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반도체 웨이퍼 두께

모두 36항목의 반도체 웨이퍼 두께와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 웨이퍼 두께와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 소재, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 어휘, 반도체 개별 장치, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 종합 전자 부품.

German Institute for Standardization, 반도체 웨이퍼 두께

• DIN 50441-4:1999 반도체 공정에 사용되는 재료 테스트 반도체 웨이퍼의 기하학적 치수 결정 4부: 웨이퍼 직경, 직경 변화, 웨이퍼 직경, 웨이퍼 길이 및 웨이퍼 두께
• DIN 50441-1:1996 반도체 공정 재료 테스트 반도체 웨이퍼 기하학적 치수 측정 1부: 두께 및 두께 변화
• DIN 50441-5:2001 반도체 기술 테스트 반도체 웨이퍼의 기하학적 치수 결정 5부: 모양 및 평탄도 편차에 대한 용어
• DIN EN 62047-9:2012-03 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 9부: MEMS 웨이퍼 간 결합 강도 측정
• DIN EN 60749-19:2011-01 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 19부: 칩 전단 강도
• DIN 50455-1:2009-10 반도체 기술 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 광학적 방법을 통한 코팅 두께 결정
• DIN 50455-1:2009 반도체 기술에 사용되는 재료 테스트 포토레지스트 특성화 방법 1부: 코팅 두께의 광학적 결정

Professional Standard - Machinery, 반도체 웨이퍼 두께

• JB/T 9687.1-1999 전력 반도체 소자용 몰리브덴 웨이퍼
• JB/T 9687.2-1999 전력 반도체 소자용 텅스텐 웨이퍼
• JB/T 7061-1993 전력 반도체 소자용 실리콘 웨이퍼

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 웨이퍼 두께

• JEDEC JESD22-B118-2011 반도체 웨이퍼 및 칩 후면 외관검사

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 웨이퍼 두께

• GB/T 41853-2022 반도체 소자의 웨이퍼와 MEMS 소자의 결합강도 측정
• GB/T 42706.5-2023 전자 부품 반도체 장치 장기 보관 5부: 칩 및 웨이퍼

British Standards Institution (BSI), 반도체 웨이퍼 두께

• BS EN 62047-9:2011 반도체 장치, 마이크로 전자 기계 장치, MEMS의 웨이퍼 간 결합 강도 측정
• BS EN 62047-9:2013 반도체소자 미세전자기계소자 MEMS의 웨이퍼간 결합강도 측정

American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체 웨이퍼 두께

• ASTM F1894-98 텅스텐 실리사이드 반도체 공정막의 조성 및 두께를 정량적으로 분석하기 위한 표준 시험 방법
• ASTM F1894-98(2011) 텅스텐 실리사이드 반도체 공정막의 조성 및 두께를 정량적으로 분석하기 위한 표준 시험 방법
• ASTM F1894-98(2003) 텅스텐 실리사이드 반도체 공정막의 조성 및 두께를 정량적으로 분석하기 위한 표준 시험 방법

PH-BPS, 반도체 웨이퍼 두께

• PNS IEC 62435-5:2021 전자 부품, 전자 반도체 장치의 장기 보관 5부: 칩 및 웨이퍼 장치

Association Francaise de Normalisation, 반도체 웨이퍼 두께

• NF C96-435-5*NF EN 62435-5:2017 전자부품 전자반도체소자의 장기보관 제5부 칩 및 웨이퍼소자
• NF EN 62435-5:2017 전자부품 반도체·전자기기의 장기보관 제5부 칩소자 및 웨이퍼
• NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 반도체 장치 - 미세 전자기계 장치 - 파트 9: 미세 전자기계 시스템 실리콘 웨이퍼의 실리콘 결합 강도 테스트.

ES-UNE, 반도체 웨이퍼 두께

• UNE-EN 62435-5:2017 전자부품 전자반도체 소자의 장기보관 제5부: 칩 및 웨이퍼 소자
• UNE-EN 62047-9:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 9부: MEMS 웨이퍼 간 결합 강도 측정

未注明发布机构, 반도체 웨이퍼 두께

• BS EN 62047-9:2011(2012) 반도체 장치 - 미세 전자 기계 장치 9부: MEMS 웨이퍼 간 결합 강도 측정

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 웨이퍼 두께

• GB/T 4937.19-2018 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 19부: 칩 전단 강도

AENOR, 반도체 웨이퍼 두께

• UNE-EN 60749-19:2003/A1:2011 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 19부: 칩 전단 강도
• UNE-EN 60749-19:2003 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 19부: 칩 전단 강도

Danish Standards Foundation, 반도체 웨이퍼 두께

• DS/EN 60749-19/A1:2010 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 19부: 칩 전단 강도
• DS/EN 60749-19:2003 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 19부: 칩 전단 강도
• DS/EN 62047-9:2011 반도체 소자용 미세 전자기계 소자 9부: MEMS의 웨이퍼 간 결합 강도 측정

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 웨이퍼 두께

• IEC 62047-9:2011 반도체 장치 미세 전자기계 장치 9부: 미세 전자기계 시스템 실리콘 웨이퍼의 실리콘 웨이퍼 결합 강도 테스트
• IEC 62047-9:2011/COR1:2012 반도체 장치 미세 전자기계 장치 9부: 미세 전자기계 시스템 실리콘 웨이퍼의 실리콘 웨이퍼 결합 강도 테스트

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 웨이퍼 두께

• EN 62047-9:2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 9부: 미세 전자 기계 시스템(MEMS) 실리콘 웨이퍼의 실리콘 결합 강도 테스트

Lithuanian Standards Office , 반도체 웨이퍼 두께

• LST EN 62047-9-2011 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 9부: MEMS 웨이퍼 간 결합 강도 측정(IEC 62047-9:2011)
• LST EN 60749-19+AC-2003 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 19: 칩 전단 강도(IEC 60749-19:2002)

기타:   반도체 웨이퍼 두께.