ZH
EN
ES

Спектральные вторичные дифракционные пики

Спектральные вторичные дифракционные пики, Всего: 9 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Спектральные вторичные дифракционные пики, являются: Полупроводниковые приборы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Аналитическая химия.

Professional Standard - Agriculture, Спектральные вторичные дифракционные пики

784兽药典一部-2015 Приложение Содержание 0400 Спектроскопия 0451 Рентгеновская дифракция

Professional Standard - Electron, Спектральные вторичные дифракционные пики

SJ/T 2658.12-2015 Метод измерения полупроводниковых инфракрасных диодов. Часть 12: Пиковая длина волны излучения и спектральная полоса излучения.
SJ 2658.12-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пиковой длины волны излучения и полуширины спектра

International Organization for Standardization (ISO), Спектральные вторичные дифракционные пики

ISO 17109:2022 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Глубина распыления p
ISO 17109:2015 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Профилирование глубины распыления с использованием однослойных и многослойных тонких пленок.

British Standards Institution (BSI), Спектральные вторичные дифракционные пики

BS ISO 17109:2015 Химический анализ поверхности. Глубинное профилирование. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Профилирование глубины распыления с использованием одно- и многослойных тонких пленок.
BS ISO 17109:2022 Химический анализ поверхности. Глубинное профилирование. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и вторично-ионной масс-спектрометрии, определение профиля глубины распыления с использованием одно- и многослойных тонких…
21/30433862 DC БС ИСО 17109 АМД1. Химический анализ поверхности. Глубинное профилирование. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Профилирование глубины распыления с использованием одиночных и…

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Спектральные вторичные дифракционные пики

GB/T 41064-2021 Химический анализ поверхности. Профилирование по глубине. Метод определения скорости распыления в рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, электронной оже-спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов. Профилирование глубины распыления с использованием однослойных и многослойных тонких пленок.