T 1121.15-2006 Bodenuntersuchungen. Teil 15: Verfahren zur Bestimmung des im Boden verfügbaren Siliziums

Professional Standard - Aviation, Nachweis von einkristallinem Silizium

HB 6742-1993 Bestimmung der Kristallorientierung von Einzelkristallblättern durch Röntgen-Backblow-Laue-Fotografie

HU-MSZT, Nachweis von einkristallinem Silizium

MSZ KGST 1568-1979 Bestimmung der Kristallwachstumsrate in 3,3-Borosilikatglasbehältern
MSZ 8626-1966 Methode zur Erkennung von Austenitkorngrenzen in Stahl

IEC - International Electrotechnical Commission, Nachweis von einkristallinem Silizium

PAS 62276-2001 Einkristallwafer für Oberflächenwellengeräte – Spezifikation und Messmethode (Ausgabe 1.0)
PAS 62277-2001 Prüfvorrichtung für oberflächenmontierte Quarzkristalleinheiten (Edition 1.0;)

PL-PKN, Nachweis von einkristallinem Silizium

PN Z04018-02-1991 Schutz der Luftreinheit Prüfungen des Gehalts an freier kristalliner Kieselsäure Bestimmung der freien kristallinen Kieselsäure im Gesamtstaub an Arbeitsplätzen mittels Infrarot-Absorptionsspektrophotometrie
PN Z04018-03-1991 Luftreinheitsschutz Tests für den Gehalt an freiem kristallinem Siliciumdioxid. Bestimmung des alveolengängigen Staubes von freiem kristallinem Siliciumdioxid an Arbeitsplätzen mittels Infrarot-Absorptionsspektrophotometrie
PN Z04018-04-1991 Luftreinheitsschutz Tests für den Gehalt an freier kristalliner Kieselsäure. Bestimmung der gesamten freien kristallinen Kieselsäure und des alveolengängigen Staubs in Gegenwart von Silikaten an Arbeitsplätzen durch kolorimetrische Methode

TR-TSE, Nachweis von einkristallinem Silizium

TS 2228-1976 KRYOLITH (NATÜRLICH UND KÜNSTLICH) BESTIMMUNG DES SILICA-GEHALTS SPEKTROPHOTOMETRISCHE METHODE UNTER VERWENDUNG DES REDUZIERTEN SILICOMOLYBDISCHEN KOMPLEXES

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Nachweis von einkristallinem Silizium

EN 62276:2013 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Nachweis von einkristallinem Silizium

EN 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
EN IEC 63202-1:2019 Photovoltaikzellen – Teil 1: Messung der lichtinduzierten Degradation von kristallinen Silizium-Photovoltaikzellen

未注明发布机构, Nachweis von einkristallinem Silizium

DIN 51798 E:2017-10 Prüfung flüssiger Kraftstoffe - Bestimmung des Kristallisationspunkts von reinem Benzol

International Organization for Standardization (ISO), Nachweis von einkristallinem Silizium

ISO 1620:1976 Kryolith, natürlich und künstlich; Bestimmung des Siliciumdioxidgehalts; spektrophotometrische Methode mit reduziertem Molybdosilikat
ISO 24095:2009 Arbeitsplatzluft – Leitfaden zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure
ISO 24095:2021 Arbeitsplatzluft – Leitfaden zur Messung von alveolengängiger kristalliner Kieselsäure

European Committee for Standardization (CEN), Nachweis von einkristallinem Silizium

EN 13925-2:2003 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 2: Verfahren

AENOR, Nachweis von einkristallinem Silizium

UNE-EN 13925-2:2004 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 2: Verfahren
UNE-EN 13925-3:2006 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinen und amorphen Materialien – Teil 3: Instrumente
UNE-EN 13925-1:2006 Zerstörungsfreie Prüfung – Röntgenbeugung an polykristallinem und amorphem Material – Teil 1: Allgemeine Grundsätze
UNE-EN 1330-11:2008 Zerstörungsfreie Prüfung – Terminologie – Teil 11: Begriffe, die bei der Röntgenbeugung von polykristallinen und amorphen Materialien verwendet werden

BR-ABNT, Nachweis von einkristallinem Silizium

ABNT MB-348-1966 Prüfung der Luftdurchlässigkeit von gewöhnlichem Portlandzement

American National Standards Institute （ANSI), Nachweis von einkristallinem Silizium

ANSI/ASTM D6057:2001 Testverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung mittels Phasenkontrastmikroskopie
ANSI/ASTM D6059:2001 Testverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung mittels Rasterelektronenmikroskopie
ANSI/ASTM D6056:2001 Testverfahren zur Bestimmung der Konzentration luftgetragener einkristalliner Keramikwhisker in der Arbeitsumgebung mittels Transmissionselektronenmikroskopie

YU-JUS, Nachweis von einkristallinem Silizium

JUS K.A1.001-1980 Standzeitprüfung mit Einpunkt-Drehwerkzeugen

Jiangsu Provincial Standard of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

DB32/T 2554-2013 ESR-Spektroskopie-Detektion von bestrahlten landwirtschaftlichen Produkten, die kristallinen Zucker enthalten

Yunnan Provincial Standard of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

DB53/T 747-2016 Bestimmung des Chlorwasserstoffgehalts in Wasserstoff, der durch Gaschromatographie bei der Polysiliciumproduktion gewonnen wird

BE-NBN, Nachweis von einkristallinem Silizium

NBN T 03-432-1983 Kryolith, natürlich und künstlich – Bestimmung des Siliciumdioxidgehalts – spektrophotometrische Methode mit reduziertem Molybdosilikat

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Nachweis von einkristallinem Silizium

DB13/T 5223-2020 Methode zur Bestimmung der Spannungshalterate eines nematischen thermotropen Flüssigkristallmonomers
DB13/T 5222-2020 Bestimmung der Reinheit von nematischem thermotropem Flüssigkristallmonomer mittels Gaschromatographie