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양극성

모두 49항목의 양극성와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 양극성와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 오디오, 비디오 및 시청각 엔지니어링, 콘덴서, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 반도체 개별 장치, 종합 전자 부품, 광섬유 통신.


CU-NC, 양극성

  • NC 66-29-1984 전자 회로. 바이폴라 트랜지스터 측정 방법
  • NC 66-27-1984 전자 회로. 고주파 바이폴라 트랜지스터. 모델 BF310 품질 사양
  • NC 66-28-1984 전자 회로. 고주파 바이폴라 트랜지스터. BF199 유형 품질 사양.
  • NC 66-25-1987 전자 및 전기 산업. 고주파 바이폴라 트랜지스터. 품질 사양
  • NC 66-26-1984 전자 회로. 고전력 바이폴라 스위칭 트랜지스터, 유형 BU208. 품질 사양
  • NC 66-23-1984 전자 회로. 고전력 및 저주파 바이폴라 트랜지스터 2N 3055. 품질 사양
  • NC 66-17-1987 전기 및 전자 산업. 고전압 및 중전력 바이폴라 트랜지스터. 품질 사양
  • NC 66-14-1987 전자 및 전기 산업. 플라스틱 포장 바이폴라 트랜지스터. 일반 품질 사양
  • NC 66-16-1987 전자 회로 및 전기 산업을 위한 저잡음 전력 바이폴라 트랜지스터입니다. 품질 사양
  • NC 66-18-1984 전자 회로. 중전력 및 고전압 바이폴라 트랜지스터 BC328 및 BC338. 품질 사양
  • NC 66-20-1984 전자 회로. 고전력 및 저주파 바이폴라 트랜지스터 BD 175, BD 176, BD 177 및 BD 178. 품질 사양
  • NC 66-22-1984 전자 회로. 고전력 및 저주파 바이폴라 트랜지스터 BD 705, BD 707, BD 708, BD 709, y BD 710. 품질 사양
  • NC 66-19-1984 전자 회로. 중전력 및 고전압 바이폴라 트랜지스터 BC135, BC136, 3D 137, BD 138, BD 139 및 BD 140. 품질 사양
  • NC 66-24-1984 전자 회로. 고전력 및 저주파 바이폴라 트랜지스터 BD 533, BD 534, BD 535, BD 536, BD 537, BD 538 품질 사양
  • NC 66-21-1984 전자 회로. 고전력 및 저주파 바이폴라 트랜지스터 BD 233, BD 234, BD 235, BD 236, BD 237 및 BD 238. 품질 사양

Defense Logistics Agency, 양극성

  • DLA SMD-5962-88763-1990 실리콘 모놀리식 바이폴라 추적 조정기 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88763 REV A-2010 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89930 REV D-2011 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89930 REV E-2013 마이크로회로, 선형, 양극 추적 조정기, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-86713 REV B-2009 마이크로회로, 디지털, 양극, 8비트 등가 비교기, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90541 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 양극, 저전력 쇼트키, TTL, 이중 캐리 저장 전가산기, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-88555 REV D-2008 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, D형 레지스터, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-88605 REV B-2001 실리콘 모놀리식 바이폴라 고성능 10비트 버퍼링 바이폴라 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89525 REV C-2012 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 버스 인터페이스 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA MIL-M-38510/211 (1)-2012 초소형 회로, 디지털, 32,768비트 쇼트키 다이오드, 양극, 프로그래밍 가능 읽기 전용 메모리(PROM), 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90502 REV A-2010 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 8비트 양방향 범용 시프트 레지스터, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-89526 REV C-2012 마이크로회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 동기식 8비트, 업/다운 카운터, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-97549 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 3상태 출력을 갖춘 8진 D형 에지 트리거 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-78019 REV E-2006 실리콘 모놀리식 고속 전압 비교기, 양극 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88605 REV C-2008 마이크로 회로, 디지털, 양극성 고성능 10비트 버퍼, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90910 REV B-2012 초소형 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 클록 활성화 기능이 있는 8진 에지 트리거 D형 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90695 REV A-2010 미세 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키, TTL, 3상태 출력을 갖춘 8비트 버스 인터페이스 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90780 REV C-2012 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 쇼트키, TTL, 비반전 및 반전 입력이 있는 10비트 버스 인터페이스 플립플롭, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-90523 REV C-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 고급 저전력 쇼트키 TTL, 8진 버스 트랜시버 및 반전 3상태 출력을 갖춘 레지스터, 모놀리식 실리콘
  • DLA SMD-5962-96878 REV C-2009 마이크로 회로, 디지털, 양극, 쇼트키 TTL, 3상태 출력, 2개의 독립 입력 또는 2개의 독립 입력, 모놀리식 실리콘을 갖춘 16진수 버퍼/라인 드라이버

Professional Standard - Electron, 양극성

  • SJ/Z 9184-1995 비디오 레코더용 양극 알루미늄 전해 콘덴서 인증 규격
  • SJ 20973-2007 신뢰성 표시기가 있는 양극성 고체 전해질 탄탈륨 커패시터의 일반 사양
  • SJ 20208-1992 신뢰성 표시기가 있는 CAK70 유형 양극 고정 전해 탄탈륨 커패시터에 대한 세부 사양
  • SJ 50063.1-1994 신뢰성 표시기가 있는 유형 CAK72 양극 고체 전해질 탄탈륨 커패시터에 대한 세부 사양
  • SJ/T 10504-1994 전자 부품의 세부 사양 CA70 양극성 고체 전해질 고정 탄탈륨 커패시터 평가 수준 E

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 양극성

  • GJB 605-1988 SD01A 미사일 핵무기용 양극 배터리 팩 기술 조건

Danish Standards Foundation, 양극성

  • DS/IEC 747-7-2:1990 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 2: 저주파 증폭을 위한 환경적으로 평가된 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.
  • DS/IEC 747-7-1:1990 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 1: 저주파 및 고주파 증폭을 위한 환경 친화적인 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.

Association Francaise de Normalisation, 양극성

CZ-CSN, 양극성

  • CSN IEC 747-7:1994 반도체 개별 장비 및 집적 회로. 7부: 양극성 트랜지스터

International Electrotechnical Commission (IEC), 양극성

  • IEC 60747-7/AMD2:1994 반도체 개별 장치 및 집적 회로 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 보충 자료 2

Professional Standard - Post and Telecommunication, 양극성

  • YD/T 2618.3-2014 40G b/s 위상 변조 광 트랜시버 모듈 3부: 간섭성 수신 및 양극성 위상 편이 변조 변조

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 양극성

  • KS C IEC 60747-7-2:2006 반도체 장치 개별 장치 파트 7: 바이폴라 트랜지스터 섹션 2: 저주파 증폭을 위한 환경적으로 평가된 바이폴라 트랜지스터에 대한 빈 세부 사양.

US-CFR-file, 양극성

  • CFR 40-450.21-2014 환경 보호 파트 450: 건설 및 개발 점오염원 범주 섹션 450.21: 폐수 제한은 현재 가장 이용 가능한 기술(양극 트랜지스터)을 반영합니다.




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