ZH
EN
ES

транзистор с эффектом

транзистор с эффектом, Всего: 297 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к транзистор с эффектом, являются: Полупроводниковые приборы, Механические конструкции электронного оборудования, Полупроводниковые материалы, Клапаны, Электронные компоненты в целом, Аналитическая химия, Краски и лаки, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Интегральные схемы. Микроэлектроника.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), транзистор с эффектом

KS C 5202-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5202-2004 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C IEC 60747-8:2002 Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
KS C IEC 60747-8:2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
KS C IEC 60747-4-1-2002(2017) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 4－1:СВЧ-диоды и транзисторы－СВЧ-полевые транзисторы－Бланк подробной спецификации

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, транзистор с эффектом

JEDEC JES2-1992 Транзистор, силовой полевой транзистор на основе арсенида галлия, общие характеристики

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), транзистор с эффектом

JIS C 7214:1978 Гарантированная надежность полевых транзисторов

CZ-CSN, транзистор с эффектом

CSN 35 8803-1983 Полевые транзисторы. Электрический параметр. Методы измерения
CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевой транзистор

European Standard for Electrical and Electronic Components, транзистор с эффектом

EN 150012:1991 Пустая подробная спецификация: полевые транзисторы с одним затвором

PL-PKN, транзистор с эффектом

PN T01505 ArkusZ06-1974 Полевые эффекты? Транзисторы Метод измерения Ga?? текущий Icdo
PN T01505 ArkusZ11-1974 Полевые датчики Метод измерения Разрушение источника стока yol?age U
PN T01505 ArkusZ01-1974 Полевой эффект? транзисторы Измерительный ме?ход Затвор-исток отсечка yol?aoe Ugs (Offi
PN T01501 ArkusZ4-1973 Полупроводниковые символы deyictj Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов
PN T01505 ArkusZ10-1974 Полевые транзисторы Метод измерения напряжения пробоя Ga?e-источника U(8R) GSS
PN T01505 ArkusZ09-1974 Полевые транзисторы Метод измерения Напряжение пробоя сток-исток U(BR) DSS
PN T01505 ArkusZ12-1974 Полевые транзисторы? Метод измерения по схеме Шорфа? общий источник проводимости inpof 9uss
PN T01505 ArkusZ14-1974 Полевой эффект? транзистор Метод измерения Переносная проводимость короткого замыкания с общим источником g,,?
PN T01505-17-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Выходная емкость короткого замыкания с общим истоком C22SS
PN T01505 ArkusZ02-1974 Полевые транзисторы
PN T01505-16-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Входная емкость короткого замыкания с общим источником CnM
PN T01505-19-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Коэффициент шума F и эквивалентное входное шумовое напряжение U?
PN T01505-18-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Обратно-переходная емкость с общей цепью с короткозамкнутым входом Cl2j.s
PN T01505-04-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Ток отсечки затвора Iaso и ток утечки затвора Igss
PN T01505-15-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Прямая проводимость короткого замыкания yi\s и прямая проводимость короткого замыкания в общем источнике gms
PN T01505-13-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Выходная проводимость короткого замыкания y?is и выходная проводимость короткого замыкания в цепи общего источника
PN T01505-03-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Ток стока при заданном напряжении затвор-исток Idsx и токе стока при коротком замыкании затвора на исток. Идсс

RU-GOST R, транзистор с эффектом

GOST 17466-1980 Транзисторы биполярные и полевые. Основные параметры
GOST 20398.2-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения коэффициента шума
GOST 20398.3-1974 Полевые транзисторы. Метод измерения прямой крутизны
GOST 20398.6-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения тока утечки затвора
GOST 20398.11-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения входного шумового напряжения, эквивалентного короткому замыканию
GOST 20398.0-1983 Полевые транзисторы. Общие требования к измерению электрических параметров
GOST 20398.8-1974 Полевые транзисторы. Ток стока для метода измерения V(Gs)=0
GOST 20398.13-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения сопротивления источника стока
GOST 20398.12-1980 Полевые транзисторы. Методика измерения остаточного тока стока
GOST 20398.1-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения адмиттанса прямого переноса в короткозамкнутой цепи
GOST 20398.4-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения активной составляющей выходной проводимости
GOST 20398.7-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения порогового напряжения и напряжения отсечки
GOST 20398.9-1980 Полевые транзисторы. Метод измерения импульсной прямой проводимости
GOST 20398.10-1980 Полевые транзисторы. Ток стока для импульсного метода измерения Vgs=0
GOST 20398.5-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения входной передачи и выходной емкости
GOST 20398.14-1988 Полевые транзисторы. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления и эффективности стока

British Standards Institution (BSI), транзистор с эффектом

BS IEC 60747-8:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полевые транзисторы. Дополнительные номиналы и характеристики и поправки в методах измерения мощности коммутации полевых транзисторов.
BS IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы
BS IEC 60747-8:2010+A1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства - Полевые транзисторы
BS QC 750114:1996 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы. Пустая подробная спецификация полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений
BS EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
19/30389766 DC БС МЭК 60747-8 AMD1. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы
BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.
BS IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) - быстрый тест BTI для MOSFET
BS IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Метод испытания на нестабильность температуры смещения
17/30366375 DC БС МЭК 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI
18/30381548 DC БС ЕН 62373-1. Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Метод быстрого испытания BTI

IET - Institution of Engineering and Technology, транзистор с эффектом

MICROW FLD-EFFE TRANSIS-1994 СВЧ полевые транзисторы: теория, конструкция и применение
RF MICROW MDL MEAS TECHNQ FLD EFFT TRANSIS-2010 Методы радиочастотного и микроволнового моделирования и измерения полевых транзисторов

International Electrotechnical Commission (IEC), транзистор с эффектом

IEC 60747-8:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8-1:1987 Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Бланковая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
IEC 60747-8-3:1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел 3. Пустая подробная спецификация для корпусных полевых транзисторов для коммутационных приложений.
IEC 60747-8-2:1993 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 8: полевые транзисторы; раздел 2: пустая подробная спецификация полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:1984 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2021 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.
IEC 60747-4-1:2000 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 4-1. СВЧ-диоды и транзисторы; Полевые транзисторы СВЧ; Пустая подробная спецификация
IEC TS 62607-6-16:2022 Нанопроизводство. Ключевые характеристики управления. Часть 6-16. Двумерные материалы. Концентрация носителей: метод полевого транзистора.
IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Часть 8-4. Полевые транзисторы металл-оксид-полупроводник (МОП-транзисторы) для устройств переключения мощности.
IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.

YU-JUS, транзистор с эффектом

JUS N.R1.451-1982 Полевой транзистор. Общие принципы методов измерения
JUS N.R1.330-1979 иполярные транзисторы. Определения параметров рассеяния
JUS N.R1.353-1979 Буквенный символ полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.323-1979 Термины и определения полупроводниковых приборов. Биполярные и полевые транзисторы.
JUS N.R1.391-1979 Бвполярные транзисторы. Основные номиналы и характеристики: силовые транзисторы
JUS N.R1.373-1980 Полупроводниковые иоды. Основные характеристики и характеристики. Сигнальные диоды малой мощности
JUS N.R1.390-1979 Биполярное расстройство. Основные номиналы и характеристики: сигнальные транзисторы bw-power

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, транзистор с эффектом

GB/T 15450-1995 Пустая подробная спецификация кремниевых полевых транзисторов с двойным выходом
GB/T 6219-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
GB/T 4586-1994 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы
GB/T 15449-1995 Подробная спецификация Biank для полевых транзисторов для применения в режиме выборки
GB/T 21039.1-2007 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 4-1. СВЧ-диоды и транзисторы. СВЧ-полевые транзисторы. Бланк подробной спецификации.

TH-TISI, транзистор с эффектом

TIS 2124-2002 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел третий: пустая подробная спецификация для полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных приложений.
TIS 2122-2002 Полупроводниковые приборы.дискретные устройства.часть 8: полевые транзисторы. раздел первый: пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
TIS 2121-2002 Полупроводниковые приборы.Дискретные устройства.часть 8: Полевые транзисторы.
TIS 2123-2002 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел второй: пустая подробная спецификация для полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом.

Professional Standard - Aerospace, транзистор с эффектом

QJ 2617-1994 Спецификация приемки корпуса полевого СВЧ-транзистора (микроволнового полевого транзистора)

Defense Logistics Agency, транзистор с эффектом

DLA SMD-5962-89659-1990 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, БУФЕРНЫЙ ПОЛЕТОВЫЙ МОДЕЛЬ, ГИБРИДНАЯ
DLA MIL-PRF-19500/295 E VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, P-канал, кремниевые, тип 2N2608, JAN и UB
DLA MIL-PRF-19500/296 E VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, P-канал, кремниевые, тип 2N2609, JAN и UB
DLA MIL-PRF-19500/296 F-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N2609, ЯН И УБ
DLA MIL-PRF-19500/295 F-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N2608, ЯН И УБ
DLA SMD-5962-01504 REV B-2007 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ЗАКАЗНАЯ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA SMD-5962-01504 REV D-2011 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ЗАКАЗНАЯ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA MIL-PRF-19500/750-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7507U3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/750 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, N-канальный, кремниевый, тип 2N7507U3, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/748-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7505T3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/751-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7508U3, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/748 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, P-канал, кремниевый, тип 2N7505T3, JANTX, JANTXV и JANS
DLA MIL-PRF-19500/751 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, P-канал, кремниевый, тип 2N7508U3, JANTX, JANTXV и JANS
DLA SMD-5962-01503 REV A-2005 МИКРОСХЕМЫ, ГИБРИДНЫЕ, ЗАКАЗНЫЕ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, 600 ВОЛЬТ ИЛИ 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA SMD-5962-81023 REV L-2006 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, BI-FET ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90500 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ, С ВХОДОМ ПОЛЕТОВОГО ПЕТЛЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
DLA SMD-5962-01503 REV C-2013 МИКРОСХЕМЫ, ГИБРИДНЫЕ, ЗАКАЗНЫЕ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, 600 ВОЛЬТ ИЛИ 500 ВОЛЬТ, С ЗАЩИТОЙ ЗАТВОРА
DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7537, 2N7537A, JAN AND JANTX
DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, пластик, N-канальный, кремний, тип 2N7537, 2N7537A, JAN и JANTX
DLA SMD-5962-89622 REV A-1994 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ, JFET, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91574 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНЫЙ, ЛИНЕЙНЫЙ, ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ВХОД НА ПОЛЕТОВОМ МЕТЕРЕ
DLA MIL-S-19500/378 B VALID NOTICE 2-2004 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N2497 ДО 2N2500, 2N3329 ДО 2N3332, JANTX
DLA MIL-PRF-19500/378 B NOTICE 1-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N2497 ДО 2N2500, 2N3329 ДО 2N3332, JANTX
DLA MIL-PRF-19500/569 NOTICE 2-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N6966, 2N6967, 2N6968 И 2N6969 JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/428 G VALID NOTICE 1-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N4416A И 2N4416AUB, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/547 D-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N6660 И 2N6661, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/428 H-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N4416A И 2N4416AUB, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA SMD-5962-00521 REV E-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВО-ЛИНЕЙНАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ МОП-транзисторов, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/430 B VALID NOTICE 2-2008 Полупроводниковые приборы, двойные полевые транзисторы, N-канальные, кремниевые типы 2N5545, 2N5546 и 2N5547, JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/430 C-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ДВОЙНЫЕ ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N5545, 2N5546 И 2N5547, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/562 D VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, P-канал, кремний, типы 2N6804 и 2N6806 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/562 E-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N6804 И 2N6806 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC И JANKC
DLA MIL-PRF-19500/688 B-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7002, 2N7002T2 И 2N7002UB, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
DLA MIL-PRF-19500/562 E (1)-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N6804 И 2N6806 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC И JANKC
DLA SMD-5962-89976 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ, ТОЧНАЯ, JFET, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90633 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ЧЕТЫРЕХБИФЕТНЫЙ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90807 REV D-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, JFET, МИКРОЭНЕРГИЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90817 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ДВОЙНОЙ, JFET, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90902 REV A-2002 МИКРОсхема, гибридная, линейная, с входом на полевом транзисторе, буферный усилитель с замкнутым контуром
DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, ДРАЙВЕР MOSFET, ДВОЙНОЕ ПИТАНИЕ
DLA MIL-PRF-19500/599 D VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, счетверенные, полевые транзисторы, P-канальные, кремниевые, тип 2N7335 JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/605 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ТОЛЬКО ПОЛНАЯ ДОЗА) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N7292, 2N7294, 2N7296 И 2N7298, JANTXVM, D, R, H И JANSM, D И R
DLA SMD-5962-89669 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ЧЕТЫРЕЧНАЯ, SPST JFET, АНАЛОГОВЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87706 REV A-2000 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ТОЧНЫЙ JFET-ВХОД, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90808 REV C-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, JFET, МИКРОЭНЕРГИЯ, ДВОЙНОЙ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОДИНОЧНЫЙ МОЩНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/431 E-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N4091, 2N4092, 2N4093, 2N4091UB, 2N4092UB И 2N4093UB, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/476 E-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N5114 ДО 2N5116 И 2N5114UB ДО 2N5116UB, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/714 VALID NOTICE 1-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, ГРАНИЦОВАННЫЙ ПЛАСТИК, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7558, 2N7559 2N7560, JAN, JANTX И JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/715 VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой транзистор, инкапсулированный пластик, N-канальный, кремниевый, тип 2N7563, 2N764, 2N7565, JAN, JANTX и JANTXV
DLA MIL-PRF-19500/476 F-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N5114 ДО 2N5116 И 2N5114UB ДО 2N5116UB, JAN, JANTX И JANTXV
DLA SMD-5962-91519 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, JFET ДВОЙНОЙ ТОЧНОСТИ, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87716 REV A-2000 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, 8-КАНАЛЬНАЯ, АНАЛОГОВЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР JFET, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87717 REV B-2002 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, 16-КАНАЛЬНЫЙ АНАЛОГОВЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР JFET, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-89897 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ЧЕТЫРЕЧНАЯ, ТОЧНАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ JFET, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90809 REV E-2006 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, JFET, МИКРОЭНЕРГИЯ, СЧЕТВЕРНАЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/563 F VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, P-каналы, кремниевые типы 2N6845, 2N6845U, 2N6847 и 2N6847U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA SMD-5962-87718 REV A-2000 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, 4-КАНАЛЬНЫЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ АНАЛОГОВЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР JFET, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/556 K-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N6782, 2N6782U, 2N6784, 2N6784U, 2N6786 И 2N6786U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA SMD-5962-03247 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, МОЩНЫЙ МОП-транзистор, ДВУХКАНАЛЬНЫЙ, ОПТОПАРА
DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ОДИНОЧНЫЙ, ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОП-транзистор, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/595 K-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОВТОРЯЮЩАЯСЯ ЛАВИНА, ПОЛЕ, ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛ, КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7236, 2N7237, 2N7236U И 2N7237U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 G VALID NOTICE 1-2008 Полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, N-канальные, кремниевые типы 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 и 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/557 H-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПЫ 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 И 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JAN ХК И ЯНКК
DLA MIL-PRF-19500/557 J-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПЫ 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 И 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JAN ХК И ЯНКК
DLA MIL-PRF-19500/557 K-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПЫ 2N6796, 2N6796U, 2N6798, 2N6798U, 2N6800, 2N6800U, 2N6802 И 2N6802U JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JAN ХК И ЯНКК
DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛНАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N7403 И 2N7404, JANSD И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и однократное воздействие), кремниевый P-канальный транзистор типа 2N7438 и 2N7439 JANSD и JANSR
DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и одиночное воздействие) Транзистор, N-канальный, кремниевый, типы 2N7497T2, 2N7498T2 и 2N7499T2, JANTXVR и JANSR
DLA MIL-PRF-19500/555 K-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПЫ 2N6788, 2N6788U, 2N6790, 2N6790U, 2N6792, 2N6792U, 2N6794 И 2N6794U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, ЯНХК И ЯНКК
DLA SMD-5962-90861 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, J-FET МАЛОЙ МОЩНОСТИ, ОДИНОЧНЫЙ/ДВОЙНОЙ/ЧЕТЫРЕХ ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/752-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИП 2N7608T2, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7488T3, 2N7489T3 И 2N7490T3, JANTXVR И JANSR
DLA MIL-PRF-19500/749-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, Р-КАНАЛЬНЫЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7506U8 И 2N7506U8C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR И JANSF
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, BI-FET ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90958 REV B-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, JFET-ВХОД, ВЫСОКИЙ ВЫХОД-ДРАЙВ, МАЛАЯ МОЩНОСТЬ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковые устройства, полевые, радиационно-стойкие (общая доза и единичные эффекты) Транзисторный кристалл, N-канал и PC-канал, кремний, различные типы, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЕ, N-КАНАЛЬНОЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТИПА 2N7467U2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G и H
DLA MIL-PRF-19500/747-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ, ТИП 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR и JANSH
DLA MIL-PRF-19500/744-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7616UB, 2N7616UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7509, 2N7510 И 2N7511, JANTXVD, R И JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное событие), N-канальный кремниевый транзистор типов 2N7512, 2N7513 и 2N7514 JANTXVD, R и JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное воздействие), кремниевый N-канальный транзистор, типы 2N7509, 2N7510 и 2N7511, JANTXVD, R и JANSD, R
DLA MIL-PRF-19500/745-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/753-2008 Полупроводниковое устройство, полевой эффект радиационного излучения (общая доза и отдельные эффекты события) транзистор, n-канал, кремний, типы 2n7580t1, 2n7582t1, 2n7584t1 и 2n7586t1, jantxvr, jantxvf, jansr и jansf
DLA MIL-PRF-19500/755-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7588T3, 2N7590T3, 2N7592T3 И 2N7594T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR И JANSF
DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7523T1, 2N7523U2, 2N7524T1 И 2N7524U2, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛЕВЫЕ ДОЗЫ И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 И 2N7550U2, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 Полупроводниковое устройство, полевой эффект радиационного излучения (общая доза и отдельные эффекты события) транзистор, n-канал, кремний, типы 2n7580t1, 2n7582t1, 2n7584t1 и 2n7586t1, jantxvr, jantxvf, jansr и jansf
DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРНЫЙ МИКР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ, JANHC И JANKC
DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7624U3 И 2N7625T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/592 E VALID NOTICE 1-2009 Полупроводниковые приборы, повторяющийся лавинный транзистор, полевой транзистор, N-канальный, кремниевые типы 2N7224, 2N7225, 2N7227, 2N7228, 2N7224U, 2N7225U, 2N7227U и 2N7228U, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JAN КС
DLA MIL-PRF-19500/592 F-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ЛАВИННЫЙ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7224, 2N7225, 2N7227, 2N7228, 2N7224U, 2N7225U, 2N7227U, И 2N7228U, JAN, JANT X, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 K-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ ПОВТОРЯЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ, ТИПЫ 2N6764, 2N6764T1, 2N6766, 2N6766T1, 2N6768, 2N6768T1, 2N6770 И 2N6770T1, J AN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 M-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ ПОВТОРЯЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ, ТИПЫ 2N6764, 2N6764T1, 2N6766, 2N6766T1, 2N6768, 2N6768T1, 2N6770 И 2N6770T1, J AN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/543 N-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ ПОВТОРЯЮЩИЕСЯ ЛАВИННЫЕ, ТИПЫ 2N6764, 2N6764T1, 2N6766, 2N6766T1, 2N6768, 2N6768T1, 2N6770 И 2N6770T1, J AN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC и JANKC
DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛЕВЫЕ ДОЗЫ И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ P-КАНАЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТИПЫ 2N7519U3, 2N7519U3C, 2N7519T3, 2N7520U3, 2N7520U3C, 2N752 0T3, JANTXVR, F И JANSR, F
DLA MIL-PRF-19500/743-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7503U8 И 2N7503U8C, JANTXVR, F И G И JANSR, F И G
DLA MIL-PRF-19500/746-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U 3C, 2N7593U3 И 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/758-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7609U8 И 2N7609U8C, JANTXVR, F И G И JANSR, F И G
DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U 3C, 2N7593U3 И 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ПРИБОРЫ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7424U, 2N7425U, 2N7426U, JANTXVR И F И JANSR И F
DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/743 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7503U8 И 2N7503U8C, JANTXVR, F, G И H И JANSR, F, G И H
DLA MIL-PRF-19500/673 A (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫМ ЭФФЕКТОМ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7468U2 И 2N7469U2 JANTXVR, F, G И H И JANSR, F, G И H
DLA MIL-PRF-19500/698 D-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7470T1 И 2N7471T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/698 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7470T1 И 2N7471T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/700 A VALID NOTICE 1-2010 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий (общая доза и единичное воздействие) Транзистор, N-канальный, кремниевый, типов 2N7494U5, 2N7495U5 и 2N7496U5, JANTXVR, F, G и H, и JANSR, F, G и H
DLA MIL-PRF-19500/701 A (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7491T2, 2N7492T2 И 2N7493T2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/702 B (1)-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7482T3, 2N7483T3 И 2N7484T3, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/702 C-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7482T3, 2N7483T3 И 2N7484T3, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/703 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7479U3, 2N7480U3, 2N7481U3, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/701 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7491T2, 2N7492T2 И 2N7493T2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
DLA MIL-PRF-19500/700 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7494U5, 2N7495U5, 2N7496U5, JANTXVR, F, G, AND H, AND JANSR, F, G, AND H

RO-ASRO, транзистор с эффектом

STAS 12389-1985 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Предельные значения и номенклатура основных электрических параметров
STAS SR CEI 747-8-1993 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 8. Полевые транзисторы
STAS 12124/3-1983 Полупроводниковые приборы FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Методы измерения электрических статических параметров
STAS 12124/4-1983 Полупроводниковые приборы ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ Методы измерения электрических статических параметров
STAS 7128/8-1986 БУКВЕННЫЕ СИМВОЛЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ. Символы полевых транзисторов.

Professional Standard - Electron, транзистор с эффектом

SJ 20231-1993 Регулирование проверки тестера FET Yfs с двойным затвором KDK
SJ 20789-2000 Методы экспресс-проверки термочувствительного параметра полевого МОП-транзистора
SJ 2748-1987 Пустая подробная спецификация однозатворных малошумящих СВЧ полевых транзисторов
SJ 20232-1993 Регулирование проверки тестера FET Gp с двойным затвором KDK
SJ 20184-1992 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация полевых транзисторов типов CS3821,3822,3823
SJ 50033/42-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ полевого транзистора GaAs типа CSO467.
SJ 50033/78-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0464.
SJ 50033/79-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0536.
SJ 50033/120-1997 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS205
SJ 20061-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS146.
SJ 50033.51-1994 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация GaAs СВЧ-полупроводника с двойным затвором типа CS0558.
SJ 50033.52-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ силового полевого транзистора GaAs типа CS0529.
SJ 50033.54-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS0532.
SJ 50033/119-1997 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация силового СВЧ-полевого транзистора GaAs типа CS204
SJ 50033/81-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0524.
SJ 50033/121-1997 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация кремниевых N-канальных полевых транзисторов типа CS3458～CS3460.
SJ 50033/80-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация силового СВЧ полевого транзистора GaAs типа CS0513.
SJ 50033/122-1997 Полупроводниковые дискретные устройства. Подробная спецификация кремниевых N-канальных полевых транзисторов типа CS3684～CS3687.
SJ 50033/38-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для типов CS4856～CS4861, кремниевого N-канального полевого транзистора с режимом обеднения.
SJ 50033.53-1994 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для СВЧ силового полевого транзистора GaAs типа CS0530 и CS0531.
SJ 50033/84-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого N-канального МОП-транзистора типа CS140 с режимом истощения.
SJ 50033/86-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого полевого транзистора типа CS5114～CS5116 с режимом истощения P-канала.
SJ 50033/83-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого P-канального МОП-транзистора типа CS139 с режимом улучшения.
SJ 50033/87-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация для кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS4091～CS4093.
SJ 50033/85-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого N-канального МОП-транзистора типа CS141 с режимом истощения.
SJ 50033/106-1996 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация типа CS203 GaAs СВЧ малошумящий полевой транзистор
SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)
SJ 50033/89-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора CS 6768 и CS 6770 с режимом улучшения.
SJ 50033/88-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора с режимом расширения CS6760 и CS6762.
SJ/T 11059-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - однозатворные полевые транзисторы CS4220A с N-канальным переходом (применимо для сертификации)
SJ/T 11057-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - высокочастотные кремниевые полевые транзисторы с двойным изолированным затвором 4CS142 (применимо для сертификации)
SJ/T 11055-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - высокочастотные кремниевые полевые транзисторы с двойным изолированным затвором 4CS119 (применимо для сертификации)
SJ/T 11056-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - высокочастотные кремниевые полевые транзисторы с двойным изолированным затвором 4CS1191 (применимо для сертификации)
SJ/T 10956-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - высокочастотные кремниевые полевые транзисторы с двойным изолированным затвором 4CS122 (применимо для сертификации)
SJ/T 10957-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - высокочастотные кремниевые полевые транзисторы с двойным изолированным затвором 4CS103 (применимо для сертификации)
SJ/T 11058-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - высокочастотные кремниевые полевые транзисторы с двойным изолированным затвором 4CS1421 (применимо для сертификации)
SJ 20011-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS1 классов ГП, ГТ и ГКТ.
SJ 20012-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS4. Классы GP, GT и GCT
SJ 20013-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого N-канального полевого транзистора типа CS10 с режимом обеднения. Классы GP, GT и GCT
SJ/T 10834-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полевых транзисторов с однозатворным переходом CS111, CS112, CS113, CS114, CS115 и CS116 (применимо для сертификации)

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, транзистор с эффектом

JJG(电子) 04049-1995 Правила проверки тестера CX с двойным затвором Guoyang
JJG(电子) 04046-1995 Правила поверки тестера параметров крутизны полевых транзисторов типа QC-13

KR-KS, транзистор с эффектом

KS C IEC 60747-8-2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, транзистор с эффектом

GJB/Z 41.4-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, полевой транзистор со спектром
GJB 33/003-1989 Пустая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и ниже 1 ГГц для полупроводниковых дискретных устройств.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, транзистор с эффектом

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)

IN-BIS, транзистор с эффектом

IS 4400 Pt.10-1983 Методы измерения полупроводниковых приборов. Часть 10. Полевые транзисторы.
IS 3700 Pt.10-1982 Основные номиналы и характеристики полупроводниковых приборов. Часть X. Полевые транзисторы.

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, транзистор с эффектом

QC 750112-1987 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц (IEC 747-8-1 ED 1).
QC 750106-1993 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел второй. Пустая подробная спецификация для полевых транзисторов для усилителей мощности с номинальным корпусом (IEC 747-8-2 ED 1)
QC 750114-1995 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел 3. Пустая подробная спецификация для корпусных полевых транзисторов для коммутационных приложений (IEC 747-8-3 ED 1).
QC 750114-1996 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полевые транзисторы. Пустые подробные спецификации для полевых транзисторов с номинальным корпусом для коммутационных устройств (IEC 747-8-3:1995).
QC 750115-2000 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 4-1. СВЧ-диоды и транзисторы. СВЧ-полевые транзисторы. Подробная спецификация (IEC 60747-4-1:2000)

Group Standards of the People's Republic of China, транзистор с эффектом

T/CASAS 022-2022 Технические характеристики полевого транзистора на основе нитрида галлия, используемого в линейных оконечных устройствах и трехфазных счетчиках электроэнергии.
T/CASAS 007-2020 Спецификация испытаний карбидокремниевых (SiC) полевых транзисторов (MOSFET) модуля электромобилей
T/CASAS 006-2020 Общие спецификации полевого транзистора из карбида кремния металл-оксид-полупроводник
T/CASAS 015-2022 Метод испытания циклического включения питания карбидокремниевого металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (SiC MOSFET)
T/CASAS 016-2022 Метод двойного переходного испытания для измерения термического сопротивления перехода в корпус карбидокремниевого металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (SiC MOSFET)

Association Francaise de Normalisation, транзистор с эффектом

NF C96-051*NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
NF C96-008:1985 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы.
NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET)
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
NF C86-712:1981 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Полевые транзисторы с одним затвором.

German Institute for Standardization, транзистор с эффектом

DIN EN 62373:2007 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN EN 62373:2007-01 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN 55659-2:2012 Краски и лаки. Определение значения pH. Часть 2. pH-электроды с технологией ISFET.
DIN EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.

Danish Standards Foundation, транзистор с эффектом

DS/EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DS/IEC 747-8:1992 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы

ES-UNE, транзистор с эффектом

UNE-EN 62373:2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)
UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), транзистор с эффектом

IEEE Std 581-1978 Стандартные определения, символы и характеристики IEEE полевых транзисторов металл-нитрид-оксид
IEEE 581-1978 Стандартные определения, символы и характеристики IEEE полевых транзисторов металл-нитрит-оксид

Lithuanian Standards Office , транзистор с эффектом

LST EN 62373-2006 Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006)
LST EN 62417-2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010)

未注明发布机构, транзистор с эффектом

BS EN 150012:1993(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Полевые транзисторы с одним затвором.

American Society for Testing and Materials (ASTM), транзистор с эффектом

ASTM F616M-96 Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)
ASTM F616M-96(2003) Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)

工业和信息化部, транзистор с эффектом

SJ/T 9014.8.2-2018 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8-2. Бланк подробной спецификации для сверхпереходных полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник.

PH-BPS, транзистор с эффектом

PNS IEC 62373-1:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.