ZH
EN
ES

Органический полупроводниковый монокристалл

Органический полупроводниковый монокристалл, Всего: 328 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Органический полупроводниковый монокристалл, являются: Полупроводниковые материалы, Испытание металлов, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Проведение материалов, Полупроводниковые приборы, Сети передачи и распределения электроэнергии, Изоляционные жидкости, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Экологические испытания, Электрические и электронные испытания, Механические конструкции электронного оборудования, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Оптоволоконная связь, Радиосвязь, Клапаны, Электрические аксессуары.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Органический полупроводниковый монокристалл

• GB/T 1555-1997 Методы испытаний для определения ориентации монокристалла полупроводника
• GB/T 1555-2023 Метод определения кристаллической ориентации монокристалла полупроводника
• GB/T 1555-2009 Методы испытаний для определения ориентации монокристалла полупроводника
• GB/T 42676-2023 Рентгенодифракционный метод проверки качества монокристалла полупроводника
• GB/T 4326-1984 Монокристаллы внешних полупроводников. Измерение холловской подвижности и коэффициента Холла.
• GB/T 4326-2006 Измерение подвижности Холла и коэффициента Холла внешними полупроводниковыми монокристаллами
• GB 4326-1984 Монокристаллы внешних полупроводников - измерение подвижности Холла и коэффициента Холла
• GB/T 41853-2022 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Измерение прочности соединения между пластинами.
• GB/T 6219-1998 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.

Group Standards of the People's Republic of China, Органический полупроводниковый монокристалл

• T/CEMIA 023-2021 Кварцевый тигель для выращивания монокремния полупроводника
• T/SZBSIA 006-2022 Полупроводниковая техническая норма
• T/SZBSIA 007-2022 Спецификация испытаний полупроводникового штампа
• T/ZZB 2283-2021 Порошок графита сверхвысокой чистоты для полупроводникового кристалла карбида кремния.
• T/CEMIA 024-2021 Практика изготовления кварцевых тиглей для выращивания полупроводникового монокремния

Defense Logistics Agency, Органический полупроводниковый монокристалл

• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, PN, кремний, однопереходный JAN2N5431 и JANTX2N5431
• DLA MIL-S-19500/425 VALID NOTICE 2-2004 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, PN, КРЕМНИЙ, ОДНОПЕРЕХОД JAN2N5431 И JANTX2N5431
• DLA MIL-PRF-19500/75 B NOTICE 1-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, PN, КРЕМНИЕВЫЕ ОДНОПЕРЕХОДНЫЕ ТИПЫ 2N2417A ДО 2N2422A И TX2N2417A ДО TX2N2422A
• DLA MIL-S-19500/388 B VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковые приборы, транзисторы, PN, кремниевые, однопереходные типы 2N4947, 2N4948 и 2N4949 JAN, JANTX, JANTX и JANS
• DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ УРОВНЯ НАПРЯЖЕНИЯ ДЛЯ РАБОТЫ ТТЛ-КМОП ИЛИ КМОП-КМОП, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95762-1995 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ И ОГРАНИЧЕННЫМ РАЗмахом ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОДИНОЧНЫЙ МОЩНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 МИКРОСХЕМА, ЛИНЕЙНАЯ, ДВОЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ МОП-транзисторов, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/421 G VALID NOTICE 1-2009 Полупроводниковые устройства, устройства, двойной транзистор, унифицированные, NPN/PNP, дополнительные, кремниевые, типы 2N3838, 2N4854 и 2N4854U, JAN, JANTX и JANTXV
• DLA SMD-5962-87697 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-04228-2004 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ВВЕРХ/ВНИЗ С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ УСТАНОВКОЙ И ПУЛЬСИРУЮЩИМ СИГНАЛОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96736-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, КМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ 8-БИТНЫЙ ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ УРОВНЕЙ ИНТЕРФЕЙСА CMOS/TTL, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87654 REV C-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ДЕКОДЕР 1-ИЗ-8, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86071 REV C-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, РЕГИСТР СДВИГА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86074 REV C-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, РЕГИСТР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86072 REV D-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ, РАСШИРЕННАЯ ШОТТКИ, ТТЛ, ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/559 J-2007 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, УНИВЕРСАЛЬНЫЕ, NPN, КРЕМНИЕВЫЕ, КОММУТАЦИОННЫЕ, ЧЕТЫРЕ ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАССИВЫ, ТИПЫ 2N6989, 2N6989U И 2N6990, JAN, JANTX, JANTXV И JANS
• DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЕ ДРАЙВЕРЫ/МОС-ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНАЯ ШИНА/МОС-ДРАЙВЕР ПАМЯТИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86883 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ДВУХВХОДНАЯ, С ТТЛ-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96827 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 8-битный регистр диагностического сканирования, TTL-совместимые входы и ограниченный размах выходного напряжения, монолитный кремний.
• DLA SMD-5962-96897 REV C-2005 МИКРОсхема, ЛИНЕЙНАЯ, ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, ОДИНОЧНЫЙ, ВЫСОКОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОП-транзистор, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87698 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-85504 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86831 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГАЗАЦИЯ С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86852 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЯЧНЫЙ 2-ВХОД ИЛИ ВХОД С TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86867 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86890 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90934 REV A-1999 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, ЧЕТЫРЕХПОРТОВОЙ 2-ПОРТОВЫЙ РЕГИСТР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90984 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИИ/МОП-ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРОВАННЫМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96521 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96523 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90870 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНО-РЕГИСТРИРОВАННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96817 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ЭКСКЛЮЗИВНАЯ ИЛИ ЗАТВОРА С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96821 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ПОЛОЖИТЕЛЬНАЯ И ЗАТВОРНАЯ С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96823 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ГЭТ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-85130 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87554 REV E-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 1-ИЗ-8 ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90747 REV B-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП С КРАЙНЫМ ЗАПУСКОМ D-ТИПА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-88568-1988 МИКРОСХЕМЫ ЦИФРОВЫЕ, NMOS, ОДНОКОМПОНЕНТНЫЕ, 8-битный МИКРОКОМПЬЮТЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-06208-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ПРОЦЕССОР ЦИФРОВЫХ СИГНАЛОВ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96517 REV D-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96813 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОРНЫЙ ТРИГГЕР ШМИТТА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95683 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/634 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛНАЯ ДОЗА И ОДНОСОБЫТНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N7405, 2N7406, 2N7407 И 2N7408, JANSD И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/705 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7488T3, 2N7489T3 И 2N7490T3, JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/685 D (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7475T1, 2N7476T1 И 2N7477T1 (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/685 E-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7475T1, 2N7476T1 И 2N7477T1 (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/685 F-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7475T1, 2N7476T1 И 2N7477T1 (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), JANTXVR И JANSR
• DLA SMD-5962-87553 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 1-ИЗ-4 ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87556 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-91732-1993 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 3-8-СТРООЧНЫЙ ДЕКОДЕР/ДЕМУЛЬТИПЛЕКСОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87663 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92018 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЕ ДРАЙВЕРЫ ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92022 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ДРАЙВЕР ШИНЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92023 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92148 REV D-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92157 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, БУФЕР/ТАХОВЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-85506 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90702 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90703 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ ИНВЕРТИРУЮЩИЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96720 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-БИТНАЯ ПРОВЕРКА ГЕНЕРАТОРА НЕЧЕТНОЙ/ЧЕТНОСТИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-97528-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-97571-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ С 2 ВХОДАМИ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ-НЕ-ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМАЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/704 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/684 D (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ТРАНЗИСТОРЫ, ПОЛЕВЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, N-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), ТИПЫ 2N7472U2, 2N7473U2 И 2N7474U2, JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/633 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛНАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПА 2N7403 И 2N7404, JANSD И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/658 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и однократное воздействие), кремниевый P-канальный транзистор типа 2N7438 и 2N7439 JANSD и JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/706 A VALID NOTICE 1-2010 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и одиночное воздействие) Транзистор, N-канальный, кремниевый, типы 2N7497T2, 2N7498T2 и 2N7499T2, JANTXVR и JANSR
• DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, CMOS, УДАЛЕННЫЙ ТЕРМИНАЛ ДЛЯ МАГАЗИНОВ С ОЗУ 1К Х 16, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП 128 Х 8-БИТНАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА (ОЗУ), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95658 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ ТРИ ВХОДА NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95659 REV C-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-НЕ-ЗАБОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96597 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ NOR GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96819 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95721 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ И ЗАТВОРА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95732 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95734 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ЗАТВОРА, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95735 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8 ВХОДОВ NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95736 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ ИЛИ ЗАТВОРНАЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95760 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 4-ВХОДНАЯ НЕЗАВИСИМАЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95765 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ТРОЙНОЙ 3-ВХОДНОЙ NAND-ЗАТВОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95766 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНЫЙ И ЗАТВОР, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/704 B (1)-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/752-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИП 2N7608T2, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/704 C-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7485U3, 2N7486U3 И 2N7487U3, JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/705 C-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЕ ТИПА 2N7488T3, 2N7489T3 И 2N7490T3, JANTXVR И JANSR
• DLA MIL-PRF-19500/749-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, Р-КАНАЛЬНЫЙ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ, ТИПЫ 2N7506U8 И 2N7506U8C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR И JANSF
• DLA SMD-5962-91725-1994 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С ВОСЬМЕРИЧНОЙ ЗАЩЕЛКОЙ ТИПА D, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92024 REV A-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-85505 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90743 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90750 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90752 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90758 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНАЯ 2-БИТНАЯ БИСТАБИЛЬНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90940 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-81006 REV J-2005 МИКРОСХЕМЫ, ЛИНЕЙНЫЕ, КМОП, АНАЛОГОВЫЕ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ ВЫСОКОГО УРОВНЯ С ДРАЙВЕРАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96529 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ТРОЙНАЯ 3-ВХОДНАЯ НОРМАТИВНАЯ ВЕРСИЯ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-94744 REV B-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, 16-БИТНАЯ РЕГИСТРАЦИЯ/ЗАПИСЬ С ЧЕТНОСТЬЮ, ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР И ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ И ОГРАНИЧЕННЫЙ РАЗмах ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-89576 REV C-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, CMOS, УДАЛЕННЫЙ ТЕРМИНАЛЬНЫЙ ИНТЕРФЕЙС С ОЗУ 1K X 16, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-85001 REV D-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-85002 REV E-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-89609 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ФАЗОВАЯ АВТОПРОВОДКА С ГЕНЕРАТОРОМ, УПРАВЛЯЕМЫМ НАПРЯЖЕНИЕМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90590 REV B-2002 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ШЕСТИГРАННЫЙ ИНВЕРТОР С ВЫХОДАМИ ОТКРЫТОГО СТОКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95590 REV A-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87630 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ЛИНИИ/БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87644 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87656 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ПРОЗРАЧНЫМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-91723 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, СИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-91724-1993 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИКМОП-ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШИННЫЕ ПРИЕМОПРИЕМНИКИ И РЕГИСТРЫ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92025 REV A-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90742 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90746 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90748 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-91724 REV A-2008 МИКРОЦЕПНЫЕ, ЦИФРОВЫЕ, БИКМОС-ВОСЬМЕРИЧНЫЕ ШИННЫЕ ПРИЕМОПРИЕМНИКИ И РЕГИСТРЫ С ТРЕХСТАВНЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96577 REV A-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ГЕНЕРАТОР ПРОГНОЗНОГО ПРОИЗВОДСТВА ДЛЯ СЧЕТЧИКОВ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96863 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП-БУФЕРНАЯ ШИНА, ЧЕТЫРЕХСТОРОННЯЯ ШИНА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95733 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ 4-ВХОДНОЙ И-ЗАБОТ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96869 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП-БУФЕРНАЯ ШИНА, ЧЕТЫРЕХСТОРОННЯЯ ШИНА, С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96870 REV B-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 18-битный УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95749 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ДЕКАДНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95752 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ЭКСКЛЮЗИВНАЯ NOR GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95768 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ КОМПАРАТОР ВЕЛИЧИНЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-97533 REV C-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И-НЕ-ЗАБОР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-97534 REV B-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, НИЗКОВОЛЬТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ, ПОЛОЖИТЕЛЬНЫЙ И ЗАТВОРЫ, 2 ВХОДА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95774 REV B-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/683 C-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЕ, N-КАНАЛЬНОЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТИПА 2N7467U2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G и H
• DLA MIL-PRF-19500/747-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ, ТИП 2N7504T2, JANTXVR, JANTXVF, JANTXVG, JANTXVH, JANSF, JANSG, JANSR и JANSH
• DLA MIL-PRF-19500/744-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, N-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7616UB, 2N7616UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/687 B-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7509, 2N7510 И 2N7511, JANTXVD, R И JANSD, R
• DLA MIL-PRF-19500/689 VALID NOTICE 2-2011 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное событие), N-канальный кремниевый транзистор типов 2N7512, 2N7513 и 2N7514 JANTXVD, R и JANSD, R
• DLA MIL-PRF-19500/687 B VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковый прибор, полевой радиационно-стойкий транзистор (общая доза и единичное воздействие), кремниевый N-канальный транзистор, типы 2N7509, 2N7510 и 2N7511, JANTXVD, R и JANSD, R
• DLA MIL-PRF-19500/745-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/745 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7626UB, 2N7626UBC, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
• DLA SMD-5962-84088 REV D-2001 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92180 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-93239 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЛИНКЕРЫ ПУТИ СКАНИРОВАНИЯ С 4-БИТНОЙ ID ШИНОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-93253 REV C-2002 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЯЧНЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95619 REV B-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95620 REV D-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95636 REV B-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНЫЙ NAND GATE, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95637 REV B-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ГЭТФ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95661 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96581 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧЕННАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХРУСТНАЯ ЗАЩЕЛКА SR, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96585 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ ПОЛНЫЙ СУММОР С БЫСТРЫМ ПЕРЕНОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96761-1996 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 1-8-линейный тактовый драйвер, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
• DLA SMD-5962-96806 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95737 REV A-1998 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК ПУЛЬСЦИЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95741 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЭНКОДЕР С ПРИОРИТЕТОМ ЛИНИИ 10-4, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95750 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ЧЕТЫРЕХСТАДИЙНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95754 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 4 ВХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95755 REV B-2000 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕЧНЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С 2 ВХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95770 REV A-1998 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СИНХРОННЫЙ СЧЕТЧИК, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95816 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРАНСИВЕР/РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/683 C (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕВОЕ, N-КАНАЛЬНОЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТИПА 2N7467U2, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G и H
• DLA MIL-PRF-19500/753-2008 Полупроводниковое устройство, полевой эффект радиационного излучения (общая доза и отдельные эффекты события) транзистор, n-канал, кремний, типы 2n7580t1, 2n7582t1, 2n7584t1 и 2n7586t1, jantxvr, jantxvf, jansr и jansf
• DLA MIL-PRF-19500/755-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-СТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7588T3, 2N7590T3, 2N7592T3 И 2N7594T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR И JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/733 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7523T1, 2N7523U2, 2N7524T1 И 2N7524U2, JANTXVR, F И JANSR, F
• DLA MIL-PRF-19500/713 B-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛЕВЫЕ ДОЗЫ И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ, P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ, ТИПА 2N7549T1, 2N7549U2, 2N7550T1 И 2N7550U2, JANTXVR, F И JANSR, F
• DLA MIL-PRF-19500/753 B-2013 Полупроводниковое устройство, полевой эффект радиационного излучения (общая доза и отдельные эффекты события) транзистор, n-канал, кремний, типы 2n7580t1, 2n7582t1, 2n7584t1 и 2n7586t1, jantxvr, jantxvf, jansr и jansf
• DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРНЫЙ МИКР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ, JANHC И JANKC
• DLA MIL-PRF-19500/757 A-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЙ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ), КРЕМНИЙ ЛОГИЧЕСКОГО УРОВНЯ, ТИПЫ 2N7624U3 И 2N7625T3, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/741 A VALID NOTICE 1-2013 Полупроводниковые устройства, полевые, радиационно-стойкие (общая доза и единичные эффекты) Транзисторный кристалл, N-канал и PC-канал, кремний, различные типы, JANHC и JANKC
• DLA SMD-5962-91610 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 9-битный D-триггер, срабатывание по положительному фронту, с трехсостоятельными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
• DLA SMD-5962-91611 REV A-2000 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, РАСШИРЕННЫЕ КМОП, 8-битный D-триггер, с триггером по положительному фронту, с тремя состояниями, TTL-совместимые входы, монолитный кремний.
• DLA SMD-5962-87627 REV C-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ D-ТРИФЛОП С ВКЛЮЧЕНИЕМ ЧАСОВ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87655 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БЫСТРАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ДРАЙВЕР/БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-91722 REV D-2004 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 4-БИТНЫЙ НАСТРАИВАЕМЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК, АСИНХРОННЫЙ СБРОС, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-85507 REV E-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90706 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ ШЕСТИГРАННЫЙ БУФЕР/ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90749 REV A-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, Восьмеричный буфер и линейный драйвер с неинвертирующими трехуровневыми выходами, TTL-совместимыми входами, монолитный кремний.
• DLA SMD-5962-95614 REV A-2008 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ТЕСТОВОЕ УСТРОЙСТВО С 18-БИТНЫМ ШИННЫМ ТРАНСИВЕРОМ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, HCMOS, СОПРОЦЕССОР С ПЛАВАЮЩЕЙ ТОЧКОЙ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92316 REV D-2006 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ПРОИЗВОДСТВЕННЫМ ДОСТУПОМ (SRAM) 1 МЭГ X 1 С ОТДЕЛЬНЫМ ВВОДОМ/ВЫВОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-84074 REV E-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ИНВЕРТИРУЮЩИЙ ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-77046 REV F-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, ЧЕТЫРЕХВХОДНАЯ И-НЕ-ВИДА С ТРИГГЕРАМИ ШМИТТА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-84096 REV G-2002 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-84099 REV G-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ, ФЛИП-ФЛОП ТИПА D С ПРОЗРАЧНЫМ МОНОЛИТНЫМ КРЕМНИЕМ
• DLA SMD-5962-84155 REV E-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, МАЛОГО МОЩНОГО ТТЛ ШОТКИ, ВОСЬМЕРИЧНЫЕ БУФЕРНЫЕ ВЕНТИЛИ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-89989-1990 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, ВЫСОКОСКОРОСТНЫЕ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90692 REV C-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 16-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР СО ВСТРОЕННЫМ EPROM, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-81024 REV F-2005 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 4096 БИТ, СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ ОПЕРАТИВНОГО ДОСТУПА (SRAM), МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-93128 REV A-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 256 КБ X 1 СТАТИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ С ОПЕРАТИВНЫМ ДОСТУПОМ (SRAM), РАЗДЕЛЬНЫЙ ВВОД/ВЫВОД, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-89546-1989 МИКРОСХЕМЫ, ЦИФРОВЫЕ, КМОП, ПРОГРАММИРУЕМЫЙ СИНХРОННЫЙ МАШИНА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-91609 REV B-2007 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-битный диагностический регистр с трехпозиционными выходами, TTL-совместимые входы, монолитный кремний
• DLA SMD-5962-87631 REV C-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, ТРЕХСОСТОЯННЫЕ ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87725 REV B-2006 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ГЛАВНЫМ СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90701 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90848 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ПРЕДНАСТРОЙКА СИНХРОННОГО 4-БИТНОГО ДВОИЧНОГО СЧЕТЧИКА РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90906 REV A-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНЫЕ СЕЛЕКТОРЫ ДАННЫХ/МУЛЬТИПЛЕКСОРЫ 1-ИЗ-4 С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ И TTL-СОВМЕСТИМЫМИ ВХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90938 REV B-2006 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНЫЙ БУФЕР И ЛИНИЕЙНЫЙ ДРАЙВЕР С ВЫХОДАМИ ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКТОР, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-87525 REV F-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D С ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ И ОЧИСТКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-89790-1992 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, СТАТИЧЕСКАЯ ОЗУ 4K X 4 С ОТДЕЛЬНЫМ ВВОДОМ/ВЫВОДОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-94750-1995 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, КМОП-СЕТЬ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО УПРАВЛЕНИЯ ДОСТУПА, ПАРАЛЛЕЛЬНО/ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, КМОП-ВЫХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95841 REV A-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР И РЕГИСТР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96715 REV C-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ РАСШИРЕННАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩИЙ КВАДРОБУФЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96725 REV D-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96753 REV A-1999 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО ЗАЩИТНАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, СХЕМА ГЕНЕРАЦИИ СИНХРОНИЗАЦИИ И СОСТОЯНИЯ ОЖИДАНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96768 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХШИННЫЙ БУФЕРНЫЙ ВЕНТИЛЬ С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96774 REV A-1999 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ШИННЫЙ ТРАНСИВЕР С РЕЗИСТОРАМИ СЕРИИ 25 ОМЕГА И ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96808 REV B-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ ТРЕХПОРТОВОЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ШИННЫЙ ОБМЕННИК С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96861 REV A-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ ФЛИП-ФЛОП D-ТИПА С ДВОЙНЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ФРОНТОМ, С ОЧИСТКОЙ И ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ НАСТРОЙКОЙ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96867 REV B-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ВОСЬМЕРИЧНАЯ ПРОЗРАЧНАЯ ЗАЩЕЛКА ТИПА D С 3-х СОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-96880 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 16-БИТНЫЙ БУФЕР/ДРАЙВЕР С ИНВЕРТИРУЮЩИМИ ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95745 REV D-2004 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, НЕИНВЕРТИРУЮЩАЯ ВОСЬМЕРИЧНАЯ ШИНА ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, ТТЛ-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-95757 REV B-2000 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, РАДИАЦИОННО-СТОЙКАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, СИНХРОННЫЙ 4-БИТНЫЙ ДВОИЧНЫЙ СЧЕТЧИК РЕВЕРСИРОВАНИЯ/ОБРАТЕНИЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-97527 REV A-2003 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ БИПОЛЯРНАЯ КМОП, 10-БИТНЫЙ ШИННЫЙ КОММУТАТОР С ТРЕМЯ ВЫХОДАМИ СОСТОЯНИЯ И СДВИГОМ УРОВНЯ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA MIL-PRF-19500/732 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ (ПОЛЕВЫЕ ДОЗЫ И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРЫ P-КАНАЛЬНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ ТИПЫ 2N7519U3, 2N7519U3C, 2N7519T3, 2N7520U3, 2N7520U3C, 2N752 0T3, JANTXVR, F И JANSR, F
• DLA MIL-PRF-19500/743-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7503U8 И 2N7503U8C, JANTXVR, F И G И JANSR, F И G
• DLA MIL-PRF-19500/746-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U 3C, 2N7593U3 И 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/697 C (1)-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
• DLA MIL-PRF-19500/758-2010 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7609U8 И 2N7609U8C, JANTXVR, F И G И JANSR, F И G
• DLA MIL-PRF-19500/697 D-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
• DLA MIL-PRF-19500/746 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР N-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7587U3, 2N7587U3C, 2N7589U3, 2N7589U3C, 2N7591U3, 2N7591U 3C, 2N7593U3 И 2N7593U3C, JANTXVR, JANTXVF, JANSR и JANSF
• DLA MIL-PRF-19500/655 E-2012 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, РАДИАЦИОННО-УСТОЙЧИВЫЕ ПОЛЕВЫЕ ПРИБОРЫ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, P-КАНАЛЬНЫЙ КРЕМНИевый, ТИПЫ 2N7424U, 2N7425U, 2N7426U, JANTXVR И F И JANSR И F
• DLA MIL-PRF-19500/697 E-2013 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ПОЛЕВОЕ РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВОЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОР, N-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, ТИПА 2N7478T1, JANTXVR, F, G, AND H И JANSR, F, G, AND H
• DLA SMD-5962-84089 REV D-2002 МИКРОсхема, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ЧЕТЫРЕХОДНЫЙ ФЛИП-ФЛОП ТИПА D, С ПРОЗРАЧНЫМ МОНОЛИТНЫМ КРЕМНИЕМ
• DLA SMD-5962-77025 REV J-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 8-СТУПЕНЧАТЫЙ РЕГИСТР СДВИГА/ЗАЩЕЛКА С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-84150 REV E-2002 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, ДВОЙНОЙ JK-ТРИФЛОП С УСТАНОВКОЙ И СБРОСОМ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-94588-1995 МИКРОсхема, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, CMOS, 32K X 9 FIFO С ПРОГРАММИРУЕМЫМИ ФЛАГАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-92177 REV B-2007 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, РАСШИРЕННАЯ КМОП, 8-битный ДВУНАПРАВЛЕННЫЙ ТРАНСИВЕР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
• DLA SMD-5962-90524 REV A-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ВЫСОКОСКОРОСТНАЯ КМОП, 8-ВХОДНОЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР С ТРЕХСОСТОЯННЫМИ ВЫХОДАМИ, TTL-СОВМЕСТИМЫЕ ВХОДЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

IN-BIS, Органический полупроводниковый монокристалл

• IS 4540-1968 Спецификация на компоненты и оборудование монокристаллических полупроводниковых выпрямителей
• IS 3895-1966 Спецификация для монокристаллических полупроводниковых выпрямительных ячеек и батарей

RO-ASRO, Органический полупроводниковый монокристалл

• STAS 7128/9-1980 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ И ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ Буквенные обозначения однопереходных транзисторов

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Органический полупроводниковый монокристалл

• GJB 33/11-1989 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ37
• GJB 33/10-1989 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ33
• GJB 33/9-1989 Подробные характеристики полупроводниковых дискретных приборов Транзистор кремниевый однопереходный типа ПН ВТ32
• GJB 33/003-1989 Пустая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и ниже 1 ГГц для полупроводниковых дискретных устройств.

German Institute for Standardization, Органический полупроводниковый монокристалл

• DIN 50442-1:1981 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение структуры поверхности круглых монокристаллических полупроводниковых пластинок; нарезанные и притертые ломтики
• DIN 50443-1:1988 Испытание материалов для использования в полупроводниковой технике; обнаружение кристаллических дефектов и неоднородностей в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии
• DIN 50433-2:1976 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение ориентации монокристаллов по фигуре оптического отражения
• DIN 50431:1988 Испытание полупроводниковых материалов; измерение удельного сопротивления монокристаллов кремния или германия четырехзондовым методом постоянного тока с коллинеарной матрицей
• DIN 50433-1:1976 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение ориентации монокристаллов методом рентгеновской дифракции
• DIN 50454-2:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 2: Фосфид индия
• DIN 50454-3:1994 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение плотности дислокационных ямок травления в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 3: Фосфид галлия
• DIN 41762-2:1974-02 Статические преобразователи мощности; Обозначение номинального кода для полупроводниковых преобразовательных блоков и сборок, монокристаллических полупроводниковых преобразовательных блоков и сборок
• DIN 41762-2:1974 Статические преобразователи мощности; обозначение номинального кода для полупроводниковых преобразовательных блоков и сборок, монокристаллических полупроводниковых преобразовательных блоков и сборок
• DIN 50434:1986 Испытание материалов для полупроводниковой техники; обнаружение кристаллических дефектов в монокристаллическом кремнии методами травления на поверхностях {111} и {100}
• DIN 50439:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; Определение профиля концентрации легирующей примеси монокристаллического полупроводникового материала вольт-емкостным методом и ртутным контактом
• DIN 50454-1:2000 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Определение дислокаций в монокристаллах полупроводников III-V-соединений - Часть 1: Арсенид галлия
• DIN 50433-3:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение ориентации монокристаллов методом обратного рассеяния Лауэ
• DIN EN 62047-9:2012-03 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС (IEC 62047-9:2011); Немецкая версия EN 62047-9:2011.
• DIN EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006.
• DIN EN 60749-39:2007-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006 / Примечание: Быть...
• DIN EN 60749-44:2017-04 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод однособытийного испытания (SEE) нейтронным лучом для полупроводниковых приборов (IEC 60749-44:2016); Немецкая версия EN 60749-44:2016
• DIN 50453-1:1990 Испытание материалов для полупроводниковой техники; определение скоростей травления травильных смесей; монокристаллы кремния; гравиметрический метод
• DIN 50453-1:2023-08 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение скоростей травления травильных смесей. Часть 1. Монокристаллы кремния, гравиметрический метод.
• DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV:2020).
• DIN 50440:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Измерение времени жизни носителей в монокристаллах кремния. Время жизни рекомбинационных носителей при малой инжекции методом фотопроводимости.

Professional Standard - Machinery, Органический полупроводниковый монокристалл

• JB/T 6307.5-1994 Методы испытаний силовых полупроводниковых модулей. Биполярные транзисторы. Однофазный мост и трехфазный мост.
• JB/T 7622-1994 Кремнийорганический лак, предназначенный для использования в процессе производства силовых полупроводниковых приборов.

British Standards Institution (BSI), Органический полупроводниковый монокристалл

• BS IEC 62951-9:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Методы тестирования производительности резистивных ячеек памяти с одним транзистором и одним резистором (1T1R).
• BS EN 62047-9:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС
• BS EN 62047-9:2013 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС
• BS IEC 62951-7:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Метод испытаний для определения барьерных характеристик тонкопленочной герметизации гибких органических полупроводников.
• BS EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• BS EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Метод испытания на однособытийный эффект (SEE) при облучении нейтронным лучом для полупроводниковых приборов
• BS IEC 62047-34:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний пьезорезистивного устройства MEMS, чувствительного к давлению на пластине.
• BS EN 62149-8:2014 Оптоволоконные активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Затравленные отражательные полупроводниковые оптические усилители
• BS EN 62149-9:2014 Оптоволоконные активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Приемопередатчики оптических усилителей с засеянными отражательными полупроводниковыми усилителями
• BS EN IEC 60749-39:2022 Отслеживаемые изменения. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов.
• 20/30425840 DC БС ЕН МЭК 60749-39. Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых деталей

International Electrotechnical Commission (IEC), Органический полупроводниковый монокристалл

• IEC 62951-9:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 9. Методы тестирования производительности резистивных ячеек памяти с одним транзистором и одним резистором (1T1R).
• IEC 60747-8-1:1987 Полупроводниковые приборы - Дискретные устройства. Часть 8: Полевые транзисторы. Бланковая подробная спецификация однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.
• IEC 60749-39:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• IEC 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
• IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• IEC 62149-8:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарт производительности. Часть 8. Затравленные отражающие полупроводниковые оптические усилители.
• IEC 62149-9:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 9. Приемопередатчики оптических усилителей на основе затравленных отражающих полупроводниковых усилителей.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Органический полупроводниковый монокристалл

• KS C IEC 60747-4-1:2002 Полупроводниковые приборы－Дискретные устройства－Часть 4－1:СВЧ-диоды и транзисторы－СВЧ-полевые транзисторы－Бланк подробной спецификации
• KS C IEC 60749-39-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• KS C IEC 60749-39-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• KS C IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Органический полупроводниковый монокристалл

• CNS 5541-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания транзисторов в непрерывном режиме)
• CNS 5543-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание транзистора в прерывистом режиме)
• CNS 5542-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания полевых транзисторов в непрерывном режиме работы)
• CNS 5545-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых устройств, испытание транзистора на обратное смещение при высокой температуре)
• CNS 5544-1988 Методы экологических испытаний и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание полевого транзистора в периодическом режиме работы)
• CNS 5546-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание обратного смещения полевого транзистора при высокой температуре)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Органический полупроводниковый монокристалл

• ASTM F76-86(1996)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
• ASTM F76-86(2002) Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
• ASTM F76-08 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
• ASTM F616M-96 Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)
• ASTM F616M-96(2003) Стандартный метод измерения тока утечки стока МОП-транзистора (метрический)
• ASTM F76-08(2016)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках
• ASTM F76-08(2016) Стандартные методы измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и определения холловской подвижности в монокристаллических полупроводниках

未注明发布机构, Органический полупроводниковый монокристалл

• BS EN 62047-9:2011(2012) Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС.

ES-UNE, Органический полупроводниковый монокристалл

• UNE-EN 62047-9:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС (одобрено AENOR в июне 2012 г.)
• UNE-EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для изготовления полупроводниковых компонентов (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в марте 2022 г.).
• UNE-EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
• UNE-EN 300386 V1.5.1:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
• UNE-EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006). (Одобрено AENOR в ноябре 2006 г.)

TH-TISI, Органический полупроводниковый монокристалл

• TIS 2122-2002 Полупроводниковые приборы.дискретные устройства.часть 8: полевые транзисторы. раздел первый: пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц.

Danish Standards Foundation, Органический полупроводниковый монокристалл

• DS/EN 62047-9:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС.
• DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов

Association Francaise de Normalisation, Органический полупроводниковый монокристалл

• NF EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на одиночные эффекты нейтронного луча (SEE) для полупроводниковых приборов
• NF EN 61747-5:1999 Жидкокристаллические и полупроводниковые устройства отображения. Часть 5. Методы испытаний на воздействие окружающей среды, долговечность и механические испытания.
• NF EN 62047-9:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение сопротивления соединения двух пластин для МЭМС.
• NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• NF C96-022-44*NF EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
• NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых в полупроводниковых компонентах.
• NF C96-022-19/A1*NF EN 60749-19/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность на сдвиг матрицы.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Органический полупроводниковый монокристалл

• EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
• EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
• EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.

PH-BPS, Органический полупроводниковый монокристалл

• PNS IEC 60749-44:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов

Lithuanian Standards Office , Органический полупроводниковый монокристалл

• LST EN 62047-9-2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС (IEC 62047-9:2011)
• LST EN 60749-39-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006)

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Органический полупроводниковый монокристалл

• QC 750112-1987 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства. Часть 8. Полевые транзисторы. Раздел первый. Пустая подробная спецификация для однозатворных полевых транзисторов мощностью до 5 Вт и 1 ГГц (IEC 747-8-1 ED 1).

AT-OVE/ON, Органический полупроводниковый монокристалл

• OVE EN IEC 60749-39:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 47/2652/CDV) (английская версия)

Другие:   Органический полупроводниковый фотокатализ, Органические полупроводниковые материалы, Органические полупроводники микро, Измерение удельного сопротивления, коэффициента Холла и Холла монокристаллического полупроводника, Фотокатализ органических полупроводниковых материалов, Органический полупроводниковый монокристалл, Метод испытаний для измерения удельного сопротивления, коэффициента Холла и холловской подвижности монокристаллических полупроводников, Метод измерения холловской подвижности и коэффициента Холла примесного полупроводникового монокристалла, Свойства органических полупроводниковых материалов, органический полупроводник рентгеновский, Органические полупроводники нестабильны., Полупроводниковый монокристалл, Органические полупроводники нестабильны, Спектры поглощения органических полупроводников, органический полупроводниковый лазер, органический монокристалл-полупроводник, Органический полупроводниковый монокристалл, Измерения подвижности Холла внешнего полупроводника и коэффициента Холла монокристалла.