ZH

EN

ES

Память

Память, Всего: 353 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Память, являются: Словари, Графические символы, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Применение информационных технологий, Изделия цветных металлов, Испытание металлов, Цветные металлы, Электрические и электронные испытания, Проведение материалов, Продукция текстильной промышленности, Устройства хранения данных, Неразрушающий контроль, Процессы текстильной промышленности, Образование, Эргономика, Электростанции в целом, Сварка, пайка и пайка, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Порошковая металлургия, Ферросплавы, Изделия из железа и стали, Оборудование для развлечений, Радиосвязь, Материалы для аэрокосмического строительства, Пищевые продукты в целом, Сельское и лесное хозяйство, Медицинское оборудование, Компоненты для аэрокосмического строительства, Оборудование для наземного обслуживания и ремонта, Продукция химической промышленности, Условия и процедуры испытаний в целом, Процессы изготовления формовки, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Самолеты и космические аппараты в целом, Фотография, Наборы символов и кодирование информации.


U.S. Military Regulations and Norms, Память

RO-ASRO, Память

  • STAS 12326/1-1985 Терминология запоминающих осциллографов
  • STAS 12326/2-1985 НАКОПИТЕЛЬНЫЕ ОСЦИЛЛОСКОПЫ Общие требования и особые методы испытаний

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Память

  • KS D 0057-2004 Словарь терминов, используемых для сплавов с памятью формы.
  • KS D 0057-2001 Словарь терминов, используемых для сплавов с памятью формы.
  • KS D 0057-2004(2019) Словарь терминов, используемых для сплавов с памятью формы.
  • KS B ISO 24497-1-2008(2013) Неразрушающий контроль-Магнитная память металла-Часть 1:Словарь
  • KS D 0058-2004(2019) Метод определения температуры превращения сплавов с памятью формы
  • KS D 0058-2001 Метод определения температуры превращения сплавов с памятью формы
  • KS D 0058-2004 Метод определения температуры превращения сплавов с памятью формы
  • KS D 0304-2004 Метод испытания на фиксированную деформацию винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • KS B ISO 24497-2-2008(2013) Неразрушающий контроль-Магнитная память металла-Часть 2:Общие требования
  • KS D 0304-1995 Метод испытания на фиксированную деформацию винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • KS D 0072-2002 Метод испытания на растяжение при фиксированной температуре проволоки из Ti-Ni сплавов с памятью формы
  • KS D 0072-1993 Метод испытания на растяжение при фиксированной температуре проволоки из сплавов Ti-Ni с памятью формы
  • KS D 0304-2004(2019) Метод испытания на фиксированную деформацию винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • KS D 0072-2002(2017) Метод испытания на растяжение при фиксированной температуре проволоки из Ti-Ni сплавов с памятью формы
  • KS D 0302-2004 Метод испытания на нагрузкой при фиксированной температуре винтовой пружины из сплавов с памятью формы
  • KS B ISO 24497-3-2008(2013) Неразрушающий контроль-Магнитная память металла-Часть 3:Контроль сварных соединений
  • KS D 0302-1993 Метод испытания на нагрузкой при фиксированной температуре винтовой пружины из сплавов с памятью формы
  • KS D 0303-2004 Метод термоциклического испытания с фиксированной деформацией винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • KS D 0302-2004(2019) Метод испытания на нагрузкой при фиксированной температуре винтовой пружины из сплавов с памятью формы
  • KS D 0303-2004(2019) Метод термоциклического испытания с фиксированной деформацией винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • KS D 0303-1995 Метод термоциклических испытаний с фиксированной деформацией винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • KS D 0072-2002(2022) Метод испытания на растяжение при фиксированной температуре проволоки из Ti-Ni сплавов с памятью формы
  • KS A ISO 12234-2:2006 Электронное отображение неподвижных изображений-Съемная память-Часть 2: Формат данных изображения TIFF/EP
  • KS A ISO 12234-1:2011 Электронная визуализация неподвижных изображений. Съемная память. Часть 1. Базовая модель съемной памяти.
  • KS A ISO 12234-1:2016 Электронное создание неподвижных изображений-Съемная память-Часть 1: Базовая модель со съемной памятью

International Electrotechnical Commission (IEC), Память

  • IEC TR 61352:2006 Мнемоника и символы для интегральных схем
  • IEC TR 61352:2000 Мнемоника и символы для интегральных схем

British Standards Institution (BSI), Память

  • BS ISO/IEC 11694-6:2006 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Использование биометрических данных на оптической карте памяти.
  • BS ISO/IEC 11694-6:2014 Идентификационные карты. Оптические карты памяти. Линейный метод записи. Использование биометрии на оптической карте памяти
  • BS ISO/IEC 11694-4:1997 Идентификационные карты. Оптические карты памяти. Линейный метод записи. Логические структуры данных
  • BS ISO/IEC 11694-3:2008 Карты идентификационные. Карты оптические. Метод линейной записи. Оптические свойства и характеристики.
  • BS ISO/IEC 11694-3:2015 Идентификационные карты. Оптические карты памяти. Линейный метод записи. Оптические свойства и характеристики
  • BS ISO 24497-1:2020 Неразрушающий контроль. Магнитная память металла – Словарь и общие требования
  • BS EN 4819:2012 Аэрокосмическая серия. Метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах.
  • BS ISO/IEC 11694-2:2012 Идентификационные карты. Оптические карты памяти. Размеры и расположение доступной оптической области
  • BS ISO/IEC 11694-5:2014 Идентификационные карты. Оптические карты памяти. Линейный метод записи. Формат данных для обмена информацией для приложений, использующих ISO/IEC 11694-4.
  • 18/30358882 DC БС ИСО 24497-2. Неразрушающий контроль. Металлическая магнитная память. Часть 2. Контроль сварных соединений
  • 18/30358879 DC БС ИСО 24497-1. Неразрушающий контроль. Металлическая магнитная память. Часть 1. Лексика и общие требования
  • BS ISO/IEC 11694-5:2006 Идентификационные карты. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Формат данных для обмена информацией для приложений, использующих ISO/IEC 11694-4, приложение B.
  • BS ISO/IEC 15962:2013 Информационные технологии. Радиочастотная идентификация (RFID) для управления товарами. Протокол данных: правила кодирования данных и функции логической памяти.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Память

  • JIS H 7107:2003 Проволоки из сплава Ti-Ni с памятью формы.
  • JIS H 7001:2009 Словарь терминов, используемых для сплавов с памятью формы.
  • JIS H 7001:2002 Словарь терминов, используемых для сплавов с памятью формы.
  • JIS H 7001:1989 Словарь терминов, используемых в сплавах с памятью формы
  • JIS H 7101:1989 Метод определения температур превращения сплавов с памятью формы
  • JIS H 7101:2002 Метод определения температуры превращения сплавов с памятью формы
  • JIS H 7107:2009 Проволока, ленты и трубки из сплава Ti-Ni с памятью формы.
  • JIS H 7103:1991 Метод испытания на растяжение при фиксированной температуре проволоки из сплавов Ti-Ni с памятью формы
  • JIS H 7104:1991 Метод испытания на нагрузкой при фиксированной температуре винтовой пружины из сплавов с памятью формы
  • JIS H 7105:1993 Метод испытания на фиксированную деформацию винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • JIS H 7105:2002 Метод испытания на фиксированную деформацию винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • JIS H 7104:2002 Метод испытания на нагрузкой при фиксированной температуре винтовой пружины из сплавов с памятью формы
  • JIS H 7105:2012 Метод испытаний на постоянную деформацию винтовых пружин из Ti-Ni сплавов с памятью формы
  • JIS H 7103:2002 Метод испытания на растяжение при фиксированной температуре проволоки из сплавов Ti-Ni с памятью формы
  • JIS H 7103:2012 Метод испытаний на растяжение сплавов Ti-Ni с памятью формы
  • JIS H 7106:1993 Метод термоциклических испытаний с фиксированной деформацией винтовых пружин из сплавов с памятью формы
  • JIS H 7106:2002 Метод термоциклических испытаний с фиксированной деформацией винтовых пружин из сплавов с памятью формы

Defense Logistics Agency, Память

  • DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ CMOS, ЦИФРОВАЯ, 128 М Х 8 БИТ, СТЕКОВАЯ МАТРИЦА (1 ГБИТ), СИНХРОННАЯ ПАРАМЕТР (SDRAM), МОДУЛЬ
  • DLA SMD-5962-02518-2003 МИКРОСХЕМА ПАМЯТИ CMOS, ЦИФРОВАЯ, 256 МБ Х 8 БИТ, СТЕКОВАЯ МАТРИЦА (2 ГБИТ), СИНХРОННАЯ ПАРАМЕТР (SDRAM), МОДУЛЬ
  • DLA SMD-5962-89841 REV L-2008 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЛОГИКА ПРОГРАММИРУЕМОЙ МАССИВЫ (EEPLD), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, БИПОЛЯРНЫЕ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНЫЙ, 9-КАНАЛЬНЫЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫЙ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА (SRAM), 256 КБ X 16-БИТ
  • DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, EE ПРОГРАММИРУЕМАЯ МАССИВНАЯ ЛОГИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90573-1991 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, БИПОЛЯРНАЯ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО ECL, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВОЙ БИПОЛЯРНЫЙ КОНТРОЛЛЕР ДИНАМИЧЕСКОЙ ПАМЯТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94634-1995 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КОНФИГУРИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ CMOS 8000 GATE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ CMOS 9000 GATE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97631-1998 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, CMOS, 32K X 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ СИНХРОННЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96892 REV B-2003 МИКРОсхема ЦИФРОВО-ЛИНЕЙНЫЙ 12-БИТ ЦИФРОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ИЗ МОНОЛИТНОГО КРЕМНИЯ
  • DLA SMD-5962-97610 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, ФЛЕШ-СППЗУ, 2M X 16-БИТ
  • DLA SMD-5962-92338-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ ЦИФРОВАЯ, БИКМОП, ОДНОПРОГРАММИРУЕМОЕ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-98586 REV A-2001 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, BICMOS, 512 Х 8-БИТ ПЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94763 REV B-2008 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ ЦИФРОВАЯ, 64-БИТНАЯ БИПОЛЯРНАЯ ОЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ.
  • DLA SMD-5962-94537-1994 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 8-битный блок обработки памяти, монолитный кремний.
  • DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, ДИНАМИЧЕСКАЯ 16К ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА (ОЗУ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 16K СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93008-1994 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 16K X 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, 512 КБ Х 8-БИТ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ
  • DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 32K X 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88776 REV C-2004 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ЛИНЕЙНАЯ, 8-БИТНАЯ, ФЛЕШ, АНАЛОГО-ЦИФРОВОЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ
  • DLA SMD-5962-98509 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ 28000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-98510 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ 36000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-98511 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ 62000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-98579-1999 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА, 10 000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, 256К Х 16 СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ДИНАМИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОДСТВЕННЫМ ДОСТУПОМ 4M X 1 (DRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 2K X 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 4K X 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 256K X 16 МНОГОПОРТОВАЯ ВИДЕООЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94567-1996 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, X 9 ТАКМОВНЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, EE ПРОГРАММИРУЕМАЯ МАССИВНАЯ ЛОГИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 16K X 4 SRAM С OE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, 128 КБ Х 8-БИТ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ
  • DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, 256 КБ Х 8-БИТ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ
  • DLA SMD-5962-99514 REV B-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 1-МЕГ Х 1-БИТ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ КОНФИГУРАЦИИ, ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99527 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВА, 20 000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99569 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА, 16 000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99585 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА, 36 000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99586 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА, 32 000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, 65536 (8КХ8), УФ СТИРАЕМАЯ ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ 64К (8К Х 8) ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ (ПЗУ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 16K X 1 СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА, (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, CMOS, 4K X 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ СИНХРОННЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ОДНОПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ CMOS 5000 GATE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ CMOS 10000 GATE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92344-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, BICMOS, СБРОСНАЯ ОЗУ 8K X 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93124 REV B-2005 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 2K X 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93138 REV C-2001 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, CMOS, 1K X 8 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ СИНХРОННЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93173-1993 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 512 Х 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93177 REV E-2003 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 16K X 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ПАМЯТЬ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, КМОП, 4 X 32K X 40 SRAM, МНОГОКИПЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ (MCM)
  • DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 128 Х 8-БИТНАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА (ОЗУ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ГИСТОГРАММЕР/НАКОПИТЕЛЬНЫЙ БУФЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 8-битный ТТЛ/БТЛ-РЕГИСТРАЦИЯ ТРАНСИВЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, 128 КБ Х 32-БИТ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ/ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ
  • DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, 32 КБ Х 32-БИТ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ И ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ
  • DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 8K X 8 ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ МОНОЛИТНАЯ КРЕМНИЯ
  • DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 МИКРОсхема, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА, CMOS, 128K X 8-БИТ
  • DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА, 4000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 256K X 8 БИТ EEPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96796 REV D-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, 128 КБ X 8-БИТ, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, 512 КБ X 16-БИТ, SRAM И ФЛЕШ-СППЗУ
  • DLA SMD-5962-97597 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕМЕНЯЕМАЯ ФЛЕШ-ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ УСТРОЙСТВА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97599 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕМЕНЯЕМАЯ ФЛЕШ-ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ УСТРОЙСТВА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97609 REV A-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, ФЛЕШ-EPROM, 2M X 8-БИТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-03202-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, 1024 Х 8-БИТНАЯ БИПОЛЯРНАЯ ПРОМЫШЛЕННАЯ ПРОМЫШЛЕННАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-03203-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, 2048 Х 8-БИТНАЯ БИПОЛЯРНАЯ ПРОМЫШЛЕННАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89661-1989 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КАСКАДНАЯ 64 Х 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КАСКАДНАЯ 64 Х 8 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП 2К Х 9 ПАРАЛЛЕЛЬНО-СЕРИЙНЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 4K X 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, NMOS, 256 X 4 СТАТИЧЕСКОЕ ОЗУ (SRAM) МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93189 REV C-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 4K X 18 ПАРАЛЛЕЛЬНЫЙ СИНХРОННЫЙ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93249 REV B-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 512 Х 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ СИНХРОННЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, NMOS 4K X 8, УФ СТИРАЕМЫЕ ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ ПАМЯТЬ ШОТКИ 32К, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ (ПЗУ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, 8К Х 8 УФ Стираемые ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89666 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 256 Х 9 ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 МИКРОСХЕМА, ГИБРИДНАЯ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, 512 КБ Х 32-БИТ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ОПЕРАТИВНЫМ ДОСТУПОМ, CMOS
  • DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 2K X 8 (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ КМОП, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОДСТВЕННЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), 8K X 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ , DLA SMD-5962-38294 РЕД E, DLA SMD-5962-38294 РЕД D, DLA
  • DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 16K X 4 (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 16 X 4 SRAM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 16K X 4 БИТ SRAM, (STD POWER), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89863 REV A-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПАРАЛЛЕЛЬНАЯ 512 X 9 FIFO, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 8K X 9 SRAM (СТАНДАРТНАЯ МОЩНОСТЬ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 16K X 4 SRAM С OE И DUAL CE, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 4M X 1 ДИНАМИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ОПЕРАТИВНЫМ ДОСТУПОМ (DRAM) МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 4MEG X 4 DRAM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93225-1994 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 64K X 4 SRAM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ СТИРАЯ ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89855 REV A-1992 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ОДНОПРОГРАММИРУЕМОЕ, АСИНХРОННОЕ РЕГИСТРИРУЕМОЕ ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ УФ-Стираемая ПАМЯТЬ ТОЛЬКО ДЛЯ ЧТЕНИЯ 16K X 8 (EPROM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16К (2048 Х 8) БИТНАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ ЦИФРОВАЯ, 262, 144-БИТ (32K X 8), УФ-СТИРАЕМАЯ ПРОМЫШЛЕННАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ШИНЫ, ДИСТАНЦИОННЫЙ ТЕРМИНАЛ И МОНИТОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92172-1993 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, BICMOS, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОДСТВЕННЫМ ДОСТУПОМ 16K X 4 (SRAM), ОТДЕЛЬНЫЙ ВВОД/ВЫВОД, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ГИБРИДНАЯ И МОНОЛИТНАЯ, ЦИФРОВАЯ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА, КМОП, 256К Х 8-БИТ
  • DLA SMD-5962-98644 REV A-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, SOI, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ПЗУ 32K X 8-БИТНАЯ МАСКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 8K X 8 СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ОПЕРАТИВНЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СТАТИЧЕСКОЕ ОЗУ 256 Х 4 (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90555 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ОДНОВРЕМЕННО ПРОГРАММИРУЕМОЕ, АСИНХРОННО ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 2K X 8-ПОРТОВАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОДСТВЕННЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ, ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 4K X 9, ДВУХПОРТОВАЯ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ОПЕРАТИВНЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ КМОП, 256 КБ Х 8-БИТНАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ, МНОГОКИПЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ
  • DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАТРИЦА 2000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96837-2000 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ВЕНТИЛЬНАЯ МАССИВ 8000 ВЕНТИЛЕЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, NMOS 16K (16,384 X 1) БИТНАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОЛЬНЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 128K X 8 СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ОПЕРАТИВНЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), МАЛАЯ МОЩНОСТЬ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94588-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 32K X 9 FIFO С ПРОГРАММИРУЕМЫМИ ФЛАГАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 8K X 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93123-1993 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 2К Х 16-БИТНАЯ ПРОМЫШЛЕННАЯ МАШИНА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93248-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, УФ-Стираемая ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-98537 REV C-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, CMOS/SOI, 128K X 8 СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, КМОП, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 128К Х 8, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, NMOS, ДИНАМИЧЕСКОЕ ОЗУ 65 536 X 1 БИТ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 512К Х 8-БИТ (4М), РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ОЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 512 Х 8 БИТ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ EEPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 2048 X 8 ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНАЯ EEPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89951-1990 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, NMOS 256 Х 4 БИТ, ЭНЕРГОНОМУТОЧНАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЗАРЕГИСТРИРОВАННАЯ 8К Х 8-БИТ ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ МАЛОГО МОЩНОСТИ ШОТТКИ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, CMOS, УДАЛЕННЫЙ ТЕРМИНАЛ ДЛЯ МАГАЗИНОВ С ОЗУ 1К Х 16, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 1 МЭГ X 8 БИТ EEPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПИТАНИЕ, 32K x 8-БИТ ПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93245-1993 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ПАМЯТЬ, КМОП, РАСШИРЕННОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, УФ-СТИРАНИЕ, ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЛОГИЧЕСКАЯ МАССИВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-98615 REV A-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, КМОП, НИЗКОВОЛЬТНАЯ, 128 КБ Х 8-БИТНАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99572 REV A-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ (ВНУТРИСИСТЕМНАЯ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ), 322 970 ВЕНТИЛЕЙ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99573 REV A-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ (ВНУТРИСИСТЕМНАЯ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ), 661 111 ВЕНТИЛЕЙ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-99574 REV A-2003 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЭЛЕКТРИЧЕСКИ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ (ВНУТРИСИСТЕМНАЯ ПЕРЕПРОГРАММИРУЕМАЯ), 1 124 022 ВЕНТИЛЯ, ПРОГРАММИРУЕМОЕ ЛОГИЧЕСКОЕ УСТРОЙСТВО, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-79024 REV C-2005 МИКРОСХЕМЫ, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВЫЕ, 8192 БИТ, ПЕРЕКЛЮЧАЕМЫЕ, ШОТТКИ, БИПОЛЯРНЫЕ ПРОМЫШЛЕННЫЕ С ТРЕХСОСТОЯННЫМ ВЫХОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, NMOS 16K (2048 X 8) БИТНАЯ СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОДСТВЕННЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 32К Х 8-БИТ УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-92322-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 64K X 8-БИТ БЫСТРЫЙ КОЛОНННЫЙ ДОСТУП UVEPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 4К Х 8 УВЭПРОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
  • DLA SMD-5962-93244-1993 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS 512K X 8 БИТ, 5-ВОЛЬТОВОЕ ПРОГРАММИРОВАНИЕ EEPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

工业和信息化部, Память

  • YS/T 1307.1-2019 Методы испытаний свойств памяти никель-титановых сплавов с памятью формы. Часть 1. Методы испытаний на растяжение.
  • YS/T 1307.2-2019 Метод испытания с эффектом памяти никель-титанового сплава с памятью формы. Часть 2. Метод испытания на изгиб.
  • YS/T 1136-2016 Бесшовная трубка из медицинского никель-титанового сплава с памятью формы
  • JB/T 13468-2018 Неразрушающий контроль, метод интегрированного контроля с вихретоковой магнитной памятью

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Память

  • YS/T 971-2014 Проволока из титано-никелевого сплава с памятью формы.
  • YS/T 1064-2015 Терминология для никель-титановых сплавов с памятью формы.
  • YS/T 970-2014 Метод измерения температуры фазового перехода никель-титановых сплавов с памятью формы
  • YS/T 969-2014 Метод испытания на растяжение при постоянной температуре проволоки из никель-титанового сплава с памятью формы

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Память

  • GB/T 20296-2006 Мнемоника и символы для интегральных схем
  • GB/T 20296-2012 Мнемоника и символы для интегральных схем
  • GB/T 26641-2011 Неразрушающий контроль. Контроль магнитной памяти. Общие принципы.
  • GB/T 12604.10-2011 Неразрушающий контроль.Терминология.Термины, используемые при контроле магнитной памяти.
  • GB/T 17551-1998 Карты идентификационные. Карты оптической памяти. Общие характеристики.
  • GB/T 12604.10-2023 Терминология неразрушающего контроля. Часть 10. Проверка магнитной памяти
  • GB/T 17550.1-1998 Карты идентификационные. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 1. Физические характеристики.
  • GB/T 5009.198-2003 Моллюски - метод испытания домоевой кислоты при амнезиальном отравлении моллюсками
  • GB/T 17550.3-1998 Карты идентификационные. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 3. Оптические свойства и характеристики.
  • GB/T 17550.4-2000 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 4. Логические структуры данных.
  • GB 24627-2009 Стандартные спецификации на деформируемые никель-титановые сплавы с памятью формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • GB/T 17550.2-1998 Карты идентификационные. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 2. Размеры и расположение доступной оптической области.
  • GB/T 42516-2023 Метод химического анализа высокотемпературных сплавов с памятью формы. Определение содержания платины. Метод осаждения комплекса тиомочевины.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Память

  • CNS 10322-1983 Метод испытания ферритовых сердечников для устройств памяти
  • CNS 13939-1997 Карты удостоверения личности-Карты оптической памяти-Общие характеристики
  • CNS 13940-3-1997 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 3. Оптические свойства и характеристики.
  • CNS 13940.3-1997 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 3. Оптические свойства и характеристики.
  • CNS 13940-1-1997 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 1. Физические характеристики.
  • CNS 13940.1-1997 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 1. Физические характеристики.
  • CNS 13940.2-1997 Идентификационные карты-Оптические карты памяти-Линейный метод записи-Часть 2: Размеры и расположение доступной оптической области
  • CNS 13940-2-1997 Идентификационные карты-Оптические карты памяти-Линейный метод записи-Часть 2: Размеры и расположение доступной оптической области

Professional Standard - Textile, Память

  • FZ/T 43053-2019 Ткань из полиэфирного волокна с памятью формы.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Память

  • GB/T 39985-2021 Пластина из титано-никелевого сплава с памятью формы.
  • GB/T 26641-2021 Неразрушающий контроль. Испытание магнитной памяти. Общие требования.
  • GB/T 41420-2022 Текстиль – определение и оценка свойства памяти формы.
  • GB/T 39989-2021 Сверхэластичный пруток и проволока из титано-никелевого сплава с памятью формы
  • GB/T 34370.10-2020 Неразрушающий контроль развлекательного оборудования. Часть 10. Проверка магнитной памяти.

Association Francaise de Normalisation, Память

  • NF EN 111100:1991 Промежуточная спецификация: трубки для просмотра памяти.
  • NF EN 111101:1991 Специальная спецификация рамы: трубки для просмотра памяти
  • NF A51-080:1991 Сплавы с памятью формы (SMA). Словарь и меры.
  • NF EN 4819:2017 Аэрокосмическая серия — кнопка памяти контактов (CMB) для использования в авиации.
  • NF L50-004*NF EN 4819:2017 Аэрокосмическая серия — метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах.

CZ-CSN, Память

  • CSN 01 3349-1989 Графические символы для электрических схем. Блоки памяти

International Organization for Standardization (ISO), Память

  • ISO/IEC 11693:2000 Карты идентификационные - Карты оптические - Общие характеристики
  • ISO 24497-1:2007 Неразрушающий контроль. Магнитная память металла. Часть 1. Словарь.
  • ISO/IEC 11694-1:2000 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 1. Физические характеристики.
  • ISO/IEC 11694-1:2005 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 1. Физические характеристики.
  • ISO/IEC 11694-1:2012 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 1. Физические характеристики.
  • ISO/IEC 11694-3:2001 Карты удостоверения личности - Карты оптической памяти; Метод линейной записи. Часть 3. Оптические свойства и характеристики.
  • ISO/IEC 11694-4:2001 Карты удостоверения личности - Карты оптической памяти; Метод линейной записи. Часть 4. Логические структуры данных.
  • ISO 24497-2:2020 Неразрушающий контроль. Магнитная память металла. Часть 2. Контроль сварных соединений.
  • ISO/IEC 11694-2:2000 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 2. Размеры и расположение доступной оптической области.
  • ISO/IEC 11694-2:2005 Карты удостоверения личности. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 2. Размеры и расположение доступной оптической области.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Память

  • GJB 8518-2015 Спецификация на крепежные кольца из сплава с памятью формы
  • GJB 8620-2015 Спецификация на стержни из сплавов никель-титан-ниобий с памятью формы

Group Standards of the People's Republic of China, Память

  • T/QGCML 1174-2023 Технические характеристики производства матрасов из пены с эффектом памяти
  • T/HCPA 007-2023 Оценка профессиональных навыков инструктора по эффективной памяти
  • T/GDAQI 011-2019 Метод испытания магнитной памяти на напряжение наземного металлического трубопровода
  • T/CALAS 74-2019 Лабораторные животные. Руководство по тестированию поведения на обучение и память
  • T/CSBM 0015-2021 Способ оценки способности к восстановлению формы костных пластин из никель-титанового сплава с памятью формы
  • T/CSBM 0017-2021 Метод оценки способности восстановления формы сердечного окклюдера из никель-титанового сплава с памятью формы
  • T/CSBM 0016-2021 Метод испытания in vitro на высвобождение ионов никеля из костного имплантата из никель-титанового сплава с памятью формы
  • T/GAMA 19-2021 Аддитивное производство. Метод испытания свойств памяти формы полимерных материалов. Испытание на изгиб.
  • T/GAMA 20-2021 Аддитивное производство. Метод воздействия на память формы полимерных материалов. Метод УФ-термического воздействия.
  • T/SDAS 639-2023 Требования к материалам и процессам изготовления ортопедических имплантатов из никель-титанового сплава с памятью формы аддитивным способом.
  • T/CSBM 0018-2021 Метод испытаний для оценки способности к восстановлению формы саморасширяющегося сосудистого стента из никель-титанового сплава с памятью формы

U.S. Air Force, Память

American Society for Testing and Materials (ASTM), Память

  • ASTM F2005-05 Стандартная терминология для никель-титановых сплавов с памятью формы
  • ASTM F2005-00 Стандартная терминология для никель-титановых сплавов с памятью формы
  • ASTM F2005-05(2010) Стандартная терминология для никель-титановых сплавов с памятью формы
  • ASTM F2005-21 Стандартная терминология для никель-титановых сплавов с памятью формы
  • ASTM F2005-05(2015) Стандартная терминология для никель-титановых сплавов с памятью формы
  • ASTM E3097-23 Стандартный метод испытаний одноосного термического циклирования с постоянной силой сплавов с памятью формы
  • ASTM F2063-05 Стандартные спецификации для деформируемых никель-титановых сплавов с памятью формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • ASTM F2063-00 Стандартные спецификации для деформируемых никель-титановых сплавов с памятью формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • ASTM E3097-17 Стандартный метод испытаний механического одноосного термоциклирования с постоянной силой сплавов с памятью формы
  • ASTM F2063-12 Стандартные спецификации для деформируемых никель-титановых сплавов с памятью формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • ASTM F2063-18 Стандартные спецификации для деформируемых никель-титановых сплавов с памятью формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • ASTM F2633-07 Стандартные спецификации на кованые бесшовные никель-титановые трубки из сплава с эффектом памяти формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • ASTM E3098-17 Стандартный метод испытаний для механической одноосной предварительной деформации и термического восстановления сплавов с памятью формы
  • ASTM F2633-13 Стандартные спецификации на кованые бесшовные никель-титановые трубки из сплава с эффектом памяти формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • ASTM F2082-01 Стандартный метод испытаний для определения температуры превращения никель-титановых сплавов с памятью формы методом изгиба и свободного восстановления
  • ASTM F2082-15 Стандартный метод испытаний для определения температуры превращения никель-титановых сплавов с памятью формы методом изгиба и свободного восстановления
  • ASTM F2082/F2082M-16 Стандартный метод испытаний для определения температуры превращения никель-титановых сплавов с памятью формы методом изгиба и свободного восстановления
  • ASTM F2082/F2082M-23 Стандартный метод испытаний для определения температуры превращения никель-титановых сплавов с памятью формы методом изгиба и свободного восстановления
  • ASTM F2082-03 Стандартный метод испытаний для определения температуры превращения никель-титановых сплавов с памятью формы методом изгиба и свободного восстановления
  • ASTM F2633-19 Стандартные спецификации на кованые бесшовные никель-титановые трубки из сплава с эффектом памяти формы для медицинских приборов и хирургических имплантатов
  • ASTM F2082-06 Стандартный метод испытаний для определения температуры превращения никель-титановых сплавов с памятью формы методом изгиба и свободного восстановления

Canadian Standards Association (CSA), Память

  • CSA ISO/IEC 11694-6-06:2006 Идентификационные карты Оптические карты памяти Метод линейной записи Часть 6. Использование биометрических данных на оптических картах памяти ISO/IEC 11694-6:2006
  • CSA ISO/IEC 11693-06:2006 Идентификационные карты Оптические карты памяти Общие характеристики ISO/IEC 11693:2005
  • CSA ISO/IEC 10373-5-06:2006 Идентификационные карты. Методы испытаний. Часть 5. Карты оптической памяти. Второе издание.
  • CSA ISO/IEC 11694-1-06:2006 Идентификационные карты Оптические карты памяти Метод линейной записи Часть 1: Физические характеристики ISO/IEC 11694-1:2005
  • CSA ISO/IEC-11694-3-02:2002 Идентификационные карты. Оптические карты памяти. Метод линейной записи. Часть 3. Оптические свойства и характеристики ISO/IEC 11694-3:2001.
  • CSA ISO/IEC-11694-4-02:2002 Идентификационные карты. Карты оптической памяти. Метод линейной записи. Часть 4. Логические структуры данных. ISO/IEC 11694-4:2001
  • CSA ISO/IEC 11694-2-06:2006 Идентификационные карты Оптические карты памяти Метод линейной записи Часть 2: Размеры и расположение доступной оптической области ISO/IEC 11694-2:2005
  • CSA ISO/IEC 11694-5-06:2006 Идентификационные карты. Оптические карты памяти. Часть 5. Формат данных для обмена информацией для приложений, использующих ISO/IEC 11694-4, Приложение B ISO/IEC 11694-5:2006.

FI-SFS, Память

  • SFS 5233-1986 Установить трубу. Требования к изоляции трубок с памятью

Military Standard of the People's Republic of China-Commission of Science,Technology and Industry for National Defence, Память

  • GJB 5913-2006 Спецификация на стержни из сплава NiTiNb с памятью формы

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Память

  • JEDEC JESD21-C-1998 Конфигурации для твердотельных накопителей версии 8 ***НУЖНО ОТПРАВИТЬ ПРЯМО В JEDEC, 703.907.7559***

RU-GOST R, Память

  • GOST 21480-1976 Мнемосхемы системы «Человек-машина». Общие эргономические требования
  • GOST 25492-1982 Воспоминания о цифровых компьютерах. Понятия и определения
  • GOST R 52081-2003 Неразрушающий контроль. Метод магнитной памяти металла. Понятия и определения

Professional Standard - Electricity, Память

  • DL/T 370-2010 Контроль магнитной памяти металла сварного соединения на оборудовании, работающем под давлением
  • DL/T 1105.4-2009 Техническая инструкция по неразрушающему контролю угловых сварных швов патрубков сопел малого диаметра коллекторов котлов электростанций. Часть 4. Методика диагностики металла с магнитной памятью.
  • DL/T 1105.4-2010 Техническая инструкция по неразрушающему контролю угловых сварных швов патрубков патрубков малого диаметра на коллекторах котлов электростанций. Часть 4. Методика диагностики металла с магнитной памятью.

Professional Standard - Machinery, Память

  • JB/T 11611-2013 Прибор неразрушающего контроля. Интегрированный прибор для вихретокового контроля и магнитной памяти.
  • JB/T 11605-2013 Приборы неразрушающего контроля. Спецификация прибора с магнитной памятью металла
  • JB/T 11606-2013 Приборы неразрушающего контроля. Проверка приборов с магнитной памятью металла.

ETSI - European Telecommunications Standards Institute, Память

  • GS LIS 002-2013 Отраслевые стандарты локализации (LIS); Обмен памяти переводов (TMX) (V1.4.2)

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Память

  • TIA-136-005-C-2004 TDMA – беспроводная связь третьего поколения, идентификация и полупостоянная память

European Telecommunications Standards Institute (ETSI), Память

  • ETSI GS LIS 002-2013 Отраслевые стандарты локализации (LIS); Обмен памяти переводов (TMX) (V1.4.2)

Professional Standard - Commodity Inspection, Память

  • SN/T 1070-2002 Метод определения амнестического яда моллюсков в моллюсках при импорте и экспорте

国家药监局, Память

  • YY/T 1771-2021 ОПРЕДЕЛЕНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДА никель-титанового сплава с памятью формы методом безизгибательного восстановления

Lithuanian Standards Office , Память

  • LST EN 4819-2012 Аэрокосмическая серия — метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах.

Danish Standards Foundation, Память

  • DS/EN 4819:2012 Аэрокосмическая серия — метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах.

CEN - European Committee for Standardization, Память

  • EN 4819:2012 Аэрокосмическая серия — метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах.

German Institute for Standardization, Память

  • DIN EN 4819:2012-09 Аэрокосмическая серия — метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах; Немецкая и английская версия EN 4819:2012.
  • DIN EN 4819:2012 Аэрокосмическая серия — метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах; Немецкая и английская версия EN 4819:2012.

ES-UNE, Память

  • UNE-EN 4819:2012 Аэрокосмическая серия — метки контактной кнопки памяти (CMB), предназначенные для использования в самолетах (одобрены AENOR в июле 2012 г.)

United States Navy, Память

  • NAVY MIL-STD-2217 VALID NOTICE 3-2005 МУЛЬТИПЛЕКСНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС ЗАГРУЗЧИКА ПАМЯТИ/ВЕРИФИКАТОРА С АВИОНИЧЕСКИМИ СИСТЕМАМИ, ТРЕБОВАНИЯ К
  • NAVY MIL-STD-2217 CHG NOTICE 2-2000 МУЛЬТИПЛЕКСНЫЙ ШИННЫЙ ИНТЕРФЕЙС ЗАГРУЗЧИКА ПАМЯТИ/ВЕРИФИКАТОРА С АВИОНИЧЕСКИМИ СИСТЕМАМИ, ТРЕБОВАНИЯ К

GOSTR, Память

  • GOST R ISO 24497-3-2009 Неразрушающий контроль. Метод магнитной памяти металла. Часть 3. Контроль сварных соединений

Aerospace, Security and Defence Industries Association of Europe (ASD), Память

  • ASD-STAN PREN 4819-2011 Бирки контактной кнопки памяти (CMB) аэрокосмической серии, предназначенные для использования в самолетах (издание P 1)

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, Память

  • PREN 4819-2011 Бирки контактной кнопки памяти (CMB) аэрокосмической серии, предназначенные для использования в самолетах (издание P 1)

Standard Association of Australia (SAA), Память

  • AS ISO/IEC 15962:2006 Информационные технологии. Радиочастотная идентификация (RFID) для управления предметами. Протокол данных: правила кодирования данных и функции логической памяти.

Professional Standard - Energy, Память

  • DL/T 1105.4-2020 Техническая инструкция по неразрушающему контролю угловых сварных швов коллекторов малого диаметра котлов электростанций. Часть 4. Контроль магнитной памяти

Professional Standard - Agriculture, Память

  • 114药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и препарат против памяти Пирацетам.
  • 112药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропы) и средства против памяти Цитиколин.
  • 117药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и препарат против памяти Ницерголин.
  • 119药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и средства против памяти. Гиперзин А.
  • 115药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и средства против памяти Анирацетам.
  • 111药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и средства против памяти Пиритиола гидрохлорид.
  • 123药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и средства против памяти Мемантина гидрохлорид.
  • 113药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и средства против памяти. Меклофеноксат гидрохлорид.
  • 120药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и средства против памяти. Донепезила гидрохлорид.
  • 122药典 化学药和生物制品卷-2010 Глава 1. Препараты для лечения нервной системы. Раздел 7. Препараты, улучшающие функцию мозга (ноотропные препараты) и средства, снижающие память. Галантамина гидробромид.




©2007-2023 ANTPEDIA, Все права защищены.