ZH
EN
ES

Высокоэффективный фотодиод

Высокоэффективный фотодиод, Всего: 271 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Высокоэффективный фотодиод, являются: Печатные схемы и платы, Полупроводниковые приборы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Оптоволоконная связь, Электронные лампы, Керамика, Аудио, видео и аудиовизуальная техника, Телевидение и радиовещание, Атомная энергетика, Солнечная энергетика, Малый корабль, Самолеты и космические аппараты в целом, Системы дорожного транспорта, Эргономика, ИТ-терминал и другое периферийное оборудование, Лампы и сопутствующее оборудование, Электронные устройства отображения, Стоматология, Измерения радиации, Электрические и электронные испытания, Цветные металлы.

British Standards Institution (BSI), Высокоэффективный фотодиод

BS IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
18/30367363 DC БС МЭК 60747-5-8. Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания эффективности светодиодов
BS IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытаний плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока
BS IEC 60747-5-11:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
BS EN 120005:1986 Спецификация для гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланк подробной спецификации. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS EN 120001:1993 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
BS EN 120001:1991 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Бланковая детальная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
BS IEC 60747-5-9:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности на основе температурно-зависимой электролюминесценции
BS ISO 20351:2017 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Абсолютное измерение внутренней квантовой эффективности люминофоров для белых светодиодов с использованием интегрирующей сферы
BS EN 120005:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
BS PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
BS IEC 60747-5-10:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности, основанный на контрольной точке при комнатной температуре
18/30388245 DC БС ЕН МЭК 60747-5-11. Полупроводниковые приборы. Часть 5-11. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светодиодов
BS EN ISO 19009:2015 Маленькое судно. Электрические навигационные огни. Производительность светодиодных фонарей
PD IEC/TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасного диода к электростатическому разряду
BS EN 120002:1993 Спецификация гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация: инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
BS EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Методы измерения оптических и электрооптических параметров
18/30367367 DC БС МЭК 60747-5-62. Полупроводниковые приборы. Часть 5-9. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности на основе температурно-зависимой электролюминесценции
BS IEC 60747-5-15:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения
19/30392174 DC БС ЕН 60747-5-6. Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды
BS EN 62384:2006 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
18/30367371 DC БС МЭК 60747-5-63. Полупроводниковые приборы. Часть 5-10. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания внутренней квантовой эффективности по эталонной точке при комнатной температуре
BS ISO 23946:2020 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Методы испытаний оптических свойств керамических люминофоров для белых светодиодов с использованием гонио-спектрофлуориметра
PD IEC TS 63109:2022 Фотоэлектрические (PV) модули и элементы. Измерение коэффициента идеальности диода путем количественного анализа электролюминесцентных изображений
BS EN 61347-2-13:2006 Устройство управления лампами. Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
BS EN 61347-2-13:2014 Устройство управления лампой. Особые требования к электронным устройствам управления светодиодными модулями с питанием постоянным или переменным током.
BS EN 62384:2006+A1:2009 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
14/30313209 DC БС ЕН 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
23/30456750 DC BS ISO 13915. Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания оптических свойств керамических люминофоров для белых светодиодов с эталонными материалами
23/30475452 DC БС ЕН МЭК 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
20/30430108 DC БС ЕН МЭК 62341-6-1. Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров
21/30440970 DC БС ЕН МЭК 60747-5-16. Полупроводниковые приборы. Часть 5-16. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии фототока
20/30422995 DC БС ЕН МЭК 60747-5-15. Полупроводниковые приборы. Часть 5-15. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения
20/30394351 DC BS ISO 23946. Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, современная техническая керамика). Методы испытаний оптических свойств керамических люминофоров для белых светодиодов с использованием гонио-спектрофлуориметра
BS EN 62560:2012 Светильники светодиодные самобалластные для общего освещения напряжением 50 В. Характеристики безопасности
BS EN 62341-6-2:2012 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Методы измерения качества изображения и характеристик окружающей среды
BS EN IEC 62149-12:2023 Оптоволоконные активные компоненты и устройства. Стандарты производительности — лазерное диодное устройство с распределенной обратной связью для аналоговой радиосвязи по оптоволоконным системам.

International Electrotechnical Commission (IEC), Высокоэффективный фотодиод

IEC 91/926/PAS:2010 Электронная плата для светодиодов высокой яркости
IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-8. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светоизлучающих диодов.
IEC 91/928/PAS:2010 Методы испытаний электронных плат светодиодов высокой яркости
IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-12. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания эффективности светодиодов.
IEC 60747-5-7:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-7. Оптоэлектронные приборы. Фотодиоды и фототранзисторы.
IEC 60747-5-16:2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-16. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения светодиодов на основе GaN на основе спектроскопии фототока.
IEC 60747-5-11:2019 Приборы полупроводниковые. Часть 5-11. Приборы оптоэлектронные. Светодиоды. Метод испытания радиационных и безызлучательных токов светоизлучающих диодов.
IEC TS 62916:2017 Фотоэлектрические модули. Проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду
IEC 60747-5-6:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-6:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-6:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-9:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-9. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания внутреннего квантового выхода на основе температурно-зависимой электролюминесценции.
IEC 60747-5-10:2019 Полупроводниковые приборы. Часть 5-10. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды. Метод испытания внутреннего квантового выхода на основе эталонной точки при комнатной температуре.
IEC 62341-6-3:2017/COR1:2019 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2022 RLV Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2017 RLV Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2022 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62595-2:2012 Блок подсветки ЖК-дисплея. Часть 2. Электрооптические методы измерения блока светодиодной подсветки.
IEC 62384:2006 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
IEC TS 63109:2022 Фотоэлектрические (PV) модули и элементы. Измерение коэффициента идеальности диода путем количественного анализа электролюминесцентных изображений.
IEC 62384:2011 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
IEC 62341-6-1:2017 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 62341-6-1:2009 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
IEC 60747-5-15:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-15. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды. Метод испытания плоскозонного напряжения на основе спектроскопии электроотражения.
IEC 60747-12-3:1998 Полупроводниковые приборы. Часть 12-3. Оптоэлектронные устройства. Бланк подробной спецификации для светодиодов. Применение дисплея
IEC 62560:2011 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
IEC 62560:2015 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
IEC 61347-2-13:2014 Устройство управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.
IEC 61347-2-13:2006 Устройство управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.

Professional Standard - Military and Civilian Products, Высокоэффективный фотодиод

WJ 2100-2004 Метод испытаний кремниевых фотодиодов и кремниевых лавинных фотодиодов
WJ 2265-1995 Технические характеристики кремниевых лавинных фотодиодов с предусилением
WJ 2506-1998 Правила поверки фотодиодного динамического тестера

ES-UNE, Высокоэффективный фотодиод

UNE-EN 120005:1992 BDS: ФОТОДИОДЫ, ФОТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ (НЕ ПРЕДНАЗНАЧЕНЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ).
UNE-EN 120001:1992 BDS: СВЕТОДИОДЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ МАССИВЫ, СВЕТОДИОДНЫЕ ДИСПЛЕИ БЕЗ ВНУТРЕННЕЙ ЛОГИКИ И РЕЗИСТОРА. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)
UNE-EN 120006:1992 BDS: PIN-ФОТОДИОДЫ ДЛЯ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ПРИМЕНЕНИЙ. (Одобрено AENOR в сентябре 1996 г.)

German Institute for Standardization, Высокоэффективный фотодиод

DIN EN 120005:1996 Бланковая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений); Немецкая версия EN 120005:1992.
DIN EN 120005:1996-11 Пустая подробная спецификация - Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
DIN EN 120001:1993-06 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
DIN EN 120001:1993 Бланковая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи светодиоды без внутренней логики и резистора; Немецкая версия EN 120001:1992.
DIN IEC 62088:2002-09 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)
DIN EN 62341-6-1:2011-07 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров (IEC 62341-6-1:2009); Немецкая версия EN 62341-6-1:2011
DIN EN 62384:2007 Электронные устройства управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей. Требования к рабочим характеристикам (IEC 62384:2006); Немецкая версия EN 62384:2006.
DIN IEC 62088:2002 Ядерное приборостроение. Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Процедуры испытаний (IEC 62088:2001)
DIN EN 62384:2010 Электронные устройства управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к рабочим характеристикам (IEC 62384:2006 + A1:2009); Немецкая версия EN 62384:2006 + A1:2009
DIN EN 61347-2-13:2007 Аппаратура управления лампами. Часть 2-13. Частные требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей (IEC 61347-2-13:2006); Немецкая версия EN 61347-2-13:2006.

European Standard for Electrical and Electronic Components, Высокоэффективный фотодиод

EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
EN 120001:1992 Пустая подробная спецификация; светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
EN 120006:1992 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.

Association Francaise de Normalisation, Высокоэффективный фотодиод

NF EN 120005:1992 Пустая спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений).
NF C93-120-005*NF EN 120005:1992 Пустая подробная спецификация: фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
NF EN 120001:1992 Пустая спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светоизлучающие диодные дисплеи без резисторов или внутренних логических схем.
NF C93-120-001*NF EN 120001:1992 Пустая детальная спецификация: светодиоды, матрицы светодиодов, дисплеи на светодиодах без внутренней логики и резистора.
NF C96-551/A2:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме
NF C96-551/A3:1981 Оптоэлектроника Светодиоды Оптопары Листы статей по теме
NF C86-502:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Инфракрасные диоды, матрицы инфракрасных диодов.
NF C93-872:1987 Цифровые приемники с штыревым фотодиодом.
NF C86-501:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Пустая подробная спецификация. Светодиоды, светодиодные матрицы.
NF C86-505:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фотодиоды. Фотодиоды-матрицы. Спецификация бланка детали CECC 20 005.
NF EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
NF C96-565-2*NF EN 62595-2:2013 Блок подсветки ЖК-дисплея. Часть 2. Электрооптические методы измерения блока светодиодной подсветки.
NF C71-305*NF EN 62384:2006 Электронные устройства управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности.
NF C96-541-6-1*NF EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1: методы измерения оптических и электрооптических параметров.
NF EN IEC 63286:2022 Гибкие панели на органических светоизлучающих диодах (OLED) для общего освещения – требования к производительности
NF C71-251*NF EN 62560:2013 Светодиодные лампы с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
NF C71-247-13:2006 Устройство управления лампами. Часть 2-13: Особые требования к постоянному току для электронных устройств управления переменным током для светодиодных модулей.
NF C71-247-13*NF EN 61347-2-13:2014 Аппаратура управления лампой. Часть 2-13. Особые требования к электронным устройствам управления с питанием постоянным или переменным током для светодиодных модулей.

SE-SIS, Высокоэффективный фотодиод

SIS SS CECC 20005-1988 Бланковая детальная спецификация: Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных сетей)
SIS SS-CECC 20001-1991 Пустая детальная спецификация: светоизлучающие диоды, светоизлучающие диодные матрицы, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора.
SIS SS CECC 20006-1988 Бланк спецификации: PIN-фотодиоды для оптоволоконных приложений.

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Высокоэффективный фотодиод

TIA-455-130-2001 Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах
TIA-455-130-2007(2014) Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах

Lithuanian Standards Office , Высокоэффективный фотодиод

LST EN 120005-2001 Пустая подробная спецификация. Фотодиоды, фотодиодные матрицы (не предназначены для оптоволоконных применений)
LST EN 120001-2001 Пустая подробная спецификация. Светодиоды, матрицы светодиодов, светодиодные дисплеи без внутренней логики и резистора
LST EN 62341-6-1-2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров (IEC 62341-6-1:2009)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Высокоэффективный фотодиод

KS C 6990-2001 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6905-2001 Общие правила использования лазерных диодов для оптоволоконной передачи
KS C 6991-2001 Методы испытаний фотодиодов для оптоволоконной передачи
KS C 6906-2001 Методы испытаний лазерных диодов для волоконно-оптической передачи данных
KS C 6990-2013 ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6991-2013 МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 6990-2001(2011) ОБЩИЕ ПРАВИЛА О ФОТОДИОДАХ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 5217-1983(1998) ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
KS C 6991-2001(2011) МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ ФОТОДИОДОВ ДЛЯ ВОЛОКОННОЙ ПЕРЕДАЧИ
KS C 5217-2002 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
KS C 5217-1983 ГАРАНТИРОВАННАЯ НАДЕЖНОСТЬ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ (СРЕДНЕГО И ВЫСОКОГО ТОКА)
KS P ISO 10650-2-2009(2014) Стоматология－Активаторы полимеризации－Часть 2:Светодиодные (LED) лампы
KS C IEC 62341-6-1:2020 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
KS C IEC 62384:2011 Электронный блок управления с питанием от постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
KS C IEC 62341-6:2007 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6: Методы измерения.

Professional Standard - Electron, Высокоэффективный фотодиод

SJ 2354.9-1983 Метод измерения эквивалентной мощности помех PIN и лавинных фотодиодов
SJ/T 2216-2015 Техническая спецификация фотодиода кремниевого
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 2354-2015 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ/T 2354-2015/0352 Методы измерения фотодиодов PIN、APD
SJ/T 2658.16-2016 Метод измерения полупроводникового инфракрасного диода. Часть 16: Эффективность фотоэлектрического преобразования.
SJ 2354.1-1983 Общие методики измерения электрических и оптических параметров PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.5-1983 Метод измерения емкости PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/102-1995 Детальная спецификация PIN-фотодиода InGaAs/InP типа GD 218
SJ 2214.10-1982 Метод измерения светового тока полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 2354.3-1983 Метод измерения темнового тока PIN и лавинных фотодиодов
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 2354.10-1983 Метод измерения коэффициента перекрестной освещенности матрицы PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.6-1983 Метод измерения чувствительности PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.13-1983 Метод измерения коэффициента умножения PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ 1230-1977 Методы измерения высокочастотного выпрямленного тока германиевых детекторных диодов
SJ 2354.4-1983 Метод измерения прямого падения напряжения на PIN и лавинных фотодиодах
SJ 2354.2-1983 Метод измерения напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/136-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на красный светодиод типа ГФ116
SJ 50033/143-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация красного диода типа GF1120.
SJ 50033/137-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на светодиод оранжево-красный светодиод типа ГФ216
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/138-1998 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Детальная спецификация на светодиод желтый типа ГФ318
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ/T 11393-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 50033/57-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация красного светодиода типа GF115
SJ 2354.14-1983 Метод измерения коэффициента избыточного шума PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2215.6-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ/T 11400-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
SJ 2354.11-1983 Метод измерения ширины слепой зоны ПИН и матрицы лавинного фотодиода
SJ 2215.3-1982 Метод измерения прямого тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2214.4-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотодиодов
SJ 2215.4-1982 Метод измерения обратного тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20642.7-2000 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация светодиодного модуля типа GR1325J
SJ/T 11817-2022 Бланк рабочей спецификации на светодиоды для полупроводниковых оптоэлектронных приборов, ламп накаливания
SJ 2354.7-1983 Метод измерения кривой спектрального отклика и диапазона спектрального отклика PIN и лавинных фотодиодов
SJ 2354.12-1983 Метод измерения температурного коэффициента напряжения обратного пробоя PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ 2354.8-1983 Метод измерения времени нарастания и спада импульсов PIN и лавинных фотодиодов
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 2215.5-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ 2658.4-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения емкости
SJ/T 10947-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полупроводниковые зеленые светодиоды FG341052 и FG343053.
SJ 2658.3-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения обратного напряжения
SJ/T 10948-1996 Подробные спецификации электронных компонентов - полупроводниковых красных светодиодов FG313052, FG314053, FG313054 и FG314055.
SJ 2658.5-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения прямого последовательного сопротивления

PL-PKN, Высокоэффективный фотодиод

PN T01504-67-1987 Диоды Методы измерения Последовательное эквивалентное сопротивление

American National Standards Institute （ANSI), Высокоэффективный фотодиод

ANSI/TIA/EIA 455-130-2001 Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах

TIA - Telecommunications Industry Association, Высокоэффективный фотодиод

TIA/EIA-455-130-2001 FOTP-130 Испытание лазерных диодов на долговечность при повышенных температурах

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Высокоэффективный фотодиод

JIS C 5990:1997 Общие правила использования фотодиодов для оптоволоконной передачи
JIS C 5991:1997 Методы измерения фотодиодов для оптоволоконной передачи
JIS R 1697:2015 Абсолютное измерение внутренней квантовой эффективности люминофоров для белых светодиодов с использованием интегрирующей сферы
JIS C 8156:2011 Лампы светодиодные с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности
JIS C 8156:2017 Лампы светодиодные с самобалластом для общего освещения напряжением > 50 В. Требования безопасности

Professional Standard - Machinery, Высокоэффективный фотодиод

JB/T 5186-1991 Кремниевые фотодиоды для фотоаппаратов

CZ-CSN, Высокоэффективный фотодиод

CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока
CSN 35 8781-1983 Полупроводниковые диоды СВЧ для смешивания и обнаружения. Электрические параметры. Методы измерения.

Professional Standard - Post and Telecommunication, Высокоэффективный фотодиод

YD/T 835-1996 Метод испытания лавинных фотодиодов

邮电部, Высокоэффективный фотодиод

YD/T 0835-1996 Лавинный фотодиодный метод обнаружения

Group Standards of the People's Republic of China, Высокоэффективный фотодиод

T/COEMA 004LCD-2022 Поляризационная пленка для ТВ-дисплеев на органических светодиодах
T/CVIA 59-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 11-2016 Методы измерения телевизоров с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 58-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CVIA 10-2016 Общие технические требования к телевизорам с органическими светоизлучающими диодами (OLED)
T/CSA 048-2019 Измерение электрических и фотометрических характеристик светодиодов общего освещения при различных токах/температурах
T/SUCA 032-2022 Устройство отображения сверхвысокой четкости. Протокол интерфейса сигнала «точка-точка» (P2P) для дисплея на органических светодиодах.

PT-IPQ, Высокоэффективный фотодиод

NP 3234-2-1987 Электронный оригинал. Класс электролюминесцентных диодов. Матрица электролюминесцентных диодов, подробные характеристики

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Высокоэффективный фотодиод

GB/T 37949-2019 Метод проверки чистоты низкомолекулярных материалов, применяемых в дисплеях на органических светодиодах (OLED) — высокоэффективная жидкостная хроматография (ВЭЖХ).
GB/T 36358-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Высокоэффективный фотодиод

NEMA C78.51-2016 Электрические лампы. Светодиодные лампы. Метод обозначения.
NEMA C78.52-2017 Электрические лампы – светодиодные (светодиодные) лампы прямой замены – метод обозначения

RU-GOST R, Высокоэффективный фотодиод

GOST 21011.2-1976 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения анодного тока в импульсе напряжения
GOST 21011.3-1977 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения тока нагревателя
GOST 21011.4-1977 Высоковольтные кенотроны. Методы испытаний электрической прочности
GOST 21011.7-1980 Высоковольтные кенотроны. Метод измерения тока эмиссии
GOST R 55241.2-2012 Эргономика взаимодействия человека и системы. Часть 309. Дисплеи органические светодиодные
GOST 19656.0-1974 Полупроводниковые диоды УВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие условия
GOST 21011.0-1975 Высоковольтные кенотроны. Методы измерения электрических параметров. Общие требования
GOST 21011.6-1978 Высоковольтные кенотроны. Метод испытания на многократное включение и выключение нагревательного напряжения
GOST 19656.7-1974 Полупроводниковые детекторные диоды УВЧ. Метод измерения токовой чувствительности
GOST 21107.10-1978 Газоразрядные устройства. Методы измерения электрических параметров режима работы и условий измерения тиратронов тлеющего разряда и газонаполненных выпрямителей
GOST 19656.2-1974 Полупроводниковые диоды смесителя УВЧ. Метод измерения выпрямленного тока
GOST 19656.3-1974 Полупроводниковые диоды смесителя УВЧ. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте
GOST 19656.10-1988 Полупроводниковые переключающие и ограничительные диоды СВЧ. Методы измерения сопротивлений потерь
GOST 17038.3-1979 Сцинтилляционные детекторы ионизирующего излучения. Метод измерения световыхода детектора анодного тока фотоумножителя
GOST R IEC 62384-2011 Электронная аппаратура управления, питаемая от источников постоянного или переменного тока для светодиодных модулей. Требования к производительности
GOST 19656.15-1984 Полупроводниковые диоды УВЧ. Методы измерения термического сопротивления и импульсного термического сопротивления
GOST 19656.1-1974 Полупроводниковый смеситель УВЧ и детекторные диоды. Метод измерения коэффициента стоячей волны по напряжению
GOST 18604.24-1981 Транзисторы биполярные высокочастотные. Методы измерения выходной мощности, коэффициента усиления и эффективности коллектора

RO-ASRO, Высокоэффективный фотодиод

STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики
STAS 12258/4-1986 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы СВЕТОДИОДЫ Терминология и основные характеристики
STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики

Defense Logistics Agency, Высокоэффективный фотодиод

DLA MIL-S-19500/230 C VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, диод, кремниевый, с высокой проводимостью, тип JAN-1N3207
DLA MIL-DTL-28803/1 E-2013 ДИСПЛЕЙ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЙ, СЕГМЕНТИРОВАННЫЙ СЧИТЫВАНИЕ, С ПОДСВЕТКОЙ, СТИЛЬ II (СВЕТОДИОДНЫЙ), ЭКРАНИРОВАННЫЙ от радиочастотных помех, ВЛАГОГЕРМЕТИЧНЫЙ, ВЫСОКИЙ УДАР, ТИП R01
DLA MIL-DTL-3976/1 B-2007 СВЕТОДИОД (LED), ЗАЗОР МАРКЕРА-ЗАТЕМНЕНИЕ, 14 И 28 ВОЛЬТ
DLA DSCC-DWG-03021-2003 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ДИОД, КРЕМНИевый, ВЫПРЯМИТЕЛЬ, МОДУЛЬ, ВЫСОКОЕ НАПРЯЖЕНИЕ, 1N5597, 1N5600, 1N5603, TX И TXV
DLA MIL-PRF-28776/6 E VALID NOTICE 1-2010 Реле, гибридные, установленной надежности, DPDT, низкий уровень до 1,0 А, внутренний МОП-транзистор с защитой затвора стабилитроном (электромеханический выход), подавление диодной катушки и клеммы с шагом между выводами сетки 0,100
DLA MIL-PRF-28776/5 G VALID NOTICE 1-2010 Реле, гибридные, установленной надежности, однополюсные на два направления, низкий уровень до 1,0 А (транзисторное управление) (электромеханический выход) с подавлением диодной катушки
DLA MIL-PRF-39016/24 F VALID NOTICE 1-2010 Реле электромагнитные, установленной надежности, однополюсные на два направления, низкий уровень до 1,0 А, с внутренними диодами для подавления переходных процессов в катушке и защиты от смены полярности
DLA MIL-PRF-39016/28 F VALID NOTICE 1-2010 Реле, электромагнитные, установленной надежности, однополюсные на два направления, низкий уровень до 0,5 А (с фиксацией) с внутренними диодами для подавления переходных процессов в катушке и защиты от смены полярности
DLA MIL-PRF-39016/23 F VALID NOTICE 1-2010 РЕЛЕ, ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫЕ, УСТАНОВЛЕННОЙ НАДЕЖНОСТИ, SPDT, НИЗКИЙ УРОВЕНЬ ДО 1,0 АМПЕРА, С ВНУТРЕННИМ ДИОДОМ ДЛЯ ПОДАВЛЕНИЯ ПЕРЕХОДНЫХ ПЕРИОДОВ КАТУШКИ

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Высокоэффективный фотодиод

GB/T 23729-2009 Фотодиоды для сцинтилляционных детекторов. Методика испытаний.
GB/T 15651.6-2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды.
GB/T 42243-2022 Общие технические характеристики телевизоров на органических светодиодах (OLED)
GB/T 36359-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
GB/T 36360-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды средней мощности.
GB/T 20871.61-2013 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1: Методы измерения оптических и электрооптических параметров.
GB/T 13293.9-1991 Катод из меди высшей чистоты.Определение содержания олова.Электротермический атомно-абсорбционный спектрометрический метод на эффекте Зеемана.
GB/T 13293.8-1991 Катод из меди высшей чистоты.Определение содержания никеля.Электротермический атомно-абсорбционный спектрометрический метод на эффекте Зеемана.
GB/T 18904.3-2002 Полупроводниковые приборы. Часть 12-3. Оптоэлектронные устройства. Бланковая детальная спецификация для светоизлучающих диодов. Применение дисплея.
GB/T 13293.7-1991 Катод из меди высшей чистоты. Определение содержания железа, кобальта и свинца. Электротермический атомно-абсорбционный спектрометрический метод на эффекте Зеемана.
GB/T 13293.3-1991 Катод из меди высшей чистоты.Определение содержания висмута.Атомно-флуоресцентный спектрометрический метод генерации гидридов.

United States Navy, Высокоэффективный фотодиод

NAVY MIL-F-24666 NOTICE 1-1999 ФИЛЬТРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ФИЛЬТР СУДОВОЙ ТОПЛИВНОЙ СИСТЕМЫ, НЕОЧИЩАЕМЫЙ, ВЫСОКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ
NAVY MIL-F-24666 (2)-1994 ФИЛЬТРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ФИЛЬТР СУДОВОЙ ТОПЛИВНОЙ СИСТЕМЫ, НЕОЧИЩАЕМЫЙ, ВЫСОКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ
NAVY MIL-F-24666-1986 ФИЛЬТРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ФИЛЬТР СУДОВОЙ ТОПЛИВНОЙ СИСТЕМЫ, НЕОЧИЩАЕМЫЙ, ВЫСОКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ

Society of Automotive Engineers (SAE), Высокоэффективный фотодиод

SAE J3014-2013 Ускоренное испытание на отказ (HAFT) автомобильных ламп со светодиодной сборкой

SAE - SAE International, Высокоэффективный фотодиод

SAE J3014-2018 Ускоренное испытание на отказ (HAFT) автомобильных ламп со светодиодной сборкой

IEC - International Electrotechnical Commission, Высокоэффективный фотодиод

TS 62916-2017 Фотоэлектрические модули – проверка чувствительности байпасных диодов к электростатическому разряду (редакция 1.0)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Высокоэффективный фотодиод

GB/T 33762-2017 Метод измерения характеристик дисплея телевизора на органических светодиодах (OLED)

International Organization for Standardization (ISO), Высокоэффективный фотодиод

ISO/TR 9241-309:2008 Эргономика взаимодействия человека и системы. Часть 309. Дисплеи на органических светодиодах (OLED).
ISO 20351:2017 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — Абсолютное измерение внутренней квантовой эффективности люминофоров для белых светодиодов с использованием интегрирующей сферы.

未注明发布机构, Высокоэффективный фотодиод

BS EN 120008:1995(2000) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Бланковая подробная спецификация. Светоизлучающие диоды и инфракрасные диоды для волоконно-оптической системы или подсистемы.
BS EN 120006:1993(1999) Спецификация Гармонизированной системы оценки качества электронных компонентов. Детальная спецификация бланка. Штыревые фотодиоды для волоконно-оптических приложений.

GB-REG, Высокоэффективный фотодиод

REG NASA-LLIS-1840--2006 Извлеченные уроки: Электрический отказ узла детектора лавинного фотодиода (APD) CALIPSO

KR-KS, Высокоэффективный фотодиод

KS C IEC 62341-6-1-2020 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.

National Electrical Manufacturers Association（NEMA), Высокоэффективный фотодиод

NEMA C78.374-2015 Электрические лампы — спецификация корпуса светодиодов для общего освещения

Danish Standards Foundation, Высокоэффективный фотодиод

DS/EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Высокоэффективный фотодиод

EN 62341-6-1:2011 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров.

GOSTR, Высокоэффективный фотодиод

GOST IEC 62341-6-1-2016 Дисплеи на органических светодиодах (OLED). Часть 6-1. Методы измерения оптических и электрооптических параметров

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Высокоэффективный фотодиод

IEEE 1789-2015 Рекомендуемые методы регулирования тока в светодиодах высокой яркости для снижения риска для здоровья зрителей

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Высокоэффективный фотодиод

GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Высокоэффективный фотодиод

CNS 13780-1996 Методы испытания на долговечность инфракрасных излучающих диодов (для автоматизации) — испытание постоянным напряжением
CNS 13090-1992 Метод испытания на выносливость больших светодиодных ламп (для наружных дисплеев) — испытание на непрерывную подачу тока

American Society for Testing and Materials (ASTM), Высокоэффективный фотодиод

ASTM F3095-17 Стандартная практика использования лазерных технологий для прямого измерения формы поперечного сечения трубопровода и кабелепровода с помощью вращающихся лазерных диодов и системы камер видеонаблюдения