ZH
EN
ES

Полупроводниковая оптоэлектроника

Полупроводниковая оптоэлектроника, Всего: 111 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Полупроводниковая оптоэлектроника, являются: Интегральные схемы. Микроэлектроника, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Полупроводниковые приборы, Оптоволоконная связь, Словари, Электронные устройства отображения, Электронные компоненты в целом, Керамика.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Полупроводниковая оптоэлектроника

GJB 33/17-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводниковой фотопары типа ГО11
GJB 33/18-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Подробная спецификация двунаправленного аналогового переключателя полупроводниковой фотопары типа GO417.
GJB 8121-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
GJB 8120-2013 Общие технические условия на полупроводниковый оптоэлектронный модуль
GJB 8119-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 33/16-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32.
GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
GJB 5018-2001 Общие требования к проверке и приемке полупроводниковых оптоэлектронных приборов
GJB 33/20-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302.
GJB 33/22-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа ГО103
GJB/Z 41.3-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, спектральные полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 33/21-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация копировального аппарата серии GD310A
GJB 33/23-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302-4

Professional Standard - Electron, Полупроводниковая оптоэлектроника

SJ 20642-1997 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Общие технические условия
SJ 20786-2000 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
SJ/T 2215-2015 Методы измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2247-1982 Контурные размеры полупроводниковых оптоэлектронных приборов
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 20642.5-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH82
SJ 20642.4-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Подробная спецификация оптопар типа GH81
SJ 20642.6-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH83
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 50033/111-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Спецификация Delail для фототранзистора Si типа GT16.NPN
SJ 50033/114-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация позиционно-чувствительного детектора типа GD3283Y
SJ 20642.3-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD83
SJ 20642.2-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD82
SJ 20786.1-2002 Полупроводниковая фотоэлектрическая сборка Детальная спецификация миниатюрного дуплексного фотоэлектрического прицела типа CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на красный светодиод типа ГФ116
SJ 50033/143-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация красного диода типа GF1120.
SJ 50033/137-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на светодиод оранжево-красный светодиод типа ГФ216
SJ 20642.1-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD81
SJ/T 11405-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/138-1998 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Детальная спецификация на светодиод желтый типа ГФ318
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ/T 11393-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 50033/57-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация красного светодиода типа GF115
SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ/T 11400-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20642.7-2000 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация светодиодного модуля типа GR1325J
SJ/T 11817-2022 Бланк рабочей спецификации на светодиоды для полупроводниковых оптоэлектронных приборов, ламп накаливания
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ 50033/140-1999 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA502
SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.

RU-GOST R, Полупроводниковая оптоэлектроника

GOST R 50471-1993 Полупроводниковые фотоэмиттеры. Метод измерения угла половинной интенсивности
GOST 27299-1987 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
GOST R 59605-2021 Оптика и фотоника. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Понятия и определения
GOST 21934-1983 Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и приемные фотоэлектрические устройства. Понятия и определения
GOST 17772-1988 Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и приемные фотоэлектрические устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
GOST R 59607-2021 Оптика и фотоника. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик

British Standards Institution (BSI), Полупроводниковая оптоэлектроника

BS EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
BS EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
BS IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры
BS EN 62007-1:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Основные номиналы и характеристики
BS EN 62007-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
BS EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации для основных номиналов и характеристик
BS CECC 20000:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов: типовая спецификация: полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства.
BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

SE-SIS, Полупроводниковая оптоэлектроника

SIS SS CECC 20000-1983 Общая спецификация: Полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства.

International Electrotechnical Commission (IEC), Полупроводниковая оптоэлектроника

IEC 62007-2:1997 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62007-2:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62007-2/AMD1:1998 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения; Поправка 1
IEC 62007-1:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номинальные характеристики и характеристики.
IEC 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62007-1/AMD1:1998 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номиналы и характеристики; Поправка 1
IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
IEC 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
IEC 62007-1:2008 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 Поправка 1. Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Образец спецификации для основных номиналов и характеристик.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Полупроводниковая оптоэлектроника

EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
EN 120000:1996 Общая спецификация: полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства (остаются в силе)
EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Полупроводниковая оптоэлектроника

EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения
EN 62007-1:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номиналы и характеристики.
EN 62007-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

Association Francaise de Normalisation, Полупроводниковая оптоэлектроника

NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
NF EN 62007-2:2009 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения
NF C93-801-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1: шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1: шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Полупроводниковая оптоэлектроника

KS C IEC 62007-2:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения
KS C IEC 62007-1:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах? Часть 1: Основные параметры и характеристики
KS C IEC 62007-1-2003(2018) Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номиналы и характеристики.

CZ-CSN, Полупроводниковая оптоэлектроника

CSN 35 8851-1987 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Номенклатура, определения и буквенные обозначения параметров
CSN 35 8804-1985 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для широко используемой техники. Основные Характеристики
CSN 35 8804 Za-1989 ревизия а. 8/1989 Чешский национальный стандарт 35 8804*/СТ СЭВ 3992-83 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные для аппаратуры. Общие технические условия

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Полупроводниковая оптоэлектроника

GB/T 36358-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Полупроводниковая оптоэлектроника

GB/T 36359-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
GB/T 36360-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды средней мощности.

Professional Standard - Post and Telecommunication, Полупроводниковая оптоэлектроника

YD/T 2001.2-2011 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
YD/T 2001.1-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1: Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

Danish Standards Foundation, Полупроводниковая оптоэлектроника

DS/EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
DS/EN 62007-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

German Institute for Standardization, Полупроводниковая оптоэлектроника

DIN EN 62007-2:2009-09 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009); Немецкая версия EN 62007-2:2009 / Примечание: DIN EN 62007-2 (2001-06) остается действительным наряду с этим стандартом до 01 февраля 2012 г.
DIN EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009); Немецкая версия EN 62007-2:2009

ES-UNE, Полупроводниковая оптоэлектроника

UNE-EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (одобрено AENOR в июне 2009 г.)
UNE-EN 62007-1:2015/A1:2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для волоконно-оптических систем. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик (одобрен Испанской ассоциацией нормализации в декабре 2022 г.).
UNE-EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик (одобрен AENOR в августе 2015 г.).

RO-ASRO, Полупроводниковая оптоэлектроника

STAS 12258/7-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУКОНДИКАТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА ФОТОЭЛЕМЕНТЫ Терминология и необходимая ясность! эристика
STAS 12258/3-1985 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ФОТОТРАНЗИСТОРЫ Терминология и существенные характеристики.
STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики

Lithuanian Standards Office , Полупроводниковая оптоэлектроника

LST EN 62007-2-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009).

International Organization for Standardization (ISO), Полупроводниковая оптоэлектроника

ISO 14605:2013 Тонкая керамика (современная керамика, передовая техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.