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Bisurea 기반 가속기

모두 75항목의 Bisurea 기반 가속기와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 Bisurea 기반 가속기와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 화학 제품, 고무 및 플라스틱 원료, 석유제품 종합, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 항공우주 시스템 및 운영 장치, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정.


Professional Standard - Chemical Industry, Bisurea 기반 가속기

  • HG/T 2343-1992 가황촉진제 ETU(에틸렌티오우레아)
  • HG/T 4779-2014 가황 촉진제 비스펜타메틸렌티우람 육황화물(DPTH)
  • HG/T 6161-2023 가황 촉진제 N-사이클로헥실-비스(2-벤조티아졸)설펜이미드(CBBS)
  • HG/T 4780-2014 가황 촉진제 2-머캅토벤조티아졸 아연(ZMBT)
  • HG/T 4781-2014 가황 촉진제 아연 디부틸디티오카르바메이트(ZDBC)
  • HG/T 4782-2014 가황 촉진제 아연 디에틸디티오카바메이트(ZDEC)
  • HG/T 2344-1992 가황촉진제 TETD(테트라에틸티우람디설파이드)
  • HG/T 6158-2023 가황 촉진제 아연 디이소부틸디티오카바메이트(ZDIBC)
  • HG/T 5833~5835-2021 가황 촉진제 N,N'-디메틸-N,N'-디페닐티우람 디설파이드(MPTD), 아연 비스(O,O-디부틸 디티오포스페이트)(ZDBP) 및 비스(O,O-디부틸 디티오포스페이트) 아연[O-Butyl-O -(2-에틸헥실)디티오포스페이트]아연(ZEHBP)(2021)
  • HG/T 4890~4891-2016 가황 촉진제 테트라메틸티우람 모노설파이드(TMTM) 및 아연 디벤질디티오카바메이트(ZBEC)(2016)

GM Europe, Bisurea 기반 가속기

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Bisurea 기반 가속기

  • CNS 4632-1978 가황 촉진제 TMTD(테트라메틸티오메타미드 디설파이드)
  • CNS 4629-1978 가황 촉진제 MBTS(비스티오벤티아졸)
  • CNS 4628-1978 가황 촉진제 MBT(2-메르캅토벤티아졸)
  • CNS 4631-1978 가황 촉진제 ZnMDC(아연 디메틸디티오카바메이트)
  • CNS 4633-1978 가황 촉진제 ZnEPDC(아연 에틸페닐디티오카바메이트)
  • CNS 4634-1978 가황촉진제 NaBDC(디-n-부틸디티오카바민산나트륨)
  • CNS 4635-1978 가황 촉진제 TMTM(테트라메틸티오메타미드 모노설파이드)
  • CNS 5005-1979 가황 촉진제 CBS(N-cyclohexyl-2-benthiazole sulfenamide)

工业和信息化部, Bisurea 기반 가속기

  • HG/T 5834-2021 가황 촉진제 아연 비스(O,O-디부틸 디티오포스페이트)(ZDBP)
  • HG/T 5835-2021 가황 촉진제 비스[O-부틸-O-(2-에틸헥실)디티오포스페이트]아연(ZEHBP)
  • HG/T 5257-2017 가황촉진제 N-tert-부틸-비스(2-벤조티아졸)술펜아미드(TBSI)
  • HG/T 4891-2016 가황 촉진제 아연 디벤질디티오카바메이트(ZBEC)
  • HG/T 4890-2016 가황 촉진제 TMTM(테트라메틸티우람 모노설파이드)
  • HG/T 5463-2018 가황 촉진제 3-메틸테트라히드로티아졸-2-티온(MTT)
  • HG/T 5260-2017 가황 촉진제 테트라이소부틸티우람 이황화물(TIBTD)
  • HG/T 5833-2021 가황 촉진제 N,N'-디메틸-N,N'-디페닐티우람 이황화물(MPTD)

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Bisurea 기반 가속기

  • GB/T 29668-2013 화장품 방부제 비스(히드록시메틸)이미다졸리디닐우레아
  • GB/T 11407-2013 가황 촉진제 2 메르캅토벤조티아졸(MBT)
  • GB/T 31332-2014 가황촉진제 N-시클로헥실-2-벤조티아졸술펜아미드(CBS)

GM North America, Bisurea 기반 가속기

  • GM 9981801-2002 자동차 외장 페인트용 양면 테이프 접착 촉진제

Group Standards of the People's Republic of China, Bisurea 기반 가속기

  • T/CAS 191-2015 가솔린 옥탄 촉진제 - p-카르복사미도 페닐에틸 에테르
  • T/CPCIF 0067-2020 고무 가황촉진제 2-머캅토벤조티아졸(MBT) 부산물

Defense Logistics Agency, Bisurea 기반 가속기

  • DLA SMD-5962-88774 REV B-2005 실리콘 모놀리식 이중 또는 반전 채널 쇼트키 TTL은 이중 편파 디지털 마이크로회로를 촉진합니다.
  • DLA SMD-5962-88752 REV C-2003 실리콘 모놀리식 육각형 인버터 쇼트키 TTL로 양극성 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-89553 REV A-2005 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 트랜시버 쇼트키 TTL로 양극 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-89555 REV B-1992 실리콘 모놀리식 8진 조절 트랜시버 쇼트키 TTL로 양극성 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 4입력 포지티브 및 채널 쇼트키 TTL로 바이폴라 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-88627 REV B-1993 실리콘 모놀리식 8비트 바이너리 카운터 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-89558 REV A-2005 실리콘 모놀리식 쇼트키 TTL 촉진기 수신기/조절기 양극 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88555 REV C-2001 실리콘 모놀리식 D형 조정기 쇼트키 TTL, 이중 편파 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-88707 REV C-1992 실리콘 모놀리식 PI 버스 트랜시버 쇼트키 TTL, 양극성 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-89525 REV B-2004 실리콘 모놀리식 버스 인터페이스 플립플롭 쇼트키로 양극 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-88710-1988 실리콘 모놀리식 8비트 신원 비교기 쇼트키 TTL, 양극성 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-88753 REV B-2005 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 트랜시버 및 레지스터 쇼트키 TTL은 양극성 디지털 마이크로회로를 용이하게 합니다.
  • DLA SMD-5962-88709-1988 채널이 없는 쇼트키 TTL을 갖춘 실리콘 모놀리식 2입력으로 바이폴라 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-88722-1988 실리콘 모놀리식 버퍼/라인 드라이버 쇼트키로 이중 편파 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-89438 REV A-2004 실리콘 모놀리식 10x 돋보기는 쇼트키 TTL을 조정하여 이중 편광 디지털 마이크로회로를 촉진합니다.
  • DLA SMD-5962-88742 REV A-2004 실리콘 모놀리식 육각형 스피커 버퍼 저전압 쇼트키 TTL은 이중 편파 디지털 마이크로회로를 촉진합니다.
  • DLA SMD-5962-89466-1991 3상태 출력 쇼트키 TTL을 갖춘 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 트랜시버로 디지털 마이크로회로의 이중 편파화 촉진
  • DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현
  • DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현
  • DLA SMD-5962-88596 REV C-2001 실리콘 모놀리식 버퍼/드라이버 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-88621 REV B-2000 실리콘 모놀리식 2입력 독점 또는 채널 쇼트키 TTL은 이중 편파 디지털 마이크로회로를 촉진합니다.
  • DLA SMD-5962-88673 REV D-2006 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 트랜시버 및 레지스터 저전력 쇼트키 TTL로 양극 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-89526 REV B-2004 실리콘 모놀리식 업/다운 카운터 동기화된 8비트 쇼트키로 양극 디지털 마이크로회로 구현
  • DLA SMD-5962-88578 REV B-2001 실리콘 모놀리식 8비트 신원 비교기 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-89487 REV A-2001 비슈미트 트리거를 갖춘 실리콘 모놀리식 2입력 쇼트키 촉진 이중 편파 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88648 REV E-2002 실리콘 모놀리식 쿼드 차동 라인 드라이버 저전력 쇼트키로 이중 편파 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-88649 REV E-2005 실리콘 모놀리식 쿼드 차동 라인 수신기 저전력 쇼트키 촉진 이중 편파 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88695 REV B-2007 드라이버가 없는 저전력 쇼트키 TTL을 갖춘 실리콘 모놀리식 2입력으로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 촉진
  • DLA SMD-5962-88591 REV B-2001 실리콘 모놀리식 옥탈 버퍼 및 라인 드라이버 3상태 출력 반전 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로회로 촉진
  • DLA SMD-5962-89535 REV C-2002 8비트 패리티 생성기/체커 및 3상태 출력 쇼트키를 갖춘 실리콘 모놀리식 8양방향 트랜시버로 양극 디지털 마이크로회로 구현

United States Navy, Bisurea 기반 가속기

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Bisurea 기반 가속기

  • GJB 171A-2021 이중 기반 고체 추진제의 명명 규칙
  • GJB 4093-2000 이중 베이스 추진제 충전 검사 및 승인 규칙
  • GJB 1073A-2001 압출 성형 이중 베이스 고체 추진제 장약의 일반 사양
  • GJB 1073-1991 압출 성형 이중 베이스 고체 추진제 장약의 일반 사양
  • GJB 1073B-2019 압출 성형 이중 베이스 고체 추진제 장약의 일반 사양
  • GJB 1073A-2000 압출 성형 이중 베이스 고체 추진제 장약의 일반 사양

American Society for Testing and Materials (ASTM), Bisurea 기반 가속기

  • ASTM D7558-09(2019) 천연 고무 라텍스 및 니트릴 장갑에서 추출 가능한 화학 물질인 디알킬디티오카바메이트, 티오우레아 및 메르캅토벤조티아졸 촉진제의 정량화를 위한 비색/분광 광도법에 대한 표준 테스트 방법
  • ASTM D4934-02(2012) 고무 성분의 표준 시험 방법: 2-벤조티아졸릴술핀아미드 촉진제.

RO-ASRO, Bisurea 기반 가속기

  • STAS 11327/10-1989 테트라메틸티우람디설파이드 수용액 추출물의 혈관 및 비경구 제제용 촉진제 제제 투여용 고무마개

  Bisurea 기반 가속기.

 




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