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Optoelectrónica de semiconductores

Optoelectrónica de semiconductores, Total: 111 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Optoelectrónica de semiconductores son: Circuitos integrados. Microelectrónica, Optoelectrónica. Equipo láser, Dispositivos semiconductores, Comunicaciones de fibra óptica., Vocabularios, Dispositivos de visualización electrónica., Componentes electrónicos en general., Cerámica.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Optoelectrónica de semiconductores

GJB 33/17-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor tipo GO11.
GJB 33/18-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor de interruptor analógico bidireccional tipo GO417
GJB 8121-2013 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
GJB 8120-2013 Especificación general para módulo optoelectrónico semiconductor.
GJB 8119-2013 Especificaciones generales para dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.
GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
GJB 5018-2001 Requisitos generales para el cribado y aceptación de dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
GJB 33/20-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302.
GJB 33/22-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GO103.
GJB/Z 41.3-1993 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/21-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para la fotocopiadora de la serie GD310A.
GJB 33/23-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302-4

Professional Standard - Electron, Optoelectrónica de semiconductores

SJ 20642-1997 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación general para
SJ 20786-2000 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
SJ/T 2215-2015 Métodos de medición para fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 20642.5-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH82
SJ 20642.4-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH81
SJ 20642.6-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH83
SJ 50033/112-1996 Dispositivos optoelectrónicos scmiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3251Y.
SJ 50033/113-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3252Y.
SJ 20644.1-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD101
SJ 50033/111-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación de demora para el fototransistor tipo GT16 Si.NPN
SJ 50033/114-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el detector sensible a la posición tipo GD3283Y
SJ 20642.3-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD83
SJ 20642.2-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD82
SJ 20786.1-2002 Conjunto fotoeléctrico semiconductor Especificación detallada para localizador fotoeléctrico dúplex en miniatura para el tipo CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz roja para el tipo GF116.
SJ 50033/143-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor rojo tipo GF1120.
SJ 50033/137-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz naranja-rojo para el tipo GF216
SJ 20642.1-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD81
SJ/T 11405-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición
SJ 50033/139-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz verde para el tipo GF4111.
SJ 50033/138-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz amarillo para el tipo GF318.
SJ 50033/58-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz verde para tipo GF413
SJ/T 11393-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia
SJ 50033/142-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor verde tipo GF4112.
SJ 50033/57-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz roja para tipo GF115
SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
SJ/T 11400-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
SJ 50033/99-1995 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para diodo emisor de luz de doble color o/G para tipo GF511
SJ 20642.7-2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el módulo de diodo emisor de luz tipo GR1325J
SJ/T 11817-2022 Especificaciones detalladas en blanco para diodos emisores de luz para dispositivos optoelectrónicos semiconductores y lámparas de incandescencia.
SJ/T 11866-2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificaciones detalladas para diodos emisores de luz de potencia de luz blanca con sustrato de silicio
SJ 50033/140-1999 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA502
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.

RU-GOST R, Optoelectrónica de semiconductores

GOST R 50471-1993 Fotoemisores semiconductores. Método de medición del ángulo de media intensidad
GOST 27299-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Términos, definiciones y símbolos de letras de parámetros.
GOST R 59605-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Términos y definiciones
GOST 21934-1983 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Términos y definiciones
GOST 17772-1988 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Métodos de medición de parámetros fotoeléctricos y determinación de características.
GOST R 59607-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Métodos de medición de parámetros fotoeléctricos y determinación de características.

British Standards Institution (BSI), Optoelectrónica de semiconductores

BS EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
BS EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: clasificaciones y características esenciales
BS EN 62007-1:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales
BS EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Plantilla de especificación para clasificaciones y características esenciales
BS CECC 20000:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos: especificación genérica: dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido
BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales

SE-SIS, Optoelectrónica de semiconductores

SIS SS CECC 20000-1983 Especificación genérica: Dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido.

International Electrotechnical Commission (IEC), Optoelectrónica de semiconductores

IEC 62007-2:1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 62007-2:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 62007-2/AMD1:1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición; Enmienda 1
IEC 62007-1:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Clasificaciones y características esenciales.
IEC 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 62007-1/AMD1:1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Clasificaciones y características esenciales; Enmienda 1
IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
IEC 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
IEC 62007-1:2008 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 Enmienda 1 - Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica - Parte 1: Plantilla de especificación para clasificaciones y características esenciales

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Optoelectrónica de semiconductores

EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
EN 120000:1996 Especificación genérica: dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido (permanecen actuales)
EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Optoelectrónica de semiconductores

EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica Parte 2: Métodos de medición
EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica, Parte 1: Clasificaciones y características esenciales
EN 62007-1:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.

Association Francaise de Normalisation, Optoelectrónica de semiconductores

NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
NF EN 62007-2:2009 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 2: métodos de medición
NF C93-801-1:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Optoelectrónica de semiconductores

KS C IEC 62007-2:2003 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica － Parte 2: Métodos de medición
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Dispositivos fotoeléctricos semiconductores para sistemas de comunicación óptica. Parte 2: Métodos de medición.
KS C IEC 62007-1:2003 ¿Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica? Parte 1: Clasificaciones y características esenciales
KS C IEC 62007-1-2003(2018) Dispositivos fotovoltaicos semiconductores para sistemas de comunicación óptica. Parte 1: Clases y características importantes.

CZ-CSN, Optoelectrónica de semiconductores

CSN 35 8851-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Nomenclatura, definición y símbolos de letras de parámetros.
CSN 35 8804-1985 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para equipos ampliamente utilizados. Especificaciones generales
CSN 35 8804 Za-1989 Změna a - 8/1989 ?SN 35 8804*/ST SEV 3992-83 POLOVODI?OV? ¿OPTOELECTRÓNICA? SOU??STKY PRO ZA??ZEN? ?IROK?HO POU?IT? V?eobecné technické podmínky

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Optoelectrónica de semiconductores

GB/T 36358-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Optoelectrónica de semiconductores

GB/T 36359-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
GB/T 36360-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia media

Professional Standard - Post and Telecommunication, Optoelectrónica de semiconductores

YD/T 2001.2-2011 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
YD/T 2001.1-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.

Danish Standards Foundation, Optoelectrónica de semiconductores

German Institute for Standardization, Optoelectrónica de semiconductores

DIN EN 62007-2:2009-09 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición (IEC 62007-2:2009); Versión alemana EN 62007-2:2009 / Nota: DIN EN 62007-2 (2001-06) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2012-02-01.
DIN EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición (IEC 62007-2:2009); Versión alemana EN 62007-2:2009

ES-UNE, Optoelectrónica de semiconductores

UNE-EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones en sistemas de fibra óptica -- Parte 2: Métodos de medida (Ratificada por AENOR en junio de 2009.)
UNE-EN 62007-1:2015/A1:2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica - Parte 1: Plantilla de especificación de clasificaciones y características esenciales (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en diciembre de 2022.)
UNE-EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica - Parte 1: Plantilla de especificación de calibres y características esenciales (Ratificada por AENOR en agosto de 2015.)

RO-ASRO, Optoelectrónica de semiconductores

STAS 12258/7-1987 DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS SEMICONDIC- TOH CÉLULAS FOTOVOLTAICAS Terminología y cliarac esenciales! erística
STAS 12258/3-1985 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos FOTOTRANSISTORES Terminología y características esenciales
STAS 12258/2-1984 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos PIIOTODIODES Terminología y características esenciales

Lithuanian Standards Office , Optoelectrónica de semiconductores

LST EN 62007-2-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición (IEC 62007-2:2009)

International Organization for Standardization (ISO), Optoelectrónica de semiconductores

ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.