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DE양극성 비극성
모두 500항목의 양극성 비극성와 관련된 표준이 있다.
국제 분류에서 양극성 비극성와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 집적 회로, 마이크로 전자공학, 표면 처리 및 도금, 전기 장치, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 토양질, 토양과학, 토목공학종합, 용접, 브레이징 및 저온 용접, 오디오, 비디오 및 시청각 엔지니어링, 금속 부식, 배터리 및 축전지, 무선 통신, 반도체 개별 장치, 조명, 콘덴서, 전자기 호환성(EMC), 항공우주 제조용 재료, 화학 장비, 석유 및 가스 산업 장비, 유체 저장 장치, 토공, 굴착, 기초 공사, 지하 공사, 전송 및 배전망, 연료전지, 회전 모터, 전자관, 농업 및 임업, 항공기 및 우주선 통합, 의료 장비, 도로 차량 장치, 고무 및 플라스틱 제품, 전등 및 관련 기기, 전자 디스플레이 장치, 버너, 보일러, 물리학, 화학, 식용유지, 유지종자, 금속 재료 테스트, 도체 재료, 절단 도구, 에너지 및 열 전달 공학 종합, 광전자공학, 레이저 장비, 금속 생산, 수질, 감각 분석, 비철금속, 품질, 항공우주 제조 관련 도금 및 관련 프로세스, 전기공학종합, 윤활유, 산업용 오일 및 관련 제품, 분석 화학, 어휘, 화학기술, 조선 및 해양 구조물 통합, 보호용 장비, 페인트 및 바니시, 석유제품 종합, 압축기 및 공압 기계, 비금속 광물, 공기질, 건축 자재, 열역학 및 온도 측정, 쓰레기, 밥을 먹이다, 개폐 장치 및 컨트롤러, 파라핀, 역청물질 및 기타 석유제품, 기계적 테스트, 통신 단말 장비, 종합 전자 부품, 화학 제품, 비철금속 제품.
Defense Logistics Agency, 양극성 비극성
- DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 실리콘 모놀리식 바이폴라 고성능 10비트 버퍼링 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88763-1990 실리콘 모놀리식 바이폴라 추적 조정기 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-89490 REV C-2006 이중 포지티브 및 네거티브 15V, 12V 및 5V 조정기 선형 하이브리드 마이크로회로
- DLA SMD-5962-89930 REV C-2003 실리콘 모놀리식, 양극 추적 조정기, 선형 미세 회로
- DLA SMD-5962-87657 REV D-2012 AGC가 포함된 미세 회로, 선형, 양극, RF/IF 증폭기, 모놀리식 실리콘
- DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 초소형 회로, 디지털, 32,768비트 쇼트키 다이오드, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM), 모놀리식 실리콘
- DLA DSCC-DWG-87109 REV C-2002 커넥터,소켓,전기,래치 하우징,분극성,이중 행 베이스,.025POSTS
- DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 실리콘 모놀리식 고속 전압 비교기, 양극 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88581 REV A-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 육각형 NTDS 드라이버 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88582 REV B-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 16진수 NTDS 수신기 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 마이크로 회로, 디지털, 양극성 고성능 10비트 버퍼, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 8비트 등가 비교기, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-88589 REV D-2008 저전력 Shawkent 트랜지스터, 포지티브 NAND 게이트 및 단일 실리콘 다이를 갖춘 고급 바이폴라 디지털 마이크로회로
- DLA MIL-PRF-39016/20 J VALID NOTICE 1-2010 계전기, 전자기, 고신뢰성, DPDT, 낮은 레벨 ~ 1.0A, 코일 과도 억제 및 극성 반전 보호를 위한 내부 다이오드 포함
- DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 1-2008 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA MIL-M-38510/330 C VALID NOTICE 2-2013 마이크로회로, 디지털, 양극성 고급 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA MIL-PRF-39016/30 F VALID NOTICE 1-2010 계전기, 전자기, 고신뢰성, DPDT, 낮은 레벨 ~ 1.0A(래칭), 코일 과도 억제 및 극성 반전 보호를 위한 내부 다이오드 포함
- DLA SMD-5962-89554 REV A-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 4입력 포지티브 및 채널 쇼트키 TTL로 바이폴라 디지털 마이크로회로 구현
- DLA SMD-5962-88583 REV B-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 육각형 NTDS 고속 드라이버 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97636 REV A-2007 초소형 회로, 디지털, 양극, 스트로보스코프가 있는 듀얼 4입력 NOT 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA MIL-M-38510/151 B VALID NOTICE 1-2009 미세 회로, 디지털, 양극, TTL, 슈미트 트리거 NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-76020 REV H-2010 마이크로회로, 디지털, 양극성 저전력 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키, TTL, 이중 캐리 저장 전가산기, 모놀리식 실리콘
- DLA MIL-PRF-39016/38 C VALID NOTICE 1-2010 계전기, 전자기, 고신뢰성, DPDT, 저레벨 ~ 2A(0.150인치 단자 간격), 코일 과도 억제 및 역극성 보호를 위한 내부 다이오드 포함
- DLA SMD-5962-97577 REV A-2006 4중 2입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97578 REV A-2006 4중 2입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97579 REV A-2006 삼중 3 입력 포지티브 AND 게이트 실리콘 모놀리식 디지털 바이폴라 마이크로회로
- DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 실리콘 모놀리식 바이폴라 전계 효과 트랜지스터 전산 스피커, 선형 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-95574 REV A-2006 양극성 트랜지스터 4배 2 입력 포지티브 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97558 REV A-2006 8 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, D형 레지스터, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 8비트 양방향 범용 시프트 레지스터, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-87536 REV A-2007 실리콘 모놀리식 비반전 3상태 양극 8진 버퍼 디지털 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-86838 REV D-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, NOR 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-88709 REV A-2010 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키 TTL, 2입력 NOR 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-86844 REV E-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, NOR 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-86865 REV E-2013 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, NAND 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA A-A-51187 B VALID NOTICE 1-2006 (GTAW) 텅스텐 전극 불활성 가스 차폐 용접, 용접 전극 및 결합 부품
- DLA A-A-51187 B-2001 (GTAW) 텅스텐 전극 불활성 가스 차폐 용접, 용접 전극 및 결합 부품
- DLA MIL-PRF-39016/19 H VALID NOTICE 1-2011 계전기, 전자기, 고신뢰성, DPDT, 낮은 레벨 ~ 1A, 코일 과도 억제 및 극성 반전 보호를 위한 내부 다이오드 포함, 단자 0.100인치 그리드 패턴
- DLA MIL-M-38510/384 A VALID NOTICE 1-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL 및/또는 NAND 및 NOR 게이트, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-88584 REV B-2002 실리콘 모놀리식 바이폴라 쿼드 16진수 NTDS 고속/재수신기 선형 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97560 REV A-2006 4배 2 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-97561 REV A-2006 3중 3 입력 포지티브 AND 게이트 트랜지스터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 양극 마이크로 회로
- DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 버스 인터페이스 플립플롭, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-87569 REV D-2007 실리콘 모놀리식 듀얼 4-5 입력 NOR 게이트, 이미터 결합 로직, 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-88709-1988 채널이 없는 쇼트키 TTL을 갖춘 실리콘 모놀리식 2입력으로 바이폴라 디지털 마이크로회로 구현
- DLA MIL-PRF-28776/6 E VALID NOTICE 1-2010 계전기, 하이브리드, 고신뢰성, 쌍극 쌍투, 저레벨 ~ 1.0A 내부 MOSFET 드라이버(제너 다이오드 게이트 보호(전기 기계 출력) 포함) 다이오드 코일 억제 및 0.100 그리드 리드 간격의 단자
- DLA SMD-5962-88589 REV C-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현
- DLA SMD-5962-88590 REV B-2001 실리콘 모놀리식 포지티브 NAND 채널 저전력 쇼트키 TTL로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 구현
- DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 4중 양극 접합 전계 효과 트랜지스터, 연산 증폭기, 선형 미세 회로
- DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 동기식 8비트, 업/다운 카운터, 모놀리식 실리콘
- DLA SMD-5962-94559 REV A-1994 실리콘 모놀리식, 듀얼 4입력 NAND 슈미트 트리거, 향상된 쇼트키 TTL, 양극 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97541 REV A-2006 양극 저전압 4중 2 입력 포지티브 AND 게이트 버퍼 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-89487 REV A-2001 비슈미트 트리거를 갖춘 실리콘 모놀리식 2입력 쇼트키 촉진 이중 편파 디지털 마이크로회로
- DLA SMD-5962-11231-2011 미세 회로, 하이브리드, 선형, 포지티브, 스위치, 전압 조정기
- DLA SMD-5962-88695 REV B-2007 드라이버가 없는 저전력 쇼트키 TTL을 갖춘 실리콘 모놀리식 2입력으로 이중 편파 디지털 마이크로 회로 촉진
- DLA MIL-PRF-39016/43 E VALID NOTICE 1-2010 계전기, 전자기, 고신뢰성, DPDT, 낮은 레벨 ~ 1.0A, 코일 과도 억제 및 극성 반전 보호 단자용 내부 다이오드 포함 0.100" 그리드 패턴(민감성, 60mW, 코일 작동 전력은 25입니다.
- DLA SMD-5962-97580 REV A-2006 조정 가능한 듀얼 JK 포지티브 트리거 3상태 출력 쌍안정 멀티바이브레이터 실리콘 모놀리식 회로 디지털 바이폴라 마이크로회로
- DLA SMD-5962-97584 REV B-2006 미세 회로, 디지털, 양극, 개선된 쇼트키 트랜지스터 논리 회로, 듀얼 4입력 포지티브 NAND 게이트, 단일 실리콘 조각
Society of Automotive Engineers (SAE), 양극성 비극성
- SAE AMS2685B-1985 용접, 텅스텐 아크 용접, 불활성 가스 비소모성 전극(GTAW 방식)
- SAE AMS2685-1974 용접, 금속 아크, 불활성 가스 비소모성 전극(GTAW 방식)
- SAE AMS2685A-1986 용접, 금속 아크, 불활성 가스 비소모성 전극(GTAW 방식)
- SAE AMS2685E-2007 불활성 가스 텅스텐 아크 용접(가스 텅스텐 아크 용접법)
- SAE AMS2479D-2018 마그네슘 합금산 박층 아노다이징 처리
- SAE AMS2479D-2003 마그네슘 합금 산성 알루마이트 박층 코팅
- SAE AMS1547-1996 세정제, 양극, 전해, 알칼리강, 전지
- SAE AMS1547A-2018 세정제, 양극, 전해, 알칼리강, 전지
- SAE AMS2478E-2003 마그네슘 합금 산성 알루마이트 완전 코팅
- SAE AMS2466B-2009 고전압 마그네슘 합금 알칼리 경질 양극 코팅
- SAE AMS2685C-1994 용접, 텅스텐 아크, 불활성 가스(GTAW 방식)
- SAE AMS2685E-2012 용접, 텅스텐 아크, 불활성 가스(GTAW 방식)
- SAE AMS1547-1987 철강용 박스형 알칼리 전해 양극 세정제
- SAE AMS1547A-2008 철강용 박스형 알칼리 전해 양극 세정제
- SAE AMS2466A-2003 마그네슘 합금 경질 알루마이트 피막 알칼리성, 고압
- SAE AMS2467-2016 마그네슘 합금 경질 알루마이트 피막 알칼리성, 고압
- SAE AMS2467A-2022 마그네슘 합금 경질 알루마이트 피막 알칼리성, 고압
- SAE AMS2467-1995 고전압 마그네슘 합금 알칼리계 경질 양극 코팅
Military Standards (MIL-STD), 양극성 비극성
Natural Gas Processor's Association (NGPA), 양극성 비극성
CU-NC, 양극성 비극성
ECIA - Electronic Components Industry Association, 양극성 비극성
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 양극성 비극성
HU-MSZT, 양극성 비극성
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 양극성 비극성
Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 양극성 비극성
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 양극성 비극성
Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 양극성 비극성
PH-BPS, 양극성 비극성
Danish Standards Foundation, 양극성 비극성
GOSTR, 양극성 비극성
Association Francaise de Normalisation, 양극성 비극성
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 양극성 비극성
KR-KS, 양극성 비극성
German Institute for Standardization, 양극성 비극성
ES-UNE, 양극성 비극성
British Standards Institution (BSI), 양극성 비극성
Professional Standard - Electron, 양극성 비극성
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 양극성 비극성
ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector, 양극성 비극성
Group Standards of the People's Republic of China, 양극성 비극성
CZ-CSN, 양극성 비극성
未注明发布机构, 양극성 비극성
General Motors Corporation (GM), 양극성 비극성
The Aluminum Association, 양극성 비극성
RU-GOST R, 양극성 비극성
YU-JUS, 양극성 비극성
Lithuanian Standards Office , 양극성 비극성
Professional Standard - Chemical Industry, 양극성 비극성
American Society for Testing and Materials (ASTM), 양극성 비극성
SE-SIS, 양극성 비극성
RO-ASRO, 양극성 비극성
Standard Association of Australia (SAA), 양극성 비극성
Professional Standard - Agriculture, 양극성 비극성
United States Navy, 양극성 비극성
Professional Standard - Medicine, 양극성 비극성
GM North America, 양극성 비극성
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 양극성 비극성
American National Standards Institute (ANSI), 양극성 비극성
AENOR, 양극성 비극성
Indonesia Standards, 양극성 비극성
U.S. Military Regulations and Norms, 양극성 비극성
Association of German Mechanical Engineers, 양극성 비극성
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 양극성 비극성
U.S. Air Force, 양극성 비극성
IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 양극성 비극성
- QC 300202/US 0005-1985 전자 장비에 사용하기 위한 사양: 세부 사양: 비고체 전해질 및 다공성 양극이 있는 고정 탄탈륨 커패시터, 은 케이스 축 리드 탄력있게 밀봉된 극성 니켈 양극 구리 음극 절연 리드
CEN - European Committee for Standardization, 양극성 비극성
International Organization for Standardization (ISO), 양극성 비극성
European Committee for Standardization (CEN), 양극성 비극성
(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 양극성 비극성
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 양극성 비극성
TR-TSE, 양극성 비극성
Professional Standard - Light Industry, 양극성 비극성
Society of Motion Picture and Television Engineers (SMPTE), 양극성 비극성
Underwriters Laboratories (UL), 양극성 비극성
ASHRAE - American Society of Heating@ Refrigerating and Air-Conditioning Engineers@ Inc., 양극성 비극성
Canadian Standards Association (CSA), 양극성 비극성
Professional Standard - Non-ferrous Metal, 양극성 비극성
PL-PKN, 양극성 비극성
North Atlantic Treaty Organization Standards Agency, 양극성 비극성
Professional Standard - Petrochemical Industry, 양극성 비극성
BR-ABNT, 양극성 비극성
中国石油化工总公司, 양극성 비극성
PT-IPQ, 양극성 비극성
International Electrotechnical Commission (IEC), 양극성 비극성
Professional Standard - Machinery, 양극성 비극성
SAE - SAE International, 양극성 비극성
IN-BIS, 양극성 비극성
ZA-SANS, 양극성 비극성
ESDU - Engineering Sciences Data Unit, 양극성 비극성
IT-UNI, 양극성 비극성
BE-NBN, 양극성 비극성
GB-REG, 양극성 비극성
AASHTO - American Association of State Highway and Transportation Officials, 양극성 비극성
- T 373M/T 373-2017 콘크리트 철근강의 정성적 부식특성 비교를 위한 표준시험방법(선형편파저항시험 및 전위역학적 분극시험)
- T 90-2014 토양의 가소성 한계 및 가소성 지수를 결정하기 위한 표준 시험 방법
- T 90-2015 토양의 가소성 한계 및 가소성 지수를 결정하기 위한 표준 시험 방법
- T90-1994 토양의 가소성 한계 및 가소성 지수를 결정하기 위한 표준 시험 방법
- T 90-2000 토양의 가소성 한계 및 가소성 지수를 결정하기 위한 표준 시험 방법
(U.S.) Telecommunications Industries Association , 양극성 비극성
(U.S.) Ford Automotive Standards, 양극성 비극성
The American Road & Transportation Builders Association, 양극성 비극성
International Telecommunication Union (ITU), 양극성 비극성
CH-SNV, 양극성 비극성
Professional Standard - Energy, 양극성 비극성
Professional Standard - Ferrous Metallurgy, 양극성 비극성
US-FCR, 양극성 비극성
IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 양극성 비극성
FI-SFS, 양극성 비극성
Professional Standard - Post and Telecommunication, 양극성 비극성
European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 양극성 비극성
IEC - International Electrotechnical Commission, 양극성 비극성