ZH
EN
ES

конденсаторный транзистор низкой частоты

конденсаторный транзистор низкой частоты, Всего: 285 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к конденсаторный транзистор низкой частоты, являются: Полупроводниковые приборы, Применение информационных технологий, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Электронные компоненты в целом, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Конденсаторы, Механические конструкции электронного оборудования, Электрические и электронные испытания, Трансформеры. Реакторы, Электромагнитная совместимость (ЭМС), Оптоволоконная связь, Радиосвязь, Промышленные печи.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, конденсаторный транзистор низкой частоты

JEDEC JESD10-1976 Низкочастотные силовые транзисторы
JEDEC JESD52-1995 Описание низковольтных TTL-совместимых логических устройств КМОП
JEDEC EIA-398-1972 Измерение малых значений емкости транзистора
JEDEC JESD6-1967 Измерение малых значений емкости транзистора
JEDEC JESD302-1965 Диапазоны и условия указания бета-версии для маломощных транзисторов звуковой частоты для развлекательных услуг
JEDEC EIA-302-1965 Диапазоны и условия указания бета-версии для маломощных транзисторов звуковой частоты для развлекательных услуг
JEDEC EIA-354-1968 Эквивалентное шумовое напряжение транзистора и эквивалентный шумовой ток на частотах до 20 кГц, измерение

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), конденсаторный транзистор низкой частоты

KS C 5200-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ НИЗКОЧАСТОТНЫХ МАЛОГО МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5200-1980 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ НИЗКОЧАСТОТНЫХ МАЛОГО МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5216-1981(2001) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (СРЕДНЕЙ И ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ)
KS C 5216-1981 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (СРЕДНЕЙ И ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ)
KS C 5200-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ НИЗКОЧАСТОТНЫХ МАЛОГО МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5201-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ МАЛОГО МОЩНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5211-1980(2000) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C 5211-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ СЛАБОТОКОВЫХ КОММУТАЦИОННЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
KS C IEC 60747-7-1:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 60747-7-1-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C IEC 60747-7-1-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел первый: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот
KS C 5216-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ СИЛОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ (СРЕДНЕЙ И ВЫСОКОЙ МОЩНОСТИ)
KS C IEC 60747-7-2-2006(2016) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты
KS C IEC 60747-7-2-2006(2021) Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты
KS C IEC 60747-7-2:2006 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 7: Биполярные транзисторы－Раздел второй: Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов с номинальным корпусом для усиления низкой частоты

PL-PKN, конденсаторный транзистор низкой частоты

PN T01504-21-1987 Измерение транзисторов! методы Коэффициент передачи прямого тока /!2i, на низкой частоте
PN T01207-01-1992 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Биполярные транзисторы Пустая подробная спецификация на биполярные транзисторы, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низкой и высокой частоты
PN T01210-01-1992 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Биполярные транзисторы Бланк спецификации на корпусные биполярные транзисторы для усиления низкой частоты
PN T01504-24-1987 Транзисторы Методы измерения Коэффициент передачи прямого тока \)i2u\ на высокой частоте и частоте перехода fr
PN T01504 ArkusZ26-1974 Транзисторы RBB
PN T01505-17-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Выходная емкость короткого замыкания с общим истоком C22SS
PN T01504-22-1987 Транзисторы Методы измерения Емкостей коллектор-база и эмиттер-база Ccbo и Cebo
PN T01505-16-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Входная емкость короткого замыкания с общим источником CnM
PN T01505-18-1987 Полевые транзисторы Метод измерения Обратно-переходная емкость с общей цепью с короткозамкнутым входом Cl2j.s

工业和信息化部, конденсаторный транзистор низкой частоты

SJ/T 11765-2020 Метод испытания параметров низкочастотного шума транзисторов

Defense Logistics Agency, конденсаторный транзистор низкой частоты

DLA SMD-5962-85126 REV C-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, МАЛОГО МОЩНОГО ТТЛ ШОТТКИ, БУФЕРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90798-1992 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БЫСТРЫЕ, КМОП, ДВОЙНОЙ ГЕНЕРАТОР/ШАШКИ НЕЧЕТНОЙ ЧЕТНОСТИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/114 B VALID NOTICE 1-2008 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, BI-FET ОПЕРАЦИОННЫЕ УСИЛИТЕЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-94749 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ, ПОЛНОСТЬЮ NPN ТРАНЗИСТОРНАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86836 REV C-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОЙ МОЩНОСТИ ШОТТКИ TTL, ИЛИ ВЕНТИЛЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86842 REV E-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ ТТЛ, И ЗАБИТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95762-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ И ОГРАНИЧЕННЫМ РАЗмахом ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90889 REV C-2008 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХРУСТНОЙ ШИННЫЙ БУФЕР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87517 REV B-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86833 REV C-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ TTL, ВЕНТИЛИ NAND, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86843 REV C-2006 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, ИНВЕРТОРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86865 REV D-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ НИЗКАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ ТТЛ, НЕ-НЕ-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86866 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ ТТЛ, ДЕКОДЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86719 REV A-2007 МИКРОСХЕМА ЦИФРОВАЯ МАЛОЙ МОЩНОСТИ ШОТТКИ TTL, СЧЕТВЕРНЫЙ РЕГИСТР D-ТИПА МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86838 REV C-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, НОР-ВЕЙТЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86841 REV D-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ ТТЛ И ВЕНТИЛИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86844 REV D-2006 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, НОР-ВЕЙТЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86876 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ TTL, СЧЕТЧИК ПОВЕРХ/ВНИЗ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-99532 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, 10-БИТЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85096 REV E-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОГО МОЩНОГО ТТЛ ШОТТКИ, МУЛЬТИПЛЕКСОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85097 REV F-2005 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ, ТТЛ, МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86837 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ РАСШИРЕННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ, ТТЛ ШОТТКИ, ВОРОТА NAND, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86840 REV E-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОГО МОЩНОГО ШОТТКИ ТТЛ, СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86869 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОЙ МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, МУЛЬТИПЛЕКСЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/314 C VALID NOTICE 1-2008 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, МАЛОГО МОЩНЫЕ, ТТЛ, МОНОСТАБИЛЬНЫЕ МУЛЬТИВИБРАТОРЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86881 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, МАЛОГО МОЩНОГО ТТЛ ШОТКИ, АРИФМЕТИКО-ЛОГИЧЕСКИЙ БЛОК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87533 REV B-2001 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, УНИВЕРСАЛЬНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86717 REV D-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, МАЛОЙ МОЩНОСТИ ШОТТКИ, ТТЛ, 8-битный сдвиговый регистр, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-96903 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНЫЙ, ДВУХЛИНЕЙНЫЙ ПРИЕМНИК, TTL-СОВМЕСТИМЫЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДЕКОДЕР 1-ИЗ-8, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ЗАБОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И ЗАТВОРЫ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90800 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, МАЛОГО МОЩНОГО ШОТТКИ, ТТЛ, 8-БИТНЫЙ РЕГИСТР ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ПРИБЛИЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-M-38510/321 C VALID NOTICE 1-2008 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, МАЛОМОЩНЫЕ ТТЛ ШОТКИ, БУФЕРЫ/ДРАЙВЕРЫ, ВЫХОД ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ДВУХВХОДНАЯ, С ТТЛ-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86870-1987 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ, TTL, 8-БИТНЫЕ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЕ РЕГИСТРЫ СДВИГА С ПАРАЛЛЕЛЬНЫМ ВЫХОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86871 REV D-2006 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЕ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ ТТЛ, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЕ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЕ БУФЕРЫ NAND С 2 ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГАЗАЦИЯ С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ЧЕТЫРЕХПОРТОВОЙ 2-ПОРТОВЫЙ РЕГИСТР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86834 REV B-2006 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ ТТЛ ШОТКИ, ЧЕТЫРЯЧНЫЕ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЕ ШИННЫЕ ТРАНСИВЕРЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 1-ИЗ-8 ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ D-ТИПА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87621 REV A-2005 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ БИПОЛЯРНЫЕ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ TTL, 8-битный двоичный счетчик с входными регистрами, монолитный кремний
DLA SMD-5962-07218 REV A-2008 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНАЯ, КОМБИНИРОВАННАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ МАССИВКА NPN-PNP, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-86874 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ ТТЛ ШОТКИ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С НИЗКИМ И ВЫСОКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ, 3-СОСТОЯННЫЕ НЕИНВЕРТИРУЕМЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97585 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ТТЛ ШОТКИ, ВОСЬМЕРИЧНЫЕ БУФЕРЫ С АКТИВНЫМИ ИНВЕРСИРОВАННЫМИ ВЫХОДАМИ С 3-Х СОСТОЯНИЯМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97586 REV A-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ТТЛ ШОТКИ, ВОСЬМЕРИЧНЫЕ БУФЕРЫ С АКТИВНЫМИ НИЗКИМИ ВКЛЮЧЕННЫМИ 3-СОСТОЯННЫМИ НЕИНВЕРТИРУЕМЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA DSCC-DWG-85019 REV E-2008 ЛИНИИ ЗАДЕРЖКИ, ПРОГРАММИРУЕМЫЕ, 16-КОНТАКТНЫЕ, 3-БИТНЫЕ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ
DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 1-ИЗ-4 ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91732-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЕ ДРАЙВЕРЫ ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ДРАЙВЕР ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97529-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91753 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С АКТИВНЫМ НИЗКИМ РАЗРЕШЕНИЕМ, ТРЕХСОСТОЯННЫМИ НЕИНВЕРТИРОВАННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97632 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ ТТЛ, ДВОЙНЫЕ СЕЛЕКТОРЫ ДАННЫХ/МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ С 4-ЛИНИИ НА 1-ЛИНИЮ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96658 REV C-2003 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, МАЛОМОЩНЫЕ ТТЛ ШОТКИ, ШЕСТИГРАННЫЕ ИНВЕРТОРЫ С ТРИГГЕРОМ ШМИТТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91725-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВОСЬМЕРИЧНОЙ ЗАЩЕЛКОЙ ТИПА D, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 2-БИТНАЯ БИСТАБИЛЬНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D-ТРИФЛОП С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90710-1992 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛАЯ МОЩНОСТЬ ШОТТКИ ТТЛ, 10-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС, ЗАЩЕЛКИ ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-28776/1 G VALID NOTICE 1-2010 Реле, гибридные, установленной надежности, DPDT, низкий уровень до 1,0 А (транзисторное управление) (электромеханический выход)
DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ЛИНИИ/БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ПРОЗРАЧНЫМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, СИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91724-1993 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИКМОП-ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШИННЫЕ ПРИЕМОПРИЕМНИКИ И РЕГИСТРЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-97530-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, 1394-1995 КОНТРОЛЛЕР КАЧЕСТВЕННОГО УРОВНЯ ОБЩЕГО НАЗНАЧЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-28776/5 G VALID NOTICE 1-2010 Реле, гибридные, установленной надежности, однополюсные на два направления, низкий уровень до 1,0 А (транзисторное управление) (электромеханический выход) с подавлением диодной катушки
DLA SMD-5962-96751 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, МАЛОГО МОЩНОГО ШОТТКИ TTL, ДВОЙНЫЕ ШЛЕПАНКИ JK С ПРОЗРАЧНЫМ МОНОЛИТНЫМ КРЕМНИЕМ
DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ГЛАВНЫМ СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-битный D-триггер, срабатывание по положительному фронту, с трехсостоятельными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, 8-битный D-триггер, с триггером по положительному фронту, с тремя состояниями, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ДРАЙВЕР/БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, АСИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, Восьмеричный буфер и линейный драйвер с неинвертирующими трехуровневыми выходами, TTL-совместимыми входами, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-90695-1991 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, ADVANCE LOW POWER SCHOTTKY, TTL, 8-битный шинный интерфейс, триггеры, с тремя состояниями, монолитный кремний.
DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-битный диагностический регистр с трехпозиционными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ПРЕДНАСТРОЙКА СИНХРОННОГО 4-БИТНОГО ДВОИЧНОГО СЧЕТЧИКА РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНЫЕ СЕЛЕКТОРЫ ДАННЫХ/МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ 1-ИЗ-4 С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ВЫХОДАМИ ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ И ОЧИСТКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИКМОС-ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШИННЫЕ ПРИЕМОПРИЕМНИКИ И РЕГИСТРЫ С ТРЕХСТАВНЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ/МОС-ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНАЯ ШИНА/МОС-ДРАЙВЕР ПАМЯТИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), конденсаторный транзистор низкой частоты

JIS C 7212:1978 Гарантированная надежность низкочастотных транзисторов малой мощности
JIS C 7215:1980 Гарантированная надежность низкочастотных силовых транзисторов (средней и высокой мощности)

CU-NC, конденсаторный транзистор низкой частоты

NC 66-15-1987 Электронный и электротехнический словарь. Низкочастотные и мощные биоолярные транзисторы. Характеристики качества
NC 66-23-1984 Электроника. Транзисторы биполярные мощные и низкочастотные типа 2Н 3055. Технические характеристики
NC 66-94-1987 Электронная и электротехническая промышленность. Технические характеристики биполярных транзисторов низкой частоты и высокой мощности
NC 66-93-1987 Электронная и электротехническая промышленность. Биполярные транзисторы низкой частоты и средней мощности. Характеристики качества
NC 66-25-1987 Электронная и электротехническая промышленность. Высокочастотные биполярные транзисторы. Характеристики качества
NC 66-20-1984 Электрониос. Биполярные транисторы большой мощности и низкой частоты типов BD 175, BD 176, BD 177 и BD 178. Характеристики качества.
NC 66-27-1984 Технические характеристики биполярных высокочастотных транзисторов для электроники типа BF 310
NC 66-28-1984 Электроника. Высокочастотные биполярные транзисторы. Тип BF 199. Характеристики качества
NC 66-22-1984 Электрониос. Биполярные транисторы высокой мощности и низкой частоты типов BD 705, BD 707, BD 708, BD 709, y BD 710. Технические характеристики качества.
NC 66-24-1984 Электроника. Транзисторы биполярные мощные и низкочастотные типа БД 533, БД 534, БД 535, БД 536, БД 537, БД 538. Характеристики качества.
NC 66-21-1984 Электрониос. Биполярные транистороры большой мощности и низкой частоты типов БД 233, БД 234, БД 235, БД 236, БД 237 и БД 238. Характеристики качества.
NC 66-16-1987 Электронная и электротехническая промышленность Малошумящие и силовые биполярные транзисторы. Характеристики качества

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, конденсаторный транзистор низкой частоты

JJG 725-1991 Регламент проверки тестера характеристик постоянного и низкочастотного тока для транзисторов
JJG(电子) 04005-1987 Правила пробной проверки низкочастотного тестера параметров H транзистора JSS-4A
JJG(电子) 04012-1987 Правила пробной проверки низкочастотного мощного транзистора Ft типа BJ3022 (QJ30)

RU-GOST R, конденсаторный транзистор низкой частоты

GOST 18604.20-1978 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низких частотах
GOST 20398.5-1974 Полевые транзисторы. Методика измерения входной передачи и выходной емкости
GOST 18604.15-1977 Биполярные транзисторы СВЧ-генератора. Методы измерения критического тока
GOST 18604.3-1980 Транзисторы биполярные. Методы измерения емкостей коллектора и эмиттера
GOST 26169-1984 Электромагнитная совместимость радиоэлектронной аппаратуры. Эталоны коэффициентов интермодуляционной составляющей мощных биполярных высокочастотных линейных транзисторов
GOST 18604.9-1982 Транзисторы биполярные. Методы определения частоты среза и частоты перехода
GOST 18604.1-1980 Транзисторы биполярные. Метод измерения постоянной времени коллектор-база на высоких частотах
GOST 18604.14-1977 Биполярные транзисторы СВЧ-генератора. Методика измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в цепи с общей базой на высокой частоте

Professional Standard - Electron, конденсаторный транзистор низкой частоты

SJ 50033/134-1997 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3ДД167.
SJ 50033/65-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3ДД175
SJ 50033/63-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация типа 3CD020 Транзистор низкочастотный и мощный
SJ 50033/132-1997 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3DD260
SJ 50033/66-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3DD880
SJ 50033/64-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация типа 3CD010 Транзистор низкочастотный и мощный
SJ 50033/131-1997 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3ДД157.
SJ 50033/130-1997 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3ДД159.
SJ 50033/91-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3CD030
SJ 50033/92-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3CD100
SJ 50033/129-1997 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация транзистора низкочастотного и мощного типа 3ДД155.
SJ 2699-1986 Подробная спецификация кремниевых NPN высокочастотных малошумящих маломощных транзисторов типа 3DG388
SJ 3124-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD1942.
SJ 3125-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD2027.
SJ 3126-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD869.
SJ 3127-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD871.
SJ 3128-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для кремниевого NPN низкочастотного усиления, тип 3DD820.
SJ 50033/159-2002 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого малошумящего УВЧ-транзистора типа 3DG142
SJ 50033/158-2002 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого малошумящего УВЧ-транзистора типа 3DG44
SJ 50033/154-2002 Полупроводниковые дискретные устройства Детальная спецификация кремниевого малошумящего УВЧ-транзистора типа 3DG251
SJ 50033/67-1995 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация на высоковольтный низкочастотный и мощный транзистор типа 3ДД103
SJ/T 10052-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор с корпусом для кремниевого PNP усиления низкой частоты для типа 3CD 507
SJ/T 10053-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор с корпусом для кремниевого NPN усиления низкой частоты для типа 3DD 313
SJ/T 10965-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - кремниевые NPN-транзисторы 3CD546 для усиления низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10964-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - кремниевые NPN-транзисторы 3DD401 для усиления низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10972-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - кремниевые NPN-транзисторы 3DD207 для усиления низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10966-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые NPN-транзисторы 3DD100C с корпусом для усиления низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10971-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые NPN-транзисторы 3DD204 с корпусом для усиления низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10967-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - кремниевые NPN-транзисторы 3DD203 для усиления низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10886-1996 Подробные характеристики электронных компонентов - Транзисторы биполярные 3DD201 для корпуса усиления низкой частоты (применяются для сертификации)
SJ/T 10887-1996 Подробные характеристики электронных компонентов - Транзисторы биполярные 3ДД102Б для корпуса усилителя низкой частоты (применяются для сертификации)
SJ 50033/95-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация на кремниевый высокочастотный малошумящий маломощный транзистор типа 3DG144 NPN
SJ 50033/94-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация на кремниевый высокочастотный малошумящий маломощный транзистор типа 3DG143 NPN
SJ 50033/93-1995 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация кремниевого высокочастотного малошумящего маломощного транзистора типа 3DG142 NPN
SJ 20062-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Подробная спецификация кремниевого NPN сверхвысокочастотного малошумящего транзистора дифференциального согласования типа 3DG210.
SJ/T 10974-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые NPN-транзисторы 3DD325, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ/T 10973-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DD200 для кремниевого NPN корпуса усилителя низкой частоты (применимо для сертификации)
SJ 20063-1992 Полупроводниковое дискретное устройство. Детальная спецификация кремниевого NPN сверхвысокочастотного малошумящего транзистора с двойным разностным согласованием типа 3DG213.
SJ/T 10833-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG80, рассчитанные на эксплуатацию в условиях окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 10772-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG201C, рассчитанные на условия окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 10788-1996 Подробные характеристики электронных компонентов - Малошумящий транзистор прямой АРУ ВЧ 3DG79 (применимо для сертификации)
SJ/T 10770-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG130A-3DG130D, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 11227-2000 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевый высокочастотный силовой транзистор типа 3DA98 NPN.
SJ/T 10790-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3CG21B и 3CG21C, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ 2672.7-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA307.
SJ/T 10791-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — биполярные транзисторы 3CX2014A, 3CX201B и 3CX201C, рассчитанные на условия окружающей среды, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 10771-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DG111B (111C, 111E и 111F), рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ/T 10792-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - биполярные транзисторы 33DX201A, 3DX201B и 3DX201C, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (применимо для сертификации)
SJ 2672.2-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные силовые транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA302.
SJ 2672.3-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA303.
SJ 2672.4-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные силовые транзисторы низкого напряжения 175 МГц, тип 3DA304.
SJ 2672.5-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA305.
SJ 2672.6-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA306.
SJ 2672.8-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 175 МГц, тип 3DA308.
SJ 2672.9-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 175 МГц, тип 3DA309.
SJ 2673.1-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы низкого напряжения, частота 470 МГц, тип 3DA311.
SJ 2673.2-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 470 МГц, тип 3DA312.
SJ 2673.3-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 470 МГц, тип 3DA313.
SJ 2673.4-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с частотой 470 МГц, тип 3DA314.
SJ 2673.5-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с номинальной частотой 470 МГц, тип 3DA315.
SJ 2673.6-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные низковольтные транзисторы низкого напряжения, 470 МГц, тип 3DA316.
SJ 2672.1-1986 Подробная спецификация электронных компонентов. Низковольтные силовые биполярные транзисторы с номинальной частотой 175 МГц, тип 3DA301.
SJ/T 11824-2022 Метод испытания эквивалентной емкости и скорости изменения напряжения металлооксидно-полупроводникового полевого транзистора (MOSFET)
SJ 3123-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG1779.
SJ/T 10960-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - кремниевые PNP-транзисторы 3CG844, рассчитанные на окружающую среду, для высокочастотного усиления.
SJ/T 10049-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор для кремниевого NPN высокочастотного усиления типа 3DA1162.
SJ/T 10050-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор для кремниевого NPN высокочастотного усиления типа 3DA1722.
SJ/T 10051-1991 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярный транзистор с корпусом для кремниевого NPN высокочастотного усиления для типа 3DA 2688.
SJ 3120-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG1215.
SJ 3121-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG2464.
SJ 3122-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Биполярные транзисторы с защитой от окружающей среды для высокочастотного усиления, тип 3DG3177.
SJ/T 10968-1996 Подробные спецификации электронных компонентов — кремниевые NPN-транзисторы 3DD205A с корпусом для высокочастотного усиления (применимо для сертификации)
SJ/T 10885-1996 Подробные характеристики электронных компонентов - биполярные транзисторы 3DA150B и 3DA150C для корпуса высокочастотного усиления (применяются для сертификации)

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, конденсаторный транзистор низкой частоты

GJB 33/002-1989 Бланк рабочей спецификации на транзисторы низкочастотные мощные для полупроводниковых дискретных приборов
GJB 33/14A-2021 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3DG44, кремниевый сверхвысокочастотный малошумящий транзистор, подробная спецификация
GJB 33A/14-2003 Полупроводниковое дискретное устройство типа 3DG44, кремниевый сверхвысокочастотный малошумящий транзистор, подробная спецификация

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, конденсаторный транзистор низкой частоты

GB/T 7577-1996 Бланк спецификации корпусных биполярных транзисторов усиления низкой частоты
GB 9521-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевые NPN транзисторы усилителя низкой частоты 3DD325, рассчитанные на окружающую среду (доступны для сертификации).
GB 9520-1988 Подробная спецификация электронных компонентов. Кремниевые NPN низкочастотные биполярные транзисторы с усилителем типа 3DD200 (доступны для сертификации).
GB/T 6217-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
GB/T 10067.34-2015 Основные технические характеристики электронагревательных установок. Часть 34: Установка высокочастотного индукционного нагрева транзисторного типа.

IET - Institution of Engineering and Technology, конденсаторный транзистор низкой частоты

LOW PWR LOW VOLT CIRC DES FGMOS TRANSIS-2006 Проектирование схемы малой мощности и низкого напряжения с использованием транзистора FGMOS

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, конденсаторный транзистор низкой частоты

QC 750103/ CN 0001-1992 Подробные спецификации электронных компонентов Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для низкочастотного усиления типа 3DD870
QC 750102-1989 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот (IEC 747-7-1 ED 1)
QC 750103-1989 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 7. Биполярные транзисторы. Раздел второй. Пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для низкочастотного усиления (IEC 747-7-2 ED 1)
QC 750102/ SU 0001-1990 Подробные спецификации электронных компонентов. Высокочастотные эпитаксионно-планарные биполярные транзисторы типа КТ3II7А, рассчитанные на окружающую среду.

International Electrotechnical Commission (IEC), конденсаторный транзистор низкой частоты

IEC 60747-7-1:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел первый: пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
IEC 60747-7-2:1989 Полупроводниковые приборы; дискретные устройства; часть 7: биполярные транзисторы; раздел второй: пустая подробная спецификация корпусных биполярных транзисторов для усиления низкой частоты.

Danish Standards Foundation, конденсаторный транзистор низкой частоты

DS/IEC 747-7-1:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел первый: Пустая подробная спецификация биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
DS/IEC 747-7-2:1990 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел второй: Бланковая подробная спецификация корпусных биполярных транзисторов для усиления низкой частоты.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, конденсаторный транзистор низкой частоты

CNS 3767-1985 Переменный конденсатор PE для транзисторных радиоприемников
CNS 3768-1985 Размеры переменного защитного конденсатора для транзисторных радиоприемников
CNS 3769-1985 Метод испытания переменного конденсатора PE транзисторного радиоприемника

TH-TISI, конденсаторный транзистор низкой частоты

TIS 1865-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства. Часть 7: биполярные транзисторы. Раздел 1: пустая подробная спецификация для биполярных транзисторов, рассчитанных на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.
TIS 1866-1999 Полупроводниковые приборы - дискретные устройства. Часть 7: Биполярные транзисторы. Раздел 2: Пустая подробная спецификация для корпусных биполярных транзисторов для усиления низкой частоты.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, конденсаторный транзистор низкой частоты

EN 150003:1991 Пустая подробная спецификация: Биполярные транзисторы с номинальным корпусом для усиления низкой частоты

Association Francaise de Normalisation, конденсаторный транзистор низкой частоты

NF C86-613:1981 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: биполярные транзисторы с номинальным корпусом для низкочастотных применений.
NF C86-614:1981 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: биполярные транзисторы для коммутационных приложений.
NF C61-743-4*NF EN 61643-341:2002 Компоненты низковольтных устройств защиты от перенапряжений. Часть 341: спецификации для тиристорных ограничителей перенапряжения (TSS).
NF C86-617:1981 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Биполярные транзисторы, рассчитанные на корпус, для высокочастотных применений.

CZ-CSN, конденсаторный транзистор низкой частоты

CSN 35 8752-1976 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Методы измерения выходной емкости с общей базой.
CSN 35 8757 Cast.5-1985 Транзисторы. Метод измерения емкости барьерных слоев коллектора и эмиттера
CSN 35 8757 Cast.7-1985 Транзисторы. Метод измерения абсолютного значения коэффициента передачи прямого тока и частоты перехода
CSN 35 8746-1973 Полупроводниковые приборы. Транзистор. Измерение абсолютного значения коэффициента передачи прямого тока и частот fT, fh21b, fh21e
CSN 35 8745-1973 Полупроводниковые приборы. Транзистор. Измерение коэффициента передачи обратного напряжения холостого хода и коэффициента Тини на высоких частотах.

British Standards Institution (BSI), конденсаторный транзистор низкой частоты

BS E9372:1976 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланк подробной спецификации: биполярные транзисторы, рассчитанные на окружающую среду, для усиления низких и высоких частот.

IN-BIS, конденсаторный транзистор низкой частоты

IS 4400 Pt.9/Sec.1-1974 Методы измерения полупроводниковых приборов. Часть IX. Диоды переменной емкости. Раздел 1. Рабочая частота ниже 300 МГц.

未注明发布机构, конденсаторный транзистор низкой частоты

BS EN 150003:1993(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая подробная спецификация. Биполярные транзисторы с классом защиты для усиления низкой частоты.

European Standard for Electrical and Electronic Components, конденсаторный транзистор низкой частоты

CECC 50 002- 198 ISSUE 1-1982 БС CECC 50 002-198 Выпуск 1; Кремниевый низкочастотный усилительный транзистор NPN, рассчитанный на окружающую среду, в герметичном металлическом корпусе (En)

American Society for Testing and Materials (ASTM), конденсаторный транзистор низкой частоты

ASTM F466-79(1992) Метод испытания параметров рассеяния малых сигналов маломощных транзисторов в диапазоне частот от 0,2 до 2,0 ГГц (отозвано в 1997 г.)